JPS60181741A - ホトレジスト組成物 - Google Patents
ホトレジスト組成物Info
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- JPS60181741A JPS60181741A JP3831084A JP3831084A JPS60181741A JP S60181741 A JPS60181741 A JP S60181741A JP 3831084 A JP3831084 A JP 3831084A JP 3831084 A JP3831084 A JP 3831084A JP S60181741 A JPS60181741 A JP S60181741A
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- epoxy
- active hydrogen
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔究明の技術分野〕
この発明はホトレジストＨ酸物に関し、特にこれの赫板
密着性の改良に関するものである。
密着性の改良に関するものである。
近年、集植回ｗ！Ｉ製道技術の進展は著しく、パターン
の微細化が進み、ＬＢＸ、超ＬＳＩなどの半導体関係の
゛電子部品の製造に除してサブミクロンの精度を何する
リソグラフィーの技術が必要とされる。そのため製造プ
ロセスのみならず、使用する１４辺材料の改良の要求が
１強く、ホトレジストの分野においては、作業性に優れ
、解像度が高く、また１【化したホトレジストがＩＪ！
Ｉｉ靭で、耐腐食性、耐婿耗性が艮＜、基板に対して十
分な密着性１１：持つものが特に要求されている。
の微細化が進み、ＬＢＸ、超ＬＳＩなどの半導体関係の
゛電子部品の製造に除してサブミクロンの精度を何する
リソグラフィーの技術が必要とされる。そのため製造プ
ロセスのみならず、使用する１４辺材料の改良の要求が
１強く、ホトレジストの分野においては、作業性に優れ
、解像度が高く、また１【化したホトレジストがＩＪ！
Ｉｉ靭で、耐腐食性、耐婿耗性が艮＜、基板に対して十
分な密着性１１：持つものが特に要求されている。
現在半導体装造においては、ネガ型ホトレジスト狙酸物
としてビスアジド化合物−ジエン糸瓜合体環化物が、ポ
ジ梨ホトレジストとしてキノンビスアジド系化合物−ノ
ボラック系４ＲＩ指が用いられている◎ Ｎｉ１者は作業性において侵れているが解諒度が低いと
いう欠点が６９、後者は解像度には・漱れるが収扱いに
難点がある。
としてビスアジド化合物−ジエン糸瓜合体環化物が、ポ
ジ梨ホトレジストとしてキノンビスアジド系化合物−ノ
ボラック系４ＲＩ指が用いられている◎ Ｎｉ１者は作業性において侵れているが解諒度が低いと
いう欠点が６９、後者は解像度には・漱れるが収扱いに
難点がある。
また一般にビ蛎アジド糸ホトレジストは、基板との密虜
性が劣る。このために、ビスアジド系ホトレジスト中に
シラン化合物’ｆｔ Ｔ４ｆｉ加する試みも却られてい
るが、これらｔ添加しｆｃ場合も、何中分な密ｆＭは得
られない。
性が劣る。このために、ビスアジド系ホトレジスト中に
シラン化合物’ｆｔ Ｔ４ｆｉ加する試みも却られてい
るが、これらｔ添加しｆｃ場合も、何中分な密ｆＭは得
られない。
Ｃの発明は上記従来のものの欠点全除去するめになされ
たもので、エポキシ樹脂と不飽和基含有活性水素化合物
との反応生成物１００亀量部に対して、ビスアジド化合
物が０．５〜５０屯量部含有するものを用いることによ
り、優れた裁板密着性を備えた微細パターンのレジスト
溶液成し得るホトレジスト組成物金得ることを目的とす
る。
たもので、エポキシ樹脂と不飽和基含有活性水素化合物
との反応生成物１００亀量部に対して、ビスアジド化合
物が０．５〜５０屯量部含有するものを用いることによ
り、優れた裁板密着性を備えた微細パターンのレジスト
溶液成し得るホトレジスト組成物金得ることを目的とす
る。
この発明の一夾施に用いるエポキシ樹脂としては、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ桐
脂などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジ
ルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキ
シ倒脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂
、複素環型エポキシ樹脂並びにノ・ロゲン化エポキシ匈
脂などが挙げられる。
フェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ桐
脂などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジ
ルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキ
シ倒脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂
、複素環型エポキシ樹脂並びにノ・ロゲン化エポキシ匈
脂などが挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、１４ｗ１もしくは２偵以上の
混合系で用いてもよい。
混合系で用いてもよい。
この発明の一矢施例に用いる不飽和基含有活性水素化合
物としては、アリルフェノール、アリルアミンおよびジ
アリルビスフェノールｙ６どのアリル糸活性水素化合物
、アクリル酸およら びメタクリル酸などのアクリル系粘性水素化合物、ケイ
皮凍およびＰ−ヒドロキシクイ皮酸などに代表されるグ
イ皮酸誘辱体、２−ヒドロキシカルコン、２′−ヒドロ
キシカルコン、４−ヒドロキシクマリン、および７−ヒ
ドロキシクマリン等のカルコン携辱体並びにクマリンニ
ーＷ体が挙げられる。
物としては、アリルフェノール、アリルアミンおよびジ
アリルビスフェノールｙ６どのアリル糸活性水素化合物
、アクリル酸およら びメタクリル酸などのアクリル系粘性水素化合物、ケイ
皮凍およびＰ−ヒドロキシクイ皮酸などに代表されるグ
イ皮酸誘辱体、２−ヒドロキシカルコン、２′−ヒドロ
キシカルコン、４−ヒドロキシクマリン、および７−ヒ
ドロキシクマリン等のカルコン携辱体並びにクマリンニ
ーＷ体が挙げられる。
なお、上記エポキシ４可脂と不遍和基含り゛粘性水素化
合物との反応は、不飽和基含有活性水素化合物の活性水
素当量に対するエポキシ樹脂のエポキシ当量比が０．５
〜２．０好ましくは１．０〜１、６の配合Ｍ′ｙ：、通
常の旬°穢溶媒中又は無溶媒で、必要に比くじて適当な
触媒を用いて１２０℃〜１５０℃で行なわれ、不飽和基
の等大された１−分子化合物が反応生成−とじて拘られ
る０当重比が０．５以下および２．０以上の場合現像特
性および裁板との密着性がｌ因子する。
合物との反応は、不飽和基含有活性水素化合物の活性水
素当量に対するエポキシ樹脂のエポキシ当量比が０．５
〜２．０好ましくは１．０〜１、６の配合Ｍ′ｙ：、通
常の旬°穢溶媒中又は無溶媒で、必要に比くじて適当な
触媒を用いて１２０℃〜１５０℃で行なわれ、不飽和基
の等大された１−分子化合物が反応生成−とじて拘られ
る０当重比が０．５以下および２．０以上の場合現像特
性および裁板との密着性がｌ因子する。
この発明の−”Ａ ＪＩＬ ｆＨＪに用いるビアシスト
化合物としては、一般式Ｎ−０Ｘ −Ｃ） Ｎ。
化合物としては、一般式Ｎ−０Ｘ −Ｃ） Ｎ。
（式中Ｘは） Ｏ＝ ０ｌ−ＯＨ，−１−０Ｈ＝（３Ｈ
−１−の内の一櫨〕で表わされるもので、回え（ｌ″１
′４ ｔ ４ ′−ジアジドペンゾフエノン、 ４．４
’−ジアジドジフェニルメタン、２．ａ−シー（４’−
アジドベンザル）−シクロヘキサノンおよび２．６−ジ
ー（４′−アジドベンザル）゛−４−メチルシクロヘキ
サノンなどを、特に好ましい例として挙げることができ
る。
−１−の内の一櫨〕で表わされるもので、回え（ｌ″１
′４ ｔ ４ ′−ジアジドペンゾフエノン、 ４．４
’−ジアジドジフェニルメタン、２．ａ−シー（４’−
アジドベンザル）−シクロヘキサノンおよび２．６−ジ
ー（４′−アジドベンザル）゛−４−メチルシクロヘキ
サノンなどを、特に好ましい例として挙げることができ
る。
又、上記ビスアジド化合物は、上記エポキシ個所と不飽
基含有活性水素化合物とのＩＸゎ生成物１００里鼠部に
対し、０．５〜５０嵐鼠部、好まｔ、、＜ｕｌ−、−１
０里量部添加して用いる。０．５里量部以下および５０
