JPS60170946A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPS60170946A JPS60170946A JP2746584A JP2746584A JPS60170946A JP S60170946 A JPS60170946 A JP S60170946A JP 2746584 A JP2746584 A JP 2746584A JP 2746584 A JP2746584 A JP 2746584A JP S60170946 A JPS60170946 A JP S60170946A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は半導体集積回路のダイナミック・バイアス・テ
スlr容易にした半導体集積回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a semiconductor integrated circuit that facilitates dynamic bias testing of a semiconductor integrated circuit.
(従来技術)
従来、半導体集積回路(以下、ICという。)のバイア
ス・テストは、10パーセント位高い電源電圧を印加し
、入力を0”あるいは11”に固定して、高温の炉内に
数十〜数百時間入れておくようにして行なわれていた。(Prior art) Conventionally, bias testing of semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as IC) involves applying a power supply voltage about 10% higher, fixing the input to 0" or 11", and testing several times in a high-temperature furnace. It was done by leaving it in for ten to several hundred hours.
そのため、特に相補型MO8IC(以下、0MO8IC
という。)では、その回路特性からして、入力信号が変
動しない状態では回路内にほとんど電流が流れず、通常
のバイアス・テストでは負荷テストとしては不十分であ
った。従って、特にCMO8ICの場合には、バイアス
・テスト中に入力信号を変動させるテスト(以下、ダイ
ナミック・バイアス・テストという。)を打力うことも
あるが、入力信号を変動させるための外部回路に次のよ
うに多くの問題点かあシ、高価な回路が必要であった。Therefore, especially complementary MO8IC (hereinafter referred to as 0MO8IC)
That's what it means. ), due to its circuit characteristics, almost no current flows in the circuit when the input signal does not fluctuate, and a normal bias test was insufficient as a load test. Therefore, especially in the case of CMO8IC, a test that varies the input signal (hereinafter referred to as a dynamic bias test) may be performed during the bias test, but the external circuit for varying the input signal is It had many problems and required expensive circuitry.
(1)被試験ICの品種毎に入力信号の本数、端子位置
が異なるため、各々専用の実装ボードが必要である。(1) Since the number of input signals and the terminal positions differ depending on the type of IC to be tested, a dedicated mounting board is required for each type.
(2)高温炉の中に外部から多数の信号全供給するため
、多数の配線が必要であること、及び使用電気部品が長
時間高温に耐える必要がある。(2) Since a large number of signals are all supplied to the high temperature furnace from the outside, a large number of wirings are required, and the electrical components used need to withstand high temperatures for a long time.
(3)外部回路を実装するために大きな場所が必要とな
る。(3) A large space is required to mount external circuits.
(発明の目的)
本発明の目的は、上記の問題点を解消することによシ、
容易にダイナミック争バイアス・テストが行なえるよう
にした半導体集積回路を提供することにある。(Object of the invention) The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems.
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit which allows dynamic competitive bias testing to be easily performed.
(発明の構成)
本発明の半導体集積回路は、ダイナミック・バイアス−
テスト指令を人力するテスト指令入力子テスト指令入力
手段からの出力によシ入力伯号を外部入力データ信号か
ら前記ダイナミック・バイアス・テスト用データ信号に
切換える入力切換手段とを含むことから構成される。(Structure of the Invention) The semiconductor integrated circuit of the present invention has a dynamic bias
input switching means for switching the input signal from the external input data signal to the dynamic bias test data signal according to the output from the test command input means for manually inputting the test command; .
(実施例)
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。(Example) Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.
本実施例は、ダイナミック・バイアス−テスト指令BT
i入力するテスト指令入力手段としてのバッフ了1と、
ダイナミック・バイアス・テスト2と、バッフ了1から
の出力により入力信号を外部入力データ信号Do−Dn
からダイナミック・バイアス・テスト用データ信号GO
〜Gnに切換える入力切換手段としての入力切換回路3
ヶ含むことから構成される。なお4は主回路で、入力切
換回路3の出力を受けて出力データ信号OO〜Oni出
力する。In this embodiment, the dynamic bias-test command BT
a buffer 1 as a test command input means for inputting i;
Dynamic bias test 2 and the output from buffer 1 convert the input signal into external input data signal Do-Dn.
