JP3034087B2 - Semiconductor laser pumped coherent light source - Google Patents

Semiconductor laser pumped coherent light source

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JP3034087B2 JP21517091A JP21517091A JP3034087B2 JP 3034087 B2 JP3034087 B2 JP 3034087B2 JP 21517091 A JP21517091 A JP 21517091A JP 21517091 A JP21517091 A JP 21517091A JP 3034087 B2 JP3034087 B2 JP 3034087B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ励起コヒー
レント光源に関し、特に詳細には、和周波混合を利用し
た半導体レーザ励起コヒーレント光源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser pumped coherent light source, and more particularly to a semiconductor laser pumped coherent light source utilizing sum frequency mixing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば特開平1−214082号、特開平2−2898
0号に開示されたものが知られている。これらは、励起
用の半導体レーザ光源と、変調される半導体レーザ光源
とを有し、和周波混合を利用することにより半導体レー
ザ励起コヒーレント光源を実現している。
2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, JP-A-1-214082, JP-A-2-2898
No. 0 is known. These have a semiconductor laser light source for excitation and a semiconductor laser light source to be modulated, and realize a semiconductor laser excitation coherent light source by using sum frequency mixing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来技
術では、レーザ発振用のレーザ媒質と和周波混合用の非
線形光学結晶が別の結晶体になっているため、和周波混
合光の発生効率が低い。このため、半導体レーザ光源を
大出力のものにする必要が生じ、利便性が損われてい
た。また、小型、軽量およびコンパクト化も難しいとい
うも問題があった。
However, in these prior arts, since the laser medium for laser oscillation and the nonlinear optical crystal for sum frequency mixing are separate crystals, the generation efficiency of sum frequency mixed light is reduced. Low. For this reason, it is necessary to increase the power of the semiconductor laser light source, and the convenience is impaired. In addition, there is a problem in that it is difficult to reduce the size, weight, and size.

【0004】そこで本発明は、高効率であって、しかも
小型、軽量、コンパクト化に適した半導体レーザ励起コ
ヒーレント光源を提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser-pumped coherent light source that is highly efficient and is suitable for miniaturization, lightness, and compactness.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ励起コヒーレント光源は、非線形光学特性を有するレ
ーザ媒質の結晶体と、この結晶体の一方の面側の端面よ
り励起レーザ光を入射してレーザ発振を生じさせる第1
の半導体レーザ光源と、結晶体の一方の面側の別の端面
より変調されたレーザ光を入射し、レーザ発振光と和周
波混合を生じさせる第2の半導体レーザ光源とを備え、
結晶体の他方の面側は励起レーザ光および変調されたレ
ーザ光を反射して、和周波混合光を透過するよう仕上げ
られている。
A semiconductor laser-pumped coherent light source according to the present invention comprises a crystal of a laser medium having non-linear optical characteristics, and a pump laser beam incident from an end face on one side of the crystal. First to cause laser oscillation
A semiconductor laser light source, and a second semiconductor laser light source that receives a modulated laser beam from another end face on one side of the crystal body and generates sum frequency mixing with laser oscillation light,
The other surface side of the crystal is finished so as to reflect the excitation laser light and the modulated laser light and transmit the sum frequency mixed light.

【0006】[0006]

【作用】本発明によれば、レーザ発振と和周波混合の発
生は、単一の結晶体によって実現されるので、高効率に
することができる。そして、結晶体の一方の面からレー
ザ光を入射しているので、結晶体の他方の面を反射端面
として利用し、コンパクト化を図っている。
According to the present invention, since laser oscillation and sum frequency mixing are realized by a single crystal, high efficiency can be achieved. Since the laser beam is incident from one surface of the crystal, the other surface of the crystal is used as a reflection end surface to achieve compactness.

【0007】[0007]

【実施例】以下、添付図面により、本発明のいくつかの
実施例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0008】図1は第1実施例に係る半導体レーザ励起
コヒーレント光源の構成図である。結晶体1は非線形光
学特性を有するレーザ媒質(例えばNYAB)であり、
一方の面側に端面A,Bを有し、他方の面側に斜めにカ
ットされた端面C,Dを有する。半導体レーザLD1
励起光源であり、その波長λ1 は例えば808nm(N
YABが励起可能)である。半導体レーザLD2 は信号
源2によって変調され、その発光波長は例えばλ2 =8
50nmである。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor laser pumped coherent light source according to a first embodiment. The crystal 1 is a laser medium having nonlinear optical characteristics (for example, NYAB),
One surface has end surfaces A and B, and the other surface has diagonally cut end surfaces C and D. The semiconductor laser LD 1 is an excitation light source, and its wavelength λ 1 is, for example, 808 nm (N
YAB can be excited). The semiconductor laser LD 2 is modulated by the signal source 2 and its emission wavelength is, for example, λ 2 = 8
50 nm.