嵐量部以上の場合、良好な現像特性および基板との密着
性を得るのが困難となる。
基含有活性水素化合物とのＩＸゎ生成物１００里鼠部に
対し、０．５〜５０嵐鼠部、好まｔ、、＜ｕｌ−、−１
０里量部添加して用いる。０．５里量部以下および５０
嵐量部以上の場合、良好な現像特性および基板との密着
性を得るのが困難となる。
なお、大隊上記のようにして成るこの発明のホトレジス
ト組成物は有機溶剤１例えばメチルエチルグトン、メチ
ルイソプテルグトン、シフ〜 ロヘキサノン、 ｉ 、 ｓ−ジクロロエタン、トリｐ
Ｖ７．トルエン、キシレンおよびオキサン等に１ｇ浴解
し、必要にｂじてこれにＡＭ感剤、保存女定剤などτ飾
加してレジスト溶液として用いる。ば細パターンの形成
は、上記レジスト溶液上基板に１４・乾燥してレジスト
層全形成し、このレジスト層にホトマスク全通して光照
射２行ない、一定時間処理加熱段、所定の現像液で現像
処理を行なうことによりなされる。また、上記レジスト
溶液中に不純物が存在する場合には、戴細孔メンプラン
でｐ過麦用いることが望ましい。ホトレジスト組成物溶
液中の固形分繊度は、５〜５０血量％の範囲が好ましい
ｍ５１１１遣糸以下ではレジスト層が薄すぎ、５０厘量
％以上ではレジスト層ｔ’＆光した時、元のあたりが悪
くなる。
ト組成物は有機溶剤１例えばメチルエチルグトン、メチ
ルイソプテルグトン、シフ〜 ロヘキサノン、 ｉ 、 ｓ−ジクロロエタン、トリｐ
Ｖ７．トルエン、キシレンおよびオキサン等に１ｇ浴解
し、必要にｂじてこれにＡＭ感剤、保存女定剤などτ飾
加してレジスト溶液として用いる。ば細パターンの形成
は、上記レジスト溶液上基板に１４・乾燥してレジスト
層全形成し、このレジスト層にホトマスク全通して光照
射２行ない、一定時間処理加熱段、所定の現像液で現像
処理を行なうことによりなされる。また、上記レジスト
溶液中に不純物が存在する場合には、戴細孔メンプラン
でｐ過麦用いることが望ましい。ホトレジスト組成物溶
液中の固形分繊度は、５〜５０血量％の範囲が好ましい
ｍ５１１１遣糸以下ではレジスト層が薄すぎ、５０厘量
％以上ではレジスト層ｔ’＆光した時、元のあたりが悪
くなる。
次にメ施例（ｌｉ−あげてこの発明を具体的に説明する
が、この発明は、その要旨を超えない限り、これら医施
例に−「Ｕ約されるもので鉱ない。
が、この発明は、その要旨を超えない限り、これら医施
例に−「Ｕ約されるもので鉱ない。
実施例１
エポキシ絢脂（商品名ＤＦｆＲＪ１８２ダクグミカル袈
エポキシ当量１７４ビスフエノールＡタイプ）５０Ｐと
２．２１−ジアリルビスフェノールＦ２８ｆをＤＢＵｏ
、５Ｆ’、ｉｉ確媒として１５０℃で２時間反応させて
得た、不飽和基としてアリル基を持つ高分子化す物の反
応生：戊物と、２．６−ジー（４′−アジドペンデル）
−シクロヘキサノ７１０ｆｆ１１ｏｏｙのメチルエテレ
ルケトンに６解し、得られた溶液を５．０μｍのメンブ
ランフィルタ−を通して不純物を除去して、レジスト溶
液を調製したＯ コルシスト溶液全シリコン基板上ｌこスピンコーティン
グまたはディップコーティングし、７０℃で１時同ブレ
ーキングしてレジスト層全形成した◇ このレジスト層に高圧水銀灯ｆｔ石英製マスク全通して
６０秒照射した後、７０℃で２埒同加熱した。仄いてイ
ソプロパツールとメチルエチルグトンからなるイ昆８現
像液で現像し、インプロパツールでリンス処理すること
により、解一度１、１μｍのＯＲｘｍペターン金刊する
レジストが形成された。
エポキシ当量１７４ビスフエノールＡタイプ）５０Ｐと
２．２１−ジアリルビスフェノールＦ２８ｆをＤＢＵｏ
、５Ｆ’、ｉｉ確媒として１５０℃で２時間反応させて
得た、不飽和基としてアリル基を持つ高分子化す物の反
応生：戊物と、２．６−ジー（４′−アジドペンデル）
−シクロヘキサノ７１０ｆｆ１１ｏｏｙのメチルエテレ
ルケトンに６解し、得られた溶液を５．０μｍのメンブ
ランフィルタ−を通して不純物を除去して、レジスト溶
液を調製したＯ コルシスト溶液全シリコン基板上ｌこスピンコーティン
グまたはディップコーティングし、７０℃で１時同ブレ
ーキングしてレジスト層全形成した◇ このレジスト層に高圧水銀灯ｆｔ石英製マスク全通して
６０秒照射した後、７０℃で２埒同加熱した。仄いてイ
ソプロパツールとメチルエチルグトンからなるイ昆８現
像液で現像し、インプロパツールでリンス処理すること
