JPS60180935A - ガラス基体上へのＴｉ被膜の形成方法 - Google Patents
ガラス基体上へのＴｉ被膜の形成方法Info
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- JPS60180935A JPS60180935A JP3518284A JP3518284A JPS60180935A JP S60180935 A JPS60180935 A JP S60180935A JP 3518284 A JP3518284 A JP 3518284A JP 3518284 A JP3518284 A JP 3518284A JP S60180935 A JPS60180935 A JP S60180935A
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- cathode
- film
- sputtering
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング法により、耐摩耗性の優れたＴ
ｉ 被膜を有するガラス基体の製造方法に関するもので
ある。
ｉ 被膜を有するガラス基体の製造方法に関するもので
ある。
近年、省エネルギーの観点から、ビル、住宅等の建築物
あるいは自動車、鉄道車輛等の交通車輛、あるいは各種
装置の窓ガラスとして、ガラス板の表面に熱線反射性能
に優れた被膜を形成した熱線反射ガラス板がしばしば使
用されている。この熱線反射ガラス板は、そのガラス板
表面に形成された熱線反射被膜による太陽放射エネルギ
ーの反射とガラス自体の吸収によって太陽放射エネルギ
ーを遮断し、このため室内流入熱量が減少し、冷房負荷
の軽減に効果的であり、又熱線反射被膜による独得な反
射色調が得られ、そのミラー効果とあいまって高い意匠
効果が得られ、又その熱線反射被膜の防眩性能によって
室内環境の質的向上効果が得られる。この熱線反射ガラ
スの中で、金属のＴ１被膜やＯｒ被被膜有するものは、
熱線反射性能に優れた銀、金や銅等の貴金属からなる熱
線反射被膜に比べ物理的、化学的耐久性が格段に優れて
おり、又物理的、化学的耐久性に優れたチタン、錫、コ
バルト、クロム、鉄等の金属酸化物の一種あるいはこれ
ら金属酸化物の混合物からなる熱線反射被膜に比べ熱線
反射性能が優れており、熱線反射被膜が外部に露出した
状態で使用でき、例えば単板としての使用が可能であシ
、熱線反射ガラス板として有用である。しかしながら、
Ｔ１被膜をガラス基板上にスパッタリング法により形成
した場合、か７ｆｆｉシ耐久性に優れたＴ１被膜が得ら
れるが、実鹸結果によれば耐摩耗性−の点で充分満足の
ゆくものでなかった。
あるいは自動車、鉄道車輛等の交通車輛、あるいは各種
装置の窓ガラスとして、ガラス板の表面に熱線反射性能
に優れた被膜を形成した熱線反射ガラス板がしばしば使
用されている。この熱線反射ガラス板は、そのガラス板
表面に形成された熱線反射被膜による太陽放射エネルギ
ーの反射とガラス自体の吸収によって太陽放射エネルギ
ーを遮断し、このため室内流入熱量が減少し、冷房負荷
の軽減に効果的であり、又熱線反射被膜による独得な反
射色調が得られ、そのミラー効果とあいまって高い意匠
効果が得られ、又その熱線反射被膜の防眩性能によって
室内環境の質的向上効果が得られる。この熱線反射ガラ
スの中で、金属のＴ１被膜やＯｒ被被膜有するものは、
熱線反射性能に優れた銀、金や銅等の貴金属からなる熱
線反射被膜に比べ物理的、化学的耐久性が格段に優れて
おり、又物理的、化学的耐久性に優れたチタン、錫、コ
バルト、クロム、鉄等の金属酸化物の一種あるいはこれ
ら金属酸化物の混合物からなる熱線反射被膜に比べ熱線
反射性能が優れており、熱線反射被膜が外部に露出した
状態で使用でき、例えば単板としての使用が可能であシ
、熱線反射ガラス板として有用である。しかしながら、
Ｔ１被膜をガラス基板上にスパッタリング法により形成
した場合、か７ｆｆｉシ耐久性に優れたＴ１被膜が得ら
れるが、実鹸結果によれば耐摩耗性−の点で充分満足の
ゆくものでなかった。
本発明社、かかる点を改良することを目的として研空の
結果得られたものであシ、その要旨は、アルゴンガス存
在下において、Ｔ１ 金属ターゲットに電圧を印加し、
スパッタリング法によりガラス基体上に：Ｔｉ 被膜を
形成する方法において、上記アルゴンガスに０．１％〜
５％の０２を含ませることを特徴とするガラス基体上へ
の７１被膜の形成方法に関するものである。
結果得られたものであシ、その要旨は、アルゴンガス存
在下において、Ｔ１ 金属ターゲットに電圧を印加し、
