JPS60150631A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS60150631A JPS60150631A JP59006616A JP661684A JPS60150631A JP S60150631 A JPS60150631 A JP S60150631A JP 59006616 A JP59006616 A JP 59006616A JP 661684 A JP661684 A JP 661684A JP S60150631 A JPS60150631 A JP S60150631A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cells
- automatic
- pattern
- alignment
- cell
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はホトマスクに関し、特に半導体装置に於ける自
動でウェーハとアライメントする自動目金セパターンｔ
−Ｗするホトマスクに関する。
動でウェーハとアライメントする自動目金セパターンｔ
−Ｗするホトマスクに関する。
（従来技術）
近年、半導体素子は高密度化、高速化の要求に従って、
その中に含まれる素子の寸法はますます微細化の傾向？
強めている。それに応じて量産上パターンの重ね合せを
行なうアライメント技術。
その中に含まれる素子の寸法はますます微細化の傾向？
強めている。それに応じて量産上パターンの重ね合せを
行なうアライメント技術。
すなわち目合せ精度が重要となって＠ｍ０従来、パター
ンの嵐ね合せは作業者が顕微鏡を用いてマニュアルで目
合せ金行なっていたが、ンーザを用いた自動アライメン
ト装置が導入され。
ンの嵐ね合せは作業者が顕微鏡を用いてマニュアルで目
合せ金行なっていたが、ンーザを用いた自動アライメン
ト装置が導入され。
アライメントが行なわれる様にな−）た。
従来の自動目金せは、第１図（匈〜ｔＣａに示すような
工程により行なわれる。先ず第１図（ａｌに示すように
、ホトレジスト工程でウェーハ上にパターンｌＦ−焼き
つけ酸化膜の段差？形成する。
工程により行なわれる。先ず第１図（ａｌに示すように
、ホトレジスト工程でウェーハ上にパターンｌＦ−焼き
つけ酸化膜の段差？形成する。
次に、第１図（ｂＪに示す２′及び２″よりなるパター
／２のようなマスクを準備し、第１図ｔＣ］に示すよう
にウェーハの酸化膜の段差ｌにパターン２を有するマス
クｔｌね合わせる。
／２のようなマスクを準備し、第１図ｔＣ］に示すよう
にウェーハの酸化膜の段差ｌにパターン２を有するマス
クｔｌね合わせる。
次いで、矢印３のように、Ｖ−ザピームｌｒ、走査し、
パターンｓ、２／ 、２／／のエッヂからの回折光？光
学的に検出し、ウェーハとマスク間の相対ずれ量會算出
し、フィードバックｒかけアライメント２行なうもので
ある。
パターンｓ、２／ 、２／／のエッヂからの回折光？光
学的に検出し、ウェーハとマスク間の相対ずれ量會算出
し、フィードバックｒかけアライメント２行なうもので
ある。
パターンｌ及び２によってアライメントする部分音セル
と呼ひ１つのセルで１回の目合せ全行なうから、自動回
合せには、第２図に示すように、その製品の全工程分の
数のセル４が必要で、その全工程のセルｒ並べたものｒ
目動目金せパターンと呼んでいる。自動回合せパターン
５はマスクの２ケ所に挿入し、ウェーハとマスクの回転
ずれの防止、目合せ精度のウェーハ上での平均化を計っ
ている。
と呼ひ１つのセルで１回の目合せ全行なうから、自動回
合せには、第２図に示すように、その製品の全工程分の
数のセル４が必要で、その全工程のセルｒ並べたものｒ
目動目金せパターンと呼んでいる。自動回合せパターン
５はマスクの２ケ所に挿入し、ウェーハとマスクの回転
ずれの防止、目合せ精度のウェーハ上での平均化を計っ
ている。
第３図は従来の自動回合せパターンの一例の溝成図で、
マスクの左右の挿入位置により形状が異なった１−左右
対称」 １段ずらし」？用いた例である。図において４
