JPS60158983A - 溶接継手品質を向上させる溶接方法 - Google Patents
溶接継手品質を向上させる溶接方法Info
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- JPS60158983A JPS60158983A JP1348084A JP1348084A JPS60158983A JP S60158983 A JPS60158983 A JP S60158983A JP 1348084 A JP1348084 A JP 1348084A JP 1348084 A JP1348084 A JP 1348084A JP S60158983 A JPS60158983 A JP S60158983A
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- Japan
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- arc
- wire
- welding
- molten pool
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/16—Arc welding or cutting making use of shielding gas
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は溶接継手品質を向上させる溶接方法に係り、
特に溶接金属の結晶粒を微細化しかつ溶接能率を向上さ
せるＴＩＧ溶接方法に関する。
特に溶接金属の結晶粒を微細化しかつ溶接能率を向上さ
せるＴＩＧ溶接方法に関する。
金属の治金的接合方法を溶接と総称するが、これを母材
側から見れば、母材をモールドとする鋳造であると言う
こともできる。鋳造の場合と異なる点は、第１図に示す
ように、溶接金属が母材１の溶接熱影響部（以下、「母
材ＨＡＺ」と記す。）の結晶粒２と一体となって成長す
ることである。
側から見れば、母材をモールドとする鋳造であると言う
こともできる。鋳造の場合と異なる点は、第１図に示す
ように、溶接金属が母材１の溶接熱影響部（以下、「母
材ＨＡＺ」と記す。）の結晶粒２と一体となって成長す
ることである。
しかも、溶接金属の結晶３の成長方向と溶融池の最大温
度勾配が一致するとその方向に選択的な結晶粒の成長現
象が生ずるため、溶接金属の結晶粒は母材よりも大きく
なる。
度勾配が一致するとその方向に選択的な結晶粒の成長現
象が生ずるため、溶接金属の結晶粒は母材よりも大きく
なる。
結晶粒が大きくなると粒界面積が減少するため、金属材
料中に含まれている不純物元素あるいは合金元素の一部
の粒界における濃度が高くなる。このため、溶解度が低
く、粒界偏析が顕著なオーステナイト系の高合金材料に
おいては、第２図に示すように溶接金属の粒界に凝固割
れが発生しやすいことが知られている。ちなみに図示の
ものは材質がインコロイ８００で、被覆アーク溶接を行
った状態を示す。また、クリープ現象によっても、第３
図に示したように、溶接金属の粒界にき裂が発生しやす
くなり、低延性で破断に致る場合もある。
料中に含まれている不純物元素あるいは合金元素の一部
の粒界における濃度が高くなる。このため、溶解度が低
く、粒界偏析が顕著なオーステナイト系の高合金材料に
おいては、第２図に示すように溶接金属の粒界に凝固割
れが発生しやすいことが知られている。ちなみに図示の
ものは材質がインコロイ８００で、被覆アーク溶接を行
った状態を示す。また、クリープ現象によっても、第３
図に示したように、溶接金属の粒界にき裂が発生しやす
くなり、低延性で破断に致る場合もある。
同図に示す材料はＳＵＳ３４７Ｈであり、溶接法は被覆
アーク溶接、試験条件は７００℃の温度下において１０
ｋｇ／ｍｍ２の応力を加えたものである。更に、フェラ
イト系の炭素鋼や低合金鋼の溶接金属においては、衝撃
値が結晶粒の大小に影譬されるのも衆知の事実である。
アーク溶接、試験条件は７００℃の温度下において１０
ｋｇ／ｍｍ２の応力を加えたものである。更に、フェラ
イト系の炭素鋼や低合金鋼の溶接金属においては、衝撃
値が結晶粒の大小に影譬されるのも衆知の事実である。
このように溶接金属の結晶粒が大きくなると溶接継手の
品質が劣化するため、溶接金属の結晶粒微細化に関する
研究が各方面で行なわれており、種々の対策が提案され
ているが、その対策は以下の二つに大別できる。
品質が劣化するため、溶接金属の結晶粒微細化に関する
