JPS60184679A - 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置 - Google Patents
多層薄膜形成法及びそれに用いる装置Info
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- JPS60184679A JPS60184679A JP3997484A JP3997484A JPS60184679A JP S60184679 A JPS60184679 A JP S60184679A JP 3997484 A JP3997484 A JP 3997484A JP 3997484 A JP3997484 A JP 3997484A JP S60184679 A JPS60184679 A JP S60184679A
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- Japan
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- thin film
- gas
- gas introduction
- chamber
- film forming
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、基板に気相成長法によって、薄膜を形成させ
る薄膜形成法及びそれに用いる装置に関する。
る薄膜形成法及びそれに用いる装置に関する。
本発明の背景
重板上に、気相成長法によって、薄膜を形成させる薄膜
形成法として、従来、次に述べる方法が提案されている
。
形成法として、従来、次に述べる方法が提案されている
。
すなわら、第１図に示１ような装置Ｕを用いている。
この装置Ｕは、真空チレンバ−１と１．それに設けられ
たガス導出口２と、遊端にガス噴出用ノズル部３を有し
、且つ基部にガス導入口４を有する薄膜形成用ガス導入
管５と、真空チャンバー１内に配された薄膜の形成され
る基板６を保持させる基板保持用板７と、真空チャンバ
ー１内に、基板保持用板７下に配されたヒータ８とを有
する。この場合、基板保持用板７は、歯車機構８を介し
て、モータ９に連結されている。
たガス導出口２と、遊端にガス噴出用ノズル部３を有し
、且つ基部にガス導入口４を有する薄膜形成用ガス導入
管５と、真空チャンバー１内に配された薄膜の形成され
る基板６を保持させる基板保持用板７と、真空チャンバ
ー１内に、基板保持用板７下に配されたヒータ８とを有
する。この場合、基板保持用板７は、歯車機構８を介し
て、モータ９に連結されている。
以上が、従来の薄膜形成法に用いている従来の薄膜形成
法に用いる装置の一例構成である。
法に用いる装置の一例構成である。
基板６上に、気相成長法によって、薄膜を形成させる従
来の薄膜形成法は、上述した装置Ｕを用い、そしてヒー
タ８に通電させて、基板６を加熱させている状態で、且
つその加熱を各部均一に行うために、基板６を基板保持
用板７、歯車機構８を介して、モータ９によって回転さ
せている状態で、真空チャンバー１内のガスをガス導出
［１２から排出させながら、真空チャンバー１内にＩＩ
ＩＪ形成用ガス導入管５を介して、薄膜形成用ガスを導
入させることによって、基板６上に薄膜を１［積形酸さ
せる。
来の薄膜形成法は、上述した装置Ｕを用い、そしてヒー
タ８に通電させて、基板６を加熱させている状態で、且
つその加熱を各部均一に行うために、基板６を基板保持
用板７、歯車機構８を介して、モータ９によって回転さ
せている状態で、真空チャンバー１内のガスをガス導出
［１２から排出させながら、真空チャンバー１内にＩＩ
ＩＪ形成用ガス導入管５を介して、薄膜形成用ガスを導
入させることによって、基板６上に薄膜を１［積形酸さ
せる。
このような従来の薄膜形成法の場合、基板６上に、Ｈに
異なる組成の複数の薄膜を多層に積層しＣ形成するとき
、上述したようにして基板６上に堆積形成することを複
数回、順次真空チ（７ンバー１内を排気してから、行な
わなければならないという頻わしさを有り“る１゜また
、このために、多層に積層しＣ形成された複数の薄膜を
、その相隣る薄膜を境界にして明瞭に形成Ｊることがで
きない、という欠点を有していた。
異なる組成の複数の薄膜を多層に積層しＣ形成するとき
、上述したようにして基板６上に堆積形成することを複
数回、順次真空チ（７ンバー１内を排気してから、行な
わなければならないという頻わしさを有り“る１゜また
、このために、多層に積層しＣ形成された複数の薄膜を
、その相隣る薄膜を境界にして明瞭に形成Ｊることがで
きない、という欠点を有していた。
また、従来、薄膜形成法として第２図に示すように、容
器１１内に、基板６を、ヒータ１２を内奏しているボー
