JPS60149024A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS60149024A JPS60149024A JP59004608A JP460884A JPS60149024A JP S60149024 A JPS60149024 A JP S60149024A JP 59004608 A JP59004608 A JP 59004608A JP 460884 A JP460884 A JP 460884A JP S60149024 A JPS60149024 A JP S60149024A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔分 野〕
本発明は液晶セル基板内に薄膜非線形素子を伺加した高
デユーテイ駆動可能な大容祉液晶表示装蓋に関する。
デユーテイ駆動可能な大容祉液晶表示装蓋に関する。
液晶表示装置の応用分野として時計、電卓を始めとし、
最近ではコンピュータ端末用表示、パソコン用表示等Ｏ
ＲＴ並の大容量表示にも使われ始めてきている。この要
求に答えるためには液晶パネルの高デユーテイ駆動が不
可欠であり、方法として（１）高デユーテイ駆動可能な
液晶材料の開発、（２）薄膜非線形菓子を付加した液晶
パネルの開発、（８）薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を付
加した液晶パネルの開発が考えられ、実際各社で研究開
発が行なわれている。しかし現状では各方法とも一長一
短があり、性能、コスト、信頼性すべての面で満足でき
るものが得られていない。（１）の方法は最も低コスト
であるが性能不足であり（現在実用レベル１／６４デユ
ーテイ） 、（１１）の方法は最も高性能化できるが、
工程が複雑なため高コストになり信頼性の面も不安であ
る。またパネルの大型化に対して制約を受ける。これに
対して（２）の方法は（１）と（３）の中間的な性能、
コストを有し、またパネルの大型化に対して有利である
。ゆえに（２）の方法により、すべての面で満足できる
液晶パネルを実現していくことが望ましい。
最近ではコンピュータ端末用表示、パソコン用表示等Ｏ
ＲＴ並の大容量表示にも使われ始めてきている。この要
求に答えるためには液晶パネルの高デユーテイ駆動が不
可欠であり、方法として（１）高デユーテイ駆動可能な
液晶材料の開発、（２）薄膜非線形菓子を付加した液晶
パネルの開発、（８）薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を付
加した液晶パネルの開発が考えられ、実際各社で研究開
発が行なわれている。しかし現状では各方法とも一長一
短があり、性能、コスト、信頼性すべての面で満足でき
るものが得られていない。（１）の方法は最も低コスト
であるが性能不足であり（現在実用レベル１／６４デユ
ーテイ） 、（１１）の方法は最も高性能化できるが、
工程が複雑なため高コストになり信頼性の面も不安であ
る。またパネルの大型化に対して制約を受ける。これに
対して（２）の方法は（１）と（３）の中間的な性能、
コストを有し、またパネルの大型化に対して有利である
。ゆえに（２）の方法により、すべての面で満足できる
液晶パネルを実現していくことが望ましい。
従来のこの種装置はＢ ｅ １ｌ−ＮｏｒｔｈｅｒｎＲ
ｅ ｅ ｅ ａ、ｒ ｃ ｈから報告されており（し１
」えば１９８０年工ＩＦｉＥ）、第４図及び、１画素の
拡大概略図の第３図に示す様に基板３１上に第１層目金
属であるＴａ３２、陽極酸化による第２層絶縁膜である
Ｔ ａ ２０５３３ 、第３層目金属であるＮｉＣｒ：
Ａｕ５４、そして画素電極の工Ｔ。
ｅ ｅ ｅ ａ、ｒ ｃ ｈから報告されており（し１
」えば１９８０年工ＩＦｉＥ）、第４図及び、１画素の
拡大概略図の第３図に示す様に基板３１上に第１層目金
属であるＴａ３２、陽極酸化による第２層絶縁膜である
Ｔ ａ ２０５３３ 、第３層目金属であるＮｉＣｒ：
Ａｕ５４、そして画素電極の工Ｔ。
３５のように構成されていた。このため工程及び非線形
素子形状が複雑になる。また非線形素子の駆動の面、つ