により、解一度１、１μｍのＯＲｘｍペターン金刊する
レジストが形成された。
＊ ｍ ｖｌ ｇ
エポキシ桐Ｂ′ｉｔ（商品名ＥＳＯＮ−１９５Ｘエポキ
シ当ｊ６Ｅ１９５住友化学［）４０Ｆとメタクリル酸１
６２ｔシクロヘキサノン１００Ｐ中で１４５’ｃ、８時
間反）ｂ ｓ冷却後、４＋４’−ジアジドジフェニルメ
タ７５ Ｐと１−二トロビレン０．８ Ｐ’ｔ １ｍ
）１０しレジスト浴液′（ｉ″１ｊｉｊ製した０ このレジスト溶（夜全シリコン恭板上にスピンコーティ
ングし、８０℃で８０分間プレペーキンした後、尚圧水
銀打ｔ′：４ＥＪ英マスクを介して９０秒照射し、９０
”Ｃで１時間加熱した。
シ当ｊ６Ｅ１９５住友化学［）４０Ｆとメタクリル酸１
６２ｔシクロヘキサノン１００Ｐ中で１４５’ｃ、８時
間反）ｂ ｓ冷却後、４＋４’−ジアジドジフェニルメ
タ７５ Ｐと１−二トロビレン０．８ Ｐ’ｔ １ｍ
）１０しレジスト浴液′（ｉ″１ｊｉｊ製した０ このレジスト溶（夜全シリコン恭板上にスピンコーティ
ングし、８０℃で８０分間プレペーキンした後、尚圧水
銀打ｔ′：４ＥＪ英マスクを介して９０秒照射し、９０
”Ｃで１時間加熱した。
次いでインプロパツールとトルエンからなる混合現＊液
で現像処理後、イソプロパツールでリンスし、解＃？、
度０．８μｍの欽細パターンを有するレジストを形成し
た〇 実施例８ エポキシ′＃１ＪＩＪｌｉ（商品名エビクロン８３０大
日本インキ製エポキシ当ｉ Ｉ２４ビスフエノールＦタ
イプ）８５ＰとＰ−ヒドロキシンケイ皮設置５Ｐｋメチ
ルイソブチルケトン中、１１０”Ｃで５時間反応し、２
０６−ジー（４′−アジドベンザル）−シクロヘキサノ
ン５ｙ２Ｈ加して調製したレジスト溶液ｔ、シリコン基
板上にスピナーを用いて塗布し、７０’Ｃで８０分間プ
レベーキングすることにより、レジスト層を形成した。
で現像処理後、イソプロパツールでリンスし、解＃？、
度０．８μｍの欽細パターンを有するレジストを形成し
た〇 実施例８ エポキシ′＃１ＪＩＪｌｉ（商品名エビクロン８３０大
日本インキ製エポキシ当ｉ Ｉ２４ビスフエノールＦタ
イプ）８５ＰとＰ−ヒドロキシンケイ皮設置５Ｐｋメチ
ルイソブチルケトン中、１１０”Ｃで５時間反応し、２
０６−ジー（４′−アジドベンザル）−シクロヘキサノ
ン５ｙ２Ｈ加して調製したレジスト溶液ｔ、シリコン基
板上にスピナーを用いて塗布し、７０’Ｃで８０分間プ
レベーキングすることにより、レジスト層を形成した。
このレジスト層νど石英製マスク？介して＋’４圧水圧
水全灯０抄廟射麦、ｓｏ’ｃで１時間加熱した〇次いで
インプロパツールとメチルイソブチルケトンから成る混
合現像液で現像し、インプロパツールでリンス処理を行
ない、解像度１．８μｍの砿補パターンを何するレジス
トを形成した◎実施例４ エポキシ拘脂（商品名ｇｓｃＮ−１９５ｘｊ庄友化学ｄ
） ２５ ｔｙと２−ヒドロキシカルコン２０Ｐτシ
クロヘキサノン中１４０ ”Ｃで３時間反応。
水全灯０抄廟射麦、ｓｏ’ｃで１時間加熱した〇次いで
インプロパツールとメチルイソブチルケトンから成る混
合現像液で現像し、インプロパツールでリンス処理を行
ない、解像度１．８μｍの砿補パターンを何するレジス
トを形成した◎実施例４ エポキシ拘脂（商品名ｇｓｃＮ−１９５ｘｊ庄友化学ｄ
） ２５ ｔｙと２−ヒドロキシカルコン２０Ｐτシ
クロヘキサノン中１４０ ”Ｃで３時間反応。
冷却後、４１４’−ジアジドジフェニルアミン８ｙ−２
添加してレジスト溶液を調製しｌこ０このレジスト溶液
全基板上にスピンコードＬ、７０”Ｃで１時間プレベー
ギングすることによりレジスト層を形成した。このレジ
スト層に石英マスクを介して尚圧水賊灯を６０秒射照し
、７０’Ｃで９０分ＩＡＩ加熱硬、キシレンとイソプロ
パノ−／ｌ／ カラなる＋−ｔＦ台現像液で現像し、イ
ソプロパツールでリンス処理することによって、Ｐｊ４
’ｌｌ＆度２．０μｍの微細パターンを何するレジスト
を形成した。
添加してレジスト溶液を調製しｌこ０このレジスト溶液
全基板上にスピンコードＬ、７０”Ｃで１時間プレベー
ギングすることによりレジスト層を形成した。このレジ
スト層に石英マスクを介して尚圧水賊灯を６０秒射照し
、７０’Ｃで９０分ＩＡＩ加熱硬、キシレンとイソプロ
パノ−／ｌ／ カラなる＋−ｔＦ台現像液で現像し、イ
