JPS601637A - 熱−磁気−光記録装置および該装置用の記録素子 - Google Patents
熱−磁気−光記録装置および該装置用の記録素子Info
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- JPS601637A JPS601637A JP10870084A JP10870084A JPS601637A JP S601637 A JPS601637 A JP S601637A JP 10870084 A JP10870084 A JP 10870084A JP 10870084 A JP10870084 A JP 10870084A JP S601637 A JPS601637 A JP S601637A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気光学活性層を担持する基板を有する記録
素子と、レーザ光源と、該レーザビームの光を前記記録
素子の選択個所に集束する装置上、前記磁気光学活性層
からの復帰光路内に配置された偏光光学系および光電検
出器を含む磁気光学検出装置とを具え、前記磁気光学活
性層は前記レーザ光源と該レーザ光源からの光を反射す
る層との間に配置されている熱−磁気−光記録装置に関
するものである。本発明は斯る記録装置用の記録素子に
も関するものである。
素子と、レーザ光源と、該レーザビームの光を前記記録
素子の選択個所に集束する装置上、前記磁気光学活性層
からの復帰光路内に配置された偏光光学系および光電検
出器を含む磁気光学検出装置とを具え、前記磁気光学活
性層は前記レーザ光源と該レーザ光源からの光を反射す
る層との間に配置されている熱−磁気−光記録装置に関
するものである。本発明は斯る記録装置用の記録素子に
も関するものである。
雑誌[Applied Physics J Vo!。
581 A 6 +June 1982 、1)p、
4491−98から、MnB1゜G+11re、 Tb
FeおよびGd0oのような材料は光記録装置用の例え
ば磁気光学記録素子の形態の記録素子に使用できること
が既知である。通常これらの材料はガラス基板、シリコ
ン板等の上に真空中で蒸着またはスパッタされて磁気光
学記録素子用の薄膜に形成される。磁気光学記録素子は
一般に次の特性を有する。第1に、磁化容易軸が膜面に
垂−直であること、第2に、膜材料の磁化反転温度(キ
ュリ一温度および補償温度)が比較的低いことである。
4491−98から、MnB1゜G+11re、 Tb
FeおよびGd0oのような材料は光記録装置用の例え
ば磁気光学記録素子の形態の記録素子に使用できること
が既知である。通常これらの材料はガラス基板、シリコ
ン板等の上に真空中で蒸着またはスパッタされて磁気光
学記録素子用の薄膜に形成される。磁気光学記録素子は
一般に次の特性を有する。第1に、磁化容易軸が膜面に
垂−直であること、第2に、膜材料の磁化反転温度(キ
ュリ一温度および補償温度)が比較的低いことである。
磁化容易軸が膜面に垂直であるため、′1”および0”
の形の2進情報をこれら2つの値に対し上向きの砒化お
よび下向きの磁化を用いることにより記録することがで
き、従って装置をディジタルメモリとして使用すること
ができる。キュリ一点書込みとして既知の磁気光学記録
方法は次の通りである。先ず初めに、膜全体を例えば下
向きに磁化し、o l′状態にする。1”を記録する必
要があるときは、レーザビームをこの記録を行なうべき
領域に照射すると同時に上向きの外部磁界を加える。照
射領域はレーザエネルギーによりキュリ一温度に近い温
度に加熱され、冷却時に外部磁界が゛′捕促“され、該
領域の膜の磁化方向が上向きになって“1 ”が記録さ
れる。情報″O″を記録するときは、初期状態が既にθ
″であるためその記録領域をレーザビームで照射しない
。
の形の2進情報をこれら2つの値に対し上向きの砒化お
よび下向きの磁化を用いることにより記録することがで
き、従って装置をディジタルメモリとして使用すること
ができる。キュリ一点書込みとして既知の磁気光学記録
方法は次の通りである。先ず初めに、膜全体を例えば下
向きに磁化し、o l′状態にする。1”を記録する必
要があるときは、レーザビームをこの記録を行なうべき
領域に照射すると同時に上向きの外部磁界を加える。照
射領域はレーザエネルギーによりキュリ一温度に近い温
度に加熱され、冷却時に外部磁界が゛′捕促“され、該
領域の膜の磁化方向が上向きになって“1 ”が記録さ
れる。情報″O″を記録するときは、初期状態が既にθ
″であるためその記録領域をレーザビームで照射しない
。
レーザビームで照射されなかった領域はキュリ一温度よ
り十分低い温度に維持され、十分大きな保磁力H8を有
するので、磁化方向は外部磁界により反転されず、下向
き0″のままとなる。
り十分低い温度に維持され、十分大きな保磁力H8を有
するので、磁化方向は外部磁界により反転されず、下向
き0″のままとなる。
記憶情報を読取るときは、平面偏光ビームを用いて記録
素子を走査する。このときその反射ビームの偏光面が読
取ビット位置の磁化が6上向き″か6下向き″かに応じ
て一方向または反対方向に回転し、これを検出する。こ
の読取法は磁気光学読取と称されている。
素子を走査する。このときその反射ビームの偏光面が読
取ビット位置の磁化が6上向き″か6下向き″かに応じ
て一方向または反対方向に回転し、これを検出する。こ
の読取法は磁気光学読取と称されている。
熱磁気記録と磁気光学読取とを一緒に魅力的に使用し得
