JPS60165294A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

Info

Publication number
JPS60165294A
JPS60165294A JP59022240A JP2224084A JPS60165294A JP S60165294 A JPS60165294 A JP S60165294A JP 59022240 A JP59022240 A JP 59022240A JP 2224084 A JP2224084 A JP 2224084A JP S60165294 A JPS60165294 A JP S60165294A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
ring
electrode layer
recording medium
optical recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59022240A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Shigeru Asami
浅見 茂
Toshiki Aoi
利樹 青井
Kazuo Takahashi
一夫 高橋
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP59022240A priority Critical patent/JPS60165294A/ja
Publication of JPS60165294A publication Critical patent/JPS60165294A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/25Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/247Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
    • G11B7/2472Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2531Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、特に液晶層を有する光記録媒体に関する。
先行技術とその問題点 近年、消去、書きかえ可能な光記録媒体の開発が盛んに
なり、その1つとして液晶の相転移を利用したものが知
られている(SPIC420p194〜p199等)。
このような媒体は、電極層を有する第1の基体と、透明
電極層を有する透明電極との間に、例えばスメクチック
等の液晶層を設けて構成される。
そして、このような媒体に、レーザービームを照射する
ことにより、第1の基体の電極層が発熱し、かつ急冷さ
れることにより、照射部にて、スメクチック−ネマチッ
ク相転移等が生じ、記録点が形成され、書き込みが行わ
れる。 また、書き込み後の媒体に読み出し用のレーザ
ー光を照射すると、記録点での光散乱により、読み出し
を行うことができる。
さらに、書き込み後の媒体の電極間に、電場を印加する
か、あるいは加熱、採熱することによって、もとのスメ
クチック相等への転移が行われ、消去が行われ、書きか
え可能となる。
この他、電圧印加を行いながらレーザー照射を行ったり
、電圧印加なしの加熱で消去を行うこともできる。
このような液晶層にシアニン色素等の色素を含有させる
と、記録感度および読み出しのS/N比が向上する。
しかし、シアニン色素は耐光性に劣り、再生や消去によ
って感度およびS/N比が劣化してしまうという不都合
がある。
II 発明の目的 本発明の目的は、液晶層を有するヒートモードの書きか
え可能な光記録媒体において、記録感度と読み出しのS
/N比を向上させ、消去や再生による劣化を減少させる
ことにある。
このような目的は下記の発明によって達成される。
すなわち第1の発明は、 電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明基体と
の間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体において、 前記記録層がシアニン色素とクエンチャ−とを含むこと
を特徴とする光記録媒体である。
また第2の発明は、 電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明基体と
の間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体において、 前記記録層がシアニン色素とクエンチャ−とを含み、電
極層がシアニン色素とクエンチャ−とを含む層を有する
ことを特徴とする光記録媒体である。
そして第3の発明は、 電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明基体と
の間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体において1 、前記電極層がシアニン色素とクエンチャ−とを含む層
を有するか、あるいは前記記録層がシアニン色素とクエ
ンチャ−とを含み、前記電極層および/または前記透明
電極層の上に配向剤層が設層されていることを特徴とす
る光記録媒体である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の媒体は第1および第2の基体を有する。
第1の基体は−、ガラスや、ポリカーポ、ネートなどの
各種樹脂や、各種感光性樹脂や、各種金属等からなり、
その表面には、電極層が形成される。
この電極層としては、導電性材料からなる層であればよ
いが、通常は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化イ
ンジウム、酸化スズ等の金属酸化物; AM、Au、Cr、Pb等の単一金属;Cr合金や。
TbFeCo 、TbDyFe 、GdTbFe 。
GdFe 、GdCo 、TbFe 、GdFe 。
TbFeO3等の希土類(Gct、”rb、Dy。
HO等)と遷移金属(Fe、Co等)の合金薄膜や。
MnB1.MnCuB1等の合金; 5bSe 、TeAsGe 、TeOx等のカルコゲナ
イド系; M g 、 Caを含む11− IV族化合物半導体(
Mg2Si、Mg2Ge、Mg2Sn。
Ca2 St 、Ca2 Sn、Ca2 Pb)や、Z
n、Cdを含むII −V族化合物半導体(ZnAs2
 、Zn3As2 、Zn5b。
Cd3As2 、C:dSb、Mg25b2)や、Te
を含むII −Vl族、V−VI族化合物半導体(Cd
Te 、 S b2 Tea ) ;サーメット(Cr
、Au等の金属を含むガラス質抵抗膜) 等の0.01〜2ILm程度の厚さの層とされる。
なお、このような電極層上に、光吸収層を設けると、記
録感度と再生のS/N比がより一層向上して好ましい結
果を得る。
この場合、光吸収層としては、各種色素からなる層など
種々のものであってよいが、特に、後述のシアニン色素
量とクエンチャ−とからなるものであることが好ましい
、このとき、再生および消去による劣化はより一層減少
する。
このような光吸収層は、0.005〜5gm程度の厚さ
とされ、蒸着、スパッタリング、塗布等によって形成さ
れる。
なお、光吸収層中には、他の色素や、他のポリマーない
しオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、
安定剤、架橋剤、触媒、開始剤、増感剤、配向剤、配向
処理剤等が含有されていてもよい。
他方、第2の基体は透明基体であり、ガラスや、ポリカ
ーボネート、アクリル、エポキシ。
各種光硬化樹脂等の各種透明樹脂等から形成される。
そして、この第2の基体上には、酸化インジウム、IT
O(酸化インジウムスズ)、#化スズ、Al1.Au、
Cr、Cr合金、Pb等の各種金属等の透明ないし半透
明電極層がo、oot〜10弘m程度に形成される。
このような第1および第2の基体は、両基体が担持する
電極層が対向するようにして、スペーサー等を介して一
体化され、セルを構成し、このセル中には液晶が収蔵さ
れる。
用いる液晶にはネマチック、コレステリック、スメクチ
ック液晶等、特に制限はないが、感度、S/N比の点で
は、スメクチック液晶であり、スメクチックーアイント
ロピック転移、スメクチック−ネマチック転移ないしス
メクチックーネマチックーアイントロピーク転移を行う
ものであることが好ましい。
このような液晶化合物としては、下記のものが好適であ
る。
(1)アゾメチン化合物 8 CH3 C2H5 C3H7 C4H9 C3Htl C9H19 crs −(cn、、)7an邦H(OH,、)70H
3cis −(CH2)1. cn=cH(CI、、)
70H3(/!85イ)L (CHHO2Συ−C)!