はセル、６はセル４の１段ずらし」によって生じ７ｃ領
賊である。
マスクの左右の挿入位置により形状が異なった１−左右
対称」 １段ずらし」？用いた例である。図において４
はセル、６はセル４の１段ずらし」によって生じ７ｃ領
賊である。
「段ずらし」を用いる理由はマスクの左右に配置された
自動回合せパターン中の同時にアライメントされるセル
間のピッチを変えて、縦列する隣接した」二重セルのミ
スアライメントｒ防止するものである。例えば、第３図
の左右のセル自動目金せパターン中のセルにのセル間ピ
ッチｄ１に対し。
自動回合せパターン中の同時にアライメントされるセル
間のピッチを変えて、縦列する隣接した」二重セルのミ
スアライメントｒ防止するものである。例えば、第３図
の左右のセル自動目金せパターン中のセルにのセル間ピ
ッチｄ１に対し。
セルＫに隣接した縦列するセルＬのセル間ピンチはｄ２
で、−ｄｌ〜ｄ２であるからミスアライメントは生じな
い。
で、−ｄｌ〜ｄ２であるからミスアライメントは生じな
い。
ｔｙｔ、「左右対称」ケ用いる理由は、マスクの左右に
自動回合せパターンサイアウトし、左右の自動回合せパ
ターン中の同時にアライメントされるセル間のピッチを
変え、並列する隣接した左右のセルのミスアライメント
防Ｉトする効果がある。例えば第３図中のセルにの左右
の自動回合ぜパターン中のセル間ピッチｄｌＫ対し、セ
ルＫに隣接した並列のセルＥのセル間ピッチｄ３はｄｘ
〜ｄ３であるからミスアクィメントは生じない。
自動回合せパターンサイアウトし、左右の自動回合せパ
ターン中の同時にアライメントされるセル間のピッチを
変え、並列する隣接した左右のセルのミスアライメント
防Ｉトする効果がある。例えば第３図中のセルにの左右
の自動回合ぜパターン中のセル間ピッチｄｌＫ対し、セ
ルＫに隣接した並列のセルＥのセル間ピッチｄ３はｄｘ
〜ｄ３であるからミスアクィメントは生じない。
又、１段ずらし」量は、目動相合せ装置がミスアライメ
７ト’（生じない適当な値に設定すればよい。なお第３
図に示すセルのアル７アベｙト文字は説明上設けたもの
で特に意味はない。以下の図面でも同様である。
７ト’（生じない適当な値に設定すればよい。なお第３
図に示すセルのアル７アベｙト文字は説明上設けたもの
で特に意味はない。以下の図面でも同様である。
以上説明したように、従来技術では隣接する上下セルの
ミスアライメント防止の７こめ、セルの［段すらしＪ’
を縦列された順序に行なっている１ζめ。
ミスアライメント防止の７こめ、セルの［段すらしＪ’
を縦列された順序に行なっている１ζめ。
自動回合せパターンサイズが犬きくなり、！！！品のバ
ター／（以下本チゾグ七記す〕より犬きくなってしまう
可能性が大きい。
ター／（以下本チゾグ七記す〕より犬きくなってしまう
可能性が大きい。
第４図［ａｌｌ″ｌ：従来の自動回合せパターン會有す
るホトマスクで、４． ４’は２ケ所に設けられ１ζ自
動目合せパターン、αは自動回合せパターン及びその周
囲の本チップの一部全含む領賊である。また第４図（ｂ
）は第４図（ａ）のα部の拡大図であり、３は本チップ
、４は自動回合せパターン、９は自動回合せパターンサ
イズする事によって生じたデッドスペースである。
るホトマスクで、４． ４’は２ケ所に設けられ１ζ自
動目合せパターン、αは自動回合せパターン及びその周
囲の本チップの一部全含む領賊である。また第４図（ｂ
）は第４図（ａ）のα部の拡大図であり、３は本チップ
、４は自動回合せパターン、９は自動回合せパターンサ
イズする事によって生じたデッドスペースである。
すなわち、自動回合ぜパターンが本チップより少しでも
大きくなると、デッドスペースが増し。
大きくなると、デッドスペースが増し。
本チップがつぶれてしまい、ひいては歩留り悪化にもつ
ながる。したがって自動回合せパターンは本チップの丈
イズに本よるが小さければ小さい桿本チップがつぶれる
可能性は少ない。
ながる。したがって自動回合せパターンは本チップの丈
イズに本よるが小さければ小さい桿本チップがつぶれる
