JPS60186499A - 人工ダイヤモンドの析出生成方法 - Google Patents
人工ダイヤモンドの析出生成方法Info
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- JPS60186499A JPS60186499A JP59041650A JP4165084A JPS60186499A JP S60186499 A JPS60186499 A JP S60186499A JP 59041650 A JP59041650 A JP 59041650A JP 4165084 A JP4165084 A JP 4165084A JP S60186499 A JPS60186499 A JP S60186499A
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- Japan
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- heated
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- diamond
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、人工ダイヤモンドの析出生成方法の改良に
関するものである。
関するものである。
従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法としては多数の
方法が提案され、中でも例えば特公昭５８−９１１００
号公報に記載される方法、すなわち。
方法が提案され、中でも例えば特公昭５８−９１１００
号公報に記載される方法、すなわち。
金属タングステン製フィラメントなどの熱電子放射材に
よって加熱された反応混合ガスの流れの中に加熱基体を
置き、この基体表面に人工ダイヤモンドを析出生成させ
る方法が、比較的簡単な装置で安定した操業を行なうこ
とができることから注目されている。しかし、この従来
方法の場合、人工ダイヤモンドの析出生成速度が遅いと
いう問題点がある。
よって加熱された反応混合ガスの流れの中に加熱基体を
置き、この基体表面に人工ダイヤモンドを析出生成させ
る方法が、比較的簡単な装置で安定した操業を行なうこ
とができることから注目されている。しかし、この従来
方法の場合、人工ダイヤモンドの析出生成速度が遅いと
いう問題点がある。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記の
熱電子放射材全利用する方法に着目し、これの基体表面
への人工ダイヤモンドの析出生成速度の促進をはかるべ
く研究を行なった結果、上記の熱電子放射材を利用する
方法全実施するに際して、基体表面に１５０〜３５・Ｏ
ｎｍの範囲内の波長を有する紫外光を照射すると、基体
表面への人工ダイヤモンドの析出生成速度が一段と向上
するようになるという知見を得たのである。
熱電子放射材全利用する方法に着目し、これの基体表面
への人工ダイヤモンドの析出生成速度の促進をはかるべ
く研究を行なった結果、上記の熱電子放射材を利用する
方法全実施するに際して、基体表面に１５０〜３５・Ｏ
ｎｍの範囲内の波長を有する紫外光を照射すると、基体
表面への人工ダイヤモンドの析出生成速度が一段と向上
するようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て。
て。
１５００〜２５００℃の範囲内の温度に加熱保持された
熱電子放射材にて、炭化水素と水素で構成された反応混
合ガス全加熱し。
熱電子放射材にて、炭化水素と水素で構成された反応混
合ガス全加熱し。
０、１〜３００ｔｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力に保持さ
れた上記加熱反応混合ガスの流れの中に置かれ、かつ３
００〜１３００℃の範囲内の温度に加熱された基体の表
面にダイヤモンド全析出生成させるに際して。
れた上記加熱反応混合ガスの流れの中に置かれ、かつ３
００〜１３００℃の範囲内の温度に加熱された基体の表
面にダイヤモンド全析出生成させるに際して。
上記基体表面［１５０〜３５０ｎｍの範囲内の波長をも
った紫外光を照射することによりダイヤモンドの前記基
体表面への析出生成速度の向上をはかった点に特徴を有
するものである。
った紫外光を照射することによりダイヤモンドの前記基
体表面への析出生成速度の向上をはかった点に特徴を有
するものである。
以下に、この発明の方法において、熱電子放射材の加熱
温度、雰囲気圧力、基体の加熱温度、および紫外光の波
長全上記の通りに限定した理由全説明する。
温度、雰囲気圧力、基体の加熱温度、および紫外光の波
長全上記の通りに限定した理由全説明する。