3 K)工(04Hs 0H) 2)アゾ化合物 LC11Ca H9+N、、=NOOC4H13LCI
2 C2H5べ>N、Nべ>0COC4Hu(3)アゾ
キシ化合物 (4)エステル化合物 LC17C3H130CO0OCO000C7H1aL
C18Ca H90工CO000C4H7L、C11]
 ’ C3HuOCOS()CN(5)ビフェニル化合
物 LC20C3Hllべ)べ)CN LC21C7H,30ベコH二ΣCN L C22Ca H17MCN LC23C9H19ベフHご)CN LC24Cl0H21ベフH口>CN LC25CIIHzIベニ80>CN L C26C12H25MCN LC27Ca HI70<Σ(ΣCN LC28C9H2O2<Σ(ΣCN LC213CIOH21Cl0H 210ビシクロヘキシル系 C2H5−−CN C4H9−−CN C5Hll −−CN C4H9−−Cooべ)C3H7 (7)テトラジン系 C4H90−C5Hll− C4Hg O−C8H2S − C5Hllo−Cs Hls− C5Hll OC7Hls − ca HI30− C7H2S − (8)フェニルシクロヘキサン系 (9)ピリミジンないしピリダジン系 このような液晶は、通常、単独ないし混合されて、さら
に他のネマチックやコレステリック液晶を加えて、そし
て必要に応じ電解質を加えてセル中に流しこまれるか、
例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチ
ル、カルピトールアセテート、ブチルカルピトールアセ
テート等のエステル系、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等のエーテル系、ないしトルエン、キシレン等の
芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系、
アルコール系等の溶媒に溶解して、セル中に収蔵される
なお、液晶層の厚さは、0.01−100ルm程度とさ
れる。
さらに、液晶層中には、シアニン色素の1種以上とクエ
ンチャ−とが含有されていてる。
シアニン色素のなかでは、下記式(I)で示されるもの
が好ましい。
式CI) Φ−L=’P (X−)m 上記式CI)において、Φおよびψは、芳香族環、例え
ばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、キノ
キサリン環等が縮合してもよいチアゾール環、オキサゾ
ール環、セレナゾール環、イミダゾール環、ピリジン環
等をあられす。
これらΦおよび!は、同一でも異なっていてもよいが、
通常は同一のものであり、これらの環には、種々の置換
基が結合していてもよい。
なお、Φは、環中の窒素原子が十電荷をもち。
!は、環中の窒素原子が中性のものである。
これらのΦおよびψの骨格環としては、下記式〔ΦI〕
〜〔Φ店〕で示されるものであることが好ましい。
なお、下記においては、構造はΦの形で示される。
(R4) q 〔ΦX〕 ような各種卵において、環中の窒素原子ダゾール環では
2個の窒素原子)に結合R1(R1、R1′)は、置換
または非アルキル基またはアリール基である。
ような環中の、窒素原子に結合する基 R1”の炭素原子数には、特に制限はなまた、この基が
さらに置換基を有するもる場合、置換基としては、スル
ホン酸 ルキルカルポニルオキシ基、アルキルア、アルキルスル
ホンアミド基、アルキ ルモル基、アルキルアミ7基、アルキルモイル基、アル
キルスルファモイル基1、カルボキシ基、ハロゲン原子
等いずれてもよい。
、後述のmがOである場合、Φ中の窒素結合する基R1
は、置換アルキルまたはル基であり、かつ−電荷をもつ
、Φおよび!で表わされる環中の所定のは、さらに他の
置換基R4が結合していい、 このような置換基として
は、アルキル基、アリール基、複素環残基、ハロゲン原
子、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アルキルカルボニル基、アリールカル
ボニル基、アルキルオキシカルボニル基、アリーロキシ
カルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルキルアミド基、アリールアミ
ド基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルボン酸
基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ア
ルキルスルホンアミド基、アリールスルホンアミド基、
アルキルスルファモイル基、アリールスルファモイル基
、シアノ基、ニトロ基等1種々の置換基であってよい。
そして、これらの置換基の数(P+q+r+s 、 t
)は、通常、Oまたは1〜4程度とされる。 なお、P
 + q* r + S + tが2以上であるとき、
複数のR4は互いに異なるものであってよい。
他力、Lは、メチン鎖、すなわちモノ、ジ、トリまたは
テトラカルボシアニン色素を形成するための連結基を表
わすが、特に式(LI)〜〔L■〕のいずれかであるこ
とが好ましい。
式〔L■) CH−CミCH ↓ ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わす。 こ
の場合、1価の基としては、“メチル基等の低級アルキ
ル基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミ
ン基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基1
モルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカルボニル
ピペラジン基などのジ置換アミン基、アセトキシ基等の
フルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキ
ルチオ基、シアノ基、ニトロ基、Br、C1等のハロゲ
