JPS6016484A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6016484A JPS6016484A JP12347683A JP12347683A JPS6016484A JP S6016484 A JPS6016484 A JP S6016484A JP 12347683 A JP12347683 A JP 12347683A JP 12347683 A JP12347683 A JP 12347683A JP S6016484 A JPS6016484 A JP S6016484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active
- layer
- layers
- wave
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光通信や光情報処理の光源となる半導体レ
ーザに関するものである。
ーザに関するものである。
従来この種の半導体レーザとしては第１図に示すような
構成であった。第１図において、（１）は活性層、（２
）は活性層（１）に光学的に結合した導波層、（３）は
活性層（１）、導波層（２）を形成するための半導体の
基板結晶、（４）は活性層＋１］、導波層（２）に水平
方向の導波作用を生じさせるだめの埋め込み成長層で（
１）、導波層（２）に導波された光を反射する共振鏡面
である。
構成であった。第１図において、（１）は活性層、（２
）は活性層（１）に光学的に結合した導波層、（３）は
活性層（１）、導波層（２）を形成するための半導体の
基板結晶、（４）は活性層＋１］、導波層（２）に水平
方向の導波作用を生じさせるだめの埋め込み成長層で（
１）、導波層（２）に導波された光を反射する共振鏡面
である。
第１図に示す構成の半導体レーザについてその動作を説
明する。従来の半導体レーザのアレーは上記のように活
性層（１）、導波層（２）からなる複数個の活性導波路
を単一の半導体レーザ素子内に形成している。
明する。従来の半導体レーザのアレーは上記のように活
性層（１）、導波層（２）からなる複数個の活性導波路
を単一の半導体レーザ素子内に形成している。
したがって、電極（５）より注入された電流は活性層ｆ
１＋を通り電極（６）に至る。活性層ｆｉ＋を流れる電
流により、複数個の活性層である（１ａ）、（１ｂ）、
（ＩＣ）はそれぞれ独立にレーザ発振する。独立の活性
層（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）の間隔を十分狭くする
ととによシ、独立の活性層（１ｂ）の内を導波されるレ
ーザ発振光が、他の独立の活性層（１ａ）、（ｌｃ）の
内にも導波される。逆に独立の活性層（１ａ ）、（Ｉ
Ｃ）の内を導波されるレーザ発振光も独立の活性層（
１ｂ）の内にも導波される。これにより、独立の活性層
（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）は光学的に結合し、一体
となってレーザ発振を行なう。
１＋を通り電極（６）に至る。活性層ｆｉ＋を流れる電
流により、複数個の活性層である（１ａ）、（１ｂ）、
（ＩＣ）はそれぞれ独立にレーザ発振する。独立の活性
層（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）の間隔を十分狭くする
ととによシ、独立の活性層（１ｂ）の内を導波されるレ
ーザ発振光が、他の独立の活性層（１ａ）、（ｌｃ）の
内にも導波される。逆に独立の活性層（１ａ ）、（Ｉ
Ｃ）の内を導波されるレーザ発振光も独立の活性層（
１ｂ）の内にも導波される。これにより、独立の活性層
（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）は光学的に結合し、一体
となってレーザ発振を行なう。
このように従来の半導体レーザのアレーはかか得ること
は製造面で技術的に困難な点が多かった。
は製造面で技術的に困難な点が多かった。
また各活性層の間隔が狭くなるため、各活性煤層の亀気
的分Ｉｌ１行なうことが困難であるなどの欠点があった
。
的分Ｉｌ１行なうことが困難であるなどの欠点があった
。
この発明はかかる欠点を除去するためになされたもので
、各活性層間に十分な光学的な結合を得るとともに、各
活性層間の間隔ｋ・十分とれることによ一部、各活性層
、間の電気的分離を容易に実現しうる新規な半導体レー
プ“を提供するものである。
、各活性層間に十分な光学的な結合を得るとともに、各
活性層間の間隔ｋ・十分とれることによ一部、各活性層
、間の電気的分離を容易に実現しうる新規な半導体レー
プ“を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を第２図を用いて詳細に説明
する。（２）〜（８）は第１図と同一であるので説明を
省略する。（１）′は活性層であり、その側面を回折格
子形状（９）としている。すなわち、活性層の互いに対
