JPS60145923A - 光フアイバ用母材の製造装置 - Google Patents
光フアイバ用母材の製造装置Info
- Publication number
- JPS60145923A JPS60145923A JP7184A JP7184A JPS60145923A JP S60145923 A JPS60145923 A JP S60145923A JP 7184 A JP7184 A JP 7184A JP 7184 A JP7184 A JP 7184A JP S60145923 A JPS60145923 A JP S60145923A
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- JP
- Japan
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- quartz
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- tube
- furnace
- core tube
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス母材に対する不純物元素の混入を防止し
、かつ耐久性の優れた元ファイバ用母材の製造装置に関
する。
、かつ耐久性の優れた元ファイバ用母材の製造装置に関
する。
元ファイバ用母材を大量生産する一般的な方法としてＶ
ＡＤ法が知られている。このＶＡＤ法は回転する出発部
材、例えばガラス板あるいはガラス棒の上に酸水素炎中
で生成したカラス微粒子を堆積させて円柱状の多孔質母
材をつくｐｌこの多孔質母材を焼結して透明な元ファイ
バ用母材を製造する方法である。この方法に寂いて多孔
質母材を焼結し透明化するには母ｌをＨｅもしくはＡｒ
ガス雰囲気で１６００℃以上に加熱する必要がある。こ
の加熱炉としては通常カーボン炉が用いられている。か
かる加熱炉における焼結に際して特に留慧しなければな
らない点はＣｕｆＦｅなどの遷移元素の混入並びに水分
の混入の防止である。遷移元素がｉ Ｉ）Ｉ）ｂ以上混
入すると、元ファイバの損失波長特性が全波長にわたり
著しく損われ、また水分が０．ｌｐｐｍ以上混入すると
長波長域におけるその特性が損なわれるからである。そ
こで通常上記多孔質母材を脱水することが行なわれ、こ
の脱水処理として該多孔質母材をフッ素ガスを添加した
不活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られている
。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみならずフッ素
を添加させる効果をも有している。多孔質母材中にフッ
素を添加すると元ファイバの必須要素である屈折率分布
の調整ができる利点がある。尚この点に関しては特公昭
５５−１５６８２号、特開昭５５−６７５３３号に詳し
く説明されている。
ＡＤ法が知られている。このＶＡＤ法は回転する出発部
材、例えばガラス板あるいはガラス棒の上に酸水素炎中
で生成したカラス微粒子を堆積させて円柱状の多孔質母
材をつくｐｌこの多孔質母材を焼結して透明な元ファイ
バ用母材を製造する方法である。この方法に寂いて多孔
質母材を焼結し透明化するには母ｌをＨｅもしくはＡｒ
ガス雰囲気で１６００℃以上に加熱する必要がある。こ
の加熱炉としては通常カーボン炉が用いられている。か
かる加熱炉における焼結に際して特に留慧しなければな
らない点はＣｕｆＦｅなどの遷移元素の混入並びに水分
の混入の防止である。遷移元素がｉ Ｉ）Ｉ）ｂ以上混
入すると、元ファイバの損失波長特性が全波長にわたり
著しく損われ、また水分が０．ｌｐｐｍ以上混入すると
長波長域におけるその特性が損なわれるからである。そ
こで通常上記多孔質母材を脱水することが行なわれ、こ
の脱水処理として該多孔質母材をフッ素ガスを添加した