ン原子などであることが好ましい。
また、R8およびR9は、それぞれ水素原子またはメチ
ル基等の低級アルキル基を表わす。
そして1文は、0またはlである。
なお、これら式(T、 I )〜〔L■〕の中では、ト
リカルボシアニン連結基、特に式〔LII)、(LII
[]、(LrV)、(LV)が好ましい。
さらに、X−は陰イオンであり、その好ましい例として
は、I −、B r−、C410a −、B Fa −
+CH3<) SOa −、C10SO3−等を挙げる
ことができる。
なお、mはOまたはlであるが、mが0であるときには
、通常、ΦのR1が一電荷をもち、分子内塩となる。
次に、本発明のシアニン色素の具体例を挙げるが、本発
明はこれらのみに限定されるものではない。
色稟掬 免−j 且L4」b−′ lL工1工 且tD
i (ΦI) C2H5−4−CH5D2 (ΦI) 
CH34−CH31 D3 (ΦII) C2H5−−1 D4 (ΦII) C2H5−5−C1ID5 ’(Φ
(I) C2H5−5−OCI3 106 (ΦII)
 C2H5−5−OCI−131D7 (ΦII) C
2H51 D8 (ΦII) C2H5−−I D9 (ΦII) C2H5−−I D10 (ΦIt) C2H5−−I D1l (ΦII) C2H51 D12 〔ΦII) 02H5−−I D13 〔ΦII) C2H5−−I D14 〔Φm) (CH)OCOC)(3−−[3 L Y−文 X :LII) H1 :LII) HI ’、LII) HBr :Lm) −N (C6Hs)2 1 BrL II 
) HCH3C3H,So3’、LH) HBr LIT) I Br LII) HBr L工) HBr Lll) CH3Br LV) HI Br LV) HI Br LVI) I Br Lm) −N (Co H6) 2 1 C)13G8
)+49O3色皇匙 車重覆 1−エ1上 lLLll
 且tD17 (ΦV ) C2H5−− D18(eV) C2H5−− D18((りV) C2H5−− D20 〔ΦVl) C2H5−− D21 (Φ■) CH2CH20H−−D22 (Φ
■) C2H5−− D23 〔Φ■〕 (CH2)30COCH3−−D2
4 〔ΦIX) C2)(5−− D25 〔ΦIX ) CM2C)I2CH2So3)
1 − −D28 〔Φ■) C2H5−− D27 〔ΦX) C2H3 D2B (OX[) 02H5−− D29 〔ΦII) C8H17−4−CH5D30 
〔ΦII) Cl8H37−−D31 〔ΦII ) 
Cs H17−−L Y 見 X (Lll) HBr ””〕−N COOC2I51 0文04(Lm) O
CH31I (L n ) Hr (LTI) HBr (L II ) HI 〔L■I〕 −N C00C2H50文04(L II
 ) H1 (Lm) N (C685)2 l C交04(Lm)
 −N (C8I5)2 1 1(LII) HBr (Lrl) HBr (L II ) HI (Lm) −N (C6I5)2 1 Br(L II
 ) HC文O4 匹皇掬 免よj 且エヨ」b−且ヱー、11D32 〔
Φ■I) C3H17 D33 〔ΦII) Cl8H37− D34 〔ΦI■〕 C3H17 D35 〔ΦII) C3H1□ D3B (ΦII) C3H17 D37 〔ΦII)018H37 D38 〔Φ■I)C8H1゜ D38 〔ΦII) C8H,□ − D40 〔ΦII) Cl8H3□ −D41 〔ΦI
I) Cl8H37− D42 〔ΦII) C3H17 D43 〔ΦII ) c a H17D44 〔Φ■
■〕 C3H17 D45 〔Φm〕 C3H17 D48 〔Φm〕 Cl8H3□ LL L Y−文 X 5−C交 (Lm) −N (C8I5)2 1 c交
045−0文 (LII) HI (5−OCI3 (L ID HI −0CH3 5−OCH3(LIV) −1I 5−0文 (Lm) −N (C8I5)2 1 Br
5−C1(LIII) −N(C6H5)2 1 Br
−〔LI■〕 −N C00C2I5 ■−(Lll)
 HI 5−0文 〔LI■〕HCH3C6H65035−0文
 (LTI) H0文C6H4S03− (LV) H
1r −(LVT) HI Br −(L■〕 I (Lm) N (C8I5)2 1 Br−(L II
 ) HOH3C8H4SO3匹稟與 免よ’P lL
工1工 LL工1エ 且LD47 〔Φ■〕 C13H
2□ D48 〔Φ■〕 C13H2□ D49 〔9m) 08H,−− H50〔Φm〕 C3H1□ D51 (Φ”) Cl8H3? D52 1)III) C3H1゜ H53〔Φ■〕 Cl8H3□ −− H54(Φ■〕 C3H1□ D55 〔Φ■〕 C3H17 D58 〔Φ■〕 C3H17 D57 (Φ■) C13H,,7−5−C又D58 
〔Φ■) C8H17−− H58〔Φ■〕Cl8H3□ H80〔Φx) C3H17 I)+111 〔ΦX) C8H17−−L Y−−l
−X− (Lll) HBr (LII) HBr (Lm) N COOC2H51CICl04(L O
CH31I (L H) HC)13C6)1,5o3(L II 
) HC)I3C8H4So3(Lm) −N(C8H
5)2 1 CM3C6H,5o3(Lll) HBr (L II ) HI 〔L■〕 −N cooc2H51Cf、−04(L 
II ) HI (LII[) −N(C8H5)2 1 Br(Lm)
 −N(06H5)2 1 Br(Lll) HBr (Lll) HBr 色棗当 免 ?LL工1上′ lLLllり82 〔Φ
r) C3H17 D83 〔Φ■〕 C3HI7 D64 〔ΦIV) C3H1□ D85 〔Φ刈) CH2=CHCH2−H66(Φ■
) CH2=CHCH2−H67〔Φ■) CH2=C
HCH2−H88〔Φ■) CH2=CHCH2−H8
9〔Φ双) CH2=CHCH2(H70(Φ■)、C
H2OCH3−( (CH2) 3 N (CH3) 2 D71 〔Φ刈) C3H5− H72〔Φ刈) C2H40CH3− H73〔Φ■) CH2=CHC1(2−H74〔Φ刈