まり液晶パネルへ印加される電圧が非線形素子と液晶層
の容量により分割されるため、非線形素子Ｇこ充分電圧
が印加され；′、）ためには非線形素子の容ｈｔＯＭＩ
Ｍと画素電極上の液晶セルの容量○ＬＯの比が、ＣＬＯ
／ ＯＭＩＭ≧１０でなければならない。
素子形状が複雑になる。また非線形素子の駆動の面、つ
まり液晶パネルへ印加される電圧が非線形素子と液晶層
の容量により分割されるため、非線形素子Ｇこ充分電圧
が印加され；′、）ためには非線形素子の容ｈｔＯＭＩ
Ｍと画素電極上の液晶セルの容量○ＬＯの比が、ＣＬＯ
／ ＯＭＩＭ≧１０でなければならない。
このことはＣＬＯが画素サイズの点から大きくできない
ためＯＭＩＭを小さくしなければならないことを示す。
ためＯＭＩＭを小さくしなければならないことを示す。
ＣＭＩＮを小さくするには、非線形特性が絶縁膜のトン
ネル効果に依存するため絶縁膜の膜厚を大きくすること
ができず、結局素子サイズを小さくするよりないことに
なる。画素数敵方の大容量表示を達成するにはシビアー
なフォトリソ技術が要求される。
ネル効果に依存するため絶縁膜の膜厚を大きくすること
ができず、結局素子サイズを小さくするよりないことに
なる。画素数敵方の大容量表示を達成するにはシビアー
なフォトリソ技術が要求される。
以上の問題により従来の非線形素子を付加した液晶Ａネ
ルを製造するには、設備が大変であり、歩留が低く、コ
ストが非常に高くなってしまう欠点があった。
ルを製造するには、設備が大変であり、歩留が低く、コ
ストが非常に高くなってしまう欠点があった。
本発明はこれらの欠点を解決したもので、その目的は非
線形素子を用い、高信頼性で安価な液晶表示装置を構成
する点にある。
線形素子を用い、高信頼性で安価な液晶表示装置を構成
する点にある。
上記目的の達成のため本発明は薄膜非線形素子の構成を
工Ｔ〇＝絶縁体−工ＴＯ，金属−絶縁体一工ＴＯまたは
金属−絶縁体−金属で、第３層目の工Ｔｏあるいは金属
膜が画素電極を兼用するシンプルな構成とし、絶縁体と
してＳｉｎ、。
工Ｔ〇＝絶縁体−工ＴＯ，金属−絶縁体一工ＴＯまたは
金属−絶縁体−金属で、第３層目の工Ｔｏあるいは金属
膜が画素電極を兼用するシンプルな構成とし、絶縁体と
してＳｉｎ、。
Ｔａ２０５ 、工Ｔｏ、Ａｔ２０ｇ 、’ｒ１ｏ、１０
ｒ２．０３ 等の酸化物あるいはＳ ｉ３’Ｎ４ 、
Ｔａ Ｎ、ＡｔＮ等の窒化物を形成し、金属としてＡｔ
。
ｒ２．０３ 等の酸化物あるいはＳ ｉ３’Ｎ４ 、
Ｔａ Ｎ、ＡｔＮ等の窒化物を形成し、金属としてＡｔ
。
Ｔａ、Ｎｉ、Ｏｒ、Ｏｕ、Ａｕを形成している。
特に絶縁膜としては、薄膜形成が容易なＳｉＯ□、金属
膜としては薄膜形成が容易でエツチング加工が簡単なＡ
Ａ、Ｎ’ｉ、Ｏｒが好ましい。同様に工程を簡素にする
ため第２層目の絶縁体を端子部にマスクをし、表示部に
だけ形成するマスク蒸着１マスクスパツタあるいはマス
クＯＶ’Ｄを行なう。また大面積化及び製造容易化の対
応として、第１層目金属パターンをマスクとする自己整
合法により第３層目工Ｔ’Ｏ画素電極を形成しである。
膜としては薄膜形成が容易でエツチング加工が簡単なＡ
Ａ、Ｎ’ｉ、Ｏｒが好ましい。同様に工程を簡素にする
ため第２層目の絶縁体を端子部にマスクをし、表示部に
だけ形成するマスク蒸着１マスクスパツタあるいはマス
クＯＶ’Ｄを行なう。また大面積化及び製造容易化の対
応として、第１層目金属パターンをマスクとする自己整
合法により第３層目工Ｔ’Ｏ画素電極を形成しである。
これら本発明による非線形素子を付加した大容址液晶パ
ネルは、性能、コスト、信頼性のすべての面で満足した
。
ネルは、性能、コスト、信頼性のすべての面で満足した
。
本発明の詳細な説明を図面により詳述する。
第１図及び第２図は本発明の実施例であり、１１はガラ
ス基板、１２．２２はリード電極を兼ねる第１層目金属
膜１．１３ 、２３は第２層目の絶縁膜、１４．２４は
画素電極を兼ねる第３層目の工ＴＯまたは金属膜である
。なお第１図は１画素単位の拡大図である。
ス基板、１２．２２はリード電極を兼ねる第１層目金属
膜１．１３ 、２３は第２層目の絶縁膜、１４．２４は
画素電極を兼ねる第３層目の工ＴＯまたは金属膜である
