JPS60167331A - イオンミリング装置 - Google Patents

イオンミリング装置

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Publication number
JPS60167331A
JPS60167331A JP2324484A JP2324484A JPS60167331A JP S60167331 A JPS60167331 A JP S60167331A JP 2324484 A JP2324484 A JP 2324484A JP 2324484 A JP2324484 A JP 2324484A JP S60167331 A JPS60167331 A JP S60167331A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
ions
ion
motion
vertical direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2324484A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Inuishi
犬石　昌秀
Hideaki Arima
有馬　秀明
Masahiro Yoneda
昌弘 米田
Tatsuo Fujimura
藤村　達生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60167331A publication Critical patent/JPS60167331A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、イオンに対し磁場ン印加して螺旋運動ｌさ
せることにより、一方向性エツチングから多方向性エツ
チングまで制御できるようにし定イオンミリング装置に
関するものである。
〔従来技術〕
従来、この種の装置としては、第１図に示すものがあつ
り。第１図において、１はイオンを発生するイオン供給
源、２は前記イオンを電界加速するイオン引き出し部、
３は前記電界加速さｔ″ＬＬＬＬイオンン走査オン走査
電極部、４は基板、５はイオンである。
次に動作について説明する。エツチング材料となるイオ
ンを発生するイオン供給源１がら供給さｆ′Ｌｒｓイオ
ン５に対し、イオン引き出し部２で電場ｔかけ電界加速
する。この電界加速さｔｌ、　ｆＣイオン５を水平方向
に走査するためイオン走査電極部３で電界強度ｔかえる
。前記のよ５Ｋ、加速されたイオン５が基板４の所望の
位置にあ定すエッチングが起こる。この場合、不活性ガ
スＺエソ千ングガス材料として選んだときは、スパッタ
リングによりエツチングが１丁み、反応性イオンを使用
したときは化学反応によりエツチングが進行する。
従来のイオンミリング装置！、は以上述べた如く構成さ
れているので、一方向へのエツチング、丁なわち異方性
エツチングは可能であるが、イオンの入射方向へ垂直な
方向に対してはエッチングン行うことは出来ないという
欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は、上記のような従来のものの欠点？除去する
Ｋめになされたもので、入射イオンに磁場Ｚかけること
により、イオンに螺旋運動ビ引き起し、基板に垂直方向
のみならず、水平方向に対してもエツチングを行うこと
ができるイオンミリング装置を提供することを目的とし
たものである。
〔発明の実施例〕
第２図はこの発明の一実施例を示すもので、符号１〜５
は第１図と同じものを示し、６は磁場発生手段である磁
石、７は磁場方向を示す。
次に動作について説明する。
イオン供給源１で発生したイオンｔイオン引き出し部２
で電界加速し、磁石６により生成される磁場内に、磁場
方向７とある角度を有するように前記イオン５を入射さ
せる。磁場方向７と入射イオンのな丁角度θは任意に変
えろ九るものとする。
イオン５の磁場方向７に一垂直ｔξ速度成分は磁場との
相互作用でローレンツ力を受け磁場に垂直な面内で円運
動を引き起て。どの運動に垂直方向の速度成分が加わり
、螺旋運動をしながら基板４＆ｃ到達する。前記円運動
の半径ｒは ｒ　＝　ｍｖ＋　／ｎ　ｅ　Ｂ で与えらｎる。ここで、ｍはイオンの質量、ｖ１は磁場
垂直方向のイオンの運動速度、Ｂは磁場の強さ、ｎＬ　
はイオンの電荷量である。上記説明から明らかな様に磁
場に垂直方向の速度成分と磁場の強さケ変えることによ
り円運動の半径ｒｔ変えることができる。また、前記磁
場への前記イオン５の入射角度χ変えることにより運動
するイオン５の磁場方向への速度と磁場に垂直な方向へ
の速度の比を変えることができる。換言丁ｎば、磁場方
向へのイオンの運動エネルギーと垂直方向への運動エネ
ルギーの比を変えることが出来るということである。こ
のためイオン５が磁場方向７に入射したときは一方向に
のみ基板４′ｆ！：エツチングする異方性エンチングと
なり、磁場と４５°の角度で前記イオン５が入射したと
きは等方性エツチングとなり、基板４Ｖｃ対する加工形
状を精密に制御することができる。
なお、磁場発生手段は、上記磁石に限定されず１、電磁
石であってもよい。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、この発明は、イオンを磁場
中に通し螺旋運動Ｚ与え、イオンの磁場への入射角度を
変えることにより一方向性エツチングから多方向性エツ
チングに制御出来る様に構成したので、エツチングされ
る基板の形状ヶ自由に形成することかできる利点がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のイオンミリング装置を示す側断面図、第
２図はこの発明の一実施例７示す側断面図である。 図中、１はイオン供給源、２はイオン引き出し部、３は
イオン走査電極部、４は基板、５はイオン、６は磁石、
７は磁場方向である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩増雄　（外２名） 第１図 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）イオンを発生するためのイオン供給源と、前記イ
    オンに電場Ｚ印加して電界加速するイオン引き出し部と
    、前記加速さｎ　７ｊイオンの入射方向と所要の角度の
    磁場方向を有し前記イオンに螺旋運動を発生させる磁場
    発生手段とからなること乞特徴とするイオンミリング装
    置。
  2. （２）加速さｎ　ｙ、：イオンの入射方向と磁場発生手
    段の磁場方向とのなす角度は可変であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（１）項記載のイオンミリング装置
    。
JP2324484A 1984-02-09 1984-02-09 イオンミリング装置 Pending JPS60167331A (ja)

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JP2324484A JPS60167331A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 イオンミリング装置

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JP2324484A JPS60167331A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 イオンミリング装置

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JPS60167331A true JPS60167331A (ja) 1985-08-30

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ID=12105182

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JP2324484A Pending JPS60167331A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 イオンミリング装置

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JP (1) JPS60167331A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08311669A (ja) * 1995-05-12 1996-11-26 Nec Corp エッチング方法
KR19980055930A (ko) * 1996-12-28 1998-09-25 김영환 반도체 소자의 이온 주입방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08311669A (ja) * 1995-05-12 1996-11-26 Nec Corp エッチング方法
KR19980055930A (ko) * 1996-12-28 1998-09-25 김영환 반도체 소자의 이온 주입방법

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