研究が各方面で行なわれており、種々の対策が提案され
ているが、その対策は以下の二つに大別できる。
１）溶融池の攪拌
２）入熱量の抑制
以下、これらの方法について概説する。まず、１）の方
法は溶接電流をパルス状に変動させ、アーク気柱（ａｒ
ｃ ｃｏｌｕｍｎ）の振動による機械的な攪拌と、励磁
コイルにより交番磁界を発生させる磁気攪拌に分類でき
る。しかし、パルスアークによる載板的攪拌では、Ａｌ
合金などに対しては効果があるが、オーステナイト鋼な
どにおいては溶接金属の結晶粒微細化に対する効果は小
さい。また、磁気的攪拌では、３０〜５０ｍｍの大きさ
の励磁コイルが必要であり、開先が深く、溶接個所が母
材表面から離れる厚板の溶接には使用できないと言う問
題点がある。更に、２）の入熱量の抑制は溶接金属の結
晶粒成長の抑制と同時に、母材ＨＡＺの冷却速度も速く
なるため、溶接金属が成長をはじめる母材ＨＡＺの結晶
粒の成長をも抑制することができて効果的である。一般
にＴＩＧ溶接法が最も低入熱の溶接法であるため、結晶
粒の粗大化を是非とも防止する必要がある場合には、本
溶接法が採用されている。
法は溶接電流をパルス状に変動させ、アーク気柱（ａｒ
ｃ ｃｏｌｕｍｎ）の振動による機械的な攪拌と、励磁
コイルにより交番磁界を発生させる磁気攪拌に分類でき
る。しかし、パルスアークによる載板的攪拌では、Ａｌ
合金などに対しては効果があるが、オーステナイト鋼な
どにおいては溶接金属の結晶粒微細化に対する効果は小
さい。また、磁気的攪拌では、３０〜５０ｍｍの大きさ
の励磁コイルが必要であり、開先が深く、溶接個所が母
材表面から離れる厚板の溶接には使用できないと言う問
題点がある。更に、２）の入熱量の抑制は溶接金属の結
晶粒成長の抑制と同時に、母材ＨＡＺの冷却速度も速く
なるため、溶接金属が成長をはじめる母材ＨＡＺの結晶
粒の成長をも抑制することができて効果的である。一般
にＴＩＧ溶接法が最も低入熱の溶接法であるため、結晶
粒の粗大化を是非とも防止する必要がある場合には、本
溶接法が採用されている。
しかしながら、小入熱のＴＩＧ溶接法では溶着量が少な
く、溶接能率が他溶接法に比べて劣ると言う欠点がある
。このため、フイラワイヤに通電し、抵抗加熱によって
ワイヤの温度をあらかじめ高くして溶着量を増大させる
ホットワイヤＴＩＧ溶接法が開発されているが、入熱量
が増すために、他の溶接方法と同様に溶接金属の結晶粒
が粗大化するという問題点がある。
く、溶接能率が他溶接法に比べて劣ると言う欠点がある
。このため、フイラワイヤに通電し、抵抗加熱によって
ワイヤの温度をあらかじめ高くして溶着量を増大させる
ホットワイヤＴＩＧ溶接法が開発されているが、入熱量
が増すために、他の溶接方法と同様に溶接金属の結晶粒
が粗大化するという問題点がある。
以上の様に、溶接金属の結晶粒の粗大化を完全に防止す
ることは困難であるため、結晶母材よりもグレードが高
い溶接材料を使用して溶接金属の品質を保証するという
対策が採用されているのが現状である。
ることは困難であるため、結晶母材よりもグレードが高
い溶接材料を使用して溶接金属の品質を保証するという
対策が採用されているのが現状である。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、溶
着量をホットワイヤＴＩＧ溶接法の場合よりも低下させ
ることなく、溶接金属の結晶粒を微細化できる溶接法を
提供することにある。
着量をホットワイヤＴＩＧ溶接法の場合よりも低下させ
ることなく、溶接金属の結晶粒を微細化できる溶接法を
提供することにある。
要するに本発明は、ホットワイヤＴＩＧ溶接法において
、ＴＩＧ電流のパルス化による機械的攪拌と、ＴＩＧ電
流とワイヤ電流との相互作用による磁気攪拌とを組み合
せて溶融池に作用させることを基本としたものである。
、ＴＩＧ電流のパルス化による機械的攪拌と、ＴＩＧ電
流とワイヤ電流との相互作用による磁気攪拌とを組み合
せて溶融池に作用させることを基本としたものである。
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
第４図はこの発明に係る方法を実施するためのホットワ
イヤＴＩＧ溶接装置の概要を示す図である。図中アーク
用電源４のマイナス側出力はアーク電流制御用トランジ
スタ５を経由してタングステン電極６に接続され、母材
１との間でＴＩＧアーク７を形成する。一方、ワイヤ用
電源８のマイナス側出力はワイヤ制御用トランジスタ９
を経由してコンタクトチップ１０に接続され、アーク７
によって形成された溶融池と接触しているフィンワイヤ