。なお第１図は１画素単位の拡大図である。
本発明による非線形素子の製造方法を従来と比較しなが
ら第５図により説明する。第５Ｎ＝（α）は従来、第５
図−Ｃｂ）は本発明による製造法を示す。先ず従来方法
であるが、ガラス基板５１上に第１層目金属膜のＴａ５
２をスパッタリングで形成し■、フォトエツチングによ
り所定ツバターンを得る■最少線幅として７〜１０μ情
が要求されるため精密フォトリソ技術が必要である。次
に陽極酸化によりＴａ５２の表面に酸化膜５３を形成す
る■、これにより第２層目の絶縁膜が得られるが、景産
性の点で不利である。さらにその上に第３層目の金属膜
５５が通常真空蒸着法により形成され■、やはりフォト
エツチングにより所定のパターンを得る■。これにより
非線形素子は完成するが、表示用の画素電極が必要であ
るため工Ｔ０５７をスパッタリングで形成し■、フォト
エッチングにより得る■。この様に従来の場合、工程が
多い、精密７オ） ＩＪソ技術が必要、素子形状が複雑
等の理由により歩留低下、コスト高、信頼性低下になっ
ていた。これに対し本発明による製造法では、ガラス基
板５１に第１層目金属膜５２を形成し■、フォトエツチ
ングにより所定のパターンを得る■。ここで金属膜５２
として前記のいずれでもよい。次に端子部を除く全面に
マスクスパッタ、マスク蒸着及びマスクＯＶＤ等の方法
で第２層目の絶縁体５４を形成する■。ここで絶縁体５
４として前記のいずれでもよいが、絶縁膜の膜質の良否
が非線形特性に大きく影響するため、薄くて（１ｏｏＸ
〜１０００Ｘ）密度が高くピンホールのない均一な薄膜
が装求される。さらに画素電極を兼ねた工ＴＯ膜５６を
マグネトロンスノぐツタリングにより形成し■、第１層
目の金属膜をマスクとした自己整合法によるフォトエツ
チングを行ない所定のパターンを得る■。
ら第５図により説明する。第５Ｎ＝（α）は従来、第５
図−Ｃｂ）は本発明による製造法を示す。先ず従来方法
であるが、ガラス基板５１上に第１層目金属膜のＴａ５
２をスパッタリングで形成し■、フォトエツチングによ
り所定ツバターンを得る■最少線幅として７〜１０μ情
が要求されるため精密フォトリソ技術が必要である。次
に陽極酸化によりＴａ５２の表面に酸化膜５３を形成す
る■、これにより第２層目の絶縁膜が得られるが、景産
性の点で不利である。さらにその上に第３層目の金属膜
５５が通常真空蒸着法により形成され■、やはりフォト
エツチングにより所定のパターンを得る■。これにより
非線形素子は完成するが、表示用の画素電極が必要であ
るため工Ｔ０５７をスパッタリングで形成し■、フォト
エッチングにより得る■。この様に従来の場合、工程が
多い、精密７オ） ＩＪソ技術が必要、素子形状が複雑
等の理由により歩留低下、コスト高、信頼性低下になっ
ていた。これに対し本発明による製造法では、ガラス基
板５１に第１層目金属膜５２を形成し■、フォトエツチ
ングにより所定のパターンを得る■。ここで金属膜５２
として前記のいずれでもよい。次に端子部を除く全面に
マスクスパッタ、マスク蒸着及びマスクＯＶＤ等の方法
で第２層目の絶縁体５４を形成する■。ここで絶縁体５
４として前記のいずれでもよいが、絶縁膜の膜質の良否
が非線形特性に大きく影響するため、薄くて（１ｏｏＸ
〜１０００Ｘ）密度が高くピンホールのない均一な薄膜
が装求される。さらに画素電極を兼ねた工ＴＯ膜５６を
マグネトロンスノぐツタリングにより形成し■、第１層
目の金属膜をマスクとした自己整合法によるフォトエツ
チングを行ない所定のパターンを得る■。
ゆえに本発明を従来と比較した場合、工程が少ない、精
密フォトリソ技術が不要、素子形状が単純等の利点によ
り高歩留、低コスト、高信頼性が図れる。
密フォトリソ技術が不要、素子形状が単純等の利点によ
り高歩留、低コスト、高信頼性が図れる。
この様にして作った非線形素子の動作を液晶表示に応用
した場合について簡単に説明すると、非線形素子は第６
図に示す様に電圧により抵抗値が変化するため電流がオ
ームの法則に従わない非線形特性を有する。このため液
晶パネルに印加される駆動信号が、非線形素子に電流が
流れる状態つまりＯＮ状態であれば液晶層に電界が加わ