可能性は少ない。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上の欠点特にむだな１段すらし」で
生じる領賊を削減し、自動回合せパターンのサイズＬｌ
力小さくシ１本本チップのダメージケ小さく、シたホト
マスフケ提供することにある。
生じる領賊を削減し、自動回合せパターンのサイズＬｌ
力小さくシ１本本チップのダメージケ小さく、シたホト
マスフケ提供することにある。
（発明の構成）
本発明のホトマスクは、自動でホトマスクとつ工−ハｔ
アライメントする目動相合せ装置に用いるホトマスクの
２ケ所に線対称に挿入される自動回合せパターン全層す
るホトマスクにおいて、前記線対称の自動回合せパター
ン中に縦列されたアライメント部で、線対称のアライメ
ント部間の距離全縦列された順序に距離ｋｊ１滅するこ
となく、かつ少なくとも隣接する上下のセルが１一段す
らし」に位置されることによシ構成される。
アライメントする目動相合せ装置に用いるホトマスクの
２ケ所に線対称に挿入される自動回合せパターン全層す
るホトマスクにおいて、前記線対称の自動回合せパター
ン中に縦列されたアライメント部で、線対称のアライメ
ント部間の距離全縦列された順序に距離ｋｊ１滅するこ
となく、かつ少なくとも隣接する上下のセルが１一段す
らし」に位置されることによシ構成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について５図面７参照して説明す
る。
る。
第５図は本発明の第１の実施例の自動回合せパターンの
構成図で特にセルの配置ケ示す図である。
構成図で特にセルの配置ケ示す図である。
第５図においてマスクの左右に配置された目動目金せパ
ターン中のセルＧ、Ｈ，ｉ、Ｊまでの対称セル間ピッチ
は１喧次小さくなっているが、に、Ｌでは逆に大きい方
向に変化し、同一方向に増減していない、かつ隣す合せ
の上下セルは１段ずらし」に配置ｆｆされている。従っ
て自動百合せ装置でのミスアライメントは起らない。こ
こでセルｌのセル間ピッチｄｌ′とセルＫＯピッチｄ２
’はｄ＋’＝＝ｄ２’であるがセルＪがセルＩとＫの間
に配置されて訃り、この距離が自動目金せ装置で判別で
さる咳であればミスアライメントは生じない。
ターン中のセルＧ、Ｈ，ｉ、Ｊまでの対称セル間ピッチ
は１喧次小さくなっているが、に、Ｌでは逆に大きい方
向に変化し、同一方向に増減していない、かつ隣す合せ
の上下セルは１段ずらし」に配置ｆｆされている。従っ
て自動百合せ装置でのミスアライメントは起らない。こ
こでセルｌのセル間ピッチｄｌ′とセルＫＯピッチｄ２
’はｄ＋’＝＝ｄ２’であるがセルＪがセルＩとＫの間
に配置されて訃り、この距離が自動目金せ装置で判別で
さる咳であればミスアライメントは生じない。
第６図ｆａｔ、 ｔｂｌは第１の実施例と従来例の寸法
比較図である。第６図ｔａ１． ｔｂ）に示すように、
１つのセルの大きさ盆５０Ｘ１００μｍ とし上下隣り
台ぜの１段ずらし」奮５０μｍとするとさ、本実施例の
第６図（ａ）に示す自動百合せパターンの太ささは３０
０ｘ３５０μｍと小さくなるが、従来の第６図（ｂ）に
示すものは３００Ｘ４５０μｍと太さい。すなわち本実
施例は従来例に比べ面積で２２チの減小となる。これが
２ケ所に入るから合せて４４％の減小となる。１６及び
１６’はそれぞれの段ずらしによって生じた領賊である
。第６図（ａｌ、 （ｂｌＯ例では１２のセルを内蔵す
る目動目金ぜパターンで説明したが、高精度化に伴ない
プロセスが増す方向にある為、よシ多くのセル？内蔵し
た自動百合せパターンが必要とされてきているので、本
実施例の効果はよジ大さくなる。
比較図である。第６図ｔａ１． ｔｂ）に示すように、
１つのセルの大きさ盆５０Ｘ１００μｍ とし上下隣り
台ぜの１段ずらし」奮５０μｍとするとさ、本実施例の
第６図（ａ）に示す自動百合せパターンの太ささは３０
０ｘ３５０μｍと小さくなるが、従来の第６図（ｂ）に
示すものは３００Ｘ４５０μｍと太さい。すなわち本実
施例は従来例に比べ面積で２２チの減小となる。これが
２ケ所に入るから合せて４４％の減小となる。１６及び