１１を抵抗加熱する。なお図中矢印は溶接方向を示す。
イヤＴＩＧ溶接装置の概要を示す図である。図中アーク
用電源４のマイナス側出力はアーク電流制御用トランジ
スタ５を経由してタングステン電極６に接続され、母材
１との間でＴＩＧアーク７を形成する。一方、ワイヤ用
電源８のマイナス側出力はワイヤ制御用トランジスタ９
を経由してコンタクトチップ１０に接続され、アーク７
によって形成された溶融池と接触しているフィンワイヤ
１１を抵抗加熱する。なお図中矢印は溶接方向を示す。
第５図は第４図に示した構成を用いて溶接するときのア
ーク電流及びワイヤ電流の波形を例示した説明図である
。アーク電流は、高電流となるピーク電流Ｉｐ（期間ａ
）と低電流となるベース電流Ｉｓ（期間ｂ）となるよう
にアーク電流制御用トランジスタ５により高速で切替え
られて形成きれる。一方、それと同期してワイヤ電流制
御用トランジスタ９によりワイヤ電流はＩｗの通電期間
ｂと非通電期間ａになるように切替えて形成される。
ーク電流及びワイヤ電流の波形を例示した説明図である
。アーク電流は、高電流となるピーク電流Ｉｐ（期間ａ
）と低電流となるベース電流Ｉｓ（期間ｂ）となるよう
にアーク電流制御用トランジスタ５により高速で切替え
られて形成きれる。一方、それと同期してワイヤ電流制
御用トランジスタ９によりワイヤ電流はＩｗの通電期間
ｂと非通電期間ａになるように切替えて形成される。
以上の様な溶接装置により、アーク電流の切替え周波数
、ピーク電流の通電比、ワイヤ電流の極性、フィラワイ
ヤの添加位置と溶接性の検討を行なった結果、溶着量が
２０ｇ／ｍｉｎ以上の条件においても溶接金属の結晶粒
が微細化する特異な現象のあることが判明した。これは
、アーク電流がピーク電流Ｉｐとベース電流ＩＢに切替
るためにアーク気柱は振動し、これが溶融池を機械的に
攪拌するためである。
、ピーク電流の通電比、ワイヤ電流の極性、フィラワイ
ヤの添加位置と溶接性の検討を行なった結果、溶着量が
２０ｇ／ｍｉｎ以上の条件においても溶接金属の結晶粒
が微細化する特異な現象のあることが判明した。これは
、アーク電流がピーク電流Ｉｐとベース電流ＩＢに切替
るためにアーク気柱は振動し、これが溶融池を機械的に
攪拌するためである。
更に第５図の期間ｂではワイヤ電流が通電されている溶
融池がアークのベース電流Ｉｓの磁界によって流動を開
始する。一方、期間ａではワイヤ電流は通電していない
ため磁界による溶融池の流動は止まり、あたかも交番磁
界によって溶融池が攪拌されているのと同様の現象が生
じているものと考えられる。これは溶融池の直接観察に
よって溶融池表面に十分の数ミリの大ききのさざなみ状
の起伏が特定条件によってみられたことからも裏付ける
ことができる。このように溶融池が攪拌されると結晶の
芽が多く形成され、従って多くの結晶が同時に成長する
ために、結晶粒が微細化されるものと推定される。当然
のことながら、ワイヤ電流Ｉｗはアークのベース電流Ｉ
Ｂ時のみに通電するために、ワイヤ電流によるアーク７
の偏向（磁気吹き）による作業性の低下は実用上問題に
ならず、２０ＯＡ程度のワイヤ電流を流すことができ、
溶着量は通常のホットワイヤの場合と同等以上とするこ
とができる。
融池がアークのベース電流Ｉｓの磁界によって流動を開
始する。一方、期間ａではワイヤ電流は通電していない
ため磁界による溶融池の流動は止まり、あたかも交番磁
界によって溶融池が攪拌されているのと同様の現象が生
じているものと考えられる。これは溶融池の直接観察に
よって溶融池表面に十分の数ミリの大ききのさざなみ状
の起伏が特定条件によってみられたことからも裏付ける
ことができる。このように溶融池が攪拌されると結晶の
芽が多く形成され、従って多くの結晶が同時に成長する
ために、結晶粒が微細化されるものと推定される。当然
のことながら、ワイヤ電流Ｉｗはアークのベース電流Ｉ
Ｂ時のみに通電するために、ワイヤ電流によるアーク７
の偏向（磁気吹き）による作業性の低下は実用上問題に
ならず、２０ＯＡ程度のワイヤ電流を流すことができ、
溶着量は通常のホットワイヤの場合と同等以上とするこ
とができる。
次に第１表に本発明による結晶粒の微細化効果をインコ
ネル６００（ワイヤ径１．２ｍｍ）を用いて確認した溶
接条件の一例を従来法と比較して示す。
ネル６００（ワイヤ径１．２ｍｍ）を用いて確認した溶
接条件の一例を従来法と比較して示す。
アーク電流の切替え周波数は６０Ｈｚ、ピーク電流の通
電比は７０％とし、フィンワイヤの供給位置は溶接方向
に対してタングステン電極の後方としている。