るようにするには舊込みと読取りの双方に対して所定の
条件を満足させる必要がある。
るようにするには舊込みと読取りの双方に対して所定の
条件を満足させる必要がある。
十分大きな信号対雑音比を達成するためには、磁気光学
回転角の2乗と膜の透過率または反射率との積である磁
気光特性のQまたは性能指数をできるだけ大きくする必
要がある。磁気光学性能指数は、上述した金属磁気光学
材料を反射形記録素子に使用する場合には反射による磁
気光学回転(カー回転)が比較的小さいために、また透
過形記録素子に使用する場合には吸収が大きいために小
さくなる。上述の刊行物[Applied Physi
cs Jから、金属層を反射形記録素子に使用する場合
には金属層を十分に薄くすると共にその背後に反射面を
精密な所定距離Qこ配置していわゆる8層構造にするこ
とによって性能指数を増大させることができることが既
知である。
回転角の2乗と膜の透過率または反射率との積である磁
気光特性のQまたは性能指数をできるだけ大きくする必
要がある。磁気光学性能指数は、上述した金属磁気光学
材料を反射形記録素子に使用する場合には反射による磁
気光学回転(カー回転)が比較的小さいために、また透
過形記録素子に使用する場合には吸収が大きいために小
さくなる。上述の刊行物[Applied Physi
cs Jから、金属層を反射形記録素子に使用する場合
には金属層を十分に薄くすると共にその背後に反射面を
精密な所定距離Qこ配置していわゆる8層構造にするこ
とによって性能指数を増大させることができることが既
知である。
他方、高い磁気光学性能指数はガーネット構造を有する
単結晶磁気光学材料(この材料は所定の波長範囲の光G
こついて低い吸収で極めて高いファラデー回転を示す)
を用いることにより実現することができる。しかし、低
い吸収の結果としてこの種の材料は書込処理において欠
点を有する。即ち、低い吸収のために磁気光学材料層内
への光の結合が悪く、エネルギー伝達が低い。この結果
として磁気元学桐材層をキュリ一温度に加熱するのに同
じ厚さの金属層を用いる場合より著しく大きなレーザパ
ワーが必要になる。前記層内への光の結合は層を厚くす
ることにより増大させることができるが、厚い層には極
めて小さいビットを記録することができず、この場合に
は記録密度が最適にならなくなる。
単結晶磁気光学材料(この材料は所定の波長範囲の光G
こついて低い吸収で極めて高いファラデー回転を示す)
を用いることにより実現することができる。しかし、低
い吸収の結果としてこの種の材料は書込処理において欠
点を有する。即ち、低い吸収のために磁気光学材料層内
への光の結合が悪く、エネルギー伝達が低い。この結果
として磁気元学桐材層をキュリ一温度に加熱するのに同
じ厚さの金属層を用いる場合より著しく大きなレーザパ
ワーが必要になる。前記層内への光の結合は層を厚くす
ることにより増大させることができるが、厚い層には極
めて小さいビットを記録することができず、この場合に
は記録密度が最適にならなくなる。
本発明の目的は読取処理において改善された大きな信号
対雑音比が十分高い記録密度および効率の良い書込処理
と一緒に得られるようにした頭書に記載したタイプの書
込装置を提供せんとするにある。
対雑音比が十分高い記録密度および効率の良い書込処理
と一緒に得られるようにした頭書に記載したタイプの書
込装置を提供せんとするにある。
本発明は磁気光学活性層を担持する基板を有する記録素
子と、レーザ光源と、該レーザ光源の光を前記記録素子
の選択個所に集束する装置とを具え、前記磁気yC学活
性層は前記レーザ光源と該レーザ光源からの光を反射す
る層との間に配置され、前記磁気光学活性層を経て戻る
光路内に偏光光学系と光電検出器を含む磁気光学検出装
置を具える熱−磁気−光記録装置において、前記磁気光
学活性層はスピネル構造を有するFe を主成分とする
材料の厚さd工の多結晶酸化物層とし、且つ前記レーザ
光源の光に対し透明な厚さd、の透電体材料の層を前記
磁気光学活性層と前記反射層との間に介挿し、前記厚さ
doおよびd2は前記磁気光学活性層の表面から戻って
くるレーザ光源の平面偏光と前記磁気光学活性層および
前記誘電体層を少くとも2度横切って前記反射層から戻
ってくる光との間に弱め合う干渉(destructi
ve 1nter−feDence )が生ずるように
選択し、厚さd□は前記誘電体層がない場合に斯る弱め
合う干渉を発生するには小さすぎる値に選択したことを
特徴とする。
子と、レーザ光源と、該レーザ光源の光を前記記録素子
の選択個所に集束する装置とを具え、前記磁気yC学活
性層は前記レーザ光源と該レーザ光源からの光を反射す
る層との間に配置され、前記磁気光学活性層を経て戻る
光路内に偏光光学系と光電検出器を含む磁気光学検出装
置を具える熱−磁気−光記録装置において、前記磁気光
学活性層はスピネル構造を有するFe を主成分とする
材料の厚さd工の多結晶酸化物層とし、且つ前記レーザ
光源の光に対し透明な厚さd、の透電体材料の層を前記
磁気光学活性層と前記反射層との間に介挿し、前記厚さ
doおよびd2は前記磁気光学活性層の表面から戻って
くるレーザ光源の平面偏光と前記磁気光学活性層および
前記誘電体層を少くとも2度横切って前記反射層から戻
ってくる光との間に弱め合う干渉(destructi
ve 1nter−feDence )が生ずるように
選択し、厚さd□は前記誘電体層がない場合に斯る弱め
合う干渉を発生するには小さすぎる値に選択したことを
特徴とする。
