JPS60173544A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents
ポジ型感光性組成物Info
- Publication number
- JPS60173544A JPS60173544A JP3009784A JP3009784A JPS60173544A JP S60173544 A JPS60173544 A JP S60173544A JP 3009784 A JP3009784 A JP 3009784A JP 3009784 A JP3009784 A JP 3009784A JP S60173544 A JPS60173544 A JP S60173544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- naphthol
- novolak resin
- cresol
- resin
- photosensitive composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線に感応するポジ型感光性組成物に関す
るものであり、さらに詳しくは、するものでおる。
るものであり、さらに詳しくは、するものでおる。
近年、超微細加工用フォトレジストとして／、２−ナフ
トキノンジアジド糸ポジ型フォトレジストが多用される
様になった。従来、前記７オトレジストに用いられるバ
インダーポリマーとしてはクレゾールノボラック樹脂、
ビニル７エノール重合体などが知られているが、これら
を用いたレジスト膜は、ドライエツチング耐性が必ずし
も十分ではなかった。これを改良した樹脂としてナフト
ールを縮合成分として含有するノボラック樹脂、好まし
くは、α−ナフトールおよびｐ−クレゾールを含有する
ノボラック樹脂があるが（特願昭Ｓざ一／！；ｇ、３０
／）、α−ナフトールを縮合成分として含有するノボラ
ック樹脂をフォトレジストのバインダーとして用いた場
合、フォトレジスト感光液としての長期保存安定性に問
題があった。感光液の保存中における劣化はきわめて問
題であり、例えば保存により感度の低下がおこった場合
、現像後のレジスト線の太り、線間のレジスト残りがお
こり好ましくない。保存前後の感度の変化率が５％以下
であることが必要とされる。本発明者等は、ドライエツ
チング耐性を向上させ、さらに、保存安定性に問題のな
いレジストのバインダーポリマーについて種々検討を行
なった結果、β−す７トールを縮合成分として含有する
ノボラック樹脂を使用すれば、感光液保存性が良好でか
つ、ドライエツチング耐性の向上されたレジスト組成物
が得られることを知得し、本発明を完成するに至った。
トキノンジアジド糸ポジ型フォトレジストが多用される
様になった。従来、前記７オトレジストに用いられるバ
インダーポリマーとしてはクレゾールノボラック樹脂、
ビニル７エノール重合体などが知られているが、これら
を用いたレジスト膜は、ドライエツチング耐性が必ずし
も十分ではなかった。これを改良した樹脂としてナフト
ールを縮合成分として含有するノボラック樹脂、好まし
くは、α−ナフトールおよびｐ−クレゾールを含有する
ノボラック樹脂があるが（特願昭Ｓざ一／！；ｇ、３０
／）、α−ナフトールを縮合成分として含有するノボラ
ック樹脂をフォトレジストのバインダーとして用いた場
合、フォトレジスト感光液としての長期保存安定性に問
題があった。感光液の保存中における劣化はきわめて問
題であり、例えば保存により感度の低下がおこった場合
、現像後のレジスト線の太り、線間のレジスト残りがお
こり好ましくない。保存前後の感度の変化率が５％以下
であることが必要とされる。本発明者等は、ドライエツ
チング耐性を向上させ、さらに、保存安定性に問題のな
いレジストのバインダーポリマーについて種々検討を行
なった結果、β−す７トールを縮合成分として含有する
ノボラック樹脂を使用すれば、感光液保存性が良好でか
つ、ドライエツチング耐性の向上されたレジスト組成物
が得られることを知得し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の要旨とする所は、バインダー樹脂お
よびムコ−ナフトキノンジアジド系化合物とからなるポ
ジ型感光性組成物において、該バインダー樹脂がβ−ナ
フトールを縮合成分として含むノボラック樹脂を含有す