スパッタリング法によりガラス基体上に：Ｔｉ 被膜を
形成する方法において、上記アルゴンガスに０．１％〜
５％の０２を含ませることを特徴とするガラス基体上へ
の７１被膜の形成方法に関するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において使用されるガラス基体は、ソーダ・ライ
ム・シリケート・ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノ
・シリケートガラス、あるいはその他各種組成のガラス
からなる板状体、管状体、棒状体、ブロック状体等の各
種形状のガラス基体が挙げられる。
ム・シリケート・ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノ
・シリケートガラス、あるいはその他各種組成のガラス
からなる板状体、管状体、棒状体、ブロック状体等の各
種形状のガラス基体が挙げられる。
本発明のスパッタリング法においては、ターゲットとし
てＴ１金属が使用され、又放電を起とさせるためのスパ
ッターガスとしては、アルゴンガスが使用される。Ｔ１
ターゲットの表面からＴ１ 原子を叩き出すための陽
イオンを発生させるための方式としては、陽極と陰極と
を対向させ、アルゴンガスを導入し、陽極と陰極との間
に直流電圧、交流電圧、あるいけ高周波電圧を加えて放
電を起こさせ、陽イオンを発生させる方式などが利用で
きる。
てＴ１金属が使用され、又放電を起とさせるためのスパ
ッターガスとしては、アルゴンガスが使用される。Ｔ１
ターゲットの表面からＴ１ 原子を叩き出すための陽
イオンを発生させるための方式としては、陽極と陰極と
を対向させ、アルゴンガスを導入し、陽極と陰極との間
に直流電圧、交流電圧、あるいけ高周波電圧を加えて放
電を起こさせ、陽イオンを発生させる方式などが利用で
きる。
又、スパッタリング法によシガラス基体上にＴ１被膜を
形成する際、ガラス基体は、付着性がよく、又緻密なＴ
１ 被膜が得られる様に３０℃〜１００℃程度に加熱す
るのが好ましい。そして、スパッタ一槽内の真空度はＩ
Ｘ Ｉ Ｑ−ｓ〜５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 程度
とし、スパッターレートは１５０〜３０００ Ａ ／ｗ
ｉｎ程度とするのが好ましい。
形成する際、ガラス基体は、付着性がよく、又緻密なＴ
１ 被膜が得られる様に３０℃〜１００℃程度に加熱す
るのが好ましい。そして、スパッタ一槽内の真空度はＩ
Ｘ Ｉ Ｑ−ｓ〜５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 程度
とし、スパッターレートは１５０〜３０００ Ａ ／ｗ
ｉｎ程度とするのが好ましい。
本発明においては、スパッタリング時、アルゴンガスに
α１ｔｓ〜５％の０繁 ガスを存在させておく仁とを特
徴とする。かかる範囲のＯ，ガスの存在によシ、アルゴ
ンガスのみの場合に比べ、ガラス基体面、下層膜、ある
いは上層膜との付着性に優れたＴ１被膜を得ることがで
きる。
α１ｔｓ〜５％の０繁 ガスを存在させておく仁とを特
徴とする。かかる範囲のＯ，ガスの存在によシ、アルゴ
ンガスのみの場合に比べ、ガラス基体面、下層膜、ある
いは上層膜との付着性に優れたＴ１被膜を得ることがで
きる。
かかる付着性の向上は、０２ ガスの存在によシ少くと
もＴ１被膜の界面において一部酸化物化しているためと
考えられる。アルゴンガス中の０２ ガスの割合が０．
１％より低いと、Ｔｉ 被膜の付着性の向上が得られず
、又５％よシ大であるとＴ１被膜の酸化物化が進み金属
Ｔ１特有の反射率の高いＴ１ 被膜が得られなくなり、
又Ｔ１ターゲット表面の酸化が進み、所定のスパッター
レート、例えば６００〜１２００ Ａ ／ ｍｉｎが得
られなくなシ好ましくない。なお、アルゴンガスに０２
ガスを混入し、スパッターされた粒子と０２ ガスと
を化学反応させ、酸化物被膜を生成せしめる反応性スパ
ッタリング法においては、アルゴンガスに対して１５％
〜２０％程度の０．ガスを混入するが、かかる方法では
酸化物化が著るしく進み、所望のＴ１ 被膜が得られな
い。
もＴ１被膜の界面において一部酸化物化しているためと
考えられる。アルゴンガス中の０２ ガスの割合が０．
１％より低いと、Ｔｉ 被膜の付着性の向上が得られず
、又５％よシ大であるとＴ１被膜の酸化物化が進み金属
Ｔ１特有の反射率の高いＴ１ 被膜が得られなくなり、
又Ｔ１ターゲット表面の酸化が進み、所定のスパッター
レート、例えば６００〜１２００ Ａ ／ ｍｉｎが得
られなくなシ好ましくない。なお、アルゴンガスに０２
