JPS6017026A - 金属チタンの製造方法 - Google Patents
金属チタンの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
とを接触させて金属チタンを製造する方法に関する。
従来金属チタンを製造する方法として、原料であるＴ１
０．を炭素共存下に於いて塩素化してＴ ｉ Ｏｆ、の
中間体を得、次いでＴ ｉ Ｏｊ、を金属マグネシウム
あるいは金属ナトリウムと接触させて金属チタンを得る
のが一般的である。
０．を炭素共存下に於いて塩素化してＴ ｉ Ｏｆ、の
中間体を得、次いでＴ ｉ Ｏｊ、を金属マグネシウム
あるいは金属ナトリウムと接触させて金属チタンを得る
のが一般的である。
この方法では不純物の少ないＴ１０．が必要となシ使用
できる原料の制限か多いことや、得られたＴ ｉ Ｏｊ
、の精製工程など金属チタンを得るまでの工程が複雑で
あシ管理が厄介である。さらに金属マグネシウムや金属
ナトリウムを使用する費用が嵩むので金属チタン製造費
用が高くな夛、優れた性質をもつ金属でありながら普及
が進まない大きな因子となっている。
できる原料の制限か多いことや、得られたＴ ｉ Ｏｊ
、の精製工程など金属チタンを得るまでの工程が複雑で
あシ管理が厄介である。さらに金属マグネシウムや金属
ナトリウムを使用する費用が嵩むので金属チタン製造費
用が高くな夛、優れた性質をもつ金属でありながら普及
が進まない大きな因子となっている。
本発明は従来法の欠点を克服するためになさ詐たもので
あシ、チタンのフッ素含有化合物を還元ガス雰囲気中又
は不活性ガス雰囲気中又は真空中において、ココＯ”Ｃ
以上に加熱されたアルミニウム又はマグネシウムと接触
させることを特徴とする金屑チタンの製造方法である。
あシ、チタンのフッ素含有化合物を還元ガス雰囲気中又
は不活性ガス雰囲気中又は真空中において、ココＯ”Ｃ
以上に加熱されたアルミニウム又はマグネシウムと接触
させることを特徴とする金屑チタンの製造方法である。
本発明はまた、アルキル燐酸の群、アルキルアリール燐
酸の群、カルボン酸の群、ヒドロキシオキシムの群、及
び中性燐酸エステルの各群からなる群より選択された１
種又は２種以上の抽出剤を石油系炭化水素で希釈した有
機溶媒に抽出含有されたチタンを、Ｆ−イオン、ＮＨ４
＋イオン及びに＋イオンの群よｌ［以上を含有する水溶
液を接触させることによシ水相に移行せしめて得られた
チタンのフッ素含有化合物を、還元ガス雰囲気中又は不
活性ガス雰囲気中又は真空中において、コニ０℃以上に
加熱さ詐たアルミニウム又はマグネシウムと接触させる
ことを特徴とする金属チタンの製造方法である０以下本
発明をフローシート図に基づき説明するが、本発明はこ
れら例示する処理法に限定されるものではない。
酸の群、カルボン酸の群、ヒドロキシオキシムの群、及
び中性燐酸エステルの各群からなる群より選択された１
種又は２種以上の抽出剤を石油系炭化水素で希釈した有
機溶媒に抽出含有されたチタンを、Ｆ−イオン、ＮＨ４
＋イオン及びに＋イオンの群よｌ［以上を含有する水溶
液を接触させることによシ水相に移行せしめて得られた
チタンのフッ素含有化合物を、還元ガス雰囲気中又は不
活性ガス雰囲気中又は真空中において、コニ０℃以上に
加熱さ詐たアルミニウム又はマグネシウムと接触させる
ことを特徴とする金属チタンの製造方法である０以下本
発明をフローシート図に基づき説明するが、本発明はこ
れら例示する処理法に限定されるものではない。
第１図の７０−シートは本発明の基本的な処理方法を示
すもので、チタンのフッ素含有化合物（Ａ）を還元ガス
わるいは不活性ガスが充満する反応器（０）又は真空反
応器に導き、金属アルよニウム（Ｂ）と−２０℃以上の
高温で接触させると、次式に示すように金属チタン（尊
が得られる。