ることを特徴とするポジ型感光性組成物に存し、さらに
好適には該ノボラック樹脂が（ａ）β−ナフトール５〜
７０モルチおよび（ｂ）フェノール、クレゾールおよび
キシレノールから選択される少くとも１種を、３０−９
！ｒモルチ含む縮合成分をホルムアルデヒドと縮合させ
たものであることを特徴とするポジ型感光性組成物に存
する。
よびムコ−ナフトキノンジアジド系化合物とからなるポ
ジ型感光性組成物において、該バインダー樹脂がβ−ナ
フトールを縮合成分として含むノボラック樹脂を含有す
ることを特徴とするポジ型感光性組成物に存し、さらに
好適には該ノボラック樹脂が（ａ）β−ナフトール５〜
７０モルチおよび（ｂ）フェノール、クレゾールおよび
キシレノールから選択される少くとも１種を、３０−９
！ｒモルチ含む縮合成分をホルムアルデヒドと縮合させ
たものであることを特徴とするポジ型感光性組成物に存
する。
次に本発明の詳細な説明する。該ノボラック樹脂は、β
−ナフトールを縮合成分として含有するが、好適には、
他のフェノール類と共に縮□合させてもよい。前記フェ
ノール類はβ−ナフ ３− トールと共に縮合させて得られたノボラック樹脂がポジ
型レジストとして適度の現像特性を示すものであればす
べて用いうるが１１例えば、フェノール、０−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、コツ３−キシレノール、λ、Ｓ−
ヤンレノール、３、Ｓ−キシレノール等が挙げられる。
−ナフトールを縮合成分として含有するが、好適には、
他のフェノール類と共に縮□合させてもよい。前記フェ
ノール類はβ−ナフ ３− トールと共に縮合させて得られたノボラック樹脂がポジ
型レジストとして適度の現像特性を示すものであればす
べて用いうるが１１例えば、フェノール、０−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、コツ３−キシレノール、λ、Ｓ−
ヤンレノール、３、Ｓ−キシレノール等が挙げられる。
好ましくは、ｍ−クレゾールとキシレノールをモル比で
ｌ：３から３＝７の範囲で混合したものが良い。
ｌ：３から３＝７の範囲で混合したものが良い。
ノボラック樹脂は、β−ナフトールと必をならば前記フ
ェノール類と共にアルデヒド類と公知の酸触媒を用い、
公知の方法で縮合させて作ることができる。β−ナフト
ールの含有量は全フェノール成分に対してＳ〜７０モル
係であるのが好ましい。β−ナフトールが５モル係未満
の場合にはドライエツチング耐性の向上が顕著でなく、
寸だ７０モモル係り大きい場合は、現像液に対する溶解
性が悪く、感度の低いものしか得ることができない。好
適には、（ａ）β−ナフトール５〜７０モル％（ｂ）
ｍ−クレゾール、キシレノールおよび／またはフェノー
ル３０〜９Ｓモー 番 − ルチを少くとも含む縮合成分をホルムアルデヒドと縮合
させたノボラック樹脂が挙げられる。
ェノール類と共にアルデヒド類と公知の酸触媒を用い、
公知の方法で縮合させて作ることができる。β−ナフト
ールの含有量は全フェノール成分に対してＳ〜７０モル
係であるのが好ましい。β−ナフトールが５モル係未満
の場合にはドライエツチング耐性の向上が顕著でなく、
寸だ７０モモル係り大きい場合は、現像液に対する溶解
性が悪く、感度の低いものしか得ることができない。好
適には、（ａ）β−ナフトール５〜７０モル％（ｂ）
ｍ−クレゾール、キシレノールおよび／またはフェノー
ル３０〜９Ｓモー 番 − ルチを少くとも含む縮合成分をホルムアルデヒドと縮合
させたノボラック樹脂が挙げられる。
さらに好適には、（ａ）β−ナフトール１０−９０モル
％（ｂ）ｍ−クレゾール、コツ３−キシレノール、コ、
！−キシレノールおよび／または３．Ｓ−キシレノール
６０〜デＯモル饅を少くとも含む縮合成分をホルムア
ルデヒドと縮合させたノボラック樹脂が挙げられる。
％（ｂ）ｍ−クレゾール、コツ３−キシレノール、コ、
！−キシレノールおよび／または３．Ｓ−キシレノール
６０〜デＯモル饅を少くとも含む縮合成分をホルムア
ルデヒドと縮合させたノボラック樹脂が挙げられる。
β−ナフトール含有ノボラック樹脂の現像液に対する溶
解性はα−ナフトール含有ノボラック樹脂のそれと全く
異る。すなわち、α−ナフトールは溶解性を上昇させる
ためダθモル饅以上に好適範囲があるのに対しβ−す７