スピネル構造を有する鉄を主成分とする酸化物強磁性材
料の層、例えばマグネタイ) (Fe80. )および
特に置換または非置換のコバルト7エライ) (GoJ
e)80.の層は高い磁気光学7アラデテ効果またはカ
ー効果を示さず、そのため磁気光学再生糸の信号対雑音
比を大きくする必要がある場合には使用Qこ適さないも
のと思われる。しかし、特定の波長範囲における特定の
吸収係数を利用してこれらの層を用いて、読取特性に関
して前述の金属膜を有するものより著しく優れていると
共に書込特性に関してガーネット膜を有するものより著
しく優れた磁気光学記録素子を設計することができるこ
とを確かめた。
料の層、例えばマグネタイ) (Fe80. )および
特に置換または非置換のコバルト7エライ) (GoJ
e)80.の層は高い磁気光学7アラデテ効果またはカ
ー効果を示さず、そのため磁気光学再生糸の信号対雑音
比を大きくする必要がある場合には使用Qこ適さないも
のと思われる。しかし、特定の波長範囲における特定の
吸収係数を利用してこれらの層を用いて、読取特性に関
して前述の金属膜を有するものより著しく優れていると
共に書込特性に関してガーネット膜を有するものより著
しく優れた磁気光学記録素子を設計することができるこ
とを確かめた。
本発明の実験の結果、光源と反射層との間に配置された
鉄酸化物系の多結晶材料の磁気光学活性層の厚さは光源
の波長において弱め合う干渉が起るように選択し得るこ
とが証明された。これは、活性層の外面で反射された光
線がこの層を通過して反射層から戻ってくる光線と逆位
相になることを意味する。これは磁気光学活性層が所定
の厚さく材料により異なる)のときに検出光の磁気光学
回転が極値になることと関連する。すなわち、この層の
厚さの関数としての磁気光学効果はピークは磁気光学効
果が弱くなってしまうことを意味する。本発明では磁気
光学活性層と反射層との間に誘電体層を介挿する。この
誘電体層の厚さを適当に選択することによって磁気光学
効果のピーク特性を層の関数として6なだらか”なもの
とすることができる。この結果、磁気光学活性層の厚さ
は臨界的でなくなり、その厚さを熱伝導率から見て最適
な値にすることができる。活性層が厚くなればなるほど
、レーザスポットの拡がりが大きくなる。
鉄酸化物系の多結晶材料の磁気光学活性層の厚さは光源
の波長において弱め合う干渉が起るように選択し得るこ
とが証明された。これは、活性層の外面で反射された光
線がこの層を通過して反射層から戻ってくる光線と逆位
相になることを意味する。これは磁気光学活性層が所定
の厚さく材料により異なる)のときに検出光の磁気光学
回転が極値になることと関連する。すなわち、この層の
厚さの関数としての磁気光学効果はピークは磁気光学効
果が弱くなってしまうことを意味する。本発明では磁気
光学活性層と反射層との間に誘電体層を介挿する。この
誘電体層の厚さを適当に選択することによって磁気光学
効果のピーク特性を層の関数として6なだらか”なもの
とすることができる。この結果、磁気光学活性層の厚さ
は臨界的でなくなり、その厚さを熱伝導率から見て最適
な値にすることができる。活性層が厚くなればなるほど
、レーザスポットの拡がりが大きくなる。
磁気光学回転は磁気光学活性層の厚さを増大するにつれ
て大きくなるが、反射が減少する。このことは使用する
活性層の厚さをこの点についても妥協点を見い出すよう
に決めることになることを意味する。一方、書込処理の
ためには光の結合をできるだけ良くする必要があり、従
って反射をできるだけ低くする必要がある。他方、読取
処理のためには信号を十分に強くする必要があり、従っ
て装置に応じて反射に下限値を定める必要がある。
て大きくなるが、反射が減少する。このことは使用する
活性層の厚さをこの点についても妥協点を見い出すよう
に決めることになることを意味する。一方、書込処理の
ためには光の結合をできるだけ良くする必要があり、従
って反射をできるだけ低くする必要がある。他方、読取
処理のためには信号を十分に強くする必要があり、従っ
て装置に応じて反射に下限値を定める必要がある。
実際上この下限値は例えば10%である。
本発明に極めて好適なレーザは780〜870nmの波
長範囲の光を発生するAlGaAsレーザである。尚、
680nmを中心とする波長範囲の光を発生するHe
−Heレーザを用いることもできる。
長範囲の光を発生するAlGaAsレーザである。尚、
680nmを中心とする波長範囲の光を発生するHe
−Heレーザを用いることもできる。
スピネル構造を有するFe8+糸の酸化物材料、例えば
前記マグネタイトおよびコバルトフェライトでは400
〜9 U Onmの波長範囲において好適な吸収係数を
有することを利用して上述の最適化が可能であるが、極
めて低い吸収係数を有するガーネット材料では不可能で
ある。
前記マグネタイトおよびコバルトフェライトでは400
〜9 U Onmの波長範囲において好適な吸収係数を
有することを利用して上述の最適化が可能であるが、極
めて低い吸収係数を有するガーネット材料では不可能で
ある。
反射層は交互に高い屈折率と低い屈折率を有する1λ層
から成る多層誘電体グイクロイックミラ−または金属層
(例えばAり、AlまたはAu )とすることができる
。
から成る多層誘電体グイクロイックミラ−または金属層
(例えばAり、AlまたはAu )とすることができる
。
誘電体中間層により装置の光学特性を教養することもで
きる。多結晶磁気光学活性層は一般に粒状構造を有する
ため(これは層をスパッタリング法により設ける場合よ