すもので、チタンのフッ素含有化合物（Ａ）を還元ガス
わるいは不活性ガスが充満する反応器（０）又は真空反
応器に導き、金属アルよニウム（Ｂ）と−２０℃以上の
高温で接触させると、次式に示すように金属チタン（尊
が得られる。
副生するムｊＦ、やに１、Ｎｕ、ＩＦ等（Ｄ）は気体と
して反応器（０）外に導きＴ１と分離することも出来、
操業条件によっては金属チタンを水洗あるいは希薄な酸
で洗浄することによっても分離することか出来る。
して反応器（０）外に導きＴ１と分離することも出来、
操業条件によっては金属チタンを水洗あるいは希薄な酸
で洗浄することによっても分離することか出来る。
また、チタンの７ツ累含有化合物（Ａ）を金属マグネシ
ウム（Ｂ）と上記と同様に２：１０℃以上の高温で接触
させると、次式に示すように金属チタン（乃が得られる
。
ウム（Ｂ）と上記と同様に２：１０℃以上の高温で接触
させると、次式に示すように金属チタン（乃が得られる
。
ＴｉＦ、＋コＭｇ、２Ｔｉ↓＋、２Ｍｇ？、・・・（４
）（ト）匂、Ｔｉ１ｌ’＠＋λＭ孕Ｔ１↓＋−Ｍｇ？、
＋２ＮＨ，ＩＦ↑暑・・（５）Ｋ、 Ｔ ｉ ＩＩＦ、
＋２Ｍ ｇ、２ Ｔ ｉ↓＋コＭｇＦ、 ＋２ＫＩ＋’
、 ＠・（６）次に中間体であるチタンのフッ素含有化
合物金得る一例を第一図の７０−シートに示すＯＴｉ
を抽出含有する有機溶媒（Ｆ）を剥離工程（Ｇ）に４き
、Ｎ残“、Ｋ＋及びＦ−の／極又は２種以上を含有する
水溶１（Ｈ）と接触させて、次式のように有機相のＴ１
イオン全水相（Ｈ）に移行せしめる０ へＴｉ ＋ １ＬｔＨＦ、、ＩＲ・Ｈ＋ Ｔｉ１Ｆ、
−−−（１）Ｈ，ＴｉＦ、 ＠Ｎ−ＴＢＰ＋Ｈ２０，２
Ｎ・ＴＢＰ＋′Ｈ１Ｔ ｉＦ’、 −−−（８）Ｒ４Ｔ
ｉ＋ｌＩＮ曳Ｈ？、、ｐ １ＩＲＨ＋ （ＮＨ，）、
Ｔ ｉ Ｆ、＋λＮＨ，ＩＦ・・・（９）Ｒ，Ｔ ｉ＋
ダＫＨＦ、、；淳ＲＥ十へＴｉ’？、＋２ＫＩ＋’・−
θ呻再生された有機溶媒（Ｋ）は再び抽出工程に循環さ
れる。一方水相に移ったＴ１ イオンは水溶液中のイオ
ンによってＴｉＦ’、や（ＮＨ，）、ＴｉＦ’、及びＫ
ＲＴｉＦ、の結晶とな９、結晶分離工程（Ｊ）にて取り
出される。得られたこれらチタンのフッ素含有化合物（
Ａ）からＴ７図に示した処理方法により金（４１） 属チタンが製造される。
）（ト）匂、Ｔｉ１ｌ’＠＋λＭ孕Ｔ１↓＋−Ｍｇ？、
＋２ＮＨ，ＩＦ↑暑・・（５）Ｋ、 Ｔ ｉ ＩＩＦ、
＋２Ｍ ｇ、２ Ｔ ｉ↓＋コＭｇＦ、 ＋２ＫＩ＋’
、 ＠・（６）次に中間体であるチタンのフッ素含有化
合物金得る一例を第一図の７０−シートに示すＯＴｉ
を抽出含有する有機溶媒（Ｆ）を剥離工程（Ｇ）に４き
、Ｎ残“、Ｋ＋及びＦ−の／極又は２種以上を含有する
水溶１（Ｈ）と接触させて、次式のように有機相のＴ１
イオン全水相（Ｈ）に移行せしめる０ へＴｉ ＋ １ＬｔＨＦ、、ＩＲ・Ｈ＋ Ｔｉ１Ｆ、
−−−（１）Ｈ，ＴｉＦ、 ＠Ｎ−ＴＢＰ＋Ｈ２０，２
Ｎ・ＴＢＰ＋′Ｈ１Ｔ ｉＦ’、 −−−（８）Ｒ４Ｔ
ｉ＋ｌＩＮ曳Ｈ？、、ｐ １ＩＲＨ＋ （ＮＨ，）、
Ｔ ｉ Ｆ、＋λＮＨ，ＩＦ・・・（９）Ｒ，Ｔ ｉ＋
ダＫＨＦ、、；淳ＲＥ十へＴｉ’？、＋２ＫＩ＋’・−
θ呻再生された有機溶媒（Ｋ）は再び抽出工程に循環さ
れる。一方水相に移ったＴ１ イオンは水溶液中のイオ
ンによってＴｉＦ’、や（ＮＨ，）、ＴｉＦ’、及びＫ
ＲＴｉＦ、の結晶とな９、結晶分離工程（Ｊ）にて取り
出される。得られたこれらチタンのフッ素含有化合物（
Ａ）からＴ７図に示した処理方法により金（４１） 属チタンが製造される。
第３図は副生じたＡｊＦ、の処理まで含めた本発明によ
る金属チタンの製造方法を示すフローシートで、Ｔｉ
を抽出含有する有機溶媒（ト）よシ反応器（０）までの
経路は第一図に示す通９である。
る金属チタンの製造方法を示すフローシートで、Ｔｉ
を抽出含有する有機溶媒（ト）よシ反応器（０）までの