) C2H40C)13 −H75(Φ双) C2H4
0CH3− 078(Φ)01) CH2CHCH2−RL L−Y
 文 X −(LII) HB r −(Lll) HBr −(Lll) HBr −〔LvI[〕〕HCH3C6H4S035−CfLL
■) H0H3C6)14SO35−C8H6SO2(
Lm) HCH3C6H45o35−C6H5CO(L
VI[) HC見045−NO2(L■) HCH3C
3H4So3B−0文 5−C6H5S02 (L■) HC文04−NO2 5−COH5302(L■) HC13C8)14So
35−NO2(L■) HCH3C6H45o35−N
O2(L■) HC文04 5−Co H5302(L■) HCM3Ce Ha 
SO35−Co H5S02 (L■) H0文04N
O2(L■) HCl 04 このような色素は、大有機化学(朝食書店)含窒素複素
環化合物1432ページ等の載置に記載された方法に準
じて容易に合成することカーできる。
すなわち、まず対応するΦ′−CH3(Φ′は前記Φに
対応する環を表わす。)を、過剰のRI I(R1はア
ルキル基またはアリール基)とともに・加熱して、R1
をΦ′中の窒素原子に導入してΦ−CH3I−を得る。
 次しλで、これを不飽和ジアルデヒドまたは不飽和ヒ
ドロキシアルデヒドとアルカリ触媒を用いて脱水縮合す
れ!fよい。
さらに、このような色素は、通常、単量体の形で記録層
中に含有させられるが、必要に応じ、重合体の形で含有
させられてもよl、%。
この場合、重合体は、色素の2分子以上を有するもので
あって、これら色素の縮合物であってもよい。
例えば、−OH、−COOH、−303H等の官能基の
1種以上を、1個または2個以上有する上記色素の単独
ないし共縮合物、 あるいはこれらと、ジアルコール、ジカルボン酸ないし
その塩化物、ジアミン、ジな1.t% L、 )リイソ
シアナート、ジェポキシ化合物、酸無水物、ジヒドラジ
ド、ジイミノカルボナート等の共縮合成分や他の色素と
の共縮合物がある。
あるいは、上記の官能基を有する色素を、単独で、ある
いはスペーサー成分や他の色素とともに、金属系架橋剤
で架橋したものであってもよい。
この場合、金属系架橋剤としては。
チタン、ジルコン、アルミニウム等のアルコキシド、 チタン、ジルコン、アルミニウム等のキレート(例えば
、β−ジケトン、ケトエステル、ヒドロキシカルボン酸
ないしそのエステル、ケトアルコール、アミノアルコー
ル、エノール性活性水素化合物等を配位子とするもの)
、チタン、ジルコン、アルミニウム等の7シレートなど
がある。
さらには、−OH基、−0COR基 および−COOH
基(ここに、Rは、置換ないし非置換のアルキル基ない
しアリール基である)のうちの少なくとも1つを有する
色素の1種または2種以上、あるいはこれと他のスペー
サー成分ないし他の色素とをエステル交換反応によって
、−C0〇−基によって結合したものも使用可能である
この場合、エステル交換反応は、チタン、ジルコン、ア
ルミニウム等のアルコキシドを触媒とすることが好まし
い。
加えて、上記の色素は、樹脂と結合したものであっても
よい。
このような場合には、所定の基を有する樹脂を用い、上
記の重合体の場合に準じ、樹脂の側鎖に、縮合反応やエ
ステル交換反応によったり、架橋によったりして、必要
に応じスペーサー成分等を介し、色素を連結する。
このような色素に加え、クエンチャ−が含崩される。
これにより、読み出し光や消去光のくりかえし照射によ
るS/N比の再生劣化や消去劣化が減少する。
また、明室保存による耐光性が向上する。
クエンチャ−としては、種々のものを用いることが、特
に、再生および消去劣化が減少すること、そして色素と
の相溶性が良好であることなどから、遷移金属キレート
化合物であることが好ましい、 この場合、中心金属と
しては、Ni、Co、Cu、Mn、Pd、Pt等が好ま
しく、特に、下記の化合物が好適である。
l) アセチルアセトナートキレート系Ql−INi(
■)アセチルアセトナートQl−2Cu(II)アセチ
ルアセトナートQl−3Mn(II)アセチルアセトナ
ートQl−4Co(II)アセチルアセトナート2)下
記式で示されるビスジチオ−α−ジケトここに、Rない
しR4は、置換ないし卵膜換のアルキル基またはアリー
ル基を表わし、Mは、Ni 、Co、Cu、Pd、Pt
等の遷移金属原子を表わす。
この場合、Mは一電荷をもち、4級アンモニウムイオン
等のカチオン(Cat)と塩を形成してもよい。
なお、以下の記載において、phは、フェニル基、φは
、1.4−フェニレン基、φ′は、l、2−フ二二レン
基、benzは、環上にてとなりあう基が互いに結合し
て縮合ベンゼン環を形成することを表わすものである。
:)i:1222 = 2 − 〜 の 寸 り σ CI σ σ σ 3) 下記式で示されるビスフェニルジチオール系 ここに、HないしR8は、水素またはメチル基、エチル
基などのアルキル基、C又などのハロゲン原子、あるい
はジメチルアミ7基、ジエチルアミノ基などの7ミノ基
を表わし、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。
また、上記構造のMは一電荷をもって、4級アンモニウ
ムイオン等のカチオン(Cat)と塩を形成してもよく
、さらにはMの上下には、さらに他の配位子が結合して
もよい。
このようなものとしては、下記のものかある。
σ σ σ σ σ σ Old σ σOld σ 
σ Ci σ σ σ σ σこの他、特開昭50−4
5027号や特願昭58−163080号に記載したも
のなど。
4) 下記式で示されるジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R9およびR10はアルキル基を表わす。
また、MはNi 、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金