ガスを混入し、スパッターされた粒子と０２ ガスと
を化学反応させ、酸化物被膜を生成せしめる反応性スパ
ッタリング法においては、アルゴンガスに対して１５％
〜２０％程度の０．ガスを混入するが、かかる方法では
酸化物化が著るしく進み、所望のＴ１ 被膜が得られな
い。
本発明は、ガラス基体面に直接Ｔ１被膜をコーティング
する場合に最適であるが、ガラス基体面に種々の下地膜
を形成した表面に対しても同様に適用できる。又本発明
によシ形成されるＴ１ 被膜は、わずかに酸化物化して
いるので、Ｔ１ 被膜の上層、に種々の被膜を形成した
場合にも、かかる被膜のＴ１ 被膜の付着性を改善する
ことができる。
する場合に最適であるが、ガラス基体面に種々の下地膜
を形成した表面に対しても同様に適用できる。又本発明
によシ形成されるＴ１ 被膜は、わずかに酸化物化して
いるので、Ｔ１ 被膜の上層、に種々の被膜を形成した
場合にも、かかる被膜のＴ１ 被膜の付着性を改善する
ことができる。
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例１
充分忙洗滌乾燥された寸法９００ｓ＋ｍＸ６００■Ｘ
３ ｍのソーダ・ライム・シリケートガラス板をＤＣプ
レーナーマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に
入れ、真空槽内を２Ｘ１０”−’Ｔｏｒｒ まで減圧し
た後、真空槽内にアルゴンガスとＯ！ ガスを導入し、
真空槽内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を０．５
Ｖｏ１％となる様に調整した。この真空槽内の真空度を
Ａ ＯＸ １０−”Ｔｏｒｒ Ｋ調整した後、スパッタ
ー装置の電極間Ｋ［１３８０〜１１４０ＤＩｃＶのＤＯ
電圧を印加し、陰極上におかれた金属Ｔ１の板状ターゲ
ットを２分間プレスバッターし、次いで真空槽内を五〇
×１０−” Ｔｏｒｒ に調整し、スパッターパワー約
７ ＫＷ を上記ターゲットに加え、７００Ｘ／ ｍｉ
ｎのスパッターレートで３０秒間スパッターシ、約３５
０；のＴ１被膜を上記ガラス基板上に形成した。なお、
ガラス基板は約１０ｏ℃に保持した。
３ ｍのソーダ・ライム・シリケートガラス板をＤＣプ
レーナーマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に
入れ、真空槽内を２Ｘ１０”−’Ｔｏｒｒ まで減圧し
た後、真空槽内にアルゴンガスとＯ！ ガスを導入し、
真空槽内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を０．５
Ｖｏ１％となる様に調整した。この真空槽内の真空度を
Ａ ＯＸ １０−”Ｔｏｒｒ Ｋ調整した後、スパッタ
ー装置の電極間Ｋ［１３８０〜１１４０ＤＩｃＶのＤＯ
電圧を印加し、陰極上におかれた金属Ｔ１の板状ターゲ
ットを２分間プレスバッターし、次いで真空槽内を五〇
×１０−” Ｔｏｒｒ に調整し、スパッターパワー約
７ ＫＷ を上記ターゲットに加え、７００Ｘ／ ｍｉ
ｎのスパッターレートで３０秒間スパッターシ、約３５
０；のＴ１被膜を上記ガラス基板上に形成した。なお、
ガラス基板は約１０ｏ℃に保持した。
この様にして製造されたＴ１被膜付きガラス（サンプル
賜１）について光学特性及び耐摩耗性試験結果を第１表
に示す。
賜１）について光学特性及び耐摩耗性試験結果を第１表
に示す。
比較例１
充分に洗滌乾燥された寸法９００ ａｍ Ｘ ６００ｍ
Ｘ ３ ｔｍのソーダ・ライム・シリケートガラス板
をＤｏマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に入
れ、真空槽内を２ Ｘ １０−’ ＴＯｒｒ まで減圧
した後、真空槽内にアルゴンガスを導入した。この真空
槽内の真空度をＡＯＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ に調整した後
、スパッター装置の電極間に０．３８０〜０．４００Ｋ
Ｖ （ＤＤＯ電圧を印加し、陰極上におかれた金属Ｔ１
の板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで
真空槽内を１０ Ｘ １０−” ＴＯｒｒ に調整し、
スパッターパワー約７． ＯＫＷ を上記ターゲットに
加え、７００Ａ ／ ｍｉｎのスパッターレートで３０
秒間スパッターし、約３５０ＸのＴ１被膜を上記ガラス
基板上に形成した。なお、ガラス基板は約１００℃に保
持した。
Ｘ ３ ｔｍのソーダ・ライム・シリケートガラス板
をＤｏマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に入