（ａ）熱電子放射材の加熱温度
熱電子放射材の加熱温度が１５００℃未満では、これに
よって加熱される反応混合ガスの温度が低くすぎて、基
体表面へのダイヤモンドの析出生成速度が低下するよう
になり、一方その温度が２５００℃を越えると、加熱さ
れる反応混合ガスの温度が高くなりすぎて、基体表面に
グラファイト相が析出するようになることから、その加
熱温度’ｔ １５００〜２５００℃に定めた。
よって加熱される反応混合ガスの温度が低くすぎて、基
体表面へのダイヤモンドの析出生成速度が低下するよう
になり、一方その温度が２５００℃を越えると、加熱さ
れる反応混合ガスの温度が高くなりすぎて、基体表面に
グラファイト相が析出するようになることから、その加
熱温度’ｔ １５００〜２５００℃に定めた。
（ｂ） 雰囲気圧力
反応混合ガスによって形成される雰囲気の圧力が０．１
ｔｏｒｒ未満では、基体表面へのダイヤモンドの析出
生成速度が遅く、一方その圧力が３００ ｔｏｒｒを越
えると、相対的に反応混合ガス量が多くなりすぎる結果
となって、基体表面にグラファイト相が現われるように
なることから、雰囲気圧力ケ０．１〜３００ ｔｏｒｒ
と定めた。
ｔｏｒｒ未満では、基体表面へのダイヤモンドの析出
生成速度が遅く、一方その圧力が３００ ｔｏｒｒを越
えると、相対的に反応混合ガス量が多くなりすぎる結果
となって、基体表面にグラファイト相が現われるように
なることから、雰囲気圧力ケ０．１〜３００ ｔｏｒｒ
と定めた。
（Ｃ）基体の加熱温度
基体の加熱温度が３００℃未満では、基体表面へのダイ
ヤモンドの析出生成速度が遅く、一方その加熱温度が１
３００℃を越えると、グラファイト相が析出し易くなる
ことから、その加熱温度を３００〜１３００℃と定めた
。
ヤモンドの析出生成速度が遅く、一方その加熱温度が１
３００℃を越えると、グラファイト相が析出し易くなる
ことから、その加熱温度を３００〜１３００℃と定めた
。
（ｄ） 紫外光の波長
紫外光の波長に短かければ短かいほどダイヤモンドの析
出生成速度の向上に好影響全もたらし望ましいが、現実
にＵ１５０ｎｍ未満の波長の紫外光金得るのは工業的に
困難であり、一方その波長が３５ Ｑｎｍｉ越えると、
その照射によってもダイヤモンドの析出生成速度の一段
の向上が現わｔ″Ｌないことから、紫外光の波長全１５
０〜３５０ｎｍと定めた。
出生成速度の向上に好影響全もたらし望ましいが、現実
にＵ１５０ｎｍ未満の波長の紫外光金得るのは工業的に
困難であり、一方その波長が３５ Ｑｎｍｉ越えると、
その照射によってもダイヤモンドの析出生成速度の一段
の向上が現わｔ″Ｌないことから、紫外光の波長全１５
０〜３５０ｎｍと定めた。
つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
実施に際して、第１図に概略断面図で示される装置全使
用した。この実施装置において、１に箱型反応容器で、
その上面中心部には水素と炭化水素で構成された反応混
合ガスの導入管２を備え、５− この導入管２の先端に反応容器内の中心部に開口してい
る。また前記反応容器１の底面には排気口３が設けられ
、さらに前記反応容器１内には、ホルダ４上に支持され
た状態で板状基体５と、金属タングステンなどで構成さ
れた熱電子放射材としてのフィラメント６とが、前記フ
ィラメント６を間にして・導入管２と基体５が直線上に
位置するように装着されている。また、前記反応容器１
の一方側側壁には窓７が設けられ、この窓７には高純度
石英製板材８がはめ込−！れ、さらにこの窓７の位置に
、隣接して前記反応容器内の基体表面へ照射される紫外
光１０を調節するためのレンズ９が設けられている。
用した。この実施装置において、１に箱型反応容器で、
その上面中心部には水素と炭化水素で構成された反応混
合ガスの導入管２を備え、５− この導入管２の先端に反応容器内の中心部に開口してい
る。また前記反応容器１の底面には排気口３が設けられ
、さらに前記反応容器１内には、ホルダ４上に支持され
た状態で板状基体５と、金属タングステンなどで構成さ
れた熱電子放射材としてのフィラメント６とが、前記フ
ィラメント６を間にして・導入管２と基体５が直線上に
位置するように装着されている。また、前記反応容器１
の一方側側壁には窓７が設けられ、この窓７には高純度
石英製板材８がはめ込−！れ、さらにこの窓７の位置に
、隣接して前記反応容器内の基体表面へ照射される紫外
光１０を調節するためのレンズ９が設けられている。
いま、この実施装置を用い、基体５として平面：１０ｍ
ｍＸ厚さ：２朔の寸法をもった金属タングステン製板材
を取付け、反応容器ｌ内を排気して１Ｘ１０ｔｏｒｒの
高真空とし、一方フィラメント６に通電して、その温度
１２０００℃とすると共に、このフィラメント６による
加熱によって基体５の温度を、前記フィラメントとの間