属を表わす。
5) 下記式で示されるも( ここに1Mは、遷移金属原子を表わし。
Qlは、 を表わし、Catは、カチオンを表わす。
M 灸−Cat C5−I N i C122C)I N” (G)13
)31θ 33 Q 5−2 N t Q 1220 (CaHB) 4
”Q 5−3 Co Q ”’ 2C(C4)+9)4
”Q 5−4 Cu Q 12 20(C4)18)、
N”Q 5−5 P d Q 12 2G(C2)18
)4N”この他、特願昭58−125654号に記載し
たもの。
6) 下記式で示されるもの ここに、 Mは遷移金原子を表わし、  12 R11およびR12は、それぞれCN、COR”?c 
o OR’:CON R’!R18または5O2R17
を表わし、 R13ないしnl?は、それぞれ水素原子または置換も
しくは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わし
、 C2は、5員または6員環を形成するのに必要な原子群
を表わし、 Catは、カチオンを表わし。
nは1または2である。
2 .2 (NN 工 88 ≧ χ Z 寡 ;A 02 − 〜 V 寸 り ω II I II I Coco Co (0(0(0 σ C11σ σ σ σ この他、特願昭58−127074号に記載したもの。
7) 下記式で示される化合物 ここに、Mは遷移金属原子を表わし、 Catは、カチオンを表わし、 nは1または2である。
C,at M ・ Q 7 1 N i 2 ((n−c4o8)3N)Q
 7−2 N i 2 (n−CtsH33(CH3)
3N )この他、特願昭58−127075号に記載し
たもの。
8) ビスフェニルチオール系 Q8−INf−ビス(オクチルフよニル)サルファイド 9) 下記式で示されるチオカテコールキレート系 ここに、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移
金属原子を表わす。
また、Mは一電荷をもち、カチオン(Cat)と塩を形
成してもよく、ベンゼン環は置換基を有していてもよい
M Cat Q9−I N i N” (C4Hg ) 410) 
下記式で示される化合物 ここに、R18は、1価の基を表わし、見は、θ〜6で
あり、 Mは、遷移金属原子を表わし、 Catは、カチオンを表わす。
8 M Rn Cat Q 10−I N iHON(n−CaHa)aQ 1
0−2 N iCH31N(n−(EaHB)4特願昭
58−143531号に記載したもの。
11) 下記の両式で示される化合物 ここに、上記一般式CI)および(II )において、
R、R、RおよびR23は、それ20 21 22 ぞれの水素原子または1価の基を表わし、R24,R2
5,R2fiおよびR27は、水素原子または1価の基
を表わすが、 RとR、RとR、R26とR27 2425252B は、互いに結合して6員環を形成してもよい。
また、Mは、遷移金属原子を表わす。
Σ1 = 蔓 閃1 工 ニ ー1 工 工 匡1 工 ニ ー1 匡 工 σ σ この他、特願昭58−1452i34号に記載したもの
12) 下記式で示される化合物 ここに、Mは、Pt、NiまたはPdを表わし、xl 
、x2 、x3 、x4は、それぞれ0またはSを表わ
す。
性−n h 2uエ 人工 Q12−I Ni O000 Q12−2 Ni S S S S この他、特願昭58−145295号に記載したもの。
13) 下記式で示される化合物 ここに、R31は、置換もしくは非置換のアルキル基ま
たはアリール基であり、 32 33 34 R、R、RおよびR35は、水素原子 または1価の基を表わすが、R32とR33、R33と
R34、R34とR35は、互いに結合して6員環を形
成してもよい。
また、Mは、遷移金属原子を表わす。
31 32 R331入 ピ ¥ R qt3−t nc4H8HHl(HN1Q13−2 0
6H5HHC2H3HN1Q13−3 nc、H2OH
benz Niこの他、特願昭58−1511328号
に記載したも14) 下記両式で示される化合物 Rjt 、RおよびR44は、それぞれ41 41 4
3 水素原子または1価の基を表わすが。
R41とR42、R42とR43、R43とR44(±
、互いに結合して6員環を形成してもよい。
また、R45およびH4Oは、水素原子または1価の基
を表わす。
さらに、Mは、遷移金属原子を表わす。
と−−R44゜45 □468 Q14−IHHHHH−旧 Q14−2 HHC,N7Q00 HH−Niこの他、
特願昭58−1519213号に記載したもの。
15) 下記式で示される化合物 v、51 ここに、R51,R52,R53,R54,R55゜5
8 57 R、R、およびR58は、それぞれ、水素原子または1
価の基を表わすが、 51 52 52 53 53 54 RとR、RとR、RとR、 RとR、RとRおよびR57とR58は55 58 5
8 5? 互いに結合して6員環を形成してもよい。
Xは、ハロゲンを表わす。
Mは、遷移金属原子を表わす。
U σ この他、特願昭58−151392号に記載したもの。
16) 下記式で示されるサリチルアルデヒドオキシム
系 、81 0 ここに、RおよびR61は、アルキル基を表わし、Mは
、Ni、Go、Cu、Pd。
PL等の遷移金属原子を表わす。
Q 16−1 1−C3H71−C3H7N 1Q16
−2 (CM) OHCCH2)1□083 N i1
13 Q16−3(CH)OH(OH2)1、(H2O。
113 Q16−4 (OH) GH(OH2)1、(J3C。
113 Q16−5 CB H5、Ca H5N1QlB−8C
8H5C3−)15 C0Q16−7 C6H50B 
H5Cu Q16−8 NHO2)(5NHCsH5NtQ16−
9 0HOHNi 17) 下記式で示されるチオビスフェルレートキレー
ト系 ここに、Mは前記と同じであり、RR5おざびR66は
、アルキル基を表わす、 また、Mは一電荷をもち、カ