ト１３上に保持させて、杆１４を用いて配した状態で、
容器１１内にＩＩＧ！形成用ガスを導入させて、基板６
上に薄膜を形成する方法も提案されている。
器１１内に、基板６を、ヒータ１２を内奏しているボー
ト１３上に保持させて、杆１４を用いて配した状態で、
容器１１内にＩＩＧ！形成用ガスを導入させて、基板６
上に薄膜を形成する方法も提案されている。
このような薄膜形成法の場合も、基板６上に複数の薄膜
を多層に積層して形成り′る場合、第１図を伴なった上
述したと同様の欠点を有していた。
を多層に積層して形成り′る場合、第１図を伴なった上
述したと同様の欠点を有していた。
さらに、・薄膜形成法として、従来、第３図に示ずよう
に、隔壁２１を用いて２つの室部２２及び２３を形成し
ている容器２０を用い、しかして、容器２０の室２２及
び２２内にそれぞれ互に異なる組成の薄膜形成用ガスを
導入さけている状態で、容器２０内に、基板６を、ヒー
タ１２を内装し−Ｃいるボー１〜１３上に保持さＵて、
杆１４を用いて、室２２及び２３に順次臨ませるように
配するようにして、基板６上に順次複数の薄膜を積層し
て形成する方法も提案されている。
に、隔壁２１を用いて２つの室部２２及び２３を形成し
ている容器２０を用い、しかして、容器２０の室２２及
び２２内にそれぞれ互に異なる組成の薄膜形成用ガスを
導入さけている状態で、容器２０内に、基板６を、ヒー
タ１２を内装し−Ｃいるボー１〜１３上に保持さＵて、
杆１４を用いて、室２２及び２３に順次臨ませるように
配するようにして、基板６上に順次複数の薄膜を積層し
て形成する方法も提案されている。
しかしながら、このような薄膜形成法の場合、容器２０
の室２２及び２３に導入される互に異なる組成の薄膜形
成用ガスが、容器２ｏ内で混合されるため、この場合も
、複数の薄膜を、その相隣る薄膜の境界をして明瞭に形
成することができない、という欠点を有していた。
の室２２及び２３に導入される互に異なる組成の薄膜形
成用ガスが、容器２ｏ内で混合されるため、この場合も
、複数の薄膜を、その相隣る薄膜の境界をして明瞭に形
成することができない、という欠点を有していた。
本発明の目的
よって、本発明は、上述した欠点のない新規な薄膜形成
法、及びそれに用いる装置を提案せんとＪるものである
。
法、及びそれに用いる装置を提案せんとＪるものである
。
本発明の開示
本願箱１Ｍ口の発明による化１１Ｇ４形成法は、隔壁に
よって第１及び第２の室を形成しているチレンバと、上
記８２１１及び第２の室にそれぞれ設けられた第１及び
第２のガス導出口と、上記第１の室内に配された薄膜の
形成される基板を保持さける基板保持用板と、同心的に
配された複数のガス導入管体を有し、−［記複数のカス
導入管体に、それらの遊端において、管軸方向に順次位
置を異にして複数のガス噴出用ノズル部が設【Ｊられ、
且つ基部において、複数のガス導入部がそれぞれ設けら
れている薄膜形成用ガス導入管体と、上記薄膜ｍ成用ガ
ス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズル部中の１つ
のみが上記第１の室内に位置するように、移動させるガ
ス導入管体駆動手段とを有する７−薄膜形成用装置を用
いる。
よって第１及び第２の室を形成しているチレンバと、上
記８２１１及び第２の室にそれぞれ設けられた第１及び
第２のガス導出口と、上記第１の室内に配された薄膜の
形成される基板を保持さける基板保持用板と、同心的に
配された複数のガス導入管体を有し、−［記複数のカス
導入管体に、それらの遊端において、管軸方向に順次位
置を異にして複数のガス噴出用ノズル部が設【Ｊられ、
且つ基部において、複数のガス導入部がそれぞれ設けら
れている薄膜形成用ガス導入管体と、上記薄膜ｍ成用ガ
ス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズル部中の１つ
のみが上記第１の室内に位置するように、移動させるガ
ス導入管体駆動手段とを有する７−薄膜形成用装置を用
いる。
しかして、上記基板保持板上に、薄膜の形成されるべき
基板を配し、上記ガス導入管体駆動手段によって、上記
薄膜形成用ガス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズ
ル部が、順次、上記第１の室内に位置り゛るように移動
さＶ ｔ＝状態で、且つ上記第１及び第２の空中の少く
とも第１の室内のガスを上記第１のガス導入１」を通じ
て外部に排出させながら、上記複数のガス導入管に上記
複数のガス導出部をそれぞれ通じて複数の薄膜形成用ガ
スを順次導入させることによって、上記基板上に順次複
数の薄膜を積層形成させる。
基板を配し、上記ガス導入管体駆動手段によって、上記
