JPS60173907A - 高出力増幅器 - Google Patents

高出力増幅器

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JPS60173907A
JPS60173907A JP59029741A JP2974184A JPS60173907A JP S60173907 A JPS60173907 A JP S60173907A JP 59029741 A JP59029741 A JP 59029741A JP 2974184 A JP2974184 A JP 2974184A JP S60173907 A JPS60173907 A JP S60173907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
output
ambient temperature
output amplifier
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP59029741A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyasu Tsuruoka
鶴岡 義保
Naofumi Saito
斉藤 直文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 +a) 発明の技術分野 本発明は高出力増幅器に係り、特に電界効果型トランジ
スタを使用する高出力増幅器に関するものである。
(b) 従来技術と問題点 各地上局がそれぞれ異なる周波数で衛星中継器を介して
通信をする場合、衛星中継器の受信レベルは相互の干渉
を避ける為(干渉により信号対雑音比が悪くなる)に地
上局の送信出力は常に一定に保つ必要がある。
従来は地上局送信部の高出力増幅器として進行波管が使
用され、例えば30GHzで約20Wσ出力を得ていた
。しかし、進行波管は温度変化に対して利得が大きく変
動すると云う問題があった。
一方、電子機器の固体化が進む傾向に対応してこの進行
波管も固体化が進み電界効果型トランジスタが菅部に用
いられる様になって来ている。
第1図は電界効果型トランジスタ(以下FETと省略す
る)を用いた高出力増幅器の入力電力対出力電力の関係
を周囲温度を変えてプロットした図である。
測定条件は同図に示す様に、動作周波数が約6GHz 
+周囲温度範囲は一25℃〜+70℃になっている。
第1図に示す様に、周囲温度が下がる程このFET高出
力増幅器の利得が上昇し、逆に周囲温度が上がる程利得
が減少している。
しかも、飽和出力が温度に依って変動すると云う問題が
あった。
(C) 発明の目的 本発明は上記従来技術の問題に鑑みなされたものであっ
て、温度変化に対して飽和出力が一定となる高出力電力
増幅器を提供する事を目的ととしている。
(d) 発明の構成 上記発明の目的は高出力増幅器に付けた温度センサーか
ら該高出力増幅器の温度情報を取出す温度センサー部と
、記憶部に書込まれた温度対制御電圧のデータより該温
度センサー部よりの出力に対応する制御電圧を取出す制
御電圧発生部と、該制御電圧発生部よりの出力で制御さ
れた電圧を該抽出力増幅器に供給する電源部とから構成
された事を特徴とする高出力増幅器を提供する事により
達成される。
(e) 発明の実施例 第2図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図中、1はFET高出力増幅器を、2は温度センサー部
を、3はアナログ/ディジタル変換部を、4はリードオ
ンリメモリ部を、5はディジタル/アナログ変換部を、
6は電源部を、7〜9は端子を、10は制御電圧発生部
をそれぞれ示す。
この様に接続されたブロック図の動作は次の様である。
端子7より入力された高周波信号は、端子8よリゲート
電圧が、電源部6よりドレイン電圧がそれぞれ供給され
たFET高出力増幅器1で電力増幅されて端子9より出
力される。
一方、FET高出力増幅器の周囲温度を測定する為に設
けられた温度センサー2からのアナログ周囲温度情報が
アナログ/ディジタル変換部3でディジタル量に変換さ
れる。
そして、リードオンリメモリ4に書込まれている周囲温
度対飽和電力を一定にする為の制御電圧の表から前記の
ディジタル温度情報に対応する制御電圧(ディジタル化
されている)を読出し、この制御電圧をディジクル/ア
ナログ変換部5でアナログ屋に変換した後、電源部6に
加え周囲温度に対応したドレイン電圧を電源部6よりF
ET高出力増幅器1に加える。
第3図は第2図に示したFET高出力増幅器の周囲温度
を変化させた場合の実測された入出力電力の特性を示す
動作条件はドレイン電圧を除き第1図の動作条件と同し
になっている。
同図に示す様に、飽和出力は周囲温度が一25℃〜70
°Cの量変化しても殆ど変化をしない。
尚、ドレイン電圧を制御したのはゲート電圧対出力電力
の変化が非直線的に変化するのに対して、ドレイン電圧
対出力電圧の変化が略直線的に変化する為に容易に確か
められる為である。
勿論、非直線的に変化してもその変化をリードオンリメ
モリに書込めば、飽和比カ一定に制御する事は可能であ
る。
ffl 発明の効果 本発明は温度センサーを使ってFET高出力増幅器の周
囲温度を測定し、測定値をアナログ/ディジタル変換部
でディジタル信号に変えてリードオンリメモリに書込ま
れている周囲温度対制御電圧の表からそのディジタル信
号に対応する制御電圧を読出し、この制御電圧で制御さ
れたドレイン電源部から周囲温度に対応したトレイン電
圧を加える様にしたので、周囲温度が変化しても常に一
定な飽和出力が得られる様にする事ができた。
尚、本発明はFET高出力増幅器に就いて説明したが、
いかなる増幅器に対しても適用する事が出来る事は云う
までもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のFET高出力増幅器の周囲温度を変えた
時の入出力特性を説明する為の図を、第2図は本発明の
一実施例を、第3図は第2図の入出力特性をそれぞれ示
す。 図中、1はFET高出力増幅器を、2は温度センサー部
を、3はアナログ/ディジタル変換部を、4はリードオ
ンリメモリ部を、5はディジクル/アナログ変換部を、
6は電源部を、7〜9は端子を、10は制御電圧発生部
をそれぞれ示す。 第1 K 第3図 NIJ直カベ8m

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高出力増幅器に付けた温度センサから該高出力増幅器の
    温度情報を取出j温度センサー部と、記憶部に書込まれ
    た温度対制御電圧のデータより該温度センサー部よりの
    出力に対応する制御電圧を取出す制御電圧発生部と、該
    制御電圧発生部よりの出力で制御された電圧を該高出力
    増幅器に供給する電源部とから構成された事を特徴とす
    る高出力増幅器。
JP59029741A 1984-02-20 1984-02-20 高出力増幅器 Pending JPS60173907A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0398712A2 (en) * 1989-05-19 1990-11-22 Dynamic Signal Processing Limited An amplification circuit
JP2007173982A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Toshiba Corp 温度補償増幅器

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58223778A (ja) * 1982-06-23 1983-12-26 Seiko Instr & Electronics Ltd 温度補償機能付き電子時計

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