り点灯する。また駆動信号が、非線形素子に電流がほと
んど流れない状態つまりＯＦＦ状態であれば液晶層に加
わる電界が小さいため点灯しない。
した場合について簡単に説明すると、非線形素子は第６
図に示す様に電圧により抵抗値が変化するため電流がオ
ームの法則に従わない非線形特性を有する。このため液
晶パネルに印加される駆動信号が、非線形素子に電流が
流れる状態つまりＯＮ状態であれば液晶層に電界が加わ
り点灯する。また駆動信号が、非線形素子に電流がほと
んど流れない状態つまりＯＦＦ状態であれば液晶層に加
わる電界が小さいため点灯しない。
これを利用することで液晶パネルのダイナミック駆動特
性を著しく向上させることができる。通常の液晶パネル
は高々１／６４デユ一テイ程度であるが、非線形素子を
付加した液晶パネルでは１１５００デー−ティあるいは
それ以上可能であり、しかも表示品質が格段によい。
性を著しく向上させることができる。通常の液晶パネル
は高々１／６４デユ一テイ程度であるが、非線形素子を
付加した液晶パネルでは１１５００デー−ティあるいは
それ以上可能であり、しかも表示品質が格段によい。
以下本発明による実施ドｕを挙げる。
〔実施例１〕
第１層目金属膜：よく洗浄されたパイレックスガラス基
板にｈＬをＥＢ蒸着法により約２０００又の膜厚になる
様蒸着した。次に第１層目の所定パターンを得るため、
Ａｔ膜上にフォトレジストをコーティングし、通常の７
オトリソエ程を行なった。ここでＡｔのエツチングには
Ｐ Ｎ Ｏ液（リン酸、硝酸、酢酸混液）を用いた。
板にｈＬをＥＢ蒸着法により約２０００又の膜厚になる
様蒸着した。次に第１層目の所定パターンを得るため、
Ａｔ膜上にフォトレジストをコーティングし、通常の７
オトリソエ程を行なった。ここでＡｔのエツチングには
Ｐ Ｎ Ｏ液（リン酸、硝酸、酢酸混液）を用いた。
第２層目絶縁膜：第１層目の得られたパターンで端子部
となるところに金属箔のマスクをして、５１０２のマグ
ネトロンＲ？スパッタを行なうことにより緻密で一様な
５ｏｏＸ程度の膜を得た。
となるところに金属箔のマスクをして、５１０２のマグ
ネトロンＲ？スパッタを行なうことにより緻密で一様な
５ｏｏＸ程度の膜を得た。
第３層目工ＴＯ膜：前記基板全面にマダネトロンＤＣス
パッタによる反応性スパッタを行ない膜厚３００ＸのＩ
ＴＯ膜を得た。次にネガタイプの７オトレジストをスピ
ンナーにより１．５μ常厚にコーティングし、第１層目
ｈｔパターンをマスクに基板裏面飢より露光する自己整
合法を行ない非線形素子の重なり部を形成した。最後に
もう一度ボシタイブのフォトレジストを同様にコーティ
ングし、個々の画素電極を通常の７オトリソエ程により
得た。
パッタによる反応性スパッタを行ない膜厚３００ＸのＩ
ＴＯ膜を得た。次にネガタイプの７オトレジストをスピ
ンナーにより１．５μ常厚にコーティングし、第１層目
ｈｔパターンをマスクに基板裏面飢より露光する自己整
合法を行ない非線形素子の重なり部を形成した。最後に
もう一度ボシタイブのフォトレジストを同様にコーティ
ングし、個々の画素電極を通常の７オトリソエ程により
得た。
この様にして得られた非線形素子基板で第７図（１画素
分の拡大図）に示すＴＮ型液晶セルを作成した。ここで
７１は非線形側ガラス基板、７２は第１層目金属のＡｔ
、７３は第２層目絶縁膜のＳｉｎ、、７４は画素電極を
兼ねる工ＴＯ１７５は対向側ガラス基板、７６は工ＴＯ
透明電極、７７は液晶である。
分の拡大図）に示すＴＮ型液晶セルを作成した。ここで
７１は非線形側ガラス基板、７２は第１層目金属のＡｔ
、７３は第２層目絶縁膜のＳｉｎ、、７４は画素電極を
兼ねる工ＴＯ１７５は対向側ガラス基板、７６は工ＴＯ
透明電極、７７は液晶である。
上記液晶セルをダイナミック駆動させたところ、１１５
００デユーテイでも充分なコントラストが得られた。
００デユーテイでも充分なコントラストが得られた。
〔実施例２〕
第１層目金属膜：Ｎ１
第２層目絶縁膜：ＳｉＯ２
第３層目金属膜：ＡＬ
各層に上記材料を用いて〔実施ＩＪ１４１）と同様な方
法（第３層目金属のＡｔはマグネトロンＤＣ，スパッタ
により成膜及びリフトオフ法によりパターン化）で非線