薄膜形成用ガス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズ
ル部が、順次、上記第１の室内に位置り゛るように移動
さＶ ｔ＝状態で、且つ上記第１及び第２の空中の少く
とも第１の室内のガスを上記第１のガス導入１」を通じ
て外部に排出させながら、上記複数のガス導入管に上記
複数のガス導出部をそれぞれ通じて複数の薄膜形成用ガ
スを順次導入させることによって、上記基板上に順次複
数の薄膜を積層形成させる。
このため、本願第１番目の発明による薄膜形成法によれ
ば、第１図〜第３図を伴なって上述した欠点を有効に回
避さけることがＣぎる。
ば、第１図〜第３図を伴なって上述した欠点を有効に回
避さけることがＣぎる。
また、本願第２番目の発明ににる薄膜形成法に用いる装
置は、隔壁によって第１及び第２の室を形成しているチ
ャンバと、上記第１及び第２の７にイれぞれ設（〕られ
た第１及び第２のガス導出口と、上記第１の室内に配さ
れた薄膜の形成される基板を保持ざける基板保持用板と
、同心的に配された複数のガス導入管体を有し、上記複
数のガス導入管体に、それらの遊端において、管軸方向
に順次位置を異にして複数のガスｌｌｔ′１出用ノズル
部が設（）られ、１つ基部において、複数のガス導入部
がそれぞれ設けられている薄膜形成用ガス導入管体と、
上記薄膜形成用カス導入管体を、その複数のガス噴出用
ノズル部中の１つのみが上記第１の室内に位置するよう
に、移動させるガス導入管体駆動手段とを有する構成を
右Ｊる。
置は、隔壁によって第１及び第２の室を形成しているチ
ャンバと、上記第１及び第２の７にイれぞれ設（〕られ
た第１及び第２のガス導出口と、上記第１の室内に配さ
れた薄膜の形成される基板を保持ざける基板保持用板と
、同心的に配された複数のガス導入管体を有し、上記複
数のガス導入管体に、それらの遊端において、管軸方向
に順次位置を異にして複数のガスｌｌｔ′１出用ノズル
部が設（）られ、１つ基部において、複数のガス導入部
がそれぞれ設けられている薄膜形成用ガス導入管体と、
上記薄膜形成用カス導入管体を、その複数のガス噴出用
ノズル部中の１つのみが上記第１の室内に位置するよう
に、移動させるガス導入管体駆動手段とを有する構成を
右Ｊる。
このため、本願第２番目の発明による薄膜形成法に用い
る装置は、これを用いて、上述した本願第１番目の発明
による薄膜形成法によって、上述した欠点を伴なやこと
なしに・基板上に薄膜を形成させることができる。
る装置は、これを用いて、上述した本願第１番目の発明
による薄膜形成法によって、上述した欠点を伴なやこと
なしに・基板上に薄膜を形成させることができる。
次に、本願第１番目の発明による薄膜形成法の実施例を
、本願第２番目の発明による薄膜形成法に用いる装置の
実施例とともに述べよう。
、本願第２番目の発明による薄膜形成法に用いる装置の
実施例とともに述べよう。
本願第１番目の発明による７ｍ、膜形成法の実施例にお
いては、第４図を伴なって次にｊホへるような薄膜形成
法に用いる装置Ｕを用いる。
いては、第４図を伴なって次にｊホへるような薄膜形成
法に用いる装置Ｕを用いる。
第４図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。
し詳細説明を省略する。
第４図に示されている本願第１番目の発明にＪ：る薄膜
形成法に用いられる装置Ｕの実施例は、次に述べる構成
を有する。
形成法に用いられる装置Ｕの実施例は、次に述べる構成
を有する。
すなわち、隔壁３３によって第１及び第２の室３４及び
３４′を形成しているチャンバ１を有する。
３４′を形成しているチャンバ１を有する。
また、第１及び第２の室３４及び３４′にそれぞれ設【
ノられた第１及び第２のガス導出口２及び２′を有する
。
ノられた第１及び第２のガス導出口２及び２′を有する
。
さらに、第１の室内３４に配された薄膜の形成されるｉ
ｌ＆を保持させる基板保持用板７を有する。
ｌ＆を保持させる基板保持用板７を有する。
また、
同心的に配された複数のガス導入管体３５．３５′を有
し、複数のガス導入管体３５．３５′に、それらの遊端
において、管軸方向に順次位置を異にして複数のガス噴
出用ノズル部３，３′が設けられ、且つ基部において、
複数のガス導入部４，４′がそれぞれ設けられている薄
膜形成用カス導入管体５を有する。
し、複数のガス導入管体３５．３５′に、それらの遊端
において、管軸方向に順次位置を異にして複数のガス噴
出用ノズル部３，３′が設けられ、且つ基部において、
複数のガス導入部４，４′がそれぞれ設けられている薄
膜形成用カス導入管体５を有する。
さらに、薄膜形成用ガス導入管体５を、その複数のガス
噴出用ノズル部３．３′中の１つのみが第１の室内３４
に位置するように、移動させるガス導入管体駆動手段３
