JPS60169181A - 半導体レ−ザの温度制御方式 - Google Patents
半導体レ−ザの温度制御方式Info
- Publication number
- JPS60169181A JPS60169181A JP59024091A JP2409184A JPS60169181A JP S60169181 A JPS60169181 A JP S60169181A JP 59024091 A JP59024091 A JP 59024091A JP 2409184 A JP2409184 A JP 2409184A JP S60169181 A JPS60169181 A JP S60169181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor laser
- control part
- peltier element
- currents
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体レーザの温度制御方式に関ずろ。
（従来技術）
半導体レーザの出力強匿、寿命、出力波長は醜度により
大きな影響を受ける。この為、レーザプリッタに用いる
平導体レーザには通常、温度変化な±１℃以Ｔ：に押え
る温度制御回路が設けられている。この！／ｎ１問制側
１回路は半導体レーザの温度をサーミスク々アで検出し
てその検出信号により、半導体レーザに取付けられてい
るベルチェ素子に駆動回路から流す電流の大きさを制商
１する方式が従来一般に用いられていた。しかしこの方
式では駆動回路がベルチェ素子に常に電流な流すので、
駆動回路の損失が大きくなり、駆動回路の発熱が問題と
なる。
大きな影響を受ける。この為、レーザプリッタに用いる
平導体レーザには通常、温度変化な±１℃以Ｔ：に押え
る温度制御回路が設けられている。この！／ｎ１問制側
１回路は半導体レーザの温度をサーミスク々アで検出し
てその検出信号により、半導体レーザに取付けられてい
るベルチェ素子に駆動回路から流す電流の大きさを制商
１する方式が従来一般に用いられていた。しかしこの方
式では駆動回路がベルチェ素子に常に電流な流すので、
駆動回路の損失が大きくなり、駆動回路の発熱が問題と
なる。
（目 的）
本発明は上記問題を解決し、発熱量の少ない半導体レー
ザの温度制御方式を提供することを目的とする。
ザの温度制御方式を提供することを目的とする。
（構 成）
以下図面を参照しながら本発明を実姉例に基づき説明す
る。
る。
ツ・１図は本発明の一実殉例を示し、牙２図はそのタイ
ミノグチヤードである。
ミノグチヤードである。
ザーミスタよりなる感藺累子１１は半導体レーザの温度
を検出するものであり、その出力信号は壇幅器１２によ
り増幅される。一方、う／プ波形発生回路１６は牙２図
に示すようなランプ波形りを発生し、このう／プ彼形り
が比較器１４で壇幅藷１２の出力電圧と比較される。ま
たランプ波形発生回路１５からのランプ波形りは比較器
１５で基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、例えば１／２周期
のパルス幅を持つパルスが比較器１５から出力される。
を検出するものであり、その出力信号は壇幅器１２によ
り増幅される。一方、う／プ波形発生回路１６は牙２図
に示すようなランプ波形りを発生し、このう／プ彼形り
が比較器１４で壇幅藷１２の出力電圧と比較される。ま
たランプ波形発生回路１５からのランプ波形りは比較器
１５で基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、例えば１／２周期
のパルス幅を持つパルスが比較器１５から出力される。
この比較器１５かものパルスはアンドゲート１６へ直接
に送られると同時にインパーク１７で反転されてアンド
ゲート１８ Ｋ送うれ、アンドゲート１６．１８が交互
に開く。スイッチング回路１９は比較器１４の出力信号
がインバータ２０で反転されてアンドゲート１６を通し
て入力されることにより動作してベルチェ素子２１に電
流工１ を流し、スイッチング回路２２は比較器１４
の出力信号がアンドゲート１８を通して入力されること
により動作してベルチェ素子２１に上記電流工１ とは
逆方向の電流Ｉ２ を流す。ベルチェ素子２１は上記半
導体レーザに取付けられ、電流工。
に送られると同時にインパーク１７で反転されてアンド
ゲート１８ Ｋ送うれ、アンドゲート１６．１８が交互
に開く。スイッチング回路１９は比較器１４の出力信号
がインバータ２０で反転されてアンドゲート１６を通し
て入力されることにより動作してベルチェ素子２１に電
流工１ を流し、スイッチング回路２２は比較器１４
の出力信号がアンドゲート１８を通して入力されること
により動作してベルチェ素子２１に上記電流工１ とは
逆方向の電流Ｉ２ を流す。ベルチェ素子２１は上記半
導体レーザに取付けられ、電流工。
又は電流■２ か流されることにより半導体レーザより
吸熱し又は発熱して半導体レーザを加熱する。
吸熱し又は発熱して半導体レーザを加熱する。
増幅器１２の出力′電圧は半導体レーザの温度に比例す
るが、例えば牙２図鎖線のように増幅器１２の出力電圧
が基＄１圧Ｖｒｅｆ より小さい時にはアンドゲート１
６の出力信号が第２図に示すようになってこの信号によ
りスイッチング回路１９がベルチェ素子２１に電流■１
を流す。また矛２図点１１Ｍのように増幅器１２の出
力電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ より大きい時にはアンドゲ
ート１８の出力信号が矛２図に示すようになり、この信
号によりスイッチング回路２２がベルチェ素子２１ Ｋ
電、流工２ を流す。したがって半導体レーザの一度
が基準温度より高いか低いかに応じてベルチェ素子２１
により半導体レーザが吸熱又は加熱され、半導体レーザ
の一度が一定に制御される。
るが、例えば牙２図鎖線のように増幅器１２の出力電圧
が基＄１圧Ｖｒｅｆ より小さい時にはアンドゲート１
６の出力信号が第２図に示すようになってこの信号によ