形素子を得た。これからゲスト・ホストタイプの液晶セ
ルを作成し、ダイナミック駆動させたところ、やはり１
１５００デユーテイでも充分なコントラストが得られた
。
法（第３層目金属のＡｔはマグネトロンＤＣ，スパッタ
により成膜及びリフトオフ法によりパターン化）で非線
形素子を得た。これからゲスト・ホストタイプの液晶セ
ルを作成し、ダイナミック駆動させたところ、やはり１
１５００デユーテイでも充分なコントラストが得られた
。
〔実施例３〕
第１層目金属膜：Ｃｒ
第２層目絶縁膜： Ｃｒ ２０３
第３層目膜 ：工Ｔ。
各層に上記材料を用いて、ＯｒとＯｒ２０３ は同−真
空内で連続的にマグネトロンＲＦスパッタリングにより
成膜した以外は〔実施例１〕と同様に非線形素子を得た
。これからＴＮ型液晶セルを作成し、ダイナミック駆動
させたところ〔実施例１〕と同様な結果が得られた。
空内で連続的にマグネトロンＲＦスパッタリングにより
成膜した以外は〔実施例１〕と同様に非線形素子を得た
。これからＴＮ型液晶セルを作成し、ダイナミック駆動
させたところ〔実施例１〕と同様な結果が得られた。
〔実施例４〕
第８図に示すようにして液晶表示装置を構成した。液晶
表示体Ｐは液晶を基板Ｐ１＋Ｐ！で挾持し、偏光子Ｐ３
＊Ｐ４が上下に配される。駆動回路２からは走査側の電
極及び信号側の電極にそれぞれ第１０図に示す駆動電圧
を印加させた。
表示体Ｐは液晶を基板Ｐ１＋Ｐ！で挾持し、偏光子Ｐ３
＊Ｐ４が上下に配される。駆動回路２からは走査側の電
極及び信号側の電極にそれぞれ第１０図に示す駆動電圧
を印加させた。
そこで、以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
第９図は、本発明に使用する装置の一例を示す回路のブ
ロック図であって、南中符号１は、液晶駆動電圧発生回
路で、画素をオン状態にする電圧ｌｏを出力する電圧源
２に直列に接続された５本の分圧抵抗器Ｒ１、Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ５の接続点０１，０２．ｃ３，０４にそれ
ぞれ演算増幅器ＤＩ 、Ｄ２．Ｄ３．Ｄ４の一方の入力
端子を、他方の入力端子をその出力端子に接続してなる
インピーダンス変換器を接続し、電圧ｍｏを分圧して、 ＶＯ＝Ｂ。
ロック図であって、南中符号１は、液晶駆動電圧発生回
路で、画素をオン状態にする電圧ｌｏを出力する電圧源
２に直列に接続された５本の分圧抵抗器Ｒ１、Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ５の接続点０１，０２．ｃ３，０４にそれ
ぞれ演算増幅器ＤＩ 、Ｄ２．Ｄ３．Ｄ４の一方の入力
端子を、他方の入力端子をその出力端子に接続してなる
インピーダンス変換器を接続し、電圧ｍｏを分圧して、 ＶＯ＝Ｂ。
Ｖ １ ＝ （１−１／Ｋ （Ｊ′Ｎ＋１ ） ） Ｆ
！。
！。
Ｖ ２ ＝： （１−２／ （ＩＦ ＋１ ） ） ｎ
。
。
Ｖ ３ ＝ （２／ （Ｊ「＋ １ ） ） Ｂ 。
Ｖ ４ ＝ （１／ Ｋ （Ｊ玉−＋１ ） ） Ｆｉ
。
。
ｖ５＝０
ただし、Ｎは走査線数
なる電圧を出力するように構成されている。
ここにおいて、定数には、使用されるマトリックス液晶
パネルにより変動する１以上の値である３は、走査電極
駆動回路で、液晶駆動電圧発生回路１からの駆動電圧Ｖ
Ｏ，Ｖ１．Ｖ４とタイミング制御回路４からの信号が入
力し、タイミング制御回路からの信号によってマトリッ
クス型液晶表示パネル５の走査電極Ｙ１．Ｙ２・・・・
・・Ｙｍを線順次走査するように構成されている。６は
、信号電極駆動回路で、液晶駆動電圧回路１からの電圧
ＶＯ，Ｖ２．Ｖ３とタイミング制御回路４からの信号が
入力し、タイミング制御回路４からの信号によって信号
電極Ｘ１．Ｘ２・・・・・・Ｘ％を所定の電圧により線
順次走査するように構成されている。
パネルにより変動する１以上の値である３は、走査電極
駆動回路で、液晶駆動電圧発生回路１からの駆動電圧Ｖ
Ｏ，Ｖ１．Ｖ４とタイミング制御回路４からの信号が入
力し、タイミング制御回路からの信号によってマトリッ
クス型液晶表示パネル５の走査電極Ｙ１．Ｙ２・・・・