Dynamic bias test data signal GO
- Input switching circuit 3 as input switching means for switching to Gn
It consists of the following: A main circuit 4 receives the output of the input switching circuit 3 and outputs output data signals OO to Oni.
次に、本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
まず通常時においては、バッフ了lへのダイナミック・
バイアス・テスト指令BTがuO”にされ、その出力が
競O”となって入力切換回路30制御入力に供給される
。入力切換回路3は2人力マルチプレクザーとして一般
に知られている回路であシ、制御入力によって2人力の
一方を選択して出力する回路である。今の場合、入力切
換回路3は制御入力に°゛0”が与えられることにより
外部入力データ信号DO〜Dnの方を選択して出力し、
このICの主回路4は、外部入力データ信号DO〜Dn
の値に従って通常の動作を行なう。First of all, under normal conditions, dynamic
The bias test command BT is set to uO'', and its output becomes UO'' and is supplied to the input switching circuit 30 control input. The input switching circuit 3 is a circuit generally known as a two-manpower multiplexer, and is a circuit that selects and outputs one of the two power inputs according to a control input. In this case, the input switching circuit 3 selects and outputs the external input data signals DO to Dn by receiving °゛0'' to the control input.
The main circuit 4 of this IC uses external input data signals DO to Dn.
Normal operation is performed according to the value of .
次に、バイアス・テスト?r行なうとぎには、バッフ丁
1へのダイナミックのバイアス・テスト指令B T ヲ
” l”にすることによシ、前とは逆に入力切換回路3
は、データ発生回Fq、2から出力されるダイナミック
・バイアス・テスト用データイB号GO〜Onの方を選
択して出力し、主回路4はバイアス書テスト中このデー
タ発生回路2から出力されるダイナミック拳バイアス・
テスト用データイ8号GO〜Gnによって動作を続ける
。なお、データ発生回路2は従来一般に知られている回
路であシ、ROM (読出し専用メモリ)を用いてあら
かじめ入れておいたデータを、アドレスを変えながら順
次取出す回路でもよく、するいはランダム・データを発
生する回路であってもよい。Next, a bias test? To do this, set the dynamic bias test command to buffer 1 to ``L'', and input switching circuit 3 in the opposite direction as before.
selects and outputs the dynamic bias test data B GO to On output from the data generation circuit Fq, 2, and the main circuit 4 outputs it from the data generation circuit 2 during the bias write test. Dynamic fist bias
The operation continues using test data No. 8 GO to Gn. The data generating circuit 2 may be a conventionally known circuit, or may be a circuit that sequentially retrieves data stored in advance using a ROM (read-only memory) while changing addresses, or may be a random circuit. It may also be a circuit that generates data.
第2図と第3図は、ダイナミック・バイアス・チアド中
・外部入力データ信号DO〜Dn力z t+ 1 pp
あるいは110”に固定される場合に限ったとき、前記
入力切換回路3の回路を更に簡単化した第2及び第3の
実施例の一部を示す回路図である。第2図、第3図とも
1つのデータ分のみの回路を示しているが、他のデータ
についても同様である。Figures 2 and 3 show dynamic bias chiad/external input data signals DO~Dn power z t+ 1 pp
Alternatively, when the input switching circuit 3 is fixed to 110'', it is a circuit diagram showing a part of second and third embodiments in which the circuit of the input switching circuit 3 is further simplified. Although both show circuits for only one data, the same applies to other data.
また、第2図、第3図とも、入力切換回路の部分のみを
示しているが、他の回路は第1図と同様である。Further, although both FIGS. 2 and 3 show only the input switching circuit, the other circuits are the same as in FIG. 1.