１，３２どを右づる薄膜形成用装置。
噴出用ノズル部３．３′中の１つのみが第１の室内３４
に位置するように、移動させるガス導入管体駆動手段３
１，３２どを右づる薄膜形成用装置。
以上が、本願第１番目の発明による薄膜形成法に用いる
本願第２番目の発明による装置Ｕの一例構成である。
本願第２番目の発明による装置Ｕの一例構成である。
本願第１番目の発明による薄膜形成法の一例は、上述し
た本願第２番目の発明による装置Ｕを用い、そして、基
板保持板上７に、薄膜の形成されるべき基板６を配し、
ガス導入管体駆動手段３１．３２によって、薄膜形成用
ガス導入管体５を、その複数のガス噴出用ノズル部が、
順次、第１の室内に位置するように移動させた状態で、
且つ第１及び第２の室中の少くとも第１の室内のガスを
第１のガス導入口を通じて外部に排出させながら、複数
のガス導入管に複数のガス導出部をそれぞれ通じて複数
の薄膜形成用ガスを順次導入させることによって、基板
上に順次複数の薄膜を積層形成させる。
た本願第２番目の発明による装置Ｕを用い、そして、基
板保持板上７に、薄膜の形成されるべき基板６を配し、
ガス導入管体駆動手段３１．３２によって、薄膜形成用
ガス導入管体５を、その複数のガス噴出用ノズル部が、
順次、第１の室内に位置するように移動させた状態で、
且つ第１及び第２の室中の少くとも第１の室内のガスを
第１のガス導入口を通じて外部に排出させながら、複数
のガス導入管に複数のガス導出部をそれぞれ通じて複数
の薄膜形成用ガスを順次導入させることによって、基板
上に順次複数の薄膜を積層形成させる。
以上が、本願第１番目の発明による薄膜形成法の一例で
ある。
ある。
このような薄膜形成法によれば、詳細説明は省略するが
、基板６上に、複数の薄膜を順次多層に、第１図〜第３
図で上述した従来の薄膜形成法の上述した欠点を伴なう
ことなしに、用意に積層し゛（形成するすることができ
る、という特徴を右１−ることは明らがである。 ゛ま
た、上述した特徴を有する本願第１番目の発明による薄
膜形成法に用いる第４図に示されている装置Ｕによれば
、上述したところから明らかなように、上述した特徴を
以て、薄膜形成法を多層に形成づることかできる、とい
う特徴を右りる。
、基板６上に、複数の薄膜を順次多層に、第１図〜第３
図で上述した従来の薄膜形成法の上述した欠点を伴なう
ことなしに、用意に積層し゛（形成するすることができ
る、という特徴を右１−ることは明らがである。 ゛ま
た、上述した特徴を有する本願第１番目の発明による薄
膜形成法に用いる第４図に示されている装置Ｕによれば
、上述したところから明らかなように、上述した特徴を
以て、薄膜形成法を多層に形成づることかできる、とい
う特徴を右りる。
なお、上述にＪ３いＣは、薄膜形成法に用いる装置Ｕの
薄膜形成用ガス導入管が２重である場合につき述べたが
、第５図にて２．３．３’及び３″に示すように３車に
構成されたものを用いて、複数の薄膜を順次形成さける
ようにすることもできる。
薄膜形成用ガス導入管が２重である場合につき述べたが
、第５図にて２．３．３’及び３″に示すように３車に
構成されたものを用いて、複数の薄膜を順次形成さける
ようにすることもできる。
その仙、本発明の精神を脱−りることなしに、種々の変
型変更をなし得るであろう。
型変更をなし得るであろう。
第１図、第２図及び第３図は、従来の１１１１形成法、
及びそれに用いる装置を示す路線的断面図Ｃある。 第４図は、本発明による薄膜形成法の実施例、及びそれ
に用いる装置の実施例を示す路線的断面図である。 第５図は、本発明による薄膜形成法に用いる装置の薄膜
形成用ガス導入管の他の例を示ず路線的断面図である。 出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 田中正治 第４図 第５図
及びそれに用いる装置を示す路線的断面図Ｃある。 第４図は、本発明による薄膜形成法の実施例、及びそれ
に用いる装置の実施例を示す路線的断面図である。 第５図は、本発明による薄膜形成法に用いる装置の薄膜
形成用ガス導入管の他の例を示ず路線的断面図である。 出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 田中正治 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、隔壁によって第１及び第２の室を形成しているチャ
ンバと、 上記第１及び第２の室にそれぞれ設けられた第１及び第
２のガス導出口と、 」−記第１の室内に配された薄膜の形成される基板を保
持させる基板保持用板ど、 同心的に配された複数のガス導入管体を右し、上記複数
のガス導入管体に、それらの遊端においで、管軸方向に
順次位置を異にして複数のガス噴出用ノズル部が設けら