・・Ｙｍを線順次走査するように構成されている。６は
、信号電極駆動回路で、液晶駆動電圧回路１からの電圧
ＶＯ，Ｖ２．Ｖ３とタイミング制御回路４からの信号が
入力し、タイミング制御回路４からの信号によって信号
電極Ｘ１．Ｘ２・・・・・・Ｘ％を所定の電圧により線
順次走査するように構成されている。
次に、このように構成した装置の動作を第５図に示した
波形図に基づいて説明する。
波形図に基づいて説明する。
タイミング制御回路４にビデオ信号が入力すると、信号
中の同期信号に基づいて走査電極駆動回路３から各走査
電極Ｙ１．Ｙ２・・・・・・Ｙｍに駆動電圧が出力しく
工）、選択された走査電極には、電圧ｖ５．ｖｏがまた
非選択走査電極には電圧ｖ４、ｖｌが印加される。他方
、信号電極駆動回路６から各信号電極に駆動電圧が出力
しくＩ［）、選択された信号電極には電圧ｖｏ’、ｖ５
が、また選択されない電極には電圧ｖ２．ｖ３が印加さ
れながら次々に線順次走査される。このとき、選択され
ない’Ｈ素ニハ、１Ｖ２−Ｖｌ １ 、１Ｖ３−Ｖ４１
なる電圧、つまり （（２に−ｊ ）／Ｋ（％／’Ｔ＋１ ） ）Ｉｎ０＝
（２−１／Ｋ）Ｘｉ／（ｖ／Ｔ＋１ ）Ｉｏ ＞ １／
（、／′Ｔ＋１ ）１ｇなる実効値の交番電圧が印加す
る。なお液晶パネルに印加する駆動信号−走査電極に印
加する駆動波形、信号電極に印加する駆動波形、及び液
晶に印加される駆動波形は第１０図に示される如く構成
される。
中の同期信号に基づいて走査電極駆動回路３から各走査
電極Ｙ１．Ｙ２・・・・・・Ｙｍに駆動電圧が出力しく
工）、選択された走査電極には、電圧ｖ５．ｖｏがまた
非選択走査電極には電圧ｖ４、ｖｌが印加される。他方
、信号電極駆動回路６から各信号電極に駆動電圧が出力
しくＩ［）、選択された信号電極には電圧ｖｏ’、ｖ５
が、また選択されない電極には電圧ｖ２．ｖ３が印加さ
れながら次々に線順次走査される。このとき、選択され
ない’Ｈ素ニハ、１Ｖ２−Ｖｌ １ 、１Ｖ３−Ｖ４１
なる電圧、つまり （（２に−ｊ ）／Ｋ（％／’Ｔ＋１ ） ）Ｉｎ０＝
（２−１／Ｋ）Ｘｉ／（ｖ／Ｔ＋１ ）Ｉｏ ＞ １／
（、／′Ｔ＋１ ）１ｇなる実効値の交番電圧が印加す
る。なお液晶パネルに印加する駆動信号−走査電極に印
加する駆動波形、信号電極に印加する駆動波形、及び液
晶に印加される駆動波形は第１０図に示される如く構成
される。
このため、パネル而に表示される画像は、ビデオ信号に
基づいて指令されたコントラストに１対１に対応したコ
ントラストで画素が駆動され、階調の整った画像が表示
される。
基づいて指令されたコントラストに１対１に対応したコ
ントラストで画素が駆動され、階調の整った画像が表示
される。
〔実施列５〕
第１１図（ａ）〜（ｄ）に図示されるように本発明の液
晶表示装置を構成する液晶表示体を構成した。第１１図
（α）は上基板Ｐ、の配向処理方向（配向処理はラビン
グで行なった）ＬＰｌｏを矢印の方向とし、下基板Ｐ２
の配向処理方向ＬＰ２０を矢印の方向とし、両者の挾み
角θ１を９０゜で行なった。そして、上部光子Ｐ、の偏
光軸方向ＬＰ３０（偏光軸と吸収軸は垂直である）は配
向処理方向ＬＰ１０と平行で、下部光子Ｐ４の偏光軸方
向ＬＰ４０は配向処理方向Ｉ、Ｐ２０と平行である。
晶表示装置を構成する液晶表示体を構成した。第１１図
（α）は上基板Ｐ、の配向処理方向（配向処理はラビン
グで行なった）ＬＰｌｏを矢印の方向とし、下基板Ｐ２
の配向処理方向ＬＰ２０を矢印の方向とし、両者の挾み
角θ１を９０゜で行なった。そして、上部光子Ｐ、の偏
光軸方向ＬＰ３０（偏光軸と吸収軸は垂直である）は配
向処理方向ＬＰ１０と平行で、下部光子Ｐ４の偏光軸方
向ＬＰ４０は配向処理方向Ｉ、Ｐ２０と平行である。
また、第１１図（ｂ）は配向処理方向の挾み角θ、を８
０°〜１００°にとり、配向処理方向ＬＰ１０と偏光軸
ＬＰ３０ 、ＬＰ４０．を平行にしたものである。
０°〜１００°にとり、配向処理方向ＬＰ１０と偏光軸
ＬＰ３０ 、ＬＰ４０．を平行にしたものである。
また、第１１図ＣＣ）は配向処理方向の挾み角θ１と偏
光軸の挾み角θ２をそれぞれ８０°〜１００°にとり、
配向処理方向ＬＰ１０と偏光方向ＬＰ４０をほぼ平行と