りもスプレー法により設ける場合に言える)、その上に
好ましくは略々同一の屈折率を有する平滑な誘電体層を
設けることにより粒状構造の結果化ずる雑音を抑圧する
ことができる。
きる。多結晶磁気光学活性層は一般に粒状構造を有する
ため(これは層をスパッタリング法により設ける場合よ
りもスプレー法により設ける場合に言える)、その上に
好ましくは略々同一の屈折率を有する平滑な誘電体層を
設けることにより粒状構造の結果化ずる雑音を抑圧する
ことができる。
好適な表面張力を有する誘電体材料の中間層を磁気光学
活性層上にスピニング処理により設けることによって、
反射層が設けられる誘電体材料層の上面を極めて平滑G
こすることができる。これにより反射層における迷光現
象が避けられる0スピニング処理性の観点から好適な中
間層の材料はフォトラッカーに加えて重合合成樹脂、例
えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネイト
樹脂、ポリイミド樹脂およびポリアクリレート樹脂であ
る。
活性層上にスピニング処理により設けることによって、
反射層が設けられる誘電体材料層の上面を極めて平滑G
こすることができる。これにより反射層における迷光現
象が避けられる0スピニング処理性の観点から好適な中
間層の材料はフォトラッカーに加えて重合合成樹脂、例
えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネイト
樹脂、ポリイミド樹脂およびポリアクリレート樹脂であ
る。
400〜900 nmの波長範囲内における選択波長に
おいて誘電体材料の屈折率が磁気光学活性層料の屈折率
から15%以上相違しないようにすると、磁気光学活性
層の゛粗い”表面での反射が僅かになる。これQこより
雑音が更に抑圧される。
おいて誘電体材料の屈折率が磁気光学活性層料の屈折率
から15%以上相違しないようにすると、磁気光学活性
層の゛粗い”表面での反射が僅かになる。これQこより
雑音が更に抑圧される。
コバルトフェライト(n−2゜7)の磁気光学活性層に
対しては誘電体中間層の材料として例えばCeO(n−
2,7)およびZ’nS (n −2,4)が屈折率の
点から好適であるものと考えられる。
対しては誘電体中間層の材料として例えばCeO(n−
2,7)およびZ’nS (n −2,4)が屈折率の
点から好適であるものと考えられる。
本発明は特に、回転ディスクの形態の記録素子を有する
上述した熱−磁気一光メモリ装置に関するものである。
上述した熱−磁気一光メモリ装置に関するものである。
以下本発明を図面を参照して実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第1図は軸2を中心に回転し得るディスクとして示しで
ある記録素子1を有する熱−磁気−光記録装置を示す。
ある記録素子1を有する熱−磁気−光記録装置を示す。
レーザ光源8は記録素子1の表面4の上方に配置される
。レーザ光源8は例えば780 nm〜87 o nm
の範囲内の波長を有する光を発生し得る1GaAsダイ
オードレーザとする。
。レーザ光源8は例えば780 nm〜87 o nm
の範囲内の波長を有する光を発生し得る1GaAsダイ
オードレーザとする。
特性波長は780 nmである。斯るレーザは小形で、
記録素子に対しく例えば半径方向に)移動可能に配置す
るのに好適である。
記録素子に対しく例えば半径方向に)移動可能に配置す
るのに好適である。
レーザ光源8の光はレンズ糸5,6により記録素子1の
点Pに集束される。その光路内に少くとも読取処理に使
用する偏光子7を配置する。この光路内には更に、例え
ば90%の透過率Tを有する半透鏡を配置し、反射され
てきた光の一部を集束制御のための検出装置9に供給す
る。更に半透鏡10(T−75%)を光路内に配置して
、反射されてきた光の一部を検光子11およびレンズ1
2を経て光電検出器13(例えばSi−アバランシェ検
出器)に供給する。書込処理においては、レーザ光源8
の集束光ビームを用いて記録素子1のM方向に予め磁化
されている磁気光学活性層16(第2図)の選択した情
報ビット領域を略々キュリ一温度に加熱する。非置換コ
バルトフェライトの特性キュリ一温度は約520°Cで
ある。斯る温度上昇は、10oooOe程度の反磁界M
′を発生するコイル14の励磁と相まって照射情報ビッ
ト領域の磁化を冷却時に反転させるのに十分である0 読取処理は同一のレーザ光源8の低減パワーで走査して
反射光を検出することにより行なわれる。
点Pに集束される。その光路内に少くとも読取処理に使
用する偏光子7を配置する。この光路内には更に、例え
ば90%の透過率Tを有する半透鏡を配置し、反射され
てきた光の一部を集束制御のための検出装置9に供給す
る。更に半透鏡10(T−75%)を光路内に配置して
、反射されてきた光の一部を検光子11およびレンズ1
2を経て光電検出器13(例えばSi−アバランシェ検
出器)に供給する。書込処理においては、レーザ光源8
の集束光ビームを用いて記録素子1のM方向に予め磁化
されている磁気光学活性層16(第2図)の選択した情
報ビット領域を略々キュリ一温度に加熱する。非置換コ
バルトフェライトの特性キュリ一温度は約520°Cで
ある。斯る温度上昇は、10oooOe程度の反磁界M
′を発生するコイル14の励磁と相まって照射情報ビッ
ト領域の磁化を冷却時に反転させるのに十分である0 読取処理は同一のレーザ光源8の低減パワーで走査して
反射光を検出することにより行なわれる。