れ、真空槽内を２ Ｘ １０−’ ＴＯｒｒ まで減圧
した後、真空槽内にアルゴンガスを導入した。この真空
槽内の真空度をＡＯＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ に調整した後
、スパッター装置の電極間に０．３８０〜０．４００Ｋ
Ｖ （ＤＤＯ電圧を印加し、陰極上におかれた金属Ｔ１
の板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで
真空槽内を１０ Ｘ １０−” ＴＯｒｒ に調整し、
スパッターパワー約７． ＯＫＷ を上記ターゲットに
加え、７００Ａ ／ ｍｉｎのスパッターレートで３０
秒間スパッターし、約３５０ＸのＴ１被膜を上記ガラス
基板上に形成した。なお、ガラス基板は約１００℃に保
持した。
この様にして製造されたＴ１ 被膜付きガラス（サンプ
ルＩ’ｌ＆１２）について、光学特性及び耐摩耗性試験
結果を第１表に示す。
ルＩ’ｌ＆１２）について、光学特性及び耐摩耗性試験
結果を第１表に示す。
実施例２
充分に洗滌乾燥された寸法９００■×６ｏ。
日×３鯨のソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第
１．第２のカソード（板状Ｔ１ターゲット配置）、第３
のターゲット（板状Ｃｕターゲット配置）が連続して設
けられたＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリン
グ装置に入れ真空室内を２ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ
まで減圧した後、真空槽内圧アルゴンガスと０２ ガ
スを導入し、真空室内の０！ ガス／アルゴンガスの割
合をＱ、 ５７９９．５中Ｑ、 ５ Ｖｏｌ ％となる
様に調整した。
１．第２のカソード（板状Ｔ１ターゲット配置）、第３
のターゲット（板状Ｃｕターゲット配置）が連続して設
けられたＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリン
グ装置に入れ真空室内を２ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ
まで減圧した後、真空槽内圧アルゴンガスと０２ ガ
スを導入し、真空室内の０！ ガス／アルゴンガスの割
合をＱ、 ５７９９．５中Ｑ、 ５ Ｖｏｌ ％となる
様に調整した。
この真空槽内の真空度を５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ
に調整した後、スパッター装置の各カソードの電極間に
３５０〜４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれ
た各板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで
真空室内を五〇、Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ Ｋ調整した。
に調整した後、スパッター装置の各カソードの電極間に
３５０〜４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれ
た各板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで
真空室内を五〇、Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ Ｋ調整した。
上記ガラス板（板温：約１００℃）を搬送スピード７７
０ｗａ／分で搬送しながら上記各ターゲット前をＩＩ＠
番に通し、第１．２ターゲツトにおいて約２２ＯＡのＴ
１ 被膜を形成し第３のターゲットにおいては前記Ｔ１
被膜上に４５′ＡのＯｒ被被膜形成した。なお、第１の
カソード室においてはターゲットに約１ａＯＡ、約３８
０ｖの直流電圧を、第２のカソードにおいてはターゲッ
トに約１ａＯＡ、約３５０ｖの直流電圧を、第３のカソ
ードにおいてはターゲットに４．５ Ａ 、約２６０Ｖ
の直流電圧を加えた。この様にして製造されたＯｒ被膜
／Ｔｉ被膜付きガラス（サンプルｈｓ）について光学特
性及び耐摩耗性試験結果を第１表に示す。
０ｗａ／分で搬送しながら上記各ターゲット前をＩＩ＠
番に通し、第１．２ターゲツトにおいて約２２ＯＡのＴ
１ 被膜を形成し第３のターゲットにおいては前記Ｔ１
被膜上に４５′ＡのＯｒ被被膜形成した。なお、第１の
カソード室においてはターゲットに約１ａＯＡ、約３８
０ｖの直流電圧を、第２のカソードにおいてはターゲッ