チオン(Cat)と塩とを形成していてもよい。
R65R” M Cat Q 17−1 t−C8H17N i N+H3(C,
H8)CON”H3(C,H8) Q17−2 t−C8H17 Q l 7−3’ t−C3H17N i −1B) 
下記式で示される亜ホスホン酸キレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R71およびH72は
、アルキル基、水酸基等の置換基を表わす。
172 RRM Q 18−1 3−t−CH、5−t−(E4H8,f
l−OHNi8 19) 下記各人で示される化合物 8787 81 82 83 ここに、R、R、Rおよびn84は、水素原子または1
価の基を表わすが、 R81とR82,R82とR83,R83とR84は、
互いに結合して、6Q環を形成してもよい。
5 RおよびR88は、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わす。
R86は、水素原子、水酸基または置換もしくは非置換
のアルキル基もしくはアリール基を表わす。
R87は、置換または非置換のアルキル基またはアリー
ル基を表わす。
′Zは、5rAまたは6員の環を形成するのに必要な非
金属原子群を表わす。
Mは、遷移金属原子を表わす。
σ σ σ この他、特願昭58−153393号に記載したもの。
20) 下記式で示される化合物 ここに、R91およびR92は、それぞれ、水素一原子
、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アシル
基、N−フルキルカルバモイル基、N−アリールカルバ
モイル基、N−フルキルスルファモイル基、N−アリー
ルスルファモイル基、アルコキシカルボニル基またはア
リーロキシカルボニル基を表わし、 Mは、遷移金属原子を表わす。
R81R1112。
Q20−1 nCHCHN1 Q20−2 CHCHO−φ−NHCONiこの他、特
願昭58−155358号に記載したもの。
この他、他のクエンチャ−としては、下記のようなもの
がある。
l)ベンゾエート系 Q21−1 既存化学物質3−3040 (チヌビン−
120(チバガイギー社製)〕 2)ヒンダードアミン系 Q22−1 既存化学物質5−3732 (SANOL
LS −770(三共製薬社製)〕 これら各クエンチャ−は、色素1モルあたり0.01−
12モル、特に0.05〜1.2モル程度含有される。
なお、クエンチャ−の極大吸収波長は、用いる色素の極
大吸収波長以上であることが好ましい。
これにより、再生および消去、劣化はきわめて小さくな
る。
この場合、両者の差は0か、350nm以下であること
が好ましい。
この他、2色性色素を添加することもできる。
用いる2色性色素としては、特に下記のものが好適であ
る。
1、メロシアニン系色素 I 2 3 4 D13 く 2、アントラキノン系色素 14 15 20 21 22 23 24 25 D2θ 27 D28 29 30 31 32 38 39 40 41 42 43 4111 D48 D53 D54 D41] 55 50 58 51 5B 4、スチリル系色素 59 EIO 81 5、アゾメチン系色素 −−他、テトラジン系、メチン系、スクアリリウム系な
どなお、液晶とシアニン色素との混合比はモル比で1:
、O,0L−0,8程度とする。
さらに、液晶層中には各種配向剤、ポリカーボネート等
の各種ポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、各種安
定剤等が含有されていてもよい。
加えて、第1の基体上の電極層および/または第2の基
体上の電極層上には、配向剤層を設けると感度がさらに
向上する。
このような場合、第1の基体上の配向剤は水平配向、第
2の基体上の配向剤は垂直配向とすることが好ましい。
用いる配向剤としては下記のものが好適である。
l)溶液塗布(物理吸着) (1)垂直配向 レシチン、ステアリン酸、CTAB (ヘキサデシルト
リメチルアンモニウムブロマイド)。
オクタデシルアミンハイドロクロライド等(2)平行配
向 カーボン、ポリエキシエチレン、パーサミド125、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド等1)溶液塗布(化学
吸着) (1)垂直配向 一塩基性カルポン酸クロム錯体(例:ミリスチン酸クロ
ム錯体、パーフルオロノナン酸りロク錯体)、有機シラ
ン(例:DMOAP)等(2)平行配向 二塩基性カルボン酸クロム錯体(例:ブラシル酸クロム
錯体)、有機シラン(例:MAP)等 3)プラズマ重合 (1)垂直配向 ヘキサメチルジシロキ、サン、パーフルオロジメチルシ
クロヘキサン、テトラフルオロエチレン等 (2)平行配向 アセチレン等 4)スパッタリング (1)垂直配向 ポリテトラフルオロエチレン等 5)液晶溶解注入(物理吸着) (1)垂直配向 レシチン、CTAB 、パーサミド100.オオタデシ
ルマロン酸等 (2)平行配向 二塩基性脂肪酸、(例: HOOC’(OH2)ncO
OH、n=3〜11)、パーサミド125.クラウンエ
ーテル等 その他、必要な面を、 l)′ラビング法 面を綿布、脱脂綿などで一方向に捺して、平行配向する
2)′斜め蒸着法 (1)−重蒸着 面SiOなどの酸化物を斜めの角度から蒸着し、傾斜平
行配向(浅い蒸着角)または平行配向(深い蒸着角)す
る。
(2)二重蒸着 面にSiOなどの酸化物を1層目は浅い蒸着角度で薄着
し、2層目は深い蒸着角度で基板面を90度回転して蒸
着し、傾斜平行配向する。
(3)回転蒸着 面を回転しながら、SiOなとの酸化物を斜めの角度か
ら蒸着し、傾斜垂直配向する。
3)′ イオンビーム法 面にイオンビームを斜めの角度から照射エツチングし、
平行配向する。
4)′プラズマ法 面を酸素プラズマなどでエツチングし、平行配向する。
5)′引上げ塗布法 ポリマーなどの溶液に基板を浸漬し、引上げ塗布し、平
行配向する 等を行ってもよい。