記録素子lに入射した平面偏光ビームの偏光面は反射後
に所定角度だけ回転する。この回転は0”または1nの
存在に応じてフォトダイオード18の前の検光子11に
より強度差に変換される。
に所定角度だけ回転する。この回転は0”または1nの
存在に応じてフォトダイオード18の前の検光子11に
より強度差に変換される。
本発明では低い陛込パワーと最大のHi磁気光学効果を
同時に得るために、記録素子lは極めて特殊の組成およ
び厚さを有する磁気光学活性層で構成すると共にこれを
誘電体層および反射層と組合わせる。
同時に得るために、記録素子lは極めて特殊の組成およ
び厚さを有する磁気光学活性層で構成すると共にこれを
誘電体層および反射層と組合わせる。
第2a図は磁気光学活性層16が設けられている非磁性
基板15(例えばアモルファスSio2とすることがで
きる)を示す。本発明では活性層16はスピネル結晶構
造を有するFe を主成分とする多結晶酸化物材料、例
えばFe8o、または(00,Fe)804から成る。
基板15(例えばアモルファスSio2とすることがで
きる)を示す。本発明では活性層16はスピネル結晶構
造を有するFe を主成分とする多結晶酸化物材料、例
えばFe8o、または(00,Fe)804から成る。
−例として、(co、Fe)B’% (コバルト7エラ
イトンタイブの林料、特に0oFe、O,の組成のもの
Qこついて以下に説明する。この多結晶林料は十分大き
な表面上に、例えばスプレー処理により設けて十分大き
な垂直磁気異方性を有する層が得られている。この点は
例えば単結晶ガーネット材料と異なる点である。更に、
これら層の光源波長(780〜87 U nm )に対
する吸収係数は書込処理と読出処理の双方に関し極めて
好適である。
イトンタイブの林料、特に0oFe、O,の組成のもの
Qこついて以下に説明する。この多結晶林料は十分大き
な表面上に、例えばスプレー処理により設けて十分大き
な垂直磁気異方性を有する層が得られている。この点は
例えば単結晶ガーネット材料と異なる点である。更に、
これら層の光源波長(780〜87 U nm )に対
する吸収係数は書込処理と読出処理の双方に関し極めて
好適である。
層16の厚さd□は使用するレーザ光源8の波長および
層1Bの材料の吸収係数に関連させて界面16/15で
反射されたビーム19aおよび金属反射層18で反射さ
れて戻るビーム20,21゜22等から有用な磁気光学
効果が得られるようにする。層16における吸収、層1
8の反射率≠1および界面15716の反射の結果とし
て復帰光ビームの強度は徐々に小さくなる。使用波長に
対し透明な誘電体層17を層16および18間に介挿し
、その厚さd2は層16の厚さd□と相まつて最適な磁
気光学回転が得られるように選択する。
層1Bの材料の吸収係数に関連させて界面16/15で
反射されたビーム19aおよび金属反射層18で反射さ
れて戻るビーム20,21゜22等から有用な磁気光学
効果が得られるようにする。層16における吸収、層1
8の反射率≠1および界面15716の反射の結果とし
て復帰光ビームの強度は徐々に小さくなる。使用波長に
対し透明な誘電体層17を層16および18間に介挿し
、その厚さd2は層16の厚さd□と相まつて最適な磁
気光学回転が得られるように選択する。
これをどのように選択するかについては後【こ説明する
。
。
第2a図の構成では、光は基板15を経て磁気光学活性
層16上に入射する。しかし、第2b図に示すように、
光が磁気光学活性層16上に直接入射するように構成す
ることもできる。この場合には反射層18は基板15と
磁気光学活性層16との間に設ける。
層16上に入射する。しかし、第2b図に示すように、
光が磁気光学活性層16上に直接入射するように構成す
ることもできる。この場合には反射層18は基板15と
磁気光学活性層16との間に設ける。
第3図中の差し込み図に示すような層構造を有する記録
素子において、中間層17がない(d。
素子において、中間層17がない(d。
−〇ン場合には磁気光学活性0oFe20.層16の光
学厚さn 1 d□の閃数としてのカー回転2θには強
いピ〜りを持った変化を示し、ビータを生ずる層厚値は
使用する光の波長に依存する。第3図に示すグラフは波
長λ−7801mを有する光を使用した場合の状態を示
す。このカー回転のピーク変化は層16に“おいて弱め
合う干渉が生ずるが否がと関係がある。弱め合う干渉が
0.57μmのnld工の値で発生し、光ビームが単に
2倍になるのではないことは後者の場合には回転が7ア
ラデ一回転(0,57μmの層厚に対し1.6°)の2
倍以上になり得ないことから明らかである。しかし、弱
め合う干渉の結果として8.5°の回転2θkが測定さ
れる。
学厚さn 1 d□の閃数としてのカー回転2θには強
いピ〜りを持った変化を示し、ビータを生ずる層厚値は
使用する光の波長に依存する。第3図に示すグラフは波
長λ−7801mを有する光を使用した場合の状態を示
す。このカー回転のピーク変化は層16に“おいて弱め
合う干渉が生ずるが否がと関係がある。弱め合う干渉が
0.57μmのnld工の値で発生し、光ビームが単に
2倍になるのではないことは後者の場合には回転が7ア
ラデ一回転(0,57μmの層厚に対し1.6°)の2
倍以上になり得ないことから明らかである。しかし、弱
め合う干渉の結果として8.5°の回転2θkが測定さ
れる。
n1dニー0.96μmにおいて極値2θに一8°が発
生する。これらの回転の最大値においては反射率が最小
値になり、n1d、 −o −57において反射率Rは