１６’はそれぞれの段ずらしによって生じた領賊である
。第６図（ａｌ、 （ｂｌＯ例では１２のセルを内蔵す
る目動目金ぜパターンで説明したが、高精度化に伴ない
プロセスが増す方向にある為、よシ多くのセル？内蔵し
た自動百合せパターンが必要とされてきているので、本
実施例の効果はよジ大さくなる。
第７図は本発明の第２の実施例の自動百合せパターン構
成図で、自動百合せパターン中に縦列に配置されたセル
の対称セル間のピッチは一定方向Ｋ １ｌｊｌ Ｋピン
チに増減するＣとな（Ｇ、 Ｈ，Ｉ、Ｊまではピッチが
減少するが、に、Ｌでは増大しており、かつそれらの上
下に隣り合せＩＣセルの対称セルとのピッチは異なって
いる。しかも第７図では同一のピッチであるｄｘ’とｄ
２’？ｚ有するＪ（セルとにセルの間にはＩ、Ｊの２つ
のセルが挾まれておシ、従りてＨセルとにセルのミスア
ライメントを生ずることはない。以上により構成された
自動百合ぜパターンは従来例に比ベセルの「段ずらし」
によって生ずる領域２６，２６”ｋ大幅に小さくするこ
とが出来、その結果セル挿入によるデ・ソドスペースを
小さく出来る。
成図で、自動百合せパターン中に縦列に配置されたセル
の対称セル間のピッチは一定方向Ｋ １ｌｊｌ Ｋピン
チに増減するＣとな（Ｇ、 Ｈ，Ｉ、Ｊまではピッチが
減少するが、に、Ｌでは増大しており、かつそれらの上
下に隣り合せＩＣセルの対称セルとのピッチは異なって
いる。しかも第７図では同一のピッチであるｄｘ’とｄ
２’？ｚ有するＪ（セルとにセルの間にはＩ、Ｊの２つ
のセルが挾まれておシ、従りてＨセルとにセルのミスア
ライメントを生ずることはない。以上により構成された
自動百合ぜパターンは従来例に比ベセルの「段ずらし」
によって生ずる領域２６，２６”ｋ大幅に小さくするこ
とが出来、その結果セル挿入によるデ・ソドスペースを
小さく出来る。
第８図は本発明の第３の実施例の自動百合せパターンの
構成図でセル配置ヶ示す図である。本実施例では１４の
セル？内蔵する自動百合せパターンでＨ，Ｊ、Ｌ、Ｈの
対称セル間のピッチは同じで、それらにそれぞれ隣υ合
ぜたＩ、 Ｋ、 Ｍのビノチモ同シに構成されているが
上下隣り合せのセル間のピッチは異なっており、すなわ
ちこの自動百合せパターンでセルはジグザグのレアウト
となっており、セルのジグザグ構造による１段すらし」
によるデソトスペースは３６′から３６に太幅（減少し
ている。
構成図でセル配置ヶ示す図である。本実施例では１４の
セル？内蔵する自動百合せパターンでＨ，Ｊ、Ｌ、Ｈの
対称セル間のピッチは同じで、それらにそれぞれ隣υ合
ぜたＩ、 Ｋ、 Ｍのビノチモ同シに構成されているが
上下隣り合せのセル間のピッチは異なっており、すなわ
ちこの自動百合せパターンでセルはジグザグのレアウト
となっており、セルのジグザグ構造による１段すらし」
によるデソトスペースは３６′から３６に太幅（減少し
ている。
上記の構成のためミスアライメントゲ化ずることなく、
自動百合せパターンとして最も小さくすることができる
。
自動百合せパターンとして最も小さくすることができる
。
（発明の効果ノ
以上説明したとおり１本発明によれば、無駄な段ずらし
によって生じる領域を削減し、自動百合せパターンのサ
イズｅｆｆｌ力小さくし１本チップへのダメージを小さ
くシ、シかもミスアライメントの生じないホトマスクｒ
得ることが出来る。
によって生じる領域を削減し、自動百合せパターンのサ
イズｅｆｆｌ力小さくし１本チップへのダメージを小さ
くシ、シかもミスアライメントの生じないホトマスクｒ
得ることが出来る。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来の自動百合せ原理説明図、
第２図は従来の目合せパターン構成図、第３図は従来の
自動百合せ装置に用いるホトマスクの自動百合せパター
ン構成図、第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来の２ケ所に対
称パターン勿有するホトマスクの平面図及びα領賊拡犬
図、第５図は本発明の第１の実施例の自動百合せパター