経路は第一図に示す通９である。
反応器（０）よシ取出したＡ１．ＩＩ’、（Ｄ）を分解
工程（ロ）に導き、Ｈ，０（Ｉ、）を添加すると次式に
示すように”ｔ Ｏｓ （Ｎ）が得られる。
工程（ロ）に導き、Ｈ，０（Ｉ、）を添加すると次式に
示すように”ｔ Ｏｓ （Ｎ）が得られる。
コＡｊＦ、＋、？馬０＃鵠０３↓＋４ＨＦ↑・・・（／
ｌ）同時に生成し九ＨＦ （Ｑ、）は、有機溶媒Ｃ）の
Ｔ１イオン剥離液が循環するガス吸収工程（Ｐ）に導か
れ回収される。
ｌ）同時に生成し九ＨＦ （Ｑ、）は、有機溶媒Ｃ）の
Ｔ１イオン剥離液が循環するガス吸収工程（Ｐ）に導か
れ回収される。
本発明で使用する反応器は公知の密閉型の電気炉、ある
いは間接加熱炉など各種の構造のものが利用される。金
属アルミニウム又は金属マグネシウムも液状、ガス状の
ものが利用でき、製造する金属チタンの形状を粉末のも
のとするか、塊状のものとするかによって選択される。
いは間接加熱炉など各種の構造のものが利用される。金
属アルミニウム又は金属マグネシウムも液状、ガス状の
ものが利用でき、製造する金属チタンの形状を粉末のも
のとするか、塊状のものとするかによって選択される。
本発明でチタンのフッ素含有化合物を造るのに使用する
アルキル燐酸は次に示す群より選択される： （ａ） （ｂ） （Ｑ） （ｄ）（θ）（ｆ） （式中のＲは一般に炭素数がダルココのアルキル基を表
わす） 以下の実施例中に示すＤ２ＥＨＰＡ（ジーコーエチルヘ
キシル燐酸）は（ａ）の群に属し、上式中のＲ＝Ｃａ
Ｈｔｖ Ｏものである。
アルキル燐酸は次に示す群より選択される： （ａ） （ｂ） （Ｑ） （ｄ）（θ）（ｆ） （式中のＲは一般に炭素数がダルココのアルキル基を表
わす） 以下の実施例中に示すＤ２ＥＨＰＡ（ジーコーエチルヘ
キシル燐酸）は（ａ）の群に属し、上式中のＲ＝Ｃａ
Ｈｔｖ Ｏものである。
本発明で使用するアルキルアリール燐酸の群は次に示す
化合物である： １ 〔式中Ｒは一般に７〜７７個の炭素原子を含むアルキル
基、ムは一般にアリール基（フェニル基、トリル基、キ
シリル基）を示す〕 本発明で使用する抽出剤のカルボン酸は次の（式中Ｒは
一般に炭素数がｑ〜７ｇのアルキル基を示す） また抽出剤のヒドロキシオキシムの一例を次ハロゲン例
えばＯＪ−であシ、■であってもよい。）本発明で使用
できる中性燐酸エステルは次の化合物より選択さｎる： （７） （ａ） （ｂ） （０） （ｄ） （式中Ｒは炭素数ダ〜Ｉｔのアルキル基を表わす） 実施例に示すＴＢＰ（）リプチルホスフェート）は（ａ
）の群に属しＲ＝０４Ｈ，のものをいう。
化合物である： １ 〔式中Ｒは一般に７〜７７個の炭素原子を含むアルキル
基、ムは一般にアリール基（フェニル基、トリル基、キ
シリル基）を示す〕 本発明で使用する抽出剤のカルボン酸は次の（式中Ｒは
一般に炭素数がｑ〜７ｇのアルキル基を示す） また抽出剤のヒドロキシオキシムの一例を次ハロゲン例
えばＯＪ−であシ、■であってもよい。）本発明で使用
できる中性燐酸エステルは次の化合物より選択さｎる： （７） （ａ） （ｂ） （０） （ｄ） （式中Ｒは炭素数ダ〜Ｉｔのアルキル基を表わす） 実施例に示すＴＢＰ（）リプチルホスフェート）は（ａ
）の群に属しＲ＝０４Ｈ，のものをいう。
本発明で使用する希釈剤は石油系炭化水素で芳香族系炭
化水素、脂肪族系炭化水素あるいはこれらの混合品であ
る。またケロシンの如き雑多な炭化水素混合物もよく使
用される。
化水素、脂肪族系炭化水素あるいはこれらの混合品であ
る。またケロシンの如き雑多な炭化水素混合物もよく使
用される。
また改質剤には、一般にアルキル基の炭素数がｑ〜コ４
Ｉまでの高級アルコールがよく使用され、抽出物質によ
っては抽出剤と希釈剤がよく溶は合う有機物を添加して
もよい。
Ｉまでの高級アルコールがよく使用され、抽出物質によ
っては抽出剤と希釈剤がよく溶は合う有機物を添加して