電比は７０％とし、フィンワイヤの供給位置は溶接方向
に対してタングステン電極の後方としている。
第６図は第１表による溶接条件で溶接した溶接金属の凝
固組織〔第６図（Ａ）〕を従来法〔同（Ｂ））〕と比較
して示す。従来法による溶接金属はデンドライトが約３
ｍｍの長さにまで大きく成長しているのに対し、本発明
による方法では結晶粒が０．５ｍｍ程度にまで微細化さ
れていることがわかる。
固組織〔第６図（Ａ）〕を従来法〔同（Ｂ））〕と比較
して示す。従来法による溶接金属はデンドライトが約３
ｍｍの長さにまで大きく成長しているのに対し、本発明
による方法では結晶粒が０．５ｍｍ程度にまで微細化さ
れていることがわかる。
このような溶接金属の結晶粒の微細化は以下の条件で顕
著であることが明らかになった。
著であることが明らかになった。
先ず最大の影響因子はアーク電流の切替え周波数である
。第７図にインコネル溶接金属のデンドライト平均長さ
とアーク電流切替え周波数の関係を示す。なお溶接条件
はアーク電流のピーク電流Ｉｐが２６ＯＡ（通電比７０
％）、同ベース電流ＩＢが５ＯＡ、ワイヤ電流は／６０
Ａ、フィラワイヤは１．２ｍｍ径のインコネルとした。
。第７図にインコネル溶接金属のデンドライト平均長さ
とアーク電流切替え周波数の関係を示す。なお溶接条件
はアーク電流のピーク電流Ｉｐが２６ＯＡ（通電比７０
％）、同ベース電流ＩＢが５ＯＡ、ワイヤ電流は／６０
Ａ、フィラワイヤは１．２ｍｍ径のインコネルとした。
以上の条件において、周波数が５Ｈｚ以上になれば結晶
粒微細化の効果があるが、１００Ｈｚ以上ではその効果
が逆に減少する傾向が認められた。以上の結果から、切
替え周波数は５〜１００Ｈｚの範囲に限定する必要があ
り、望ましくは５０〜７０Ｈｚが最適である。この条件
においては特に前記した溶融池表面でのささなみ現象が
顕著であることも確認できた。
粒微細化の効果があるが、１００Ｈｚ以上ではその効果
が逆に減少する傾向が認められた。以上の結果から、切
替え周波数は５〜１００Ｈｚの範囲に限定する必要があ
り、望ましくは５０〜７０Ｈｚが最適である。この条件
においては特に前記した溶融池表面でのささなみ現象が
顕著であることも確認できた。
次にアーク電流のピーク電流通電比が５０％以下になる
とアークによる母材の溶融が減少し、溶接金属のオーバ
ラップが生ずる等の作業性の問題が発生する。まだ７０
％以上にするとワイヤ電流の通電期間が短かくなりベー
ス電流とワイヤ電流との相互作用による溶融池の磁気攪
拌効果が小さくなり結晶粒の微測化効果は減少する。更
にフィラワイヤの抵抗加熱を十分に行なうためにもワイ
ヤ電流の通電比を３０％以上、すなわちピーク電流の通
電比を７０％以下にする必要がある。
とアークによる母材の溶融が減少し、溶接金属のオーバ
ラップが生ずる等の作業性の問題が発生する。まだ７０
％以上にするとワイヤ電流の通電期間が短かくなりベー
ス電流とワイヤ電流との相互作用による溶融池の磁気攪
拌効果が小さくなり結晶粒の微測化効果は減少する。更
にフィラワイヤの抵抗加熱を十分に行なうためにもワイ
ヤ電流の通電比を３０％以上、すなわちピーク電流の通
電比を７０％以下にする必要がある。
また形成される溶融池が溶接方向に対してタングステン
電極の後方に位置することから、アーク電流とワイヤ電
流との相互作用によって効果的に攪拌するためには、フ
ィラワイヤの供給位置は溶接方向に対してタングステン
電極の後方とする。
電極の後方に位置することから、アーク電流とワイヤ電
流との相互作用によって効果的に攪拌するためには、フ
ィラワイヤの供給位置は溶接方向に対してタングステン
電極の後方とする。
なおワイヤ電流の極性は、ワイヤ側がマイナスでもプラ
スでも溶接金属の結晶粒の微細化には差異はなかった。
スでも溶接金属の結晶粒の微細化には差異はなかった。
更にアーク電流、ワイヤ電流は所定の溶け込み深さや溶
着量によってほぼ自由に決定できるがベース電流ＩＢと
ワイヤ電流Ｉｗは、その相互作用による磁気攪拌を促進
するために望ましくはＩＢを５０Ａ以上、Ｉｗを１００
Ａ以上とする必要がある。
着量によってほぼ自由に決定できるがベース電流ＩＢと
ワイヤ電流Ｉｗは、その相互作用による磁気攪拌を促進
するために望ましくはＩＢを５０Ａ以上、Ｉｗを１００
Ａ以上とする必要がある。
第２表にＳＵＳ３２１Ｈ鋼管（５７φ×１２ｔ）を本発
明による方法で溶接した溶接条件を示す。フィラワイヤ
はＥＲ１６−８−２（１．２φ）を用いた。
明による方法で溶接した溶接条件を示す。フィラワイヤ
はＥＲ１６−８−２（１．２φ）を用いた。