ン購成図、第６図ｔａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例
と従来例の自動百合せパターンの比較図、第７図は本発
明の第２の実施例の自動百合せパターン構成図、第８図
は本発明の第３ターン、３・・・・・・Ｖ−ザビーム走
査方向、４． ４’・・・・・・セル、５． ５’・・
・・・・自動百合せパターン、６゜６’、１６．１６’
、２６．２６’、３６．３６’・・・・・・セルの１段
ずらし」によって生じた領域、７・・・・・・ホトマス
ク、８・・・・・・本チップ、９４・・・・・自動目金
せ挿入により生じたデッドスペース。 代理人 弁理士 内 原 −パンへ 日１１２．Ｉ 茅１回 ＄ｚ回 ＄４０ 第左Ｖ 讐に回
第２図は従来の目合せパターン構成図、第３図は従来の
自動百合せ装置に用いるホトマスクの自動百合せパター
ン構成図、第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来の２ケ所に対
称パターン勿有するホトマスクの平面図及びα領賊拡犬
図、第５図は本発明の第１の実施例の自動百合せパター
ン購成図、第６図ｔａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例
と従来例の自動百合せパターンの比較図、第７図は本発
明の第２の実施例の自動百合せパターン構成図、第８図
は本発明の第３ターン、３・・・・・・Ｖ−ザビーム走
査方向、４． ４’・・・・・・セル、５． ５’・・
・・・・自動百合せパターン、６゜６’、１６．１６’
、２６．２６’、３６．３６’・・・・・・セルの１段
ずらし」によって生じた領域、７・・・・・・ホトマス
ク、８・・・・・・本チップ、９４・・・・・自動目金
せ挿入により生じたデッドスペース。 代理人 弁理士 内 原 −パンへ 日１１２．Ｉ 茅１回 ＄ｚ回 ＄４０ 第左Ｖ 讐に回
Claims (1)
- 自動でホトマスクとウェーハ葡アライメントする自動目
金せ装置に用いるホトマスクの２ケ所に線対称に挿入さ
れる自動目金せパターン奮有するホトマスクにおいて、
前記線対称の自動目金せパターン中に縦列されにアライ
メント部で、線対称のアライメント部間の距離を縦列さ
れπ）唄序に距離全増減することなく、かつ少なくとも
隣接する上下のセルが「段すらし」に位置されることｔ
特徴とする自動目金せパターンを有するホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006616A JPS60150631A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006616A JPS60150631A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150631A true JPS60150631A (ja) | 1985-08-08 |
Family
ID=11643293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59006616A Pending JPS60150631A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0443625A (ja) * | 1990-06-09 | 1992-02-13 | Seikosha Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59006616A patent/JPS60150631A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0443625A (ja) * | 1990-06-09 | 1992-02-13 | Seikosha Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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