JPS60186985A - Icカ−ド - Google Patents
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- JPS60186985A JPS60186985A JP59041247A JP4124784A JPS60186985A JP S60186985 A JPS60186985 A JP S60186985A JP 59041247 A JP59041247 A JP 59041247A JP 4124784 A JP4124784 A JP 4124784A JP S60186985 A JPS60186985 A JP S60186985A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ICチップの両側に金属箔層あるいは吸湿材
を分散させた有機高分子薄膜層を設けることt特徴とす
るICカードに関する。
を分散させた有機高分子薄膜層を設けることt特徴とす
るICカードに関する。
一般にICカードの製造法としては、ポリ塩化ビニルあ
るいは塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなるコアシ
ートにICチップを実装した後、前記コアシート及び前
記コアシートと同じ材質でかつ透明なオーバーシートを
積層し、さらに最と層には上から磁気テープを重ねたも
のを熱プレスすることにより圧着させる方法がとられC
いる。
るいは塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなるコアシ
ートにICチップを実装した後、前記コアシート及び前
記コアシートと同じ材質でかつ透明なオーバーシートを
積層し、さらに最と層には上から磁気テープを重ねたも
のを熱プレスすることにより圧着させる方法がとられC
いる。
この方法は、現在広く普及しているキャシュカードの製
造法と基本的に同じであり、又用いられるカード基材も
従来のキャシュカードの規格に合わせて同じ材質が使わ
れている。従っC1従来のICカードは、キャシュカー
ドにICチップを埋め込み、ワイヤボンディング等で適
当な配線を施したものであり、ICチップ埋めることに
よっ°C生じてくる製造方法に対する要求を必らずしも
満たしていない。即ち、ICチップは湿気に非常に弱い
という欠点があるが、従来のICカードにおいてはこの
点は考慮され′〔おらず、高湿中の長期にわたる開用に
おいCは、湿気の浸透による信頼性の低下が生じるとい
う欠点がめった。
造法と基本的に同じであり、又用いられるカード基材も
従来のキャシュカードの規格に合わせて同じ材質が使わ
れている。従っC1従来のICカードは、キャシュカー
ドにICチップを埋め込み、ワイヤボンディング等で適
当な配線を施したものであり、ICチップ埋めることに
よっ°C生じてくる製造方法に対する要求を必らずしも
満たしていない。即ち、ICチップは湿気に非常に弱い
という欠点があるが、従来のICカードにおいてはこの
点は考慮され′〔おらず、高湿中の長期にわたる開用に
おいCは、湿気の浸透による信頼性の低下が生じるとい
う欠点がめった。
本発明は、上記欠点に鑑み湿気に対して強い構造を持っ
たICカードを提供するものである。
たICカードを提供するものである。
上記目的を達成するために本発明は、ICチップの上下
に防湿あるいは吸湿の効果をもった薄層を設けることに
より、カード外部から侵入した湿気からICチップを保
護することのできるICカードを提供できる。
に防湿あるいは吸湿の効果をもった薄層を設けることに
より、カード外部から侵入した湿気からICチップを保
護することのできるICカードを提供できる。
以下更に本発明の詳細について説明する。
ポリ酢酸ビニルは、吸水率が比較的大きい樹脂であるこ
とがよく知られており、カード基材として塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体を用いた場合、ICチップを湿気か
ら保護するための層を設ける必要がある。又、ポリ塩化
ビニル樹脂は、ポリ酢酸ビニルレこ比べ吸水率が小さく
、ICカードの基材としては適当と思われるが、長期間
にわたる使用における信頼性全考慮した場合、やけや防
湿あるいは吸湿性の高い層を設けることにより、カード
外部から浸透する湿気を遮断した方が良い。
とがよく知られており、カード基材として塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体を用いた場合、ICチップを湿気か
ら保護するための層を設ける必要がある。又、ポリ塩化
ビニル樹脂は、ポリ酢酸ビニルレこ比べ吸水率が小さく
、ICカードの基材としては適当と思われるが、長期間
にわたる使用における信頼性全考慮した場合、やけや防
湿あるいは吸湿性の高い層を設けることにより、カード
外部から浸透する湿気を遮断した方が良い。
第1図は、本発明の一実施例を示した断面図である。I
CCチップ上実装したコアシート■の上下をはさみこむ
形で保護層■、■を形成し、さらにこれにコアシート■
、オーバーシート■、■そして最上層には磁気ストライ
プ■を重ね積層した後熱プレスにより圧着させる。保護
の仕方としては次の二通りのものが考えられる。
CCチップ上実装したコアシート■の上下をはさみこむ
形で保護層■、■を形成し、さらにこれにコアシート■
、オーバーシート■、■そして最上層には磁気ストライ
プ■を重ね積層した後熱プレスにより圧着させる。保護
の仕方としては次の二通りのものが考えられる。
一つは、湿気を通さない金属箔によりICチップを埋め
込んだコアシートの上下をはさみ込み、ICチップを湿
気から遮断しCしまうようにする方法である。この方法
によれば、カード外部から浸透した湿気は金属箔により
くい止められ、ICチップは害を被らない。この時、用
いられる金属箔としてはアルミ、スズ、銅、鉄、ステン
レス等箔が挙げられるが、入手容易さの点からアルミ箔
が最も好ましい。
込んだコアシートの上下をはさみ込み、ICチップを湿
気から遮断しCしまうようにする方法である。この方法
によれば、カード外部から浸透した湿気は金属箔により
くい止められ、ICチップは害を被らない。この時、用
いられる金属箔としてはアルミ、スズ、銅、鉄、ステン
レス等箔が挙げられるが、入手容易さの点からアルミ箔
が最も好ましい。
もう一つの方法は、吸湿材を分散させた有機高分子薄膜
層をICチップ金埋め込んだコアシートの上下に形成す
ることにより、浸透し−Cきた湿気全全にこでトラップ
してしまい、ICチップを湿気に触れさせないようにす
ることである。この時、有機高分子薄膜層のペースポリ
マーとしては、カード基材と同じもの即ちポリ塩化ビニ
ルもしくは塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体が望ましく
、又その中に分散させる湿材としては、乾燥材としてよ
く知られているシリカゲル、塩化カルシウム。
層をICチップ金埋め込んだコアシートの上下に形成す
ることにより、浸透し−Cきた湿気全全にこでトラップ
してしまい、ICチップを湿気に触れさせないようにす
ることである。この時、有機高分子薄膜層のペースポリ
マーとしては、カード基材と同じもの即ちポリ塩化ビニ