りスイッチング回路１９がベルチェ素子２１に電流■１
を流す。また矛２図点１１Ｍのように増幅器１２の出
力電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ より大きい時にはアンドゲ
ート１８の出力信号が矛２図に示すようになり、この信
号によりスイッチング回路２２がベルチェ素子２１ Ｋ
電、流工２ を流す。したがって半導体レーザの一度
が基準温度より高いか低いかに応じてベルチェ素子２１
により半導体レーザが吸熱又は加熱され、半導体レーザ
の一度が一定に制御される。
矛６図は上記ベルチェ素子２１を駆動する駆動回路の例
を示す。この例はトランジスタ２６〜２６゜ダイオード
２７〜３０及び抵抗６１〜５８よりなり、スイッチング
回路１９又は２２の出力信号によりトラ７ジスタ２３，
２４又は２５．２６がオ／してペルチェ素子２１ｖｃ正
方向又は逆方向の直流が流れろ。
を示す。この例はトランジスタ２６〜２６゜ダイオード
２７〜３０及び抵抗６１〜５８よりなり、スイッチング
回路１９又は２２の出力信号によりトラ７ジスタ２３，
２４又は２５．２６がオ／してペルチェ素子２１ｖｃ正
方向又は逆方向の直流が流れろ。
（効 果）
以上のように本発明によれば感温素子の出力信号により
ベルチェ素子への通電時間を制ｒｆＩＩするようにした
ので、ベルチェ素子に駆動回路で常に電流な流すことは
なく駆動回路の損失が小さくなって駆動回路の発熱量が
少なくなる。
ベルチェ素子への通電時間を制ｒｆＩＩするようにした
ので、ベルチェ素子に駆動回路で常に電流な流すことは
なく駆動回路の損失が小さくなって駆動回路の発熱量が
少なくなる。
才・１図は本発明の一実砲例を示すブロック図、矛２図
は同実確例のタイミングチャート、第３図は半導体レー
ザ駆動回路の一例を示す回路図である。 １１・・・サーミスタ、１２・・・増幅器、１６山ラン
グ波形発生回路、１４．１５・・・比較器、１６． １
８・・・アンドゲート、１７．２０・・・インバータ、
１９．２２・・・スイッチング回路、２１・・・ベルチ
ェ素子。 気（図 勇 づ 図
は同実確例のタイミングチャート、第３図は半導体レー
ザ駆動回路の一例を示す回路図である。 １１・・・サーミスタ、１２・・・増幅器、１６山ラン
グ波形発生回路、１４．１５・・・比較器、１６． １
８・・・アンドゲート、１７．２０・・・インバータ、
１９．２２・・・スイッチング回路、２１・・・ベルチ
ェ素子。 気（図 勇 づ 図
Claims (1)
- 半導体レーザの温度制御を行うベルチェ素子と、前記半
導体レーザの温度を検出する感温素子と、この感温素子
の出力信号により前記ベルチェ素子への通電時間を制御
する制御手段とを備えた半導体レーザの温度制御時方式
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024091A JPS60169181A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザの温度制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024091A JPS60169181A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザの温度制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169181A true JPS60169181A (ja) | 1985-09-02 |
Family
ID=12128707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024091A Pending JPS60169181A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体レ−ザの温度制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169181A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283924A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-11-21 | ウエスチングハウス・エレクトリック・コーポレーション | 温度制御方法及び装置 |
| JPH033376A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Komatsu Ltd | 固体レーザ装置の冷却装置 |
| KR100517380B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2005-09-27 | 현대중공업 주식회사 | 온도센서가 구비된 자동냉각 및 입열장치를 장착한 시각센서 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59024091A patent/JPS60169181A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283924A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-11-21 | ウエスチングハウス・エレクトリック・コーポレーション | 温度制御方法及び装置 |
| JPH033376A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Komatsu Ltd | 固体レーザ装置の冷却装置 |
| KR100517380B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2005-09-27 | 현대중공업 주식회사 | 온도센서가 구비된 자동냉각 및 입열장치를 장착한 시각센서 |
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