し、配向処理方向ＬＰ２０と偏光軸ＬＰ３０をほぼ平行
としたものである。
光軸の挾み角θ２をそれぞれ８０°〜１００°にとり、
配向処理方向ＬＰ１０と偏光方向ＬＰ４０をほぼ平行と
し、配向処理方向ＬＰ２０と偏光軸ＬＰ３０をほぼ平行
としたものである。
第１１図（ｄ）は配向処理方向ＬＰ１０．Ｌ’Ｐ２０の
挾み角θ１を８０°〜１００°とし、偏光軸ＬＰ３０．
’Ｌ’Ｐ４０を配向処理方向ＬＰ２０とほぼ平行にした
ものである。
挾み角θ１を８０°〜１００°とし、偏光軸ＬＰ３０．
’Ｌ’Ｐ４０を配向処理方向ＬＰ２０とほぼ平行にした
ものである。
これらの表示体の明視方向は図示されているように図面
上手前側である。
上手前側である。
なお、上基板Ｐ１の配向処理方向ＬＰ１０を第１１図（
α）〜Ｃｄ）の配向処理方向ＬＰ２０と逆方向とし、下
基板Ｐ２の配向処理方向ＬＰ２０を第１１図（α）〜Ｃ
ｄ）の配向処理方向ＬＰ１０と逆方向として明視方向を
手前として、上下偏光子Ｐ２＋”３の偏光軸を第１１図
（４）−（ｄ）同様に配向方向に合わせて製作してもよ
い。
α）〜Ｃｄ）の配向処理方向ＬＰ２０と逆方向とし、下
基板Ｐ２の配向処理方向ＬＰ２０を第１１図（α）〜Ｃ
ｄ）の配向処理方向ＬＰ１０と逆方向として明視方向を
手前として、上下偏光子Ｐ２＋”３の偏光軸を第１１図
（４）−（ｄ）同様に配向方向に合わせて製作してもよ
い。
〔実施例６〕
第８図に示された液晶表示体Ｐの下部光子Ｐ４に反射体
を積層して液晶表示装置を構成した。
を積層して液晶表示装置を構成した。
〔実施例７〕
第８図に示された液晶表示体Ｐの下からバックライトを
照射して透過型とし、液晶表示装置を構成した。
照射して透過型とし、液晶表示装置を構成した。
以上説明したように本発明ン用いれば、薄膜非線形素子
の工程が短縮し且つ高歩留に製造でき、しかも特性が優
れているため１１５００デユーテイあるいはそれ以上の
ダイナミック駆動可能である。また形状が単純であるた
め信頼性が高い。ゆえにコンピュータ端末表示、パソコ
ン用表示の大容敏液晶表示装置を表示品質がよくしかも
安価に提供できる利点がある。
の工程が短縮し且つ高歩留に製造でき、しかも特性が優
れているため１１５００デユーテイあるいはそれ以上の
ダイナミック駆動可能である。また形状が単純であるた
め信頼性が高い。ゆえにコンピュータ端末表示、パソコ
ン用表示の大容敏液晶表示装置を表示品質がよくしかも
安価に提供できる利点がある。
第１図及び第２図は本発明の液晶表示装置を構成する１
画素分非線形素子の模式図及び９画素分非線形素子の平
面図、第３図及び第４図は従来の１画素分非線形素子の
模式図及び９画素分非線形素子の平面図、第５図−（α
）は従来の非線形素子の製造方法、第５図−Ｃｂ）は本
発明の非線形素子の製造方法、第６図は本発明の液晶表
示装置を構成する非線形素子のＶ−工時性図、第７図は
本発明の液晶表示装置を構成する非線形素子を用いたＴ
Ｎ液晶セルの１画素分の模式図、第８図は本発明の液晶
表示装置の概略説明図、＃ｇ９図は、本発明に使用する
装置の−ρりを示す回路のブロック図、第１０図は、同
上装置の動作を示す波形図である。第１１図（α）〜Ｃ
ｄ）はそれぞれ本発明の液晶表示装置を構成する液晶表
示体の実施しｕｌｌ 、３１．５１．７１．７５・・・
・・・ガラス基板１２．３２，５２．７２・・・・・・
第１層目金属膜１３．２３，５３，４３，５３，５４．
７３・・・・・・・・・第２層目絶縁膜 １４ 、２４ 、５６ 、７４・・・・・・第３層目工
Ｔｏ膜５４．４４．５５・・・・・・第３層目金属膜３
５．４５．５７・・・・・・画素ｍ極７６・・・・・・
工ＴＯ透明電極 ７７・・・・・・液 晶 以 上 出願人 エプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務 第１Ｖ ＩＦ２区 第３図 第４図 □□□−−−−ゴサ （Ｑ） 第５１！１ １１６Ｆ！ 第７図 （Ｑ） （ｂ） 第１１図 （Ｃ） （ｄ） ！ｌｌｆｉ
画素分非線形素子の模式図及び９画素分非線形素子の平
面図、第３図及び第４図は従来の１画素分非線形素子の
模式図及び９画素分非線形素子の平面図、第５図−（α