トールの場合は、溶解性を逆に低下させるため、特に好
適には全フェノール成分に対してｉｉｏモルチ以下で用
いるのが良い。
解性はα−ナフトール含有ノボラック樹脂のそれと全く
異る。すなわち、α−ナフトールは溶解性を上昇させる
ためダθモル饅以上に好適範囲があるのに対しβ−す７
トールの場合は、溶解性を逆に低下させるため、特に好
適には全フェノール成分に対してｉｉｏモルチ以下で用
いるのが良い。
該ノボラック樹脂の重量平均分子量は、１００〜１００
００の範囲にあることが好ましい。ここで重量平均分子
量は、東洋曹達社製カラムＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭｔ （
（ｋコＨ６、Ｇ３Ｈ１，、Ｇ’ｌＨ＆、ＧＫＨＡ等量混
合、 ＴＳＫ−ＧＥＬは商標）一本（計ダフィート）ヲ
用いたゲルパージニージョンクロマトグラフィーでテト
ラヒドロフラン矛を溶媒として展開した時のポリスチレ
ン換算の値で定義される。重量平均分子量がｔｒｏｏ未
滴の時は未露光部の現像後の膜減りが大きく、７０００
０以上の時は、現像速度が小さくなってしまう。特に好
適な重量平均分子量は１０００〜’ｔｏｏｏの範囲であ
る。
００の範囲にあることが好ましい。ここで重量平均分子
量は、東洋曹達社製カラムＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭｔ （
（ｋコＨ６、Ｇ３Ｈ１，、Ｇ’ｌＨ＆、ＧＫＨＡ等量混
合、 ＴＳＫ−ＧＥＬは商標）一本（計ダフィート）ヲ
用いたゲルパージニージョンクロマトグラフィーでテト
ラヒドロフラン矛を溶媒として展開した時のポリスチレ
ン換算の値で定義される。重量平均分子量がｔｒｏｏ未
滴の時は未露光部の現像後の膜減りが大きく、７０００
０以上の時は、現像速度が小さくなってしまう。特に好
適な重量平均分子量は１０００〜’ｔｏｏｏの範囲であ
る。
ムコ−ナフトキノンジアジド系化合物としては、例えば
、特開昭！ｒｌ！−／ｌ／／コ号記載の化合物が挙げら
れるが、好適には、２，３．ＩＩ−） リヒドロキシベ
ンゾフエノンのｌｌ、２−す７トキノンー、２−ジアジ
ド−３−スルホン酸トリエステルが挙げられる。これは
、好適には、感光性組成物の固形分１ｇ中にキノンジア
ジド基として０．３〜０．６ ｍｍｏｌ の範囲で含む
ように用いられるのが好ましい。
、特開昭！ｒｌ！−／ｌ／／コ号記載の化合物が挙げら
れるが、好適には、２，３．ＩＩ−） リヒドロキシベ
ンゾフエノンのｌｌ、２−す７トキノンー、２−ジアジ
ド−３−スルホン酸トリエステルが挙げられる。これは
、好適には、感光性組成物の固形分１ｇ中にキノンジア
ジド基として０．３〜０．６ ｍｍｏｌ の範囲で含む
ように用いられるのが好ましい。
このようにして得られた感光性組成物は適当な溶剤に溶
解され、基材にコートされる。溶剤としては、例えば、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、メチルセロンルブアセテート、エチルセロソルブア
セテート等のセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、ア
ミルアセテート等のエステル系溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の高極性溶媒等が挙げら
れる。溶液中には、さらに、染料、塗布性改良剤、接着
促進剤、感度向上剤などが添加されていてもよい。基材
上に形成された塗膜を、可視光線以下の波長の電磁波等
によりパターン露光し、現像することによりレジストが
形成される。その後、基材、例えば、シリコンウェーハ
ー上のシリコンオキサイド層がドライエツチングされる
が、本発明のノボラック樹脂を含有するレジスト組成物
は、プラズマエツチング、イオンエツチング、リアクテ
ィブイオンエツチング等、種々のドライエツチング工程
に対して従来品に比較し高い剛性を示す。
解され、基材にコートされる。溶剤としては、例えば、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、メチルセロンルブアセテート、エチルセロソルブア
セテート等のセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、ア