不活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られている
。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみならずフッ素
を添加させる効果をも有している。多孔質母材中にフッ
素を添加すると元ファイバの必須要素である屈折率分布
の調整ができる利点がある。尚この点に関しては特公昭
５５−１５６８２号、特開昭５５−６７５３３号に詳し
く説明されている。
上記フッ素ガスを用いた処理は通常、焼結と同時にもし
くは前工程としてカーボン炉内で行なわれる。カーボン
炉にはカーボン発熱体が母材の加熱処理中に発生する水
分や酸素で消耗するのを防ぐため、カーボン発熱体と焼
結雰囲気とを隔離する炉心管が設置されておシ、従来ア
ルミナ製のものが使用されていた。しかし、アルミナ製
の炉心管を用いるとアルミナの中に會まれるアルカリ成
分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面に付着
し、クリストバラ−イト層を形成するという問題がある
。そこで炉心管として石英ガラス製のものが実用化され
つつある。しかし石英ガラス製の炉心管にＣｕ＋Ｆｅが
含有されていると、脱水処理雰囲気中の塩素系のガスと
ＣｕあるいはＦｅとが容易に化学反応し、下式に示すよ
うな揮散性の塩化物として多孔質母材に侵入し、ファイ
バの損失特性を著しく損なうという新たな問題も生じて
いる。
くは前工程としてカーボン炉内で行なわれる。カーボン
炉にはカーボン発熱体が母材の加熱処理中に発生する水
分や酸素で消耗するのを防ぐため、カーボン発熱体と焼
結雰囲気とを隔離する炉心管が設置されておシ、従来ア
ルミナ製のものが使用されていた。しかし、アルミナ製
の炉心管を用いるとアルミナの中に會まれるアルカリ成
分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面に付着
し、クリストバラ−イト層を形成するという問題がある
。そこで炉心管として石英ガラス製のものが実用化され
つつある。しかし石英ガラス製の炉心管にＣｕ＋Ｆｅが
含有されていると、脱水処理雰囲気中の塩素系のガスと
ＣｕあるいはＦｅとが容易に化学反応し、下式に示すよ
うな揮散性の塩化物として多孔質母材に侵入し、ファイ
バの損失特性を著しく損なうという新たな問題も生じて
いる。
ＣｕＯ” 、 Ｃｕ２ ＣＡ！２
Ｆｅ２０３ −” ＦｅＣ７ｇ
更に、炉心管が石英ガラスの単体である場合、高温下に
おいて、Ｃｕは容易に石英ガラス中に拡散する性質があ
るため、炉本体や発熱体から揮散するＣｕが炉心管を透
過し、ガラス母材中に混入するという問題もある。
おいて、Ｃｕは容易に石英ガラス中に拡散する性質があ
るため、炉本体や発熱体から揮散するＣｕが炉心管を透
過し、ガラス母材中に混入するという問題もある。
更にフッ素ガスは高温で分解もしくは反応し、Ｆｔガス
やＥガスを生成する。これ等のガスは次式のように石英
材と反応しＳｉＦ４ガスを生成して石英材をエツチング
する。
やＥガスを生成する。これ等のガスは次式のように石英
材と反応しＳｉＦ４ガスを生成して石英材をエツチング
する。
Ｓｉｎ、 ＋ ２ Ｆ！ −〉ＳｉＦ、 十〇。
Ｓｉｎ、＋ ４ＨＦ −ラＳｉＦ、 ＋ ２ルＯこのた
め石英材中に存在するＣｕ Ｆｅが石英材の表面に現わ
れ多孔質母材へ混入する原因となる。
め石英材中に存在するＣｕ Ｆｅが石英材の表面に現わ
れ多孔質母材へ混入する原因となる。
更には石英炉心管にピンホールを生じ、外気の混入や雰
囲気ガスが炉外へ漏出する原因ともなり製造工程上悪影
響を招く結果になる。
囲気ガスが炉外へ漏出する原因ともなり製造工程上悪影
響を招く結果になる。
本発明は石英管がアルミナ管等に比べ稠密であシ、しか
も熱膨張係数が小さいため耐久性に優れるという利点を
維持したまま、高温下における上記不純物の混入と、フ