なお、第1の基体の表面には、トラッキング用の溝が設
けられていることが好ましい。
この場合、溝は凹でも凸でもよい。
また、その形状も、角型、半円形、半楕円形、7字形等
の他、角部分がないようにすることも好ましく、液晶材
の配向特性により種々選択すればよい。
さらに、第1の基体の電極層上には、断熱層を設けても
よい。
また、第1の基体には反射層ないし半透明反射層を設け
てもよい。
■ 発明の具体的作用 本発明の媒体は、透明ないし半透明基体側からレーザー
ビームを照射する。 これにより、スメクチックーアイ
ントロピック、スメクチック−ネマチック転移、あるい
はスメクチックー−ネマチックーアイントロビック転移
等が照射ビームに対応して生じ、記録点が形成される。
記録点の読み出しは、反射光ないし透過光、通常反射光
を検知することによって行う。
そして、消去を部分的に行うには、例えば電場を印加し
ながら消去レーザービームを照射すればよい。
また、全体消去を行うには、電場を印加しながら、全体
を加熱したり、消去光を照射したりすればよい。
この他、電場印加を行いながら書きこみ、また電圧印加
なしの加熱で消去を行ってもよい。
さらに、レーザーパルス巾を変えたり、レーザースポッ
ト形状やレーザー光強度を変えて消去してもよい。
■ 発明の具体的効果 本発明によれば、記録感度が格段と向上する。
また、読み出しのS/N比も向上する。
そして、記録感度および読み出しのS/N比の消去劣化
および再生劣化が格段と減少する。
本発明者らは、本発明の効果を確認するための種々の実
験を行った。 以下にその1例を示す・ 実験例 ガラス基板上にITOを蒸着し、第1および第2の基体
とした。 そして、第1の基体の電極上には、An反射
層を積層した。
極間間隔8ILmにて、両基体を一体化し、内部にスメ
クチック液晶混合物S2(ブリティッシュドライハウス
社製等)を収納し、サンプル陽、1〜6をえた。
この場合、液晶には上記シアニン色素と、上記クエンチ
ャ−とをモル比にて5:2にて、総計0.08wt%含
有させた。
さらに、サンプルNo、 3 、4において、第1の基
体のITOの電極層上に、上記シアニン色素と上記クエ
ンチャ−とからなる(モル比2:1)O,lILm厚の
光吸収層を塗設したものを用い、サンプルNo、 7 
、8を得た。
また、サンプルNo、7.8において、第1の基体のバ
ナジルフタロシアニン層の上にアクリル系のフォトポリ
マーを塗布、光硬化させたのち、KBM403(信越化
学社製)の水平配向剤を500人厚にて形成し、また、
第2の基体のITO層上にFS−150(大日本インキ
社製)の垂直配向剤を600人厚にて形成しサンプル崩
、9.10をえた。
これら各サンプルにつき、GaAuAsレーザーを光源
とし、集光部出力15■賢にて、透明電極側から書き込
みを行った。
次いで、GaAJLAsレーザー(集光部−出力0.8
■冒)を読み出し光として、反射光のS/N比が50d
Bとなる書き込み光パルス巾を測定し、感度の逆数を算
出した。
また、200 n secのパルス巾の上記書き込み光
を用い書き込みを行い、次いで前記の読み出し光を用い
読み出しを行い、読み出しのS/N比を測定した。
さらに、30Vの電場を印加しながら、GaAiA s
レーザーを照射し、2回の消去、再書き込みを行い、そ
の後のS/N比の劣化を測定した。
結果を表1に示す。
表1に示される結果から本発明の効果があきらかである
第1頁の続き 0発 明 者 高 橋 −夫 東京都中央区1式会社内 0発 明 者 南 波 憲 良 東京都中央区1式会社

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明
    基体との間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体にお
    いて、 前記記録層がシアニン色素とクエンチャ−とを含むこと
    を特徴とする光記録媒体。
  2. (2)シアニン色素が、下記一般式(I)で示される特
    許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。 一般式(I) Φ−L=’f (X−)+s (上記一般式CI)において、 Φおよび!は、それぞれ芳香族環が縮合してもよいチア
    ゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダゾ
    ール環またはピリジン環を表わし、 Lは、メチン鎖を表わし、 X−は、陰イオンを表わし、 mは、0またはlである。)
  3. (3)クエンチャ−が遷移金属のキレート化合物である
    特許請求の範囲第1項または第2項に記載の光記録媒体
  4. (4)電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明
    基体との間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体にお
    いて、 前記記録層がシアニン色素とクエンチャ−とを含み、電
    極層がシアニン色素とクエンチャ−とを含む層を有する
    ことを特徴とする光記録媒体。
  5. (5)シアニン色素が、下記一般式(I)で示される特
    許請求の範囲ts4項に記載の光記録媒体。 一般式CI) Φ−L=! (X−)m (上記一般式(I)において、 Φおよび!は、それぞれ芳香族環が縮合してもよいチア
    ゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダゾ
    ール環またはピリジン環を表わし、 Lは、メチン鎖を表わし。 X−は、陰イオンを表わし、 mは、0またはlである。)
  6. (6)クエン−チャーが、遷移金属のキレート化合物で
    ある特許請求の範囲第4項または第5項に記載の光記録
    媒体。
  7. (7)電極層を有する基体と、透明電極層を有する透明