ソプロパツールでリンス処理することによって、Ｐｊ４
’ｌｌ＆度２．０μｍの微細パターンを何するレジスト
を形成した。
六施夙５
エポキシ（可脂（商品名ＦｉＳＣＮ−１９５ＸＬ住友化
学製）２０ｆ！に７−ヒトロキシクリマリンＩｎどシク
ロヘキサノンに溶解し、ｉ４０℃で２時間反形させ、冷
却後４．４′−ジアジドベンゾフェノン５’ ｋ 冷加
してレジスト溶液全調製した。このレジスト溶液を紀板
上にスピナー金柑いて塗イリし、８０℃で８０分間プレ
ベーキングすることにより、レジスト層を形成した。こ
のレジストにめ英マスクを介して１−．６圧水銀打ｆＢ
ｏ秒魚射１．，８０℃で１吋間力ＩＩＡ後、メチルエテ
ルケトンとイングロパノールヵ島らなる屁８現像ン夜で
現像、イングロパノールでリンス処理して、解一度１、
５μｍ （Ｄ Ｊ ＨＩＪパターンを何するレジストを
得たＯ 天施例６〜１４ 表Ｉ ＶＣボすような組成でエポキシｉ旬ｊ」旨に不飽
和基を等大した向分子化合物の反し生成物にビスアジド
化合物を添加し、メ彪例五〜５と同様にレジスト浴液を
調製し、直積パターンｔ−ばするレジストを形成した。
学製）２０ｆ！に７−ヒトロキシクリマリンＩｎどシク
ロヘキサノンに溶解し、ｉ４０℃で２時間反形させ、冷
却後４．４′−ジアジドベンゾフェノン５’ ｋ 冷加
してレジスト溶液全調製した。このレジスト溶液を紀板
上にスピナー金柑いて塗イリし、８０℃で８０分間プレ
ベーキングすることにより、レジスト層を形成した。こ
のレジストにめ英マスクを介して１−．６圧水銀打ｆＢ
ｏ秒魚射１．，８０℃で１吋間力ＩＩＡ後、メチルエテ
ルケトンとイングロパノールヵ島らなる屁８現像ン夜で
現像、イングロパノールでリンス処理して、解一度１、
５μｍ （Ｄ Ｊ ＨＩＪパターンを何するレジストを
得たＯ 天施例６〜１４ 表Ｉ ＶＣボすような組成でエポキシｉ旬ｊ」旨に不飽
和基を等大した向分子化合物の反し生成物にビスアジド
化合物を添加し、メ彪例五〜５と同様にレジスト浴液を
調製し、直積パターンｔ−ばするレジストを形成した。
その解像度を表１（次頁）Ｋ示した。
（以下６行窒日）
蕃膚力試緘
密着力を比較するために、下記の条件で実厖例五〜１４
について現像したＯ 水圧 １．８綽々 γ夜１１４ ４’ ℃ ノズルパネル間距離 ８００朋 ノズル径ｉ、ｏｙ １１間 ２０秒 密層カテスト結果（ｉ−表２に示した。
について現像したＯ 水圧 １．８綽々 γ夜１１４ ４’ ℃ ノズルパネル間距離 ８００朋 ノズル径ｉ、ｏｙ １１間 ２０秒 密層カテスト結果（ｉ−表２に示した。
表２
比較例１
市販のビスアジド丞ホトレジストを用い、蝋細六ターン
を何するレジストを形ＩＡ後、メ施例１−１４と同様に
して密着力を比較した結果を表８（後記）に示した。
を何するレジストを形ＩＡ後、メ施例１−１４と同様に
して密着力を比較した結果を表８（後記）に示した。
比較ｐ１３２〜５
エポキシ拘ノ」ａと不Ｍ基合何活性水詣化合物の当量比
０．５以下および２．０以上、ビスアジドの晩加短が０
．５止置％以下、および５θ風鼠％の場さについても同
様に密−力の比＊！Ｕｋ行なった。
０．５以下および２．０以上、ビスアジドの晩加短が０
．５止置％以下、および５θ風鼠％の場さについても同
様に密−力の比＊！Ｕｋ行なった。
結果を表８（次頁）に示す。
（以下８行を白）
〔発明の効果〕
以上己明したとう９、この発明はエポキシ樹ｌ」旨と不
飽和基台性活性水素化合物との反応生成物１００嵐ｊｉ
ｔ部に対して、ビスアジド化合物が０゜５〜５０厘量部
含有ｒるものｔ用いることにより、責れた箱板密着性を
備えると共に、従来と同様に篩解像ノ丈、高感度、高コ
ントラストおよび關伐膜率を備えたホトレジスト、…Ｉ
Ｊｙ、物を得ることができる。
飽和基台性活性水素化合物との反応生成物１００嵐ｊｉ
ｔ部に対して、ビスアジド化合物が０゜５〜５０厘量部
含有ｒるものｔ用いることにより、責れた箱板密着性を
備えると共に、従来と同様に篩解像ノ丈、高感度、高コ
ントラストおよび關伐膜率を備えたホトレジスト、…Ｉ
Ｊｙ、物を得ることができる。
代理人 大台 増雄 −
手続補正書（自発）
５９ ５ ２３
昭和 年 月 日
１、事件の表示 特願昭 ５９−８８８１０号３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内、容 （１）明細書の第６頁第６行のｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−Ｊを［−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃｏ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｊ
に訂正する。
をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内、容 （１）明細書の第６頁第６行のｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−Ｊを［−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃｏ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｊ
に訂正する。
（３）同第６頁第６行の「オキサン」を１ジオキサン」
に訂正する。
に訂正する。
（４）同第６頁第７行の「溶溶解」を「溶解」に訂正す
る。
る。
（６）同第７頁第１２行の「メチルエチレルケトー」を
１メチルエチルケトン」に訂正する。
１メチルエチルケトン」に訂正する。
（６）同第８頁第８行のｒＥｓｃＮ−１９５ＸＪをｒＥ
ＳＣＮ−１９５ＸＬＪに訂正する。
ＳＣＮ−１９５ＸＬＪに訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ エポキシ樹脂と不飽和基含有活性水素化合物と
の反応生成物１０ ｏｇ量部に対してビスアジド化合物
が０．５〜５０ｉ量部合有するホトレジスト組成物〇 （２）不砲相基含有活性水素化合物の活性水素当量に対
するエポキシ樹脂のエポキシ当量比が０．５〜２．０で
ある特許請求の範囲オ五項記載のホトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038310A JPH0727199B2 (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038310A JPH0727199B2 (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181741A true JPS60181741A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH0727199B2 JPH0727199B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12521719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59038310A Expired - Lifetime JPH0727199B2 (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727199B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953410A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-24 | ||
| JPS5072702A (ja) * | 1973-10-31 | 1975-06-16 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP59038310A patent/JPH0727199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953410A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-24 | ||
| JPS5072702A (ja) * | 1973-10-31 | 1975-06-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727199B2 (ja) | 1995-03-29 |
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