れ、且つ基部にＪ３いて、複数のガス導入部がそれぞれ
設けられ−Ｃいる１ｌｌｌ！形成用ガス導入管体と、上
記薄膜形成用ガス導入管体を、その複数のガス噴出用ノ
ズル部中の１つのみが上記第１の室内に位置するように
、移動させるガス導入管体駆動手段とを有する薄膜形成
用装置を用い、 上記基板保持板上に、薄膜の形成されるべき基板を配し
、上記ガス導入管体駆動手段によって、上記薄膜形成用
ガス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズル部が、順
次、上記第１の室内に位置するように移動させた状態で
、且つ上記第１及び第２の室中の少くとも第１の室内の
ガスを上記第１のガス導入口を通じて外部に排出させな
がら、上記複数のガス導入管に上記複数のガス導出部を
それぞれ通じて複数の薄膜形成用ガスを順次導入させる
ことによって、上記基板上に順次複数の薄膜を積層形成
させることを特徴とする多層薄膜形成法。 ２、隔壁によって第１及び第２の室を形成しているチャ
ンバと、 上記１１及び第２の室にそれぞれ設りられた第１及び第
２のガス導出口と、 上記第１の室内に配された薄膜の形成される基板を保持
させる基板保持用板と、 同心的に配された複数のガス導入管体を有し、上記複数
のガス導入管体に、それらの遊端において、管軸方向に
順次位置を異にして複数のガス噴出用ノズル部が設（プ
られ、且つ基部においＣ，複数のガス導入部がそれぞれ
設【）られＣいる薄膜形成用ガス導入管体と、上記′ａ
膜形成用ガス導入管体を、その複数のガス噴出用ノズル
部中の１つのみが上記第１の室内に位置するように、移
動させるガス導入管体駆動手段とを有する薄膜形成用装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3997484A JPS60184679A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3997484A JPS60184679A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184679A true JPS60184679A (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=12567922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3997484A Pending JPS60184679A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184679A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618799A1 (fr) * | 1987-07-27 | 1989-02-03 | Inst Nat Rech Chimique | Reacteur de depot en phase vapeur |
| US5076877A (en) * | 1989-05-18 | 1991-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for dry etching |
| US5110437A (en) * | 1989-12-29 | 1992-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US20100326358A1 (en) * | 2008-02-12 | 2010-12-30 | Kyu-Jeong Choi | Batch type atomic layer deposition apparatus |
| JP2017157744A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP3997484A patent/JPS60184679A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618799A1 (fr) * | 1987-07-27 | 1989-02-03 | Inst Nat Rech Chimique | Reacteur de depot en phase vapeur |
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| JP2017157744A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
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