【0009】半導体レーザLD1 からの励起レーザ光
は、レンズL1 ,L2 で集束され、ミラーM1 を介して
端面Bから結晶体1に入射される。半導体レーザLD2
からの変調されたレーザ光は、レンズL3 ,レンズL4
で集束されて、ミラーM2 を介して端面Aから結晶体1
に入射される。結晶体1にλ1=808nmの励起レー
ザ光が入射されると、波長λOSC =1062nmの発振
光が生じ、この発振光と波長λ2 の変調されたレーザ光
の間に和周波混合光(λOUT =472nm)が生じる。
The excitation laser light from the semiconductor laser LD 1 is focused by the lenses L 1 and L 2 and is incident on the crystal 1 from the end face B via the mirror M 1 . Semiconductor laser LD 2
The laser light modulated from the lens L 3, lens L 4
In is focused, crystal 1 from the end surface A via a mirror M 2
Is incident on. When the excitation laser beam of lambda 1 = 808 nm in crystal body 1 is incident, the oscillation light is generated with a wavelength lambda OSC = 1062 nm, the sum frequency mixing light during the oscillation light and the wavelength lambda 2 of the modulated laser light ( λ OUT = 472 nm).

【0010】したがって、ミラーM1 は波長λ1 を透過
し、波長λ2 ,λOSC ,λOUT を全て反射するようにな
っており、ミラーM2 は波長λ2 を透過し、波長λ1
λOSC ,λOUT を反射するようになっている。また、結
晶体1の端面A,B,Dは波長λ1 ,λ2 ,λOSC ,λ
OUT を全て反射するようになっており、端面Cは波長λ
OUT を透過し、波長λ1 ,λ2 ,λOSC ,を反射するよ
うになっている。
Therefore, the mirror M 1 transmits the wavelength λ 1 and reflects all the wavelengths λ 2 , λ OSC and λ OUT , and the mirror M 2 transmits the wavelength λ 2 and transmits the wavelengths λ 1 and λ 1 .
λ OSC and λ OUT are reflected. The end faces A, B, and D of the crystal 1 have wavelengths λ 1 , λ 2 , λ OSC , λ
OUT is totally reflected, and the end face C has a wavelength of λ.
OUT is transmitted and wavelengths λ 1 , λ 2 , λ OSC are reflected.

【0011】なお、上記の具体的な波長の値は、NYA
B結晶をθ=40°で用いた場合であり、図2に示すよ
うな位相整合によって調整することが可能である。この
実施例によれば、波長λOUT =472nmの出力光(可
視光)を得ることができ、その強度変調は半導体レーザ
LD2 によって行ない得る。
The above specific wavelength value is NYA
This is the case where the B crystal is used at θ = 40 °, and can be adjusted by phase matching as shown in FIG. According to this embodiment, output light (visible light) having a wavelength λ OUT = 472 nm can be obtained, and its intensity can be modulated by the semiconductor laser LD 2 .

【0012】図3は第2実施例の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源を示している。この場合には、ミラー
1 ,ミラーM2 を省略することにより、更なるコンパ
クト化を図っている。このために、結晶体1の端面A,
Bを凸曲面とし、端面Aについては波長λ2 、端面Bに
ついては波長λ1 を透過可能としている。そして、波長
λ OSC ,λOUT は共に反射するようにしている。
FIG. 3 shows a semiconductor laser pumped laser of the second embodiment.
3 shows a light source. In this case, the mirror
M1, Mirror MTwoBy omitting the
It is trying to make it more compact. For this reason, the end faces A,
B is a convex curved surface, and the end surface A has a wavelength λ.TwoOn the end face B
The wavelength λ1Can be transmitted. And the wavelength
λ OSC, ΛOUTAre reflected together.

【0013】上述の実施例では、いずれの場合も出射光
は発散するビームとなり、また光路が斜めとなる。そこ
で、図4(a)のように、結晶体1の端面Cの近傍に凸
レンズ5を設置すれば、直進する細いビームの出力光が
得られる。また、同図(b)のようにプリズム6を設け
れば、出力光を直進させることができる。
In any of the above embodiments, the emitted light is a diverging beam and the optical path is oblique in any case. Therefore, as shown in FIG. 4A, if the convex lens 5 is installed near the end face C of the crystal 1, output light of a thin beam that goes straight can be obtained. If the prism 6 is provided as shown in FIG. 3B, the output light can travel straight.