ミルアセテート等のエステル系溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の高極性溶媒等が挙げら
れる。溶液中には、さらに、染料、塗布性改良剤、接着
促進剤、感度向上剤などが添加されていてもよい。基材
上に形成された塗膜を、可視光線以下の波長の電磁波等
によりパターン露光し、現像することによりレジストが
形成される。その後、基材、例えば、シリコンウェーハ
ー上のシリコンオキサイド層がドライエツチングされる
が、本発明のノボラック樹脂を含有するレジスト組成物
は、プラズマエツチング、イオンエツチング、リアクテ
ィブイオンエツチング等、種々のドライエツチング工程
に対して従来品に比較し高い剛性を示す。
この事は本工程の大巾な信頼性向上をもたらすものであ
り、その結果、本工程が多数回組込ま １− れている半導体素子製造ラインの歩留りを飛躍的に改善
する。よって、本発明の工業的意義は極めて太きい。
り、その結果、本工程が多数回組込ま １− れている半導体素子製造ラインの歩留りを飛躍的に改善
する。よって、本発明の工業的意義は極めて太きい。
、次に、合成例、実施例、参考例を用いて具体的に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限如それらに限定
されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限如それらに限定
されるものではない。
合成例／
β−ナフトール５り、Ａ Ｉ （０，ｌｌｍｏｌ ）、
ｍ−クレゾールＡ Ｉｌ、ｇ １１ （０，６ｍｏｌ
）、ホルマリン（３クチホルムアルデヒド水溶液） ｆ
ｆ ／、／ 、９、シュウ酸二水化物／、ｇ４１１１よ
り成る混合物を１００℃で１時間加熱した。次いで室温
で水洗し、１３０℃減圧で水を留去した後ブチルセロソ
ルブ２０９を加えて溶解し、１１１０℃で３０分間、減
圧にして縮合させつつ、水とブチルセロソルブを留去し
てノボラック樹脂を得た。ゲル ルパーｌエーションクロマトグラフイーヲ用イて前記条
件でめた重量平均分子量（以下ＭＷと略記）は１５θＯ
であった。
ｍ−クレゾールＡ Ｉｌ、ｇ １１ （０，６ｍｏｌ
）、ホルマリン（３クチホルムアルデヒド水溶液） ｆ
ｆ ／、／ 、９、シュウ酸二水化物／、ｇ４１１１よ
り成る混合物を１００℃で１時間加熱した。次いで室温
で水洗し、１３０℃減圧で水を留去した後ブチルセロソ
ルブ２０９を加えて溶解し、１１１０℃で３０分間、減
圧にして縮合させつつ、水とブチルセロソルブを留去し
てノボラック樹脂を得た。ゲル ルパーｌエーションクロマトグラフイーヲ用イて前記条
件でめた重量平均分子量（以下ＭＷと略記）は１５θＯ
であった。
合成例λ
−日 −
β−す７トールＪ ｔ、ざＩ （θ、２ ｍｏｌ ）、
ｍ−クレゾールｇ ｉｌｌ Ｉ （０，ｇ ｍｏｂ
）、ホルマリン（３７％ホルムアルデヒド水溶液）ｇへ
／９、シュウ酸三水化物／、ｇ’ｌｌｌより成る混合物
を１００℃で５０分間加熱した。次いで室温で水洗、デ
カントをし１３０℃で減圧にして水分をとりのぞいた後
、ブチルセロソルブ３ｏｇｔ加えて溶解し１．２１０℃
で３０分間、減圧にして縮合させつつ、水とブチルセロ
ソルブを留去してＭｗが１ｔｓｏｏのノボラック樹脂を
得た。
ｍ−クレゾールｇ ｉｌｌ Ｉ （０，ｇ ｍｏｂ
）、ホルマリン（３７％ホルムアルデヒド水溶液）ｇへ
／９、シュウ酸三水化物／、ｇ’ｌｌｌより成る混合物
を１００℃で５０分間加熱した。次いで室温で水洗、デ
カントをし１３０℃で減圧にして水分をとりのぞいた後
、ブチルセロソルブ３ｏｇｔ加えて溶解し１．２１０℃
で３０分間、減圧にして縮合させつつ、水とブチルセロ
ソルブを留去してＭｗが１ｔｓｏｏのノボラック樹脂を
得た。
合成例３
β−ナフトールダざ、ＯＥｌ （Ｏ，，７，？、？ｍｏ
ｌ）、ｍ−クレゾール３６．θＩ（θ、、）Ｊ：？ｍｏ
１＞、コ、ｊ−−キシレノールグθ、７ ｇ （０，３
３３ｍｏ１）、ホルマリン（３７％ホルムアルデヒド水
溶液） ｇ ／、／ｇ１シュウ酸二水化物八ｇへｇより
成る混合物を１００℃で２時間加熱した。７５０℃で水
を減圧留去した後、ブチルセロソルブλｌＩｇを加え、
コθθ℃で３０分間加熱した後、−００℃で減圧にして
縮合させつつ、水とプチルセロソルプを留去してＭｗが
／ｊｊ−θのノボラック樹脂を得た。
ｌ）、ｍ−クレゾール３６．θＩ（θ、、）Ｊ：？ｍｏ