）は従来の非線形素子の製造方法、第５図−Ｃｂ）は本
発明の非線形素子の製造方法、第６図は本発明の液晶表
示装置を構成する非線形素子のＶ−工時性図、第７図は
本発明の液晶表示装置を構成する非線形素子を用いたＴ
Ｎ液晶セルの１画素分の模式図、第８図は本発明の液晶
表示装置の概略説明図、＃ｇ９図は、本発明に使用する
装置の−ρりを示す回路のブロック図、第１０図は、同
上装置の動作を示す波形図である。第１１図（α）〜Ｃ
ｄ）はそれぞれ本発明の液晶表示装置を構成する液晶表
示体の実施しｕｌｌ 、３１．５１．７１．７５・・・
・・・ガラス基板１２．３２，５２．７２・・・・・・
第１層目金属膜１３．２３，５３，４３，５３，５４．
７３・・・・・・・・・第２層目絶縁膜 １４ 、２４ 、５６ 、７４・・・・・・第３層目工
Ｔｏ膜５４．４４．５５・・・・・・第３層目金属膜３
５．４５．５７・・・・・・画素ｍ極７６・・・・・・
工ＴＯ透明電極 ７７・・・・・・液 晶 以 上 出願人 エプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務 第１Ｖ ＩＦ２区 第３図 第４図 □□□−−−−ゴサ （Ｑ） 第５１！１ １１６Ｆ！ 第７図 （Ｑ） （ｂ） 第１１図 （Ｃ） （ｄ） ！ｌｌｆｉ
Claims (1)
- 非線形素子を用いた液晶表示装置において、液晶を介し
て対向する一方の基板に行電極、他方の基板に列電極を
形成し、前記電極の少なくとも一方の電極に薄膜非線形
素子を結合させ該薄膜非線形素子を前記基板側の第１層
目及び第３層目にインジウム、スズ酸化物、金属の少な
くとも一方の薄膜、第２層目に絶縁膜を形成すると共に
第３層目のインジウム、スズ酸化物、金属の少なくとも
一方の薄膜で画素電極を兼用したことを特徴とする液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004608A JPS60149024A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004608A JPS60149024A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149024A true JPS60149024A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11588758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59004608A Pending JPS60149024A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273246A2 (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-06 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal cell and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59004608A patent/JPS60149024A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273246A2 (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-06 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal cell and manufacturing method thereof |
| EP0273246A3 (en) * | 1986-12-27 | 1989-11-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal cell and manufacturing method thereof |
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