もよい。
抽出剤の濃度は被処理液の性状、金属イオンの濃度、不
純物の濃度や種類によって決定される。一般に抽出剤の
濃度は２％〜９３チ （体積）である。
純物の濃度や種類によって決定される。一般に抽出剤の
濃度は２％〜９３チ （体積）である。
（ｇ ）
以下に実施例を掲げて本発明を具体的に説明するが、本
発明によるチタンのフッ素含有化合物から金属チタンを
製造する方法はこれらに限定されるものではない。
発明によるチタンのフッ素含有化合物から金属チタンを
製造する方法はこれらに限定されるものではない。
実施例 Ｉ
白色ＴｉＦ４の結晶１０ｇをとシ、アルゴンガス気流中
で６００℃に加熱し全量ガス状としたものを、アルゴン
ガスを充満し溶融状態の金属アルＳニウムを内蔵した反
応器に吹き込んだ。次いで冷却した反応器内壁及び底部
に付着した黒色の反応生成物を分析したところ、金属チ
タン、ｙ、ｔ ｇであることが確認できた。
で６００℃に加熱し全量ガス状としたものを、アルゴン
ガスを充満し溶融状態の金属アルＳニウムを内蔵した反
応器に吹き込んだ。次いで冷却した反応器内壁及び底部
に付着した黒色の反応生成物を分析したところ、金属チ
タン、ｙ、ｔ ｇであることが確認できた。
実施例 コ
３０％Ｄ、 ＫＨＰＡ＋７Ｑ％ｎ−パラフィンの有機溶
媒中にｉｊｇ／ｌ の割合で抽出せしめたＴ１ イオン
を、／ ｋ ０１１／ｌ Ｎ Ｈ４ＨＦｍ 水溶液と接
触させることにより （ＩＩＩ、）、 Ｔｉ１Ｆ、を得
た。この白色（Ｍｕ、）、Ｔｉｔ、結晶Ｊｏｇをアルゴ
ンガス気流中で加熱して気化させた後温度１０００℃に
保持した反応器に導き、一方アルゴン気流中で加熱し気
化したアルミニウムのガスと上記気化させた（ＮＩ（、
）、Ｔｉｅｒ、と金別の反応器で接触させた。
媒中にｉｊｇ／ｌ の割合で抽出せしめたＴ１ イオン
を、／ ｋ ０１１／ｌ Ｎ Ｈ４ＨＦｍ 水溶液と接
触させることにより （ＩＩＩ、）、 Ｔｉ１Ｆ、を得
た。この白色（Ｍｕ、）、Ｔｉｔ、結晶Ｊｏｇをアルゴ
ンガス気流中で加熱して気化させた後温度１０００℃に
保持した反応器に導き、一方アルゴン気流中で加熱し気
化したアルミニウムのガスと上記気化させた（ＮＩ（、
）、Ｔｉｅｒ、と金別の反応器で接触させた。
次いで反応器を冷却して反応器内壁及び底部に付着した
黒色の反応生成物を分析したところ、金属チタンダ、ざ
ｙであることが確認できた。
黒色の反応生成物を分析したところ、金属チタンダ、ざ
ｙであることが確認できた。
実施例 ３
６０％ ＴＢＰ ＋ ｌ ０％イソパラフィンに抽出せ
しめたＨ、 Ｔ ｉ Ｆ、を、ＫＨＦ、λθＯｊｊ／１
１ の水溶液と接触させてに、ＴｉＦ、の結晶を得た。
しめたＨ、 Ｔ ｉ Ｆ、を、ＫＨＦ、λθＯｊｊ／１
１ の水溶液と接触させてに、ＴｉＦ、の結晶を得た。
得られ斤に、ＴｉＦ、２θｙと金属アルミニウム！Ｏｇ
とを反応器底部に充填した後、馬ガスを充満して急速に
昇温し７０００℃で２時間保持した。次いで反応器を冷
却し、反応器内壁及び底部に残留したものを全量と９出
し１ ｑ６ＨＯｊで洗浄した後、分析したところ金属チ
タンｌＩｇであることが確認できた。
とを反応器底部に充填した後、馬ガスを充満して急速に
昇温し７０００℃で２時間保持した。次いで反応器を冷
却し、反応器内壁及び底部に残留したものを全量と９出
し１ ｑ６ＨＯｊで洗浄した後、分析したところ金属チ
タンｌＩｇであることが確認できた。
実施例 亭
Ｔｉ’？、の結晶λｏｇを水素気流中で加熱してガス化
したものを、金属マグネシウムを入れ１００℃に加熱し
た反応器に導き、１時間冷却し、反応器内壁及び底部に
付着していた黒色粉末を測定したところ７．４ｇを得た
。この粉末をＸ線回折にて分析したところ金媚チタンで
あることが確認できた。
したものを、金属マグネシウムを入れ１００℃に加熱し