以上の条件で行った溶接において、溶接部には何らの溶
接欠陥も発生しておらず、溶接金属のデンドライトの平
均長さは０．６ｍｍ程度で、従来のホットワイヤのＴＩ
Ｇの約１／３と結晶粒が微細化していた。
接欠陥も発生しておらず、溶接金属のデンドライトの平
均長さは０．６ｍｍ程度で、従来のホットワイヤのＴＩ
Ｇの約１／３と結晶粒が微細化していた。
第３表にＳＵＳ３１６Ｈ厚肉鋼管（５４６φ×１０６ｔ
）を本発明による方法で溶接した溶接条件を示す。
）を本発明による方法で溶接した溶接条件を示す。
フィラワイヤはＥＲ１６−８−２（１．２φ）を用いた
。
。
溶接結果は、上記したＳＵＳ３２１Ｈ鋼管の場合と同様
であり、厚板の溶接においても結晶粒の微細化が可能で
あることが確認できた。
であり、厚板の溶接においても結晶粒の微細化が可能で
あることが確認できた。
以上の説明から明らかなように、本発明による溶接方法
によれば２０ｇ／ｍｉｎ以上の溶着量が得られる高能率
なホットワイヤＴＩＧ溶接法においても、結晶粒の微細
な溶接金属を得ることができるようになり、溶接金属に
おける高温割れやクリープき裂が発生することがなく、
また衝撃特性も優れた高品質な溶接継手を得ることが可
能であり、大きな工業的利益をもたらすことができる。
によれば２０ｇ／ｍｉｎ以上の溶着量が得られる高能率
なホットワイヤＴＩＧ溶接法においても、結晶粒の微細
な溶接金属を得ることができるようになり、溶接金属に
おける高温割れやクリープき裂が発生することがなく、
また衝撃特性も優れた高品質な溶接継手を得ることが可
能であり、大きな工業的利益をもたらすことができる。
第１図は溶接金属の凝固形態を説明する溶接部の断面図
、第２図は溶接金属の凝固割れを示すミクロ組織写真、
第３図は溶接金属のクリープき裂を示すマクロ組織写真
、第４図は本発明になる溶接法を実施する溶接電源の説
明図、第５図は本発明になる溶接法を実施するために必
要な電流波形を示す説明図、第６図は溶接金属横断面の
マクロ組織写真であり同図（Ａ）はこの発明に係る方法
によるもの、同（Ｂ）は従来方法によるものを示し、第
７図は溶接金属の結晶粒微細化とアーク電流切替え周波
数の関係を示す線図である。 １・・・母材 ７・・・アーク １１・・・フィラワイヤ 第１図 第２図 、卒１、デｍ
、第２図は溶接金属の凝固割れを示すミクロ組織写真、
第３図は溶接金属のクリープき裂を示すマクロ組織写真
、第４図は本発明になる溶接法を実施する溶接電源の説
明図、第５図は本発明になる溶接法を実施するために必
要な電流波形を示す説明図、第６図は溶接金属横断面の
マクロ組織写真であり同図（Ａ）はこの発明に係る方法
によるもの、同（Ｂ）は従来方法によるものを示し、第
７図は溶接金属の結晶粒微細化とアーク電流切替え周波
数の関係を示す線図である。 １・・・母材 ７・・・アーク １１・・・フィラワイヤ 第１図 第２図 、卒１、デｍ
Claims (5)
- （１）アークによる溶融池に対し通電したフィラワイヤ
を供給する溶接方法において、アーク電流およびワイヤ
電流をパルス化し、溶融池に対してアーク電流のパルス
化による機械的攪拌力と、アーク電流とワイヤ電流のパ
ルス化による相互作用に基づく磁気攪拌力とを作用させ
ることにより溶接金属の結晶粒を微細化することを特徴
とする溶接継手品質を向上させる溶接方法。 - （２）アーク電流は高、低電流に切替える直流パルス電
流とし、ワイヤ電流も、アーク電流に同期してアーク電
流が低電流の時にのみ通電する直流パルス電流とし、ワ
イヤの供給位置を溶接方向に対して後方としたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の溶接継手品質を向
上させる溶接方法。 - （３）アーク電流を高、低電流へ切替える周期を５〜１
００Ｈｚとし、高電流の通電比を５０〜７０％としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
の溶接継手品質を向上させる溶接方法。 - （４）アーク電流の低電流を５０Ａ以上、ワイヤ電流を
１００Ａ以上としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいづれかに記載の溶接継手品質を向
上させる溶接方法。 - （５）溶融池の表面が数百ミクロンの大きさのさざ波状
に振動するように、アーク電流の切替え周波数、ピーク
電流の通電比、アークのベース電流及びワイヤ電流のう
ち少くとも一部を調整して溶接を行なうようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の溶接継手品質