隔ｋ ４． ｃｍ６一 に調整することにより７００℃に保持した後、導入管２
よシＨ２とＣＨ４とを容量比でＣ！ Ｈ４／Ｈ２＝１／
１００ の割合で混合した反応混合ガスｔ１００ｍｔ／
ｍｍの割合で流して前記反応容器内の雰囲気圧力１５
ｔｏｒｒに調整し、一方エキシマレーザー発生装置から
発した２４８ｎｍの波長をもった紫外光１０全レンズ９
および窓７全通して基体表面に２００ ｍジュールの強
さで照射し、この場合前記レンズ９により紫外光１０が
基体表面全体に照射されるように調整し、この状態で１
時間の反応を行なうことにより前記基体５の表面にダイ
ヤモンド全析出生成せしめた。
ｍＸ厚さ：２朔の寸法をもった金属タングステン製板材
を取付け、反応容器ｌ内を排気して１Ｘ１０ｔｏｒｒの
高真空とし、一方フィラメント６に通電して、その温度
１２０００℃とすると共に、このフィラメント６による
加熱によって基体５の温度を、前記フィラメントとの間
隔ｋ ４． ｃｍ６一 に調整することにより７００℃に保持した後、導入管２
よシＨ２とＣＨ４とを容量比でＣ！ Ｈ４／Ｈ２＝１／
１００ の割合で混合した反応混合ガスｔ１００ｍｔ／
ｍｍの割合で流して前記反応容器内の雰囲気圧力１５
ｔｏｒｒに調整し、一方エキシマレーザー発生装置から
発した２４８ｎｍの波長をもった紫外光１０全レンズ９
および窓７全通して基体表面に２００ ｍジュールの強
さで照射し、この場合前記レンズ９により紫外光１０が
基体表面全体に照射されるように調整し、この状態で１
時間の反応を行なうことにより前記基体５の表面にダイ
ヤモンド全析出生成せしめた。
この結果、上記基体表面には平均層厚：４μｍの人工ダ
イヤモンドが形成され、この人工ダイヤモンドは、天然
ダイヤモンドと同等のマイクロビッカース硬さで７００
０Ｋｐ／−以上の高硬度を示し、かつＸ線回折でも天然
ダイヤモンドと同じ回折結果を示した。
イヤモンドが形成され、この人工ダイヤモンドは、天然
ダイヤモンドと同等のマイクロビッカース硬さで７００
０Ｋｐ／−以上の高硬度を示し、かつＸ線回折でも天然
ダイヤモンドと同じ回折結果を示した。
一方比較の目的で、基体表面への紫外光の照射を行なわ
ない以外は同一の条件で反応全行なわしめたところ、基
体表面には平均層厚で０．５μｍの人工ダイヤモンドし
か形成されず、この結果より紫外光の照射によって人工
ダイヤモンドの析出生成速度が一段と向上するようにな
ることが明らかである。
ない以外は同一の条件で反応全行なわしめたところ、基
体表面には平均層厚で０．５μｍの人工ダイヤモンドし
か形成されず、この結果より紫外光の照射によって人工
ダイヤモンドの析出生成速度が一段と向上するようにな
ることが明らかである。
実施例 ２
実施に際して、同じく第１図に示される装置を用い、
基体（５）：平面１２．７關×厚さ４．８閣の寸法をも
った炭化タングステン基超硬合１（Ｃｏ：５重量間、Ｗ
Ｃ：残り）製版材、 フィラメント（６）と基体表面との間隔＝５ｃｒｎ、フ
ィラメント（６）の加熱温度：２１００℃、基体表面の
加熱保持温度：９００℃、 雰囲気圧力ニ ２０ ｔｏｒｒ、 反応混合ガス組成： ０２Ｈ２／Ｈ２＝１／１００ 。
った炭化タングステン基超硬合１（Ｃｏ：５重量間、Ｗ
Ｃ：残り）製版材、 フィラメント（６）と基体表面との間隔＝５ｃｒｎ、フ
ィラメント（６）の加熱温度：２１００℃、基体表面の
加熱保持温度：９００℃、 雰囲気圧力ニ ２０ ｔｏｒｒ、 反応混合ガス組成： ０２Ｈ２／Ｈ２＝１／１００ 。
反応混合ガスの導入割合： ｌ ＯＱ ｍ７７ｍｍ％紫
外光（１０〕の波長：１９３ｎｍ、 紫外光（１０〕の基体表面での強度：３００ｍジュール
、 反応時間：１時間、 の条件で実施例１におけると同様な操作で反応を行なっ
たところ、上記基体表面には平均層厚で３．５μｍの人
工ダイヤモンドが形成された。
外光（１０〕の波長：１９３ｎｍ、 紫外光（１０〕の基体表面での強度：３００ｍジュール
、 反応時間：１時間、 の条件で実施例１におけると同様な操作で反応を行なっ
たところ、上記基体表面には平均層厚で３．５μｍの人
工ダイヤモンドが形成された。
この結果得られた人工ダイヤモンドもマイクロビッカー
ス硬さで７０００Ｋｇ／−以上の高硬度Ｅｂ示し、天然
ダイヤモンドと同じ結晶構造全もっことがＸ線回折によ
り確認された。
ス硬さで７０００Ｋｇ／−以上の高硬度Ｅｂ示し、天然
ダイヤモンドと同じ結晶構造全もっことがＸ線回折によ
り確認された。
また、同様に紫外光の照射を行なわない以外は同一の条
件で人工ダイヤモンドを形成した場合い＝は平均層厚で
０．７μｍのダイヤモンドしか形成できず、これによっ
て紫外光の照射によって人工ダイヤモンドの析出生成が
著しく促進されるように乃ることが確認された。
件で人工ダイヤモンドを形成した場合い＝は平均層厚で
０．７μｍのダイヤモンドしか形成できず、これによっ
て紫外光の照射によって人工ダイヤモンドの析出生成が