20% 、n1d□−〇。96μmにおいて反射率Rは
6%である(第4図)。
生する。これらの回転の最大値においては反射率が最小
値になり、n1d、 −o −57において反射率Rは
20% 、n1d□−〇。96μmにおいて反射率Rは
6%である(第4図)。
ここで他の理由のために層16をカー回転の最大値が発
生する厚さにできない場合には、回転値は著しく低下す
る。この場合にはこの低下を本発明に従って誘電体材料
層17を磁気光学活性層IBとy耐層18との間に介挿
することによって大きく制限することができる。所望の
結果を達成するためには斯る中間層17の光学厚ざn、
(12を層16の光学厚きn 1 d lに対し精密に
調整する必要がある。これを第4図を参照して説明する
。この図は、光学厚g n1di ”” U −89p
mを有する0OFe204の層16から出発して、0か
ら0.6μmまで変化するyC学厚さn2d2を有する
誘電体層17を介挿するとカー回転2θkがどのように
変化するかを示すものである。反射率Rの変化および性
能指数(2θk) Rも示しである。この図から、n2
d2の好適値は例えば0.19であることが導き出せる
。(2θk)2Rはn2d2−0.19μmを中心に減
少するが、例えば50%までは装置に有用であってR2
dBの値は0.19μmを中心とするかなり広い範囲に
亘って有用である。
生する厚さにできない場合には、回転値は著しく低下す
る。この場合にはこの低下を本発明に従って誘電体材料
層17を磁気光学活性層IBとy耐層18との間に介挿
することによって大きく制限することができる。所望の
結果を達成するためには斯る中間層17の光学厚ざn、
(12を層16の光学厚きn 1 d lに対し精密に
調整する必要がある。これを第4図を参照して説明する
。この図は、光学厚g n1di ”” U −89p
mを有する0OFe204の層16から出発して、0か
ら0.6μmまで変化するyC学厚さn2d2を有する
誘電体層17を介挿するとカー回転2θkがどのように
変化するかを示すものである。反射率Rの変化および性
能指数(2θk) Rも示しである。この図から、n2
d2の好適値は例えば0.19であることが導き出せる
。(2θk)2Rはn2d2−0.19μmを中心に減
少するが、例えば50%までは装置に有用であってR2
dBの値は0.19μmを中心とするかなり広い範囲に
亘って有用である。
誘電体中間層17の最適な光学厚さはOoFe 20゜
の磁気光学活性層16の0から0.78μmまで変化す
る光学厚さn1dよに対しては第5図のグラフに示す実
線を参照して決めることができる。各線に斜線区域を示
しである。この斜線区域はカー回転の50%減を許容し
得る場合に対する有用なn 2 d 2の値範囲を示す
。
の磁気光学活性層16の0から0.78μmまで変化す
る光学厚さn1dよに対しては第5図のグラフに示す実
線を参照して決めることができる。各線に斜線区域を示
しである。この斜線区域はカー回転の50%減を許容し
得る場合に対する有用なn 2 d 2の値範囲を示す
。
第6図は第2a図の層構造の記録素子において(3oF
e 204の磁気光学活性層16の光学厚さn1azの
関数として上述したように最適化したカー回転2θk(
01)t)を示すものである。第8図に示す状態からの
差は一目瞭然である。
e 204の磁気光学活性層16の光学厚さn1azの
関数として上述したように最適化したカー回転2θk(
01)t)を示すものである。第8図に示す状態からの
差は一目瞭然である。
第2a図に示す層構造の記録素子においては、層16上
に誘電体中間層17を液相(例えば希釈したホトラッカ
ー)からスピニング方法により設けて平滑な表面を得、
その上に反射層18を設は得るようにするのが極めて有
利である。この誘電体中間層の表面を平滑にすればする
ほど雑音が少なくなる。このようにすると20 dBの
改善を実現し得ることが確かめられた。層17をスピニ
ング方法により設けることとは関係なく、層17の材料
は層16の材料の屈折率とできるだけ一致する屈折率を
有するのが望ましい。
に誘電体中間層17を液相(例えば希釈したホトラッカ
ー)からスピニング方法により設けて平滑な表面を得、
その上に反射層18を設は得るようにするのが極めて有
利である。この誘電体中間層の表面を平滑にすればする
ほど雑音が少なくなる。このようにすると20 dBの
改善を実現し得ることが確かめられた。層17をスピニ
ング方法により設けることとは関係なく、層17の材料
は層16の材料の屈折率とできるだけ一致する屈折率を
有するのが望ましい。
必至一応じ(Oo、Fe)80.のFe 8+イオンを
例えばA”Hr−+Q+およびcr8+と置換してキュ
リ一温度を下げる二とができる。しかし、キュリ一温度
が低下すると、室温での磁化および従って回転も低下す
る。これが望ましくない場合には、上述の置換の代りに
(a011+ +X )の置換を行なうことができる(
ここでXは4価の金属イオン(例えばTi” 、Sn”
、Ir” 、V” )である。この場合にも室温での
磁化が低下するが、その悪影響は抑制されて回転が僅か
に増大する0 例えばC0Fe2O,の金属イオンの置換の他の効果は
屈折率nが変化することである。例えば、nが小さくな
ると、カー回転の同一の最適値を維持するのに一層厚い
磁気光学活性層が必要になる。例えば一層大きな熱エネ
ルギーがビットの書込みに必要とされるために厚い層が
望ましくない場合には、本発明によれば誘電体中間層の