    基体との間に液晶を含む記録層を有する光記録媒体にお
    いて、 前記電極層がシアニン色素とクエンチャ−とを含む層を
    有するか、あるいは前記記録層がシアニン色素とクエン
    チャ−とを含み、前記電極層および/または前記透明電
    極層の上に配向剤層が設層されていることを特徴とする
    光記録媒体。
  8. (8)シアニン色素が、下記一般式CI)で示される特
    許請求の範囲第7項に記載の光記録媒体。 一般式(I) Φ−L=’i’ (X−)m (上記一般式CI)において、 Φおよび!は、それぞれ芳香族環が縮合してちよいチア
    ゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダゾ
    ール環またはピリジン環を表わし、 Lは、メチン鎖を表わし、 X−は、陰イオンを表わし、 mは、0またはlである。)
  9. (9)クエンチャ−が、遷移金属のキレート化合物であ
    る特許請求の範囲第7項または第8項に記載の光記録媒
    体。
JP59022240A 1984-02-09 1984-02-09 光記録媒体 Pending JPS60165294A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59022240A JPS60165294A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59022240A JPS60165294A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60165294A true JPS60165294A (ja) 1985-08-28

Family

ID=12077265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59022240A Pending JPS60165294A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60165294A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6438288A (en) * 1987-08-05 1989-02-08 Canon Kk Data recording medium
JPS6440379A (en) * 1987-08-06 1989-02-10 Canon Kk Data recording medium
JPH01206093A (ja) * 1988-02-13 1989-08-18 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体の製造方法
JPH0284384A (ja) * 1988-02-18 1990-03-26 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6438288A (en) * 1987-08-05 1989-02-08 Canon Kk Data recording medium
JPS6440379A (en) * 1987-08-06 1989-02-10 Canon Kk Data recording medium
JPH01206093A (ja) * 1988-02-13 1989-08-18 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体の製造方法
JPH0478471B2 (ja) * 1988-02-13 1992-12-11 Taiyo Yuden Kk
JPH0284384A (ja) * 1988-02-18 1990-03-26 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体の製造方法
JPH055676B2 (ja) * 1988-02-18 1993-01-22 Taiyo Yuden Kk

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4752820A (en) Optical recording medium having a liquid crystal layer
US6743568B2 (en) Cyanine dyes
US5019476A (en) Optical recording medium
US20020028918A1 (en) Styryl dyes
JPH0749231B2 (ja) 光学記録体
EP0302497A2 (en) Data recording medium
JPS60165294A (ja) 光記録媒体
US6645594B1 (en) Formazan metal complex
US4970021A (en) Phthalocyanine compounds and utility thereof
US5942612A (en) Substituted phthalocyanine liquid crystal compounds
JPS60178092A (ja) 光記録媒体
JPS60166487A (ja) 光記録媒体
JPS60168691A (ja) 光記録媒体
EP1092753A1 (en) Cyanine dye
JPS60165293A (ja) 光記録媒体
JP2810379B2 (ja) 情報記録媒体
JPH01297293A (ja) 光学記録媒体
JPH01130985A (ja) 光学記録媒体
JPH0284383A (ja) 光記録媒体
JPH0559836B2 (ja)
JPH02139285A (ja) 光記録媒体
JPS60162691A (ja) 光記録媒体
JPH01145194A (ja) 光学記録媒体
JPS62216795A (ja) 光学記録体
JPS6218290A (ja) 光学記録体