トに約１ａＯＡ、約３５０ｖの直流電圧を、第３のカソ
ードにおいてはターゲットに４．５ Ａ 、約２６０Ｖ
の直流電圧を加えた。この様にして製造されたＯｒ被膜
／Ｔｉ被膜付きガラス（サンプルｈｓ）について光学特
性及び耐摩耗性試験結果を第１表に示す。
実施例３
充分に洗滌乾燥された寸法９００ ｗ Ｘ ６００■Ｘ
３＋ｗのソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１
．第２のカソード（板状Ｔ１ ターゲット配置）及び第
３のカソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して
設けられたＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリ
ング装置に入れ真空室内を２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ
まで減圧した後、真空槽内にアルゴンガスと０２ ガス
を導入し、真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合
を１／９９中１ｖ０１％となる様に調整した。この真空
槽内の真空度を、５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ に調整
した後、スパッター装置の各カソード室の電極間に３５
０〜４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれた各
板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで各真
空室内をＡ３Ｘ１０”−”Ｔｏｒｒ に調整した。上記
ガラス板（板温：約１００℃）を搬送スピードフッ０＋
ｍ／分で搬送しながら上記各カソード前を順番に通し、
第１゜２カソードにおいて略２５０ＸのＴ１被膜を形成
し第３のカソードにおいては前記Ｔ１被膜上に４５Ａの
Ｏｒ被被膜形成した。なお、第１のカソードにおいては
ターゲットに約１ａＯＡ。
３＋ｗのソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１
．第２のカソード（板状Ｔ１ ターゲット配置）及び第
３のカソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して
設けられたＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリ
ング装置に入れ真空室内を２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ
まで減圧した後、真空槽内にアルゴンガスと０２ ガス
を導入し、真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合
を１／９９中１ｖ０１％となる様に調整した。この真空
槽内の真空度を、５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ に調整
した後、スパッター装置の各カソード室の電極間に３５
０〜４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれた各
板状ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで各真
空室内をＡ３Ｘ１０”−”Ｔｏｒｒ に調整した。上記
ガラス板（板温：約１００℃）を搬送スピードフッ０＋
ｍ／分で搬送しながら上記各カソード前を順番に通し、
第１゜２カソードにおいて略２５０ＸのＴ１被膜を形成
し第３のカソードにおいては前記Ｔ１被膜上に４５Ａの
Ｏｒ被被膜形成した。なお、第１のカソードにおいては
ターゲットに約１ａＯＡ。
約３９０Ｖの直流電圧を、第２のカソード忙おいてはタ
ーゲットに約２２．ＯＡ、約３６ＤＶの直流電圧を第３
の真空室においてはターゲットに約４．５ Ａ 、約２
６０ｖの直流電圧を加えた。
ーゲットに約２２．ＯＡ、約３６ＤＶの直流電圧を第３
の真空室においてはターゲットに約４．５ Ａ 、約２
６０ｖの直流電圧を加えた。
この様にして製造されたＣｒ被膜／Ｔｉ被膜付きガラス
（サンプルＮｎ４）について光学特性及び耐摩耗性試験
結果を第１表に示す。
（サンプルＮｎ４）について光学特性及び耐摩耗性試験
結果を第１表に示す。
実施例４
充分に洗滌乾燥された寸法９００ｍＸ６００■Ｘ３ｍの
ソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．２のカ