厚さを適当Gこ選択することによりカー回転の低下を抑
制することができる。
例えばA”Hr−+Q+およびcr8+と置換してキュ
リ一温度を下げる二とができる。しかし、キュリ一温度
が低下すると、室温での磁化および従って回転も低下す
る。これが望ましくない場合には、上述の置換の代りに
(a011+ +X )の置換を行なうことができる(
ここでXは4価の金属イオン(例えばTi” 、Sn”
、Ir” 、V” )である。この場合にも室温での
磁化が低下するが、その悪影響は抑制されて回転が僅か
に増大する0 例えばC0Fe2O,の金属イオンの置換の他の効果は
屈折率nが変化することである。例えば、nが小さくな
ると、カー回転の同一の最適値を維持するのに一層厚い
磁気光学活性層が必要になる。例えば一層大きな熱エネ
ルギーがビットの書込みに必要とされるために厚い層が
望ましくない場合には、本発明によれば誘電体中間層の
厚さを適当Gこ選択することによりカー回転の低下を抑
制することができる。
第1図は熱−磁気−光記録装置を示す線図、第2aおよ
び2b図は本発明熱−磁気−光記録装置の記録素子の断
面図、 第3図は同図中に示ず層構造の記録素子の780nmの
波長の光に対するカー回転角θkをその磁気光学活性層
の光学厚さnl a□の関数として示すグラフ、 第4図は第2図に示す層構造の記録素子の反射係数R1
カー回転角θにおよび性能指1(20k)Rをその誘電
体層の光学厚さの関数として示すグラ1 第5図は第2図に示す層構造の記録素子の誘電体層の最
適光学厚さn、d、を関連する磁気光学活性層の光学厚
さn xd工の関数として示すグラフ、第6図は第8図
中に示す層構造の記録素子の最適カー回転角2θkをそ
の磁気光学活性層の光学厚さn 1d□の関数として示
す図である。 1・・・記録素子 2・・・回転軸 8・・・レーザjl 516・・・レンズ7・・・偏光
子 8,10・・・半透鏡9・・・集束制御用検出装置 11・・・検光子 12・・・レンズ 18・・・光電検出器 14・・・コイル15・・・基
板 16・・・磁気光学活性層17・・・誘電体中間層
18・・・反射層。
び2b図は本発明熱−磁気−光記録装置の記録素子の断
面図、 第3図は同図中に示ず層構造の記録素子の780nmの
波長の光に対するカー回転角θkをその磁気光学活性層
の光学厚さnl a□の関数として示すグラフ、 第4図は第2図に示す層構造の記録素子の反射係数R1
カー回転角θにおよび性能指1(20k)Rをその誘電
体層の光学厚さの関数として示すグラ1 第5図は第2図に示す層構造の記録素子の誘電体層の最
適光学厚さn、d、を関連する磁気光学活性層の光学厚
さn xd工の関数として示すグラフ、第6図は第8図
中に示す層構造の記録素子の最適カー回転角2θkをそ
の磁気光学活性層の光学厚さn 1d□の関数として示
す図である。 1・・・記録素子 2・・・回転軸 8・・・レーザjl 516・・・レンズ7・・・偏光
子 8,10・・・半透鏡9・・・集束制御用検出装置 11・・・検光子 12・・・レンズ 18・・・光電検出器 14・・・コイル15・・・基
板 16・・・磁気光学活性層17・・・誘電体中間層
18・・・反射層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 磁気光学活性層を担持する基板を有する記録素子と
、レーザ光源と、該レーザ光源の光を前記記録素子の選
択個所に集束する装置とを具え、前記磁気光学活性層は
前記レーザ光源と該レーザ光源からの光を反射する層と
の間に配置され、前記磁気光学活性層を経て戻る光路内
に偏光光学系と光電検出器を含む磁気光学検出装置を具
える熱−磁気−光記録装置において、前記磁気光学活性
層はスピネル構造を有するFe を主成分とする材料の
厚さd□の多結晶酸化物層とし、且つ前記レーザ光源の
光に対し透明な厚さd2の透電体材料の層を前記磁気光
学活性層と前記反射層との間に介挿し、前記厚さdoお
よびd2は前記磁気光学活性層の表面から戻ってくるレ
ーザ光源の平面偏光と前記磁気光学活性層および前記誘
電体層を少くとも2度横切って前記反射層から戻ってく
る光との間に弱め合う干渉が生ずるように選択し、厚さ
doは前記誘電体層がない場合に斯る弱め合う干渉を発
生するGこは小さすぎる値に選択したことを特徴とする
熱−磁気−光記録装置。 a 特許請求の範囲1記載の記録装置において、前記誘
電体材料の層は液相からスピニングにより設けられたも
のであることを特徴とする熱−磁気−光記録装置。 & 特許請求の範囲2記載の記録装置において、前記誘
電体材料はフォトラッカーまたは重合合成樹脂であるこ
とを特徴とする熱−磁気−光記録装置。 生 特許請求の範囲1記載の記録装置において、前記誘
電体材料の層は400〜900 nmの波長範囲内の選
択波長において前記磁気光学活性材料の屈折率と15%
以上相違しない屈折率を有することを特徴とする熱−磁
気−光記録装置。 丘 特許請求の範FHJl−4の何れかに記録記載? 装置において、前記スピネル構造を有するFe を主成
分とする酸化物材料はコバルトフェライトである仁とを
特徴とする熱−磁気−光記録装置。 α 特許請求の範囲1〜5の何れかに記載の記録装置に
おいて、前記レーザ光源は730〜870 nmの波長
範囲内の波長を有する光を発生することを特徴とする熱
−磁気−光記録装置f 。 7、 特許請求の範囲1〜6の何れかに記載の記録装置
において、前記基板は回転ディスクであるこ七を特徴と
する熱−磁気−光記録装置。 8 特許請求の範囲1〜7の何れかに記載の記録装置?