を向上させる浴溶方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1348084A JPS60158983A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 溶接継手品質を向上させる溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1348084A JPS60158983A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 溶接継手品質を向上させる溶接方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158983A true JPS60158983A (ja) | 1985-08-20 |
| JPH0555230B2 JPH0555230B2 (ja) | 1993-08-16 |
Family
ID=11834280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1348084A Granted JPS60158983A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 溶接継手品質を向上させる溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60158983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012213801A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jfe Steel Corp | ガスシールドアーク溶接方法 |
| RU2759313C1 (ru) * | 2021-03-15 | 2021-11-11 | Общество с ограниченной ответственностью "ГАЗПРОМ ТРАНСГАЗ НИЖНИЙ НОВГОРОД" | Способ оценки качества сварного соединения металлической конструкции |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5581073A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-18 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | All position tig welding method |
| JPS56131071A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | All position tig welding method |
| JPS58138569A (ja) * | 1982-02-13 | 1983-08-17 | Babcock Hitachi Kk | ホットワイヤスイッチングｔｉｇ溶接方法 |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP1348084A patent/JPS60158983A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2012213801A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jfe Steel Corp | ガスシールドアーク溶接方法 |
| RU2759313C1 (ru) * | 2021-03-15 | 2021-11-11 | Общество с ограниченной ответственностью "ГАЗПРОМ ТРАНСГАЗ НИЖНИЙ НОВГОРОД" | Способ оценки качества сварного соединения металлической конструкции |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555230B2 (ja) | 1993-08-16 |
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