第2図において、ANDゲート22に入力される外部入
力データ信号DOはバイアス・ラスト中外部で5′1”
に固定されているのでダイナミック・バイアス・テスト
指令BTがul”のときダイナミック・バイアス・テス
ト用データ信号GOの反転データGoがNANDゲート
21で反転された後、ANDゲート22を通って主回路
4に供給される。In FIG. 2, the external input data signal DO input to the AND gate 22 is 5'1'' externally during the bias last.
Therefore, when the dynamic bias test command BT is ul'', the inverted data Go of the dynamic bias test data signal GO is inverted by the NAND gate 21 and then passed through the AND gate 22 to the main circuit 4. supplied to
第3図において、ORゲート32に入力される外部入力
データ信号DOはバイアス・テスト中外部で110”に
固定されているので、ダイナミック・バイアス・テスト
指令BTがal”のとき、ANDゲート31に入力され
たダイナミック・バイアス−テスト用データ信号GOが
Onゲート32を辿って主回路4に供給される。In FIG. 3, the external input data signal DO input to the OR gate 32 is externally fixed at 110" during the bias test, so when the dynamic bias test command BT is "al", the AND gate 31 The input dynamic bias-test data signal GO follows the On gate 32 and is supplied to the main circuit 4.
(発明の効果)
以上、詳細に説明したとおシ本発明の半導体集積(ロ)
路は、テスト用データ信号発生手段と、バイアス・テス
ト指令によって外部入力データ信号とテスト用データ信
号発生手段から出力されるダイナミック・バイアス・テ
スト用データ信号とを切換えて出力する入力切換手段を
内蔵することによって、容易にダイナミック・バイアス
・テストを行なうことができるという効果を有する。(Effects of the Invention) As described above in detail, the semiconductor integration of the present invention (b)
The circuit includes a test data signal generation means and an input switching means for switching and outputting an external input data signal and a dynamic bias test data signal output from the test data signal generation means according to a bias test command. This has the effect that a dynamic bias test can be easily performed.
第1図は本発明の第1の実施例を示すブロック図、第2
図と第3図はそれぞれ本発明の第2.第3の実施例の入
力切換回路のu略図である。
1・・−・・・六弁バッファ、2・・・・・データ発生
回路、3・・・・・・入力切換回路、4・・・・・・主
回路、21 ・・・NANDゲート、22.31 ・・
・・・ANDゲート、32・・・・・・ORゲート、B
T・・・・ダイナミック・バイアス争テスト指令、DQ
−Dn・・・・・・外部入力データ信号、oO−Gn・
・・・・ダイナミック・バイアス・テスト用データ信号
、OO〜On・・・・≠〜≠出力データ信号。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention;
3 and 3 respectively represent the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic diagram of an input switching circuit according to a third embodiment. 1...Six-valve buffer, 2...Data generation circuit, 3...Input switching circuit, 4...Main circuit, 21...NAND gate, 22 .31...
...AND gate, 32...OR gate, B
T...Dynamic Bias War Testing Order, DQ
-Dn...External input data signal, oO-Gn・
...Data signal for dynamic bias test, OO~On...≠~≠Output data signal.
Claims (1)
ト指令入力手段と、ダイナミック・パイアカによシ入力
信号を外部入力データ信号から前記ダイナミック・バイ
アス・テスト用データ信号に切換える入力切換手段とを
含むことを特徴とする半導体集積回路。The method further includes a test command input means for inputting a dynamic bias test command, and an input switching means for switching an input signal to the dynamic bias tester from an external input data signal to the dynamic bias test data signal. Features of semiconductor integrated circuits.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2746584A JPS60170946A (en) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2746584A JPS60170946A (en) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60170946A true JPS60170946A (en) | 1985-09-04 |
Family
ID=12221862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2746584A Pending JPS60170946A (en) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60170946A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301540A (en) * | 1987-05-18 | 1988-12-08 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Method of burn-in and circuit thereof |
JPH0252461A (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2746584A patent/JPS60170946A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301540A (en) * | 1987-05-18 | 1988-12-08 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Method of burn-in and circuit thereof |
JPH0252461A (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor device |
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