′0こ用いる記録素子。 9 特許請求の範囲日記載の記録素子において、スピネ
ル構造を有するFe を主成分とする0、025〜8μ
mの光学厚さの多結晶酸化物材料から成る磁気光学活性
層と、第5図のグラフに示すように前記磁気光学活性層
の厚さに適合する光学厚さを有する誘電体材料の層とを
具えることを特徴とする記録素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8301916 | 1983-05-31 | ||
NL8301916A NL8301916A (nl) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Thermo-magneto-optische registratie-inrichting en registratie-element daarvoor. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS601637A true JPS601637A (ja) | 1985-01-07 |
Family
ID=19841928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10870084A Pending JPS601637A (ja) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | 熱−磁気−光記録装置および該装置用の記録素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0127243A1 (ja) |
JP (1) | JPS601637A (ja) |
NL (1) | NL8301916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63206935A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | アメリカン テレフォン アンド テレグラム カムパニー | 磁気光学記憶装置 |
Families Citing this family (11)
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---|---|---|---|---|
GB2184618A (en) * | 1985-12-11 | 1987-06-24 | Canon Kk | Magneto-optical memory medium |
DE3642225A1 (de) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Kk | Magnetooptisches speichermaterial |
JPS62183042A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Toshiba Corp | 情報記録再生方法 |
JPH0727606B2 (ja) * | 1986-12-11 | 1995-03-29 | ソニー株式会社 | 記録型光デイスクに対する磁界印加装置 |
IT1218657B (it) * | 1987-05-21 | 1990-04-19 | Olivetti & Co Spa | Dispositivo di lettura di un supporto di registrazione di dati per effetto magneto-ottico su un raggio laser |
US4965780A (en) * | 1987-08-12 | 1990-10-23 | Digital Equipment Corporation | Magneto-optical data recording device using a wavelength and polarization-sensitive splitter |
US5573847A (en) * | 1990-09-14 | 1996-11-12 | Komag, Inc. | Magneto-optic disk exhibiting a phase shift between plus and minus twelve degrees and a reflectivity between fifteen and twenty-five percent |
JP6475326B2 (ja) | 2014-09-24 | 2019-02-27 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 一体的な生物反応器を含む渦巻き状濾過アセンブリ |
ES2743899T3 (es) | 2015-04-16 | 2020-02-21 | Dow Global Technologies Llc | Conjunto de filtración que incluye biorreactores enrollados en espiral y módulos de membrana colocados en recipientes de presión separados |
CN107531526B (zh) | 2015-04-16 | 2021-04-06 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 包含螺旋卷绕生物反应器和超滤膜模块的过滤总成 |
JP2019510623A (ja) | 2016-03-23 | 2019-04-18 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | バイオリアクターアセンブリ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA805652A (en) * | 1969-02-04 | D. Westwood William | Preparation of polycrystalline and single crystal films of ferrite spinels | |
US3859129A (en) * | 1972-05-26 | 1975-01-07 | Corning Glass Works | Method of improving the magnetic properties of cobalt substituted magnetite |
US3928870A (en) * | 1973-12-14 | 1975-12-23 | Eastman Kodak Co | Magneto-optical processes and elements using tetrahedrally coordinated divalent cobalt-containing magnetic material |
NL7708959A (nl) * | 1977-08-15 | 1979-02-19 | Philips Nv | Werkwijze voor het vormen van een magneto-op- tische polykristallijne cobalt ferriet laag en cobalt ferriet laag vervaardigd volgens de werkwijze. |
GB2083677B (en) * | 1980-07-16 | 1985-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetooptical recording medium and a magnetooptical recording-and reeproducing device |
-
1983
- 1983-05-31 NL NL8301916A patent/NL8301916A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-05-25 EP EP84200763A patent/EP0127243A1/en not_active Ceased
- 1984-05-30 JP JP10870084A patent/JPS601637A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63206935A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | アメリカン テレフォン アンド テレグラム カムパニー | 磁気光学記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8301916A (nl) | 1984-12-17 |
EP0127243A1 (en) | 1984-12-05 |
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