向する面に平行線を刻んだ形状とする。
する。（２）〜（８）は第１図と同一であるので説明を
省略する。（１）′は活性層であり、その側面を回折格
子形状（９）としている。すなわち、活性層の互いに対
向する面に平行線を刻んだ形状とする。
このように構成された半導体レーザにおいては、電極（
５）から注入された電流により、活性層（１′ａ八（１
’ｂ ）、（１’ｃ ）はレーザ発振する。例えば、活
性層（１’ｂ ）内を導波されるレーザ発振光の一部は
活性層（１′ｂ）の倒曲部分の回折格子により、活性層
（１’ｂ ）から放射される。この放射された光の一部
れるレーザ発振光は、活性層（ｉ’ｂ ）内にも導波さ
れる。これにより、活性層（１’ａ ）、（ｘ’ｂ ）
、（１’ｃ ）は光学的に結合して一体となってレーザ
発振する。
５）から注入された電流により、活性層（１′ａ八（１
’ｂ ）、（１’ｃ ）はレーザ発振する。例えば、活
性層（１’ｂ ）内を導波されるレーザ発振光の一部は
活性層（１′ｂ）の倒曲部分の回折格子により、活性層
（１’ｂ ）から放射される。この放射された光の一部
れるレーザ発振光は、活性層（ｉ’ｂ ）内にも導波さ
れる。これにより、活性層（１’ａ ）、（ｘ’ｂ ）
、（１’ｃ ）は光学的に結合して一体となってレーザ
発振する。
この際、活性層（１’ａ ）、（１’ｂ ）、（１’ｃ
）間の光学的な結合は回折格子間の放射によりなされ
ることから、活性１！ （１’ａ ）、（１’ｂ ）、
（１’ｃ ）の間の間隔を従来より広げることが可能と
なる。
）間の光学的な結合は回折格子間の放射によりなされ
ることから、活性１！ （１’ａ ）、（１’ｂ ）、
（１’ｃ ）の間の間隔を従来より広げることが可能と
なる。
なお、上記実施例では活性層（１’ａ ）、（１’ｂ
）、（１’ｃ ）の側面部を回折格子状としたが、活性
層（１’ａ ）、（１’ｂ ）、（１’ｃ ）と導波層
（２）の活性導波路の一部もしくは全部に回折格子を設
けても上記実施例と同様の効果を奏し得る。また、活性
導波路に突起を設けても同様である。
）、（１’ｃ ）の側面部を回折格子状としたが、活性
層（１’ａ ）、（１’ｂ ）、（１’ｃ ）と導波層
（２）の活性導波路の一部もしくは全部に回折格子を設
けても上記実施例と同様の効果を奏し得る。また、活性
導波路に突起を設けても同様である。
第８図はこの発明の他の実施例を示すものであり、活性
導波路の一部分をなす活性層（１’ａ ）、（１’ｂ
）、（１’ｃ ）と光学的に結合した導波層（２）に回
折格子を設けたものである。ｉ８図に示した実施例は、
第２図に示した活性層（１′ａ）、（１’ｂ ）、（１
’ｃ ）に直接凹凸を設けることなく作ることが可能で
ある。
導波路の一部分をなす活性層（１’ａ ）、（１’ｂ
）、（１’ｃ ）と光学的に結合した導波層（２）に回
折格子を設けたものである。ｉ８図に示した実施例は、
第２図に示した活性層（１′ａ）、（１’ｂ ）、（１
’ｃ ）に直接凹凸を設けることなく作ることが可能で
ある。
また、第４図はこの発明の他の実施例を示すもに結合さ
せることにより、第２図に示した実施例と同様の動作を
行なう。
せることにより、第２図に示した実施例と同様の動作を
行なう。
上記実施例では各活性Ｉｍ （１ａ ）、（１ｂ）、（
ＩＣ）への電流注入を同時に行なう場合について説明し
たが、各々の電極（６）に異なる電流全注入した場合で
も、同様の効果を奏する。
ＩＣ）への電流注入を同時に行なう場合について説明し
たが、各々の電極（６）に異なる電流全注入した場合で
も、同様の効果を奏する。
また、上記実施例では埋め込みＬ ＯＣ（ＬａｒｇｅＯ
ｐｔｉｃｅｌ Ｃａｖｉｔｙ ）型半導体レーザについ
て説明したが、他の構造をもつ半導体レーザ装置であっ
てもよく、上記実施例と皮様の効果を奏する。
ｐｔｉｃｅｌ Ｃａｖｉｔｙ ）型半導体レーザについ
て説明したが、他の構造をもつ半導体レーザ装置であっ
てもよく、上記実施例と皮様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば活性導波路の形状を変
化させることにより活性導波路間の光学結合を行なわせ
るように構成したので、製造が容易になり、また、活性
線質問の電気的分離が容易になるという効果がある。
化させることにより活性導波路間の光学結合を行なわせ
るように構成したので、製造が容易になり、また、活性
線質問の電気的分離が容易になるという効果がある。
第１図は従来の半導体レーザを示す構成図、第２図はこ
の発明による半導体レーザの一実施例を示す構成図、第
８因はこの発明の他の実施例を示す半導体レーザを示す
構成図、第４図はこの発明側さらに他の実施例を示す半
導体レーザを示す構一因である。 （、Ｉ ＋・・・・・・・・・活性層、（２）・・・・
・・・・・導波胸、（９）・・・・・・・・・回折格子
、（１０１・・・・・・・・・ 凹凸形状。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 １） 裕 部 第１図 第２図 第３図 第４阿