ルもしくは塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体が望ましく
、又その中に分散させる湿材としては、乾燥材としてよ
く知られているシリカゲル、塩化カルシウム。
アルミナ、マグネシア、硫酸銅塩化アルミニウム。
モレキ;ラシープ、五塩化リン等が挙げられる。
具体例1
第2図のようにICチップ■が実装された白色のポリ塩
化ビニルからなるコアシート[相]の上に厚さ約50μ
mのポリ塩化ビニルから成る絶縁層■をスクリーン印刷
した後、その上下を16gx30mのアルミ箔0.[相
](厚み約30μm)ではさみ、これを保護層とした。
化ビニルからなるコアシート[相]の上に厚さ約50μ
mのポリ塩化ビニルから成る絶縁層■をスクリーン印刷
した後、その上下を16gx30mのアルミ箔0.[相
](厚み約30μm)ではさみ、これを保護層とした。
その後さらに前記コアシートと同じ厚みのコアシートで
裏打ちし、表裏面を透明塩化ビニルオーバーシートでは
さんで第1図のような構成にしたもの全熱プレス(14
0℃、15υ)したところ厚さ約0.8mのカードが得
られた。
裏打ちし、表裏面を透明塩化ビニルオーバーシートでは
さんで第1図のような構成にしたもの全熱プレス(14
0℃、15υ)したところ厚さ約0.8mのカードが得
られた。
このようにして作製したカードを恒湿槽(40℃。
9 oX)に500時間放置した後駆動試験を行なった
ところ、実用上問題になるような性能の劣化は見られな
かりた。
ところ、実用上問題になるような性能の劣化は見られな
かりた。
具体例2
シクロヘヤケ2フ30部に酢酸ジエナレングリコールモ
ノー〇−ブチルエーテル70部の混合溶媒75部に塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体(K−2゜日本ゼオン製)
25部を溶解したものに、シリカゲルの微粉末平均粒径
20μm25部を混練し〔印刷ペースト金調製した。こ
の印刷ペース)=i’、1.Cチップ[相]を実装した
コアシート■の表裏にスクリーン印刷し、乾燥させたと
ころ約20μmの保護膜が得られた。その後具体例1と
同じ工程で厚み約0.8mのカードを得、さらに同様の
試験全行なったところ、この場合も実用上問題となる変
化はなかっ九〇 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、ICチップの上下
に保護層を設けることにより、高湿中での使用において
も安定な性能金示すICカードが作製できるようになっ
た。
ノー〇−ブチルエーテル70部の混合溶媒75部に塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体(K−2゜日本ゼオン製)
25部を溶解したものに、シリカゲルの微粉末平均粒径
20μm25部を混練し〔印刷ペースト金調製した。こ
の印刷ペース)=i’、1.Cチップ[相]を実装した
コアシート■の表裏にスクリーン印刷し、乾燥させたと
ころ約20μmの保護膜が得られた。その後具体例1と
同じ工程で厚み約0.8mのカードを得、さらに同様の
試験全行なったところ、この場合も実用上問題となる変
化はなかっ九〇 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、ICチップの上下
に保護層を設けることにより、高湿中での使用において
も安定な性能金示すICカードが作製できるようになっ
た。
第1図は、本発明に係るICカードの一実施例を示す断
面図。 第2図は、本発明に係るICカードの要部を示す断面図
である。 ■・・・ICチップ、■・・・コアシート。 ■、■・・・保護層、 ■・・・コアシート。 ■、■・・・オーバーシート、■・・・磁気ストライプ
。 第 1 図 第 2 図
面図。 第2図は、本発明に係るICカードの要部を示す断面図
である。 ■・・・ICチップ、■・・・コアシート。 ■、■・・・保護層、 ■・・・コアシート。 ■、■・・・オーバーシート、■・・・磁気ストライプ
。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ポリ塩化ビニルもしく紘塩化ビニルー酢酸ビニル
共重合体を基材とするICカードに実装されるICチッ
プの上下を防g1あるいは吸湿の効果を持った薄層でな
ることを特徴とするICカード。 2、薄層を形成する材料として、金属箔あるいド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59041247A JPS60186985A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | Icカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59041247A JPS60186985A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | Icカ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60186985A true JPS60186985A (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=12603104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59041247A Pending JPS60186985A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | Icカ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60186985A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1321979A3 (en) * | 2001-12-03 | 2005-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module with increased reliability against heavy environment conditions and production method therefor |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59041247A patent/JPS60186985A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1321979A3 (en) * | 2001-12-03 | 2005-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module with increased reliability against heavy environment conditions and production method therefor |
US7135782B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
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