１＞、コ、ｊ−−キシレノールグθ、７ ｇ （０，３
３３ｍｏ１）、ホルマリン（３７％ホルムアルデヒド水
溶液） ｇ ／、／ｇ１シュウ酸二水化物八ｇへｇより
成る混合物を１００℃で２時間加熱した。７５０℃で水
を減圧留去した後、ブチルセロソルブλｌＩｇを加え、
コθθ℃で３０分間加熱した後、−００℃で減圧にして
縮合させつつ、水とプチルセロソルプを留去してＭｗが
／ｊｊ−θのノボラック樹脂を得た。
合成例グ
β−ナフトール？、：ＡＩ （０，０！； ｍｏｌ ）
、ｍ−クレゾール／ ０．ｇ １１ （０，／ ｍｏｌ
）、λ、ターキシレノール／２．２９（θ、／ ｍｏ
ｌ ）、ホルマリン（３クチホルムアルデヒド水浴液）
２０．３ Ｅｌ、シュウ酸二水化物θ、！ｉ、２９１／
より成る混合物を７００℃で７時間、さらに７３０℃で
７時間加熱した。７５０℃で減圧して水を留去後ブチル
セロソルブ６１を加えて、２７０℃で２０分加熱後、２
１０℃で減圧にして縮合させつつ、水とブチルセロソル
ブを留去してＭｗが３０００のノボラック樹脂を得だ。
、ｍ−クレゾール／ ０．ｇ １１ （０，／ ｍｏｌ
）、λ、ターキシレノール／２．２９（θ、／ ｍｏ
ｌ ）、ホルマリン（３クチホルムアルデヒド水浴液）
２０．３ Ｅｌ、シュウ酸二水化物θ、！ｉ、２９１／
より成る混合物を７００℃で７時間、さらに７３０℃で
７時間加熱した。７５０℃で減圧して水を留去後ブチル
セロソルブ６１を加えて、２７０℃で２０分加熱後、２
１０℃で減圧にして縮合させつつ、水とブチルセロソル
ブを留去してＭｗが３０００のノボラック樹脂を得だ。
合成例Ｓ
β−ナフトールコバｂ ｙ （ｏ、ｔ ｓ ｍｏｌ）、
フェノールデ、ｌＩｇ（θ、／ ｍｏｌ ）、ホルマリ
ン（３７チホルムアルデヒド水溶液）、２０．３ｇ１シ
ュウ酸二水化物０．９．３１１．ブチルセロソルブ／−
ｇより成る混合物を７００℃で１時間、さらに１３０℃
で７時間加熱後、シュウ酸二水化物０．９３Ｉを追加し
て１３０℃で７時間加熱した。
フェノールデ、ｌＩｇ（θ、／ ｍｏｌ ）、ホルマリ
ン（３７チホルムアルデヒド水溶液）、２０．３ｇ１シ
ュウ酸二水化物０．９．３１１．ブチルセロソルブ／−
ｇより成る混合物を７００℃で１時間、さらに１３０℃
で７時間加熱後、シュウ酸二水化物０．９３Ｉを追加し
て１３０℃で７時間加熱した。
次いで１１１０℃で７時間減圧にして縮合させつつ、水
とブチルセロソルブを留去させ、さらに、２／θ℃で２
０分間減圧加熱を加えてＭｗが／２θＯのノボラック拘
脂を得た。
とブチルセロソルブを留去させ、さらに、２／θ℃で２
０分間減圧加熱を加えてＭｗが／２θＯのノボラック拘
脂を得た。
参考合成例１
α−ナフトールｇ、Ａダｔｚ、ｐ−クレゾール’１．、
ｊ、２１１．ホルマリン（，７７％ホルムアルデヒド水
溶−ｄｉ）７．３０Ｆｌ、シュウ酸二水化物０．／ ｊ
９より成る混合物をｇｏ℃でａＳ分、ｉｏｏ℃でＪｊ分
間加熱した。次いで室温で水洗し、減圧で／時間−〇分
かけて１４１０℃から２００℃に温度を上昇させつつ縮
合させてＭｗが２０００のノボラック樹脂を得た。
ｊ、２１１．ホルマリン（，７７％ホルムアルデヒド水
溶−ｄｉ）７．３０Ｆｌ、シュウ酸二水化物０．／ ｊ
９より成る混合物をｇｏ℃でａＳ分、ｉｏｏ℃でＪｊ分
間加熱した。次いで室温で水洗し、減圧で／時間−〇分
かけて１４１０℃から２００℃に温度を上昇させつつ縮
合させてＭｗが２０００のノボラック樹脂を得た。
参考合成例コ
α−す７ト一ルコｇ、ざｌ （ｏ、−ｍ０１ ）、ｍ−
クレゾールｇ １４４１ （０，ｇ ｍｏｌ ’Ｉ、ホ
ルマリン（３り饅ホルムアルデヒド水溶液）ざ／、／Ｉ
。
クレゾールｇ １４４１ （０，ｇ ｍｏｌ ’Ｉ、ホ
ルマリン（３り饅ホルムアルデヒド水溶液）ざ／、／Ｉ
。
シュウ酸二水化物ｉ、ｔｒ ＩＩｙよシ成る混合物を１
１− ７００℃で７時間加熱した。次いで室温で水洗し、減圧
で／ｇＯ℃７時間縮合させてＭｗが１Ｉｏｏθのノボラ
ック樹脂を得た０ 実施・例／〜左、参考例ハコ 合成例／〜夕、参考合成例へコで得られたノボラック樹
脂／ Ｏｇ、２，３．’ｌ −）リヒドロキシベンゾフ
エノンのハユーナフトキノン−ノージアジド−３−スル
ホン酸トリエステル／、Ａ’７１１をエチルセロソルブ
アセテートに溶解し、スピナーを用いて膜厚ハＯμｍと
なるようにθ、Ｓμのシリコンオキサイドを有するシリ
コンウエノ・−上に塗布し、ｑｏ℃、３０分プリベーク