【0014】図5は第3実施例に係る半導体レーザ励起
コヒーレント光源を示している。この場合には、結晶体
1において端面C,Dを共通にし、端面Eとしている。
この場合には、端面Eは波長λ1 ,λ2 ,λOSC ,を反
射し、波長λOUT を透過する。この例によれば、結晶体
1の加工が容易である。
FIG. 5 shows a semiconductor laser pumped coherent light source according to a third embodiment. In this case, the end faces C and D are common to the crystal body 1, and the end face E is used.
In this case, the end face E reflects the wavelengths λ 1 , λ 2 , λ OSC and transmits the wavelength λ OUT . According to this example, processing of the crystal 1 is easy.

【0015】図6は第2実施例の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源をパッケージに収めた例を示している。同
図(a)において、筒体11には半導体レーザLD1
レンズL1 ,L2 が収められ、筒体12には半導体レー
ザLD2 とレンズL3 ,L4 が収められている。そし
て、同図(b)の容器13に収容され、蓋体14を閉じ
ることでパッケージ化される。なお、容器13の開口1
5は半導体レーザLD1 ,半導体レーザLD2 の端子1
6の挿通口であり、開口17は光出射窓である。
FIG. 6 shows an example in which the semiconductor laser pumped coherent light source of the second embodiment is housed in a package. In FIG. 1A, a semiconductor body LD 1 and lenses L 1 and L 2 are housed in a cylinder 11, and a semiconductor laser LD 2 and lenses L 3 and L 4 are housed in a cylinder 12. Then, it is accommodated in the container 13 shown in FIG. The opening 1 of the container 13
5 is a terminal 1 of the semiconductor laser LD 1 and the semiconductor laser LD 2
The opening 17 is a light exit window.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、レーザ発振
と和周波混合の発生は、単一の結晶体によって実現され
る。そして、結晶体の一方の面からレーザ光を入射して
いるので、結晶体の他方の面を反射端面として利用し、
コンパクト化を図っている。したがって、高出力であっ
て、しかも小型、軽量、コンパクト化が可能な半導体レ
ーザ励起コヒーレント光源が提供できる。
As described above, laser oscillation and sum frequency mixing are realized by a single crystal. And since the laser beam is incident from one surface of the crystal, the other surface of the crystal is used as a reflection end surface,
We are trying to make it more compact. Therefore, it is possible to provide a semiconductor laser-pumped coherent light source that has a high output and can be reduced in size, weight, and size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor laser pumped coherent light source according to a first embodiment.

【図2】位相整合条件を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a phase matching condition.

【図3】第2実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a semiconductor laser pumped coherent light source according to a second embodiment.

【図4】第2実施例の変形例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a modification of the second embodiment.

【図5】第3実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a semiconductor laser pumped coherent light source according to a third embodiment.

【図6】第2実施例に係る半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源のパッケージングを説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating packaging of a semiconductor laser-pumped coherent light source according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…結晶体 2…信号源 LD…半導体レーザ M…ミラー A,B,C,D,E…端面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Crystal body 2 ... Signal source LD ... Semiconductor laser M ... Mirror A, B, C, D, E ... End face

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 非線形光学特性を有するレーザ媒質の結
晶体と、 この結晶体の一方の面側の端面より励起レーザ光を入射
してレーザ発振を生じさせる第1の半導体レーザ光源
と、 前記結晶体の前記一方の面側の別の端面より変調された
レーザ光を入射し、前記レーザ発振光と和周波混合を生
じさせる第2の半導体レーザ光源と、 を備え、前記結晶体の他方の面側は前記励起レーザ光お
よび前記変調されたレーザ光を反射して、前記和周波混
合光を透過するよう仕上げられていることを特徴とする
半導体レーザ励起コヒーレント光源。
1. A crystal of a laser medium having non-linear optical characteristics, a first semiconductor laser light source for generating laser oscillation by entering an excitation laser beam from an end face on one side of the crystal, and the crystal A second semiconductor laser light source that receives modulated laser light from another end face on the one surface side of the body and generates sum frequency mixing with the laser oscillation light, and the other face of the crystal body A semiconductor laser-pumped coherent light source, characterized in that a side reflects the pump laser light and the modulated laser light and transmits the sum frequency mixed light.
【請求項2】 前記結晶体の前記他方の面側に、出射さ
れた前記和周波混合光の光路を変換する光学部品が設け
られている請求項1記載の半導体レーザ励起コヒーレン
ト光源。
2. The semiconductor laser-pumped coherent light source according to claim 1, wherein an optical component for converting an optical path of the emitted sum frequency mixed light is provided on the other surface side of the crystal.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体レーザ励起コヒ
ーレント光源を、単一の容器にパッケージングしたこと
を特徴とする半導体レーザ励起コヒーレント光源。
3. A semiconductor laser-pumped coherent light source, wherein the semiconductor laser-pumped coherent light source according to claim 1 is packaged in a single container.
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