の発明による半導体レーザの一実施例を示す構成図、第
８因はこの発明の他の実施例を示す半導体レーザを示す
構成図、第４図はこの発明側さらに他の実施例を示す半
導体レーザを示す構一因である。 （、Ｉ ＋・・・・・・・・・活性層、（２）・・・・
・・・・・導波胸、（９）・・・・・・・・・回折格子
、（１０１・・・・・・・・・ 凹凸形状。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 １） 裕 部 第１図 第２図 第３図 第４阿
Claims (2)
- （１） 半導体基板の一生面に形成された先導波層と、
この光導波層上に隣接して設けられ、光導波方向に互い
に平行して延びる複数個からなる活性層と、この活性層
間およびこの活性層上に設けられ上記活性層で発生した
光を上記光導波方向に導く埋め込み成長層からなり、上
記活性層の互いに対向する面に凹凸部を形成し光を回折
させることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）上記光導波層と上記埋め込み成長層とが接する面
を凹凸形状としたことを特徴とする特許請求の範囲第ｔ
１）項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347683A JPS6016484A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347683A JPS6016484A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016484A true JPS6016484A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS649750B2 JPS649750B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=14861570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12347683A Granted JPS6016484A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126881A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0254568A2 (en) * | 1986-07-25 | 1988-01-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| JPS648689A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Semiconductor laser array element and manufacture thereof |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12347683A patent/JPS6016484A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126881A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0254568A2 (en) * | 1986-07-25 | 1988-01-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| EP0547043A2 (en) * | 1986-07-25 | 1993-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| EP0547044A2 (en) * | 1986-07-25 | 1993-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| EP0547038A2 (en) * | 1986-07-25 | 1993-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| JPS648689A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Semiconductor laser array element and manufacture thereof |
| JPH0579194B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1993-11-01 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649750B2 (ja) | 1989-02-20 |
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