著しく促進されるように乃ることが確認された。
上述のように、この１発明の方法によれば、人工ダイヤ
モンドを従来人工ダイヤモンドの析出生成方法に比して
一段と速い析出生成速度で製造することができ、さらに
紫外光の基体表面への照射面積全レンズによって自由に
変えることができるので、基体におけるダイヤモンドの
析出面積の制御９− が容易となり、人工ダイヤモンドの部分析出も可能とな
るなどの工業上有用な効果がもたらされるのである。
モンドを従来人工ダイヤモンドの析出生成方法に比して
一段と速い析出生成速度で製造することができ、さらに
紫外光の基体表面への照射面積全レンズによって自由に
変えることができるので、基体におけるダイヤモンドの
析出面積の制御９− が容易となり、人工ダイヤモンドの部分析出も可能とな
るなどの工業上有用な効果がもたらされるのである。
第１図はこの発明の実施装置を示す概略断面図である。
図面において、
■・・・反応容器、 ２・・・導入管、３・・・排気口
、 ４・・・ホルダ、 ５・・・基体。 ６・・・熱電子放射材（フィラメント）、７・・・窓、
８・・・高純度石英製板材、９・・・レンズ、１０・
・・紫外光。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名 １０− 簗１図 手 続 補 正 書（自 発） 昭和５９年 ４月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５９−４１６５０号 ２、発明の名称 人口ダイヤモンドの析出生成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区大手町−丁目５番２号氏名（名称
） （６２Ｇ）三菱金属株式会社代表者 永 野 健 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田錦町−丁目２３番地宗保第二
ビル８階 〒１０１ 電話（０３） ２３３−１６７６・１６７７
自発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 、− （１）明細書、第８頁、発明の詳細な説明の項、下から
５行、 ｒ Ｃ２Ｈ２／ Ｈ２Ｊとあるを、 ｒ Ｃ２Ｈ６／ Ｈ２Ｊと訂正する。 以上
、 ４・・・ホルダ、 ５・・・基体。 ６・・・熱電子放射材（フィラメント）、７・・・窓、
８・・・高純度石英製板材、９・・・レンズ、１０・
・・紫外光。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名 １０− 簗１図 手 続 補 正 書（自 発） 昭和５９年 ４月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５９−４１６５０号 ２、発明の名称 人口ダイヤモンドの析出生成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区大手町−丁目５番２号氏名（名称
） （６２Ｇ）三菱金属株式会社代表者 永 野 健 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田錦町−丁目２３番地宗保第二
ビル８階 〒１０１ 電話（０３） ２３３−１６７６・１６７７
自発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 、− （１）明細書、第８頁、発明の詳細な説明の項、下から
５行、 ｒ Ｃ２Ｈ２／ Ｈ２Ｊとあるを、 ｒ Ｃ２Ｈ６／ Ｈ２Ｊと訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １５００〜２５００℃の範囲内の温度に加熱保持された
熱電子放射材にて、炭化水素と水素で構成された反応混
合ガス全加熱し、 ０．１〜３００ｔｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力に保持さ
れた上記加熱反応混合ガスの流れの中に置かれ、かつ３
００〜１３００℃の範囲内の温度に力ｎ熱された基体の
表面にダイヤモンドを析出生成させるに際して。 上記基体表面に１５０〜３５０ｎｒｎの範囲内の波長を
有する紫外光全照射してダイヤモンド析出生成速度の促
進ヲハかることを特徴とする人工ダイヤモンドの析出生
成方法。 １−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041650A JPS60186499A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041650A JPS60186499A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186499A true JPS60186499A (ja) | 1985-09-21 |
| JPS6358799B2 JPS6358799B2 (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=12614227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041650A Granted JPS60186499A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186499A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816286A (en) * | 1985-11-25 | 1989-03-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for synthesis of diamond by CVD |
| JPH01103992A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド膜の製造方法 |
| US5110577A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-05 | Ford Motor Company | Process of depositing a carbon film having metallic properties |
| US5252174A (en) * | 1989-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing substrates for depositing diamond thin films |
| US5340401A (en) * | 1989-01-06 | 1994-08-23 | Celestech Inc. | Diamond deposition cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583636A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JPS5891100A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ダイヤモンドの合成法 |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59041650A patent/JPS60186499A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583636A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JPS5891100A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ダイヤモンドの合成法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816286A (en) * | 1985-11-25 | 1989-03-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for synthesis of diamond by CVD |
| JPH01103992A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド膜の製造方法 |
| US5340401A (en) * | 1989-01-06 | 1994-08-23 | Celestech Inc. | Diamond deposition cell |
| US5252174A (en) * | 1989-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing substrates for depositing diamond thin films |
| US5110577A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-05 | Ford Motor Company | Process of depositing a carbon film having metallic properties |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358799B2 (ja) | 1988-11-16 |
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