ソード（板状Ｔ１ ターゲット配置）および第３のカソ
ード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けられ
たＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリング装置
に入れ真空室内を２ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒまで減
圧した後、各真空槽内にアルゴンガスと０．ガスｔ−導
入し、真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を２
７９８中２ Ｖｏ１％となる様に調整した。この真空槽
内の真空度を３ Ｘ １０”−” Ｔｏｒｒ Ｋ調整し
た後、スパッター装置の各カソードの電極間に３５０〜
４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれた各板状
ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで真空室内
を五３ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに調整した。上記ガラス
板（板温：約１００℃）を搬送スピードフッ０ｍ／分で
搬送しながら上記各カソード前を順番に通し、第１．２
カソードにおいては計約２２ＯＡのＴ１被膜形成し第３
のカソードにおいては前記Ｔ１被膜上に４５ＡのＯｒ被
被膜形成した。なお、第１のカソードにおいて娃ターゲ
ットに約１８Ａ、約４００Ｖの直流電圧を、第２のカソ
ードにおいてはターゲット約２ａＯＡ、約３８０ｖの直
流電圧を第３のカソードにおいてはターゲットに約４．
５約２６０ｖの直流電圧を加えた。この様にして製造さ
れたＯｒ被ＩＩＩ／Ｔｉ被膜付きガラス（サンプル−５
）について光学特性及び耐摩耗性試験結果を第１表に示
す。
ソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．２のカ
ソード（板状Ｔ１ ターゲット配置）および第３のカソ
ード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けられ
たＤＣプレーナー型マグネトロン・スパッタリング装置
に入れ真空室内を２ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒまで減
圧した後、各真空槽内にアルゴンガスと０．ガスｔ−導
入し、真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を２
７９８中２ Ｖｏ１％となる様に調整した。この真空槽
内の真空度を３ Ｘ １０”−” Ｔｏｒｒ Ｋ調整し
た後、スパッター装置の各カソードの電極間に３５０〜
４００ｖのＤＣ電圧を印加し、陰極上におかれた各板状
ターゲットを２分間プレスバッターし、次いで真空室内
を五３ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに調整した。上記ガラス
板（板温：約１００℃）を搬送スピードフッ０ｍ／分で
搬送しながら上記各カソード前を順番に通し、第１．２
カソードにおいては計約２２ＯＡのＴ１被膜形成し第３
のカソードにおいては前記Ｔ１被膜上に４５ＡのＯｒ被
被膜形成した。なお、第１のカソードにおいて娃ターゲ
ットに約１８Ａ、約４００Ｖの直流電圧を、第２のカソ
ードにおいてはターゲット約２ａＯＡ、約３８０ｖの直
流電圧を第３のカソードにおいてはターゲットに約４．
５約２６０ｖの直流電圧を加えた。この様にして製造さ
れたＯｒ被ＩＩＩ／Ｔｉ被膜付きガラス（サンプル−５
）について光学特性及び耐摩耗性試験結果を第１表に示
す。
比較例２
充分に洗滌乾燥された寸法９００ｍＸ６００ｗ Ｘ ３
ｍのソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．
２のカソード（板状Ｔ１ターゲット配置）及び第３のカ
ソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けら
れたＤＣプレーナーＷマグネトロン・スパッタリング装
置に入れ真空室内を３ Ｘ ｊ ０−３Ｔｏｒｒ まで
減圧した後、真空槽内に純アルゴンガスを導入した。と
の真空槽内の真空度を３ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ に
調整した後、スパッター装置の各カソードの電極間に３
５０〜４００ＫＶのＤｏ電圧を印加し、陰極上におかれ