した。
１− ７００℃で７時間加熱した。次いで室温で水洗し、減圧
で／ｇＯ℃７時間縮合させてＭｗが１Ｉｏｏθのノボラ
ック樹脂を得た０ 実施・例／〜左、参考例ハコ 合成例／〜夕、参考合成例へコで得られたノボラック樹
脂／ Ｏｇ、２，３．’ｌ −）リヒドロキシベンゾフ
エノンのハユーナフトキノン−ノージアジド−３−スル
ホン酸トリエステル／、Ａ’７１１をエチルセロソルブ
アセテートに溶解し、スピナーを用いて膜厚ハＯμｍと
なるようにθ、Ｓμのシリコンオキサイドを有するシリ
コンウエノ・−上に塗布し、ｑｏ℃、３０分プリベーク
した。
次いで日本光学製つエノ１−ステツノ： −Ｎ５Ｒ−／
ｒｏ！ｆにてパターン露光し、東京応化工業■製現像液
（ＮＭＤ−，７）で、２３℃、１分間現像し、水で１分
間リンスした。生じた画像を走査型電子顕微鏡及び日本
光学工業■製寸法測定機うンノくスにてコμのライン、
スペースを再現するに必要な露光時間をめ、それを感度
とした。さらに未露光部の現像後の残膜率もめた。
ｒｏ！ｆにてパターン露光し、東京応化工業■製現像液
（ＮＭＤ−，７）で、２３℃、１分間現像し、水で１分
間リンスした。生じた画像を走査型電子顕微鏡及び日本
光学工業■製寸法測定機うンノくスにてコμのライン、
スペースを再現するに必要な露光時間をめ、それを感度
とした。さらに未露光部の現像後の残膜率もめた。
１２−
次いで、画像形成面をプラズマサーモ社製プラズマエツ
チング装置でエツチングガスした。
チング装置でエツチングガスした。
エツチングガスとしては５％の酸素（０□）ガスと９！
ｒ％のテトラフルオロメタン（ＯＦ４）との混合ガスを
用い、ｔＳＯμ’Ｉ’ｏｒｒでダ０℃、２０分間エツチ
ングを行ない、エツチング前後のレジスト膜厚の差ｄを
測定した。
ｒ％のテトラフルオロメタン（ＯＦ４）との混合ガスを
用い、ｔＳＯμ’Ｉ’ｏｒｒでダ０℃、２０分間エツチ
ングを行ない、エツチング前後のレジスト膜厚の差ｄを
測定した。
一方、比較のため、ノボラック樹脂としてメタクレゾー
ル７０モル係、ハラクレゾール３０モル係を用いて合成
したものを用い、上記と同様にして比較試料を作成し、
同時にドライエツチングを行ない、エツチング前後のレ
ジスト膜厚の差を測定しｄｒｅｆとしｄｒｏｆ／ｄによ
シ耐ドライエツチング性の指標とした。ｄｒｅｆ ／ｄ
は大きいほど耐ドライエツチング性が良好であることを
示す。保存性は、感光液をダ０℃でコ週間保存後（はソ
実用の長期室温経変に対応）、前記最適露光時間をめ、
保存前の最適露光時間からの変化率で示した。結果を表
／に示すが、本発明のフォトレジスト組成物を用いた場
合、ｄｒ８ｆ／ｄが／より大きく耐ドライエツチング性
に優れ、また同時に保存性も良好であった。
ル７０モル係、ハラクレゾール３０モル係を用いて合成
したものを用い、上記と同様にして比較試料を作成し、
同時にドライエツチングを行ない、エツチング前後のレ
ジスト膜厚の差を測定しｄｒｅｆとしｄｒｏｆ／ｄによ
シ耐ドライエツチング性の指標とした。ｄｒｅｆ ／ｄ
は大きいほど耐ドライエツチング性が良好であることを
示す。保存性は、感光液をダ０℃でコ週間保存後（はソ
実用の長期室温経変に対応）、前記最適露光時間をめ、
保存前の最適露光時間からの変化率で示した。結果を表
／に示すが、本発明のフォトレジスト組成物を用いた場
合、ｄｒ８ｆ／ｄが／より大きく耐ドライエツチング性
に優れ、また同時に保存性も良好であった。
表 ７
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士長谷用 −
ほか／名
Claims (5)
- （１）バインダー樹脂および／、−一す７トキノンジア
ジド系化合物とからなるポジ型感光性組成物において、
該バインダー樹脂がβ−ナフトールを縮合成分として含
むノボラック樹脂を含有することを特徴とするポジ型感
光性組成物。 - （２） ノボラック樹脂が（ａ）β−ナフトールＳ〜７
０モルチおよび（ｂ）フェノール、クレゾールおよびキ
シレノールから選択される少くとも１種をｊＯ−９１モ
ルチ含む縮合成分をホルムアルデヒドと縮合させたもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の組
成物。 - （３）ノボラック樹脂の重量平均分子量が１００〜／θ