た反応器に導き、１時間冷却し、反応器内壁及び底部に
付着していた黒色粉末を測定したところ７．４ｇを得た
。この粉末をＸ線回折にて分析したところ金媚チタンで
あることが確認できた。
実施例 タ
（ＮＨ，）、ＴｉＦ、結晶コｏｇをアルゴン気流中で加
熱して得られたガスを、アルゴン気流中で金属マグネシ
ウムを１００℃以上に加熱している反応器に吹きこんだ
。次いで７時間冷却し、反応器を解体して内部に付着し
ていた粉末を測定したところ亭、ｔｇであった。Ｘ線回
折の結果からこの粉末が金属チタンであることが確認で
きた。
熱して得られたガスを、アルゴン気流中で金属マグネシ
ウムを１００℃以上に加熱している反応器に吹きこんだ
。次いで７時間冷却し、反応器を解体して内部に付着し
ていた粉末を測定したところ亭、ｔｇであった。Ｘ線回
折の結果からこの粉末が金属チタンであることが確認で
きた。
第１図は本発明によりチタンのフッ素含有化合物から金
属チタンを製造する方法を示す基本的な７０−シート、
第一図は本発明よシチタンのフッ素含有化合物を得る方
法の一例を示すフローシート、第３図は副生じたＡＪＦ
、等の処理工程を含めた本発明よる金属チタンの製造方
法を示す７ｐ−シートである。図中、 Ａ・・チタンのフッ素含有化合物、Ｂ・・金属アルミニ
ウム又は金属マグネシウム、Ｃ・・反応器、Ｄ・・ＡＪ
Ｆ、等、Ｅ・・金属チタン、Ｆ・・チタンを含有する有
機溶媒、Ｇ・・剥離工程、Ｈ・・ＮＨ，、Ｆ−、Ｋ 含
有水溶液、Ｊ・・結晶分岐工程、Ｋ・・有機溶媒、Ｌ・
・Ｈ２ｑＭ・・分離工程、Ｎ・・ｈｔＯＰ・・ガス吸！
３１ 成工程、Ｑ・・Ｉ（Ｆ ０
属チタンを製造する方法を示す基本的な７０−シート、
第一図は本発明よシチタンのフッ素含有化合物を得る方
法の一例を示すフローシート、第３図は副生じたＡＪＦ
、等の処理工程を含めた本発明よる金属チタンの製造方
法を示す７ｐ−シートである。図中、 Ａ・・チタンのフッ素含有化合物、Ｂ・・金属アルミニ
ウム又は金属マグネシウム、Ｃ・・反応器、Ｄ・・ＡＪ
Ｆ、等、Ｅ・・金属チタン、Ｆ・・チタンを含有する有
機溶媒、Ｇ・・剥離工程、Ｈ・・ＮＨ，、Ｆ−、Ｋ 含
有水溶液、Ｊ・・結晶分岐工程、Ｋ・・有機溶媒、Ｌ・
・Ｈ２ｑＭ・・分離工程、Ｎ・・ｈｔＯＰ・・ガス吸！
３１ 成工程、Ｑ・・Ｉ（Ｆ ０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／ チタンのフッ素含有化合物を還元ガス雰囲気中又は
不活性ガス雰囲気中又は真空中において、１２０℃以上
に加熱されたアル建ニウム又はマグネシウムと接触させ
ることを特徴とする、金属チタンの製造方法。 コ アルキル燐酸の群、アルキルアリール燐酸の群、カ
ルボン酸の群、ヒドロキシオキシムの群、及び中性燐酸
エステルの各群からなる群よシ選択された１種又はコ種
以上の抽出剤を石油系炭化水素で希釈した有機溶媒に抽
出含有されたチタンを、ｒイオン、ＮＨ４＋ イオン及
びに＋イオンの１種以上を含有する水溶液を接触させる
ことによフ水相に移行せしめて得られたチタンのフッ素
含有化合物を、還元ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気
中又は真空中において、コＪθ℃以上に加熱されたアル
ミニウム又はマグネシウムと接触させることを特徴とす
る、金属チタンの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123193A JPS6017026A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 金属チタンの製造方法 |
| EP84304460A EP0134643A3 (en) | 1983-07-08 | 1984-06-29 | Preparing metallic zirconium, hafnium or titanium |
| AU30262/84A AU563993B2 (en) | 1983-07-08 | 1984-07-04 | Preparing metallic zirconium, hafnium or titanium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123193A JPS6017026A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 金属チタンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017026A true JPS6017026A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14854491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123193A Pending JPS6017026A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 金属チタンの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017026A (ja) |
| AU (1) | AU563993B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060032A (en) * | 1987-09-30 | 1991-10-22 | Nec Corporation | Insulated gate transistor operable at a low-drain-source voltage |
| JP2011153380A (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-11 | Peruke (Pty) Ltd | チタンを製造する方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104439262A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 北京有色金属研究总院 | 低氧含量大尺寸金属锆粉及其制备方法 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58123193A patent/JPS6017026A/ja active Pending
-
1984
- 1984-07-04 AU AU30262/84A patent/AU563993B2/en not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060032A (en) * | 1987-09-30 | 1991-10-22 | Nec Corporation | Insulated gate transistor operable at a low-drain-source voltage |
| JP2011153380A (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-11 | Peruke (Pty) Ltd | チタンを製造する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU563993B2 (en) | 1987-07-30 |
| AU3026284A (en) | 1985-01-10 |
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