た各板状ターゲットを、２分間プレスバッターし、次い
で真空室内を５．３Ｘ１０”−３Ｔｏｒｒ に調整した
。上記ガラス板を搬送スピードフッ０ｗｍ／分で搬送し
ながら上記各室を順番に通し、第１．２のカソードにお
いては計約２２０スのＴ１被膜を形成し第３のカソード
においては前記Ｔ１被膜上に５０スのＯｒ被被膜形成し
た。なお、第１の真空室においてはターゲットに１８Ａ
約３８０ｖの直流電圧を、第２の真空室においてはター
ゲラ）ＫＩＥＩＡ約３５０Ｖの直流電圧を第３の真空室
においてはターゲットに４．５Ａ約２６０ｖの直流電圧
を加えた。
ｍのソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．
２のカソード（板状Ｔ１ターゲット配置）及び第３のカ
ソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けら
れたＤＣプレーナーＷマグネトロン・スパッタリング装
置に入れ真空室内を３ Ｘ ｊ ０−３Ｔｏｒｒ まで
減圧した後、真空槽内に純アルゴンガスを導入した。と
の真空槽内の真空度を３ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ に
調整した後、スパッター装置の各カソードの電極間に３
５０〜４００ＫＶのＤｏ電圧を印加し、陰極上におかれ
た各板状ターゲットを、２分間プレスバッターし、次い
で真空室内を５．３Ｘ１０”−３Ｔｏｒｒ に調整した
。上記ガラス板を搬送スピードフッ０ｗｍ／分で搬送し
ながら上記各室を順番に通し、第１．２のカソードにお
いては計約２２０スのＴ１被膜を形成し第３のカソード
においては前記Ｔ１被膜上に５０スのＯｒ被被膜形成し
た。なお、第１の真空室においてはターゲットに１８Ａ
約３８０ｖの直流電圧を、第２の真空室においてはター
ゲラ）ＫＩＥＩＡ約３５０Ｖの直流電圧を第３の真空室
においてはターゲットに４．５Ａ約２６０ｖの直流電圧
を加えた。
この様にして製造されたＯｒ被膜／ＴＩ被膜付きガラス
（サンプルＩ！＋６）Ｋついて光学特性及び耐摩耗性試
験結果を第１表に示す。
（サンプルＩ！＋６）Ｋついて光学特性及び耐摩耗性試
験結果を第１表に示す。
比較例３
充分に洗滌乾燥された寸法９００ｗ１Ｘ６００■Ｘ３ｍ
のソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．２の
カソード（板状Ｔ１ ターゲット配ｔ ＞及び第３のカ
ソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けら
れたプレーナー型マグネトロン・スパッタリング装置に
入れ、真空室内を２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ まで減圧
した後、各真空槽内圧アルゴンガスと０２ ガスを導入
し、各真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を２
０ ＶＯＩ係となる様に調整した。この真空槽内の真空
度を３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ Ｋ調整した後、スバッ
ター装置の各室の電極間に３８０〜４００ＶのＤＣ［圧
を印加し、陰極上におかれた各板状ターゲットを２分間
プレスバッターしたが、ターゲットの表面酸化が進み、
Ｔ１酸化物が付着し、金属Ｔ１被膜の形成はできなかっ
た。
のソーダ・ライム・シリケート・ガラス板を第１．２の
カソード（板状Ｔ１ ターゲット配ｔ ＞及び第３のカ
ソード（板状Ｏｒ ターゲット配置）が連続して設けら
れたプレーナー型マグネトロン・スパッタリング装置に
入れ、真空室内を２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ まで減圧
した後、各真空槽内圧アルゴンガスと０２ ガスを導入
し、各真空室内の０２ ガス／アルゴンガスの割合を２
０ ＶＯＩ係となる様に調整した。この真空槽内の真空
度を３ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ Ｋ調整した後、スバッ
ター装置の各室の電極間に３８０〜４００ＶのＤＣ［圧
を印加し、陰極上におかれた各板状ターゲットを２分間
プレスバッターしたが、ターゲットの表面酸化が進み、
Ｔ１酸化物が付着し、金属Ｔ１被膜の形成はできなかっ
た。
第 １ 表
０耐摩耗性試験
Ａｌ１工、 ２−１６−１の５−１８項に基づき、Ｔａ
ｂｅｒ ＡｂｒａｓｅｒでＯ８−１０Ｆ摩耗リングを用
い５００ｆ荷重で１００回摩耗した。かかる摩耗試験の
評価は下式の様に、この試験前後の可視光線透過率の変
化率によシ行なった。変化率が大きいほどヘイズの発生
が大きく、耐−摩耗性に劣ることを示す。
ｂｅｒ ＡｂｒａｓｅｒでＯ８−１０Ｆ摩耗リングを用
い５００ｆ荷重で１００回摩耗した。かかる摩耗試験の
評価は下式の様に、この試験前後の可視光線透過率の変
化率によシ行なった。変化率が大きいほどヘイズの発生
が大きく、耐−摩耗性に劣ることを示す。
以上の様に、本発明によればスパッタリング法により耐
摩耗性に優れたＴ１被膜をガラス基体面上に形成するこ
とができ、例えば、少くとも一層のＴ１被膜を有する熱
線反射ガラス板の製造に対して有用である。
摩耗性に優れたＴ１被膜をガラス基体面上に形成するこ
とができ、例えば、少くとも一層のＴ１被膜を有する熱
線反射ガラス板の製造に対して有用である。
Claims (1)
- （１） アルゴンガス存在下において、Ｔ１金属ターゲ
ツ）Ｋ電圧を印加し、スパッタリング法によシガラス基
体上にＴ１被膜を形成する方法において、上記アルゴン
ガスに０．１％〜５チの０２ を含ませることを特徴と
するガラス基体上へのＴ１ 被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518284A JPS60180935A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ガラス基体上へのＴｉ被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3518284A JPS60180935A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ガラス基体上へのＴｉ被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180935A true JPS60180935A (ja) | 1985-09-14 |
| JPH046660B2 JPH046660B2 (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=12434705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3518284A Granted JPS60180935A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ガラス基体上へのＴｉ被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180935A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1518838A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass article |
| CN108715995A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-30 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 一种用于低辐射玻璃的钛钯材及其制备方法 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3518284A patent/JPS60180935A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1518838A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass article |
| CN108715995A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-30 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 一种用于低辐射玻璃的钛钯材及其制备方法 |
| CN108715995B (zh) * | 2018-05-08 | 2020-05-26 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 一种用于低辐射玻璃的钛钯材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046660B2 (ja) | 1992-02-06 |
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