ッ素ガスによる浸蝕とを確実に防止した元ファイバ用母
材の製造装置ｔを提供することを目的とするものであっ
て、その構成は、刃口熱炉の炉心管に多孔質ガラス母材
を挿ノし、フッ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス母
材を脱水焼結する装置において、加熱炉を具え、該加熱
炉に石英炉心管が内装され、該石英炉心管の内壁に融点
が石英より高くかつフッ素ガスに対して耐蝕性を有する
セラミックスがコーティングされていることを特徴とす
る。
も熱膨張係数が小さいため耐久性に優れるという利点を
維持したまま、高温下における上記不純物の混入と、フ
ッ素ガスによる浸蝕とを確実に防止した元ファイバ用母
材の製造装置ｔを提供することを目的とするものであっ
て、その構成は、刃口熱炉の炉心管に多孔質ガラス母材
を挿ノし、フッ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス母
材を脱水焼結する装置において、加熱炉を具え、該加熱
炉に石英炉心管が内装され、該石英炉心管の内壁に融点
が石英より高くかつフッ素ガスに対して耐蝕性を有する
セラミックスがコーティングされていることを特徴とす
る。
以下に本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
本装置の概略構成を図に示す。加熱炉本体６の内側に発
熱体５が設けられると共に炉体中心に炉心管３が設けら
れる。該炉心管３は石英ガラス管によ多形成され、その
内周壁にアルミナ（Ａ４０ｓ ）のセラミックスｊ脅４
がコーティングされている。尚該セラミックス層４とし
ては上記アルミナ以外にも石英より融点が高くかつフッ
素ガスに対して耐蝕性のあるセラミックスを用いること
ができる。
熱体５が設けられると共に炉体中心に炉心管３が設けら
れる。該炉心管３は石英ガラス管によ多形成され、その
内周壁にアルミナ（Ａ４０ｓ ）のセラミックスｊ脅４
がコーティングされている。尚該セラミックス層４とし
ては上記アルミナ以外にも石英より融点が高くかつフッ
素ガスに対して耐蝕性のあるセラミックスを用いること
ができる。
該セラミックス騰として好適な材貝を次表に示す。
第 １ 懺
炭化物 ＳｉＣＷＣＴｉｅ ＴａＣ
窒化＠ ｈｌｌＮ ＴｈＮ ＺｒＮ ＴｉＮ ＢＮ Ｔ
ａｚＮ酸化物 Ｔｉｅ２１’Ｊｆｓ ＣａＯＺｒＯ２Ｔ
ｈｅ２尚、セラミックスをコーティングする方法として
は、気相反応による膜形成方法、例えばプラズマＣＶＤ
コート、ＣＶＤコートなどが緻密な膜を形成できるので
好ましい。
ａｚＮ酸化物 Ｔｉｅ２１’Ｊｆｓ ＣａＯＺｒＯ２Ｔ
ｈｅ２尚、セラミックスをコーティングする方法として
は、気相反応による膜形成方法、例えばプラズマＣＶＤ
コート、ＣＶＤコートなどが緻密な膜を形成できるので
好ましい。
上記セラミックス層４の厚みは５μｍ〜２ｍｍ程度が好
ましい。２ｆｆ１以上の層厚になると剥離し易く、又、
５μｍ以下の層厚ては上記効果が充分ではない。
ましい。２ｆｆ１以上の層厚になると剥離し易く、又、
５μｍ以下の層厚ては上記効果が充分ではない。
次にセラミックス層４は、予め石英炉心管の内壁に下地
層を形成しこの下地層の表面に積層させると一層良好で
ある。下地層としてはボロンナイトライド（ＢＮ ）等
を用いるとよい。尚他の下地層としてはアルミナや炭化
ケイ素が用いられる。これら下地層は上記セラミックス
、石英と密着し易いので下地層として好適でおる。
層を形成しこの下地層の表面に積層させると一層良好で
ある。下地層としてはボロンナイトライド（ＢＮ ）等
を用いるとよい。尚他の下地層としてはアルミナや炭化
ケイ素が用いられる。これら下地層は上記セラミックス
、石英と密着し易いので下地層として好適でおる。
該下地層の厚さは、あ′！９厚いと石英管との間に歪を
生じ剥離するので２〜１０μｍ程度でよい。