０００の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の組成物。 - （４） ハコ−ナフトキノンジアジド系化合物がコ、３
．ダートリヒドロキシベンゾフェノ／の／、ｌ−ナフト
キノンジアジド−３−スルホン酸のエステルであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の組成物。 - （５）ノボラック樹脂が（ａ）β−ナフトールｊ〜７０
モルチおよび（ｂ）クレゾールおよびキシレノール３０
〜？Ｓモルチトヲホルムアルデヒドと縮合させたもので
あることを特徴とする４！詐請求の範囲第１項記載の組
成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009784A JPS60173544A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ポジ型感光性組成物 |
| EP84305930A EP0136110A3 (en) | 1983-08-30 | 1984-08-30 | Positive photosensitive compositions useful as photoresists |
| US06/788,882 US4650741A (en) | 1983-08-30 | 1985-10-18 | Positive photosensitive composition of cocondensed β-naphthol and m-cresol with aldehyde in admixture with sulfonyl triester of a 1,2-naphthoquinone-1-diazide |
| US06/915,897 US4725523A (en) | 1983-08-30 | 1986-10-06 | Positive photosensitive compositions with 1,2-naphthoquinone diazide and novolak resin prepared from α-naphthol and p-cresol |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009784A JPS60173544A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | ポジ型感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173544A true JPS60173544A (ja) | 1985-09-06 |
| JPH0588468B2 JPH0588468B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=12294272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3009784A Granted JPS60173544A (ja) | 1983-08-30 | 1984-02-20 | ポジ型感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211256A (ja) * | 1988-07-07 | 1992-08-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
| JP2006154403A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nippon Zeon Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP3009784A patent/JPS60173544A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211256A (ja) * | 1988-07-07 | 1992-08-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
| JP2006154403A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nippon Zeon Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP4507277B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-07-21 | 日本ゼオン株式会社 | パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588468B2 (ja) | 1993-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0443820B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
| US4650741A (en) | Positive photosensitive composition of cocondensed β-naphthol and m-cresol with aldehyde in admixture with sulfonyl triester of a 1,2-naphthoquinone-1-diazide | |
| US5145763A (en) | Positive photoresist composition | |
| EP0496640B2 (en) | I-ray sensitive positive resist composition | |
| JP2003517489A (ja) | 選ばれた高サーマルノボラックおよびポジ型放射線感受性組成物 | |
| JPH08262712A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2005522533A (ja) | ノボラック樹脂混合物及びこの混合物を含む感光性組成物 | |
| US5798201A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
| JPS632044A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPS60173544A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPH04343359A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH04211254A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH03128959A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2568883B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH0587822B2 (ja) | ||
| JP3209754B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0768435B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| US6090533A (en) | Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom | |
| JPH06242599A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH04299348A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2811663B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3240612B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0792669A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH04211255A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3063197B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |