JPS6017913Y2 - Light stabilized gas laser device - Google Patents
Light stabilized gas laser deviceInfo
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- JPS6017913Y2 JPS6017913Y2 JP11024582U JP11024582U JPS6017913Y2 JP S6017913 Y2 JPS6017913 Y2 JP S6017913Y2 JP 11024582 U JP11024582 U JP 11024582U JP 11024582 U JP11024582 U JP 11024582U JP S6017913 Y2 JPS6017913 Y2 JP S6017913Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、ガスレーザ装置に係り、特に安定した出力が
得られる光安定化ガスレーザー装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a gas laser device, and particularly to a light-stabilized gas laser device that can provide stable output.
従来、この種の装置は、第1図に示すようにガスレーザ
ー管10と、この両端に夫々配置され、共振器ミラーを
構成する出力側ミラー11及び高反射ミラー12と、こ
の高反射ミラー12を透過した僅なレーザー光13を検
出し、増幅器14を介して励起電源15を制御する光電
変換素子16とから戊り、レーザー出力17と一定の関
係を有する放電光を前記光電変換素子16からの信号に
より制御して安定なレーザー出力17を得るように構成
されている。Conventionally, as shown in FIG. 1, this type of device includes a gas laser tube 10, an output side mirror 11 and a high-reflection mirror 12, which are arranged at both ends of the tube and constitute a resonator mirror, and this high-reflection mirror 12. Detects a small amount of laser light 13 that has passed through the laser beam, and converts it from the photoelectric conversion element 16 that controls the excitation power source 15 via the amplifier 14, and outputs discharge light having a certain relationship with the laser output 17 from the photoelectric conversion element 16. It is configured to obtain a stable laser output 17 by controlling according to the signal.
ところで、小出力用のレーザー装置の場合、前記高反射
ミラー12を透過してくるレーザー光13の光量の絶対
量は非常に少ない。By the way, in the case of a small output laser device, the absolute amount of the laser beam 13 passing through the high reflection mirror 12 is very small.
普通、高反射ミラー12の透過率は0.05%から0.
02%、出力側ミラー11の透過率は数%から1.5%
程度である。Normally, the transmittance of the high reflection mirror 12 is between 0.05% and 0.05%.
02%, and the transmittance of the output side mirror 11 is from several % to 1.5%.
That's about it.
ここで、10rrlW出力のアルゴンイオンレーザ−に
ついて出力側ミラー11の透過率を3%、高反射側ミラ
ー12を0.05%とした場合、高反射側ミラー12を
透過してくるレーザー光13は0.0005 。Here, for an argon ion laser with an output of 10 rrlW, if the transmittance of the output side mirror 11 is 3% and the high reflection side mirror 12 is 0.05%, the laser beam 13 transmitted through the high reflection side mirror 12 is 0.0005.
10mW X −=0.17mWになる。10mW x −=0.17mW.
レーザー出力0.03
光のレベルが定格出力の1710となったときから安定
化作動させる場合には、0.17mWのl110すなわ
ち17μWの光信号強度が必要になる。Laser output: 0.03 When stabilizing operation is started when the light level reaches the rated output of 1710, an optical signal strength of 1110 of 0.17 mW, that is, 17 μW is required.
このように小さい光信号強度を動作強度とすると、ガス
レーザー管10を放電励起しているために発生する放電
光18の強度が問題となる。If such a small optical signal intensity is taken as the operating intensity, the intensity of the discharge light 18 generated due to discharge excitation of the gas laser tube 10 becomes a problem.
つまり、第2図すに示すようにこの放電光18はレーザ
ー光13に比して密度的には小さいが、光電変換素子1
6の受光面全体に作用する為レーザー光13の照射され
る面積に対する受光面全体の面積の比だけ大きくなる。In other words, as shown in FIG. 2, although this discharge light 18 is smaller in density than the laser light 13, it is
Since it acts on the entire light-receiving surface of the laser beam 13, the ratio of the area of the entire light-receiving surface to the area irradiated with the laser beam 13 becomes larger.
したがってその変換信号がレーザー光13の変換信号と
ともに前記励起電源15の制御信号として供給される。Therefore, the converted signal is supplied together with the converted signal of the laser beam 13 as a control signal for the excitation power source 15.
このスペクトル的にも強度的にも非常に不安定な放電光
がノイズとして制御信号に重畳されることにより、安定
した制御を行なうことができなくなり、特に小出力用の
レーザー装置においては安定化が困難となったり、ノイ
ズ成分が多過ぎるなどの欠点となる。This discharge light, which is extremely unstable both in terms of spectrum and intensity, is superimposed on the control signal as noise, making it impossible to perform stable control, especially in low-output laser devices. This may be difficult, or there may be too many noise components.
この対策として実公昭44−18589号公報にみられ
るように、反射鏡と検出器の間に単色光取り出し用フィ
ルタを設ける例がある。As a countermeasure against this problem, as seen in Japanese Utility Model Publication No. 44-18589, there is an example in which a filter for extracting monochromatic light is provided between the reflecting mirror and the detector.
しかし、この場合光学フィルタを別個に用意する必要が
あり経済性の点で実用化に障害となる欠点を有する。However, in this case, it is necessary to separately prepare an optical filter, which has a disadvantage in terms of economy, which hinders its practical use.
本考案は、このような欠点を除去するもので、内部鏡ガ
スレーザー管の高反射ミラーの外側面に該高反射ミラー
の反射帯域以外の波長の光を抑制する誘電体多層膜を設
けて放電光を抑制し、よってノイズ成分を除去して、安
定した動作の行なえる実用的な光安定化ガスレーザー装
置を提供するものである。The present invention eliminates such drawbacks by providing a dielectric multilayer film on the outer surface of the high-reflection mirror of the internal mirror gas laser tube to suppress light with wavelengths outside the reflection band of the high-reflection mirror. The object of the present invention is to provide a practical optically stabilized gas laser device that suppresses light and therefore removes noise components and can operate stably.
以下、本考案の一実施例を第3図を参照して説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
また、すなわち本実施例は第3図に示すように、内部鏡
ガスレーザー管60の高反射ミラー61の外側面に該高
反射ミラーの反射帯域以外の波長の光を抑制する分光特
性を有する誘導体多層膜62を設けたものである。In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 3, a derivative having spectral characteristics that suppresses light of wavelengths outside the reflection band of the high reflection mirror is attached to the outer surface of the high reflection mirror 61 of the internal mirror gas laser tube 60. A multilayer film 62 is provided.
以下この誘導体多層膜62について第4図乃至第6図を
参照して説明する。This dielectric multilayer film 62 will be explained below with reference to FIGS. 4 to 6.
まず、ガスレーザー管60に第5図に示すように350
nmから500nmの波長帯域に多くのスペクトルを有
するアルゴンイオンレーザ−管、また高反射ミラー61
として第6図にaで示すような特性を有するミラー、さ
らに光電変換素子23として第7図に示すように近赤外
域(800nmから900nm )にピーク値を有し、
400nmから11 QQnmに感度を持つシリコン太
陽電池を用いるものとする。First, as shown in FIG.
An argon ion laser tube with many spectra in the wavelength band from nm to 500 nm, and a high reflection mirror 61
As shown in FIG. 7, a mirror having characteristics as shown by a in FIG.
A silicon solar cell with sensitivity from 400 nm to 11 QQ nm is used.
この条件下において、放電スペクトルの中で4201m
から500nmは、前記高反射ミラー61で99.8%
以上反射されてしまい、光電変換素子23には供給され
ない。Under this condition, 4201 m in the discharge spectrum
to 500 nm is 99.8% with the high reflection mirror 61.
The light is reflected and is not supplied to the photoelectric conversion element 23.
また、420r1mより短かいスペクトルについては、
前記光電変換素子23の感度外となるのでノイズレベル
としては問題がない。Also, for spectra shorter than 420r1m,
Since this is outside the sensitivity of the photoelectric conversion element 23, there is no problem with the noise level.
そして、問題となるスペクトルは、高反射ミラー61を
透過してくる5500mより長い波長でかつレーザー管
60から放出される最長スペクトルすなわち920nm
ぐらいまでである。The spectrum in question is a wavelength longer than 5500 nm transmitted through the high reflection mirror 61 and the longest spectrum emitted from the laser tube 60, that is, 920 nm.
That's about it.
この5501mから920nmの間に発出する波長の光
は、光量としてわずかであるが従来例の説明で述でたよ
うに問題となる。Although the amount of light emitted with a wavelength between 5501 m and 920 nm is small, it poses a problem as described in the description of the conventional example.
したがって、高反射ミラー61に形成する誘導体多層膜
62としては、第6図にbで示すように550nmから
92Or1mの波長範囲に対して高反射特性を有するも
のを用いることにより、はとんどのノイズとなる光を抑
制することができる。Therefore, as the dielectric multilayer film 62 formed on the high reflection mirror 61, as shown by b in FIG. It is possible to suppress the light that causes
具体的には、He−NeLz−ザー用の高反射膜と82
01mから830nm付近を中心波長とした高反射膜を
2重に形成することにより実現できる。Specifically, the high reflection film for He-NeLz-zer and 82
This can be achieved by forming double layers of high reflection films with center wavelengths in the vicinity of 0.01 m to 830 nm.
本考案は、このように構成することにより新たに光学フ
ィルタガラスを設けることなく、既設の高反射ミラーを
利用して、ノイズ成分の少ない信号によりレーザー出力
を安定化することができ、より安定したレーザー出力を
得ることができる。With this configuration, the present invention makes it possible to stabilize the laser output with a signal with fewer noise components by using the existing high-reflection mirror without installing a new optical filter glass. Laser output can be obtained.
第1図は従来の装置を説明する為の構成国、第2図a、
bは同じ〈従来の装置を説明する為の部分構成図及び
受光スペクトルを示す図、第3図は本考案の一実施例を
説明する為の構成国、第4図乃至第6図は本考案の一実
施例を説明する為の構成国力び特性図である。
なお、図中14は増幅器、15は励起電源、17はレー
ザー出力、23は光検知器、60は内部鏡ガスレーザー
管、61は高反射ミラー、62は誘導体多層膜、27a
はレーザー光である。Figure 1 shows the constituent countries for explaining conventional equipment, Figure 2 a,
b is the same〈A partial configuration diagram and a diagram showing the received light spectrum for explaining the conventional device, Figure 3 is the constituent country for explaining one embodiment of the present invention, and Figures 4 to 6 are for the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the power and strength characteristics of the constituent countries for explaining one embodiment of the present invention. In the figure, 14 is an amplifier, 15 is an excitation power source, 17 is a laser output, 23 is a photodetector, 60 is an internal mirror gas laser tube, 61 is a high reflection mirror, 62 is a dielectric multilayer film, and 27a
is a laser beam.
Claims (2)
して出力されたレーザー光を光検知器で検知し、その信
号を前記レーザー発振部にフィードバックしてレーザー
出力を安定化させる装置において、高反射ミラーの外側
面に、該高反射ミラーの反射帯域以外の波長の光を抑制
する分光特性を有する誘電体多層膜を形成したことを特
徴とする光安定化ガスレーザー装置。(1) A device that detects a laser beam outputted after passing through a high-reflection mirror of an internal mirror gas laser oscillation unit with a photodetector, and feeds back the signal to the laser oscillation unit to stabilize the laser output, A light-stabilized gas laser device characterized in that a dielectric multilayer film having spectral characteristics that suppresses light of wavelengths outside the reflection band of the high-reflection mirror is formed on the outer surface of the high-reflection mirror.
長側にその高反射特性を有する誘電体多層膜を形成した
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記
載の光安定化ガスレーザー装置。(2) Utility model registration claim 1, characterized in that a dielectric multilayer film having high reflection characteristics is formed on the outer surface of the high reflection mirror on the longer wavelength side than its reflection band. Light-stabilized gas laser device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024582U JPS6017913Y2 (en) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Light stabilized gas laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024582U JPS6017913Y2 (en) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Light stabilized gas laser device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58124971U JPS58124971U (en) | 1983-08-25 |
JPS6017913Y2 true JPS6017913Y2 (en) | 1985-05-31 |
Family
ID=30101169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11024582U Expired JPS6017913Y2 (en) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Light stabilized gas laser device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6017913Y2 (en) |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP11024582U patent/JPS6017913Y2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58124971U (en) | 1983-08-25 |
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