生じ剥離するので２〜１０μｍ程度でよい。
一方、上記炉本体６の側端にはＡｒ 、１％寺のシール
ドガスを導入する供給ロアが設けられる。
ドガスを導入する供給ロアが設けられる。
又該炉心管３の下端にはＨｅ 、 Ａｒ 、 Ｃ４等の
処理用ガスを導入する供給口８が設けられると共に該炉
心管３の上方には支持棒２を介して多孔質ガラス母材１
が吊り下げられている。
処理用ガスを導入する供給口８が設けられると共に該炉
心管３の上方には支持棒２を介して多孔質ガラス母材１
が吊り下げられている。
上記構成において、セラミックス層４が内張りされた石
英管はアルミナ管やカーボン管に比べ稠密でりシ、しか
も熱膨張係数が小石く熱履歴による破壊の虞がなく耐久
性に優れる。この場合、石英管自体に含まれる不純物が
拡散して母材に混入するのを防止するため、石英管とし
ては高純度で透明なものが望ましい。その程度としては
ＣｕＯが０．５ ｐｐｍ以下、ｐｃ、Ｏｓが１斧以下と
なるよう特に銅分を除去した透明石英・ばか適している
。尚、一般に石英管１１５００℃以上に加熱すると、石
英管が引き伸びる現象がみしれるが、肉厚を５ｍｍ以上
とすると１６００℃でも引き伸びを生ぜず又電気溶融法
で製作した肉厚６−の石英管では１６５０℃でも引き伸
びを生ずることはない。更に、セラミックス層４として
第１沢に示す＃質のものを用いれば石英に比べ商温での
粘性が小さく管の引伸びを抑えることかできる。従って
このような石英管を使用すれば１５００℃以上の焼結温
度に対しても不都合を生じない。
英管はアルミナ管やカーボン管に比べ稠密でりシ、しか
も熱膨張係数が小石く熱履歴による破壊の虞がなく耐久
性に優れる。この場合、石英管自体に含まれる不純物が
拡散して母材に混入するのを防止するため、石英管とし
ては高純度で透明なものが望ましい。その程度としては
ＣｕＯが０．５ ｐｐｍ以下、ｐｃ、Ｏｓが１斧以下と
なるよう特に銅分を除去した透明石英・ばか適している
。尚、一般に石英管１１５００℃以上に加熱すると、石
英管が引き伸びる現象がみしれるが、肉厚を５ｍｍ以上
とすると１６００℃でも引き伸びを生ぜず又電気溶融法
で製作した肉厚６−の石英管では１６５０℃でも引き伸
びを生ずることはない。更に、セラミックス層４として
第１沢に示す＃質のものを用いれば石英に比べ商温での
粘性が小さく管の引伸びを抑えることかできる。従って
このような石英管を使用すれば１５００℃以上の焼結温
度に対しても不都合を生じない。
又、Ｃｕ等の不純物はアルミナ等のセラミックス層４を
透過できない。このため本発明の石英炉心管においては
外部の炉本体６や発熱体５から拡散されるＣｕ等の不純
物はこのセラミックス層４により遮蔽され、炉心管３内
部に侵入することがない。従って、多孔質ガラス母材に
対する不純物の混入を確実に防止することができる。
透過できない。このため本発明の石英炉心管においては
外部の炉本体６や発熱体５から拡散されるＣｕ等の不純
物はこのセラミックス層４により遮蔽され、炉心管３内
部に侵入することがない。従って、多孔質ガラス母材に
対する不純物の混入を確実に防止することができる。
更に上記石英管はその内周壁が第１弐に示す材質のセラ
ミックス層４により内張りされているのでフッ素化付物
を富むガス雰囲気でガラス母材を焼結する場合でもＦ２
ガスやＨＦガスによる腐蝕を防止することができる。因
にＨＦ溶液による石英とアルミナとのエツチング効果を
次檄に示す。
ミックス層４により内張りされているのでフッ素化付物
を富むガス雰囲気でガラス母材を焼結する場合でもＦ２
ガスやＨＦガスによる腐蝕を防止することができる。因
にＨＦ溶液による石英とアルミナとのエツチング効果を
次檄に示す。
第 ２ 弄
（注） ４６％ＨＦ溶液に常温下７日間浸漬した場合の
重量変化により測定 上記第２衣から明らかなように本発明の炉心管はＦ、ガ
ス、ＨＦガスに対する顕著な耐蝕性を有する。従って石
英材中に存在するＣｕ 、 Ｆｅが表面に露出して不純
物混入の原因となる虞れがなく一層高純度のガラス母材
を得ることができる。
重量変化により測定 上記第２衣から明らかなように本発明の炉心管はＦ、ガ
ス、ＨＦガスに対する顕著な耐蝕性を有する。従って石
英材中に存在するＣｕ 、 Ｆｅが表面に露出して不純
物混入の原因となる虞れがなく一層高純度のガラス母材
を得ることができる。
以上本発明の装置例を図示する実施例に基ついて説明し
たが本発明は上記実施例に限定さ扛るものではなく、例
えばセラミックス層を有する上記石英管を更にカーボン
炉心管内に挿入した構造としてもよい。
たが本発明は上記実施例に限定さ扛るものではなく、例
えばセラミックス層を有する上記石英管を更にカーボン
炉心管内に挿入した構造としてもよい。
実施例１
発熱体で１０μｍ厚のアルミナを内装した石英炉心管を
１６００℃に加熱し、該管内にＳＦａ ｘ ５０ＣＣ／
分、Ｈｅを５ ｌｌ／分の割付て流し、その中に多孔質
母材１を下降速度２ｍｍ／分で挿入した。イ＝ｊられた
透明ガラス母材音引き続きファイバｖｃ肋糸したところ
、ファイバの残菌水分は０．０１ ｐ ｐｍでありＣｕ
やＦｅに由来する吸収は全く冷しｆＬなかった。
１６００℃に加熱し、該管内にＳＦａ ｘ ５０ＣＣ／
分、Ｈｅを５ ｌｌ／分の割付て流し、その中に多孔質
母材１を下降速度２ｍｍ／分で挿入した。イ＝ｊられた
透明ガラス母材音引き続きファイバｖｃ肋糸したところ
、ファイバの残菌水分は０．０１ ｐ ｐｍでありＣｕ
やＦｅに由来する吸収は全く冷しｆＬなかった。
実施例２
石英管の内周壁に予め２μｍ厚のＢＮを下地層としてコ
ーティングし、その上に１０μｍ厚のアルミナをコーテ
ィングした石英炉心管を用い、その他は実施例１と同様
の染件下でガラス母材を製造したところ炉温の昇降を繰
ｐ返した場合、実施例１よりも更に１０倍の寿命を保つ
ことかり能となった。
ーティングし、その上に１０μｍ厚のアルミナをコーテ
ィングした石英炉心管を用い、その他は実施例１と同様
の染件下でガラス母材を製造したところ炉温の昇降を繰
ｐ返した場合、実施例１よりも更に１０倍の寿命を保つ
ことかり能となった。
比較例
石英炉管として、ｌｐｐｍのＣｕを含みかつセラミック
ス層を有しない石英管を使用し、その他は実施例１と同
じ条件でファイバｆ：製造した。
ス層を有しない石英管を使用し、その他は実施例１と同
じ条件でファイバｆ：製造した。
得られたファイバの残留水分は０．０１ ｐｐｍでめっ
た。またＣｕに由来する吸収が〜１．３０μｍ近傍まで
存在したが、この値は従前の吸収に比べると十分低く２
〜３ｄＢであった。しかしながら炉心管の内周壁は著し
くエツチングされており。
た。またＣｕに由来する吸収が〜１．３０μｍ近傍まで
存在したが、この値は従前の吸収に比べると十分低く２
〜３ｄＢであった。しかしながら炉心管の内周壁は著し
くエツチングされており。
ａｉｒ蝕性のうえで問題のあることが判明した。
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
は、不純物特にＣｕや水分の混入しない元ファイバ用母
材を製造でき、伝送損失の小さな元ファイバを得ること
ができる。
は、不純物特にＣｕや水分の混入しない元ファイバ用母
材を製造でき、伝送損失の小さな元ファイバを得ること
ができる。
更にフッ素による石英管の浸蝕ｍ粍を防止でき、耐久性
に優れることがら経街的であるという利点もある。
に優れることがら経街的であるという利点もある。
図は本発明にかかるブＣファイバ用ガラス母材の製造装
置を示す概ｌ１ｌｉ！ｒ溝造図である。 図面中、 １は多孔質母材、 ２は支持棒、 ３は炉心管、 ４はセラミックス層、 ５は発熱体、 ６は炉本体、 ７．８は供給口である。 特許用 願人 住友′喝気工業株式会住日本電信成話公
社 代理人 弁理士 元石士部（他１名）
置を示す概ｌ１ｌｉ！ｒ溝造図である。 図面中、 １は多孔質母材、 ２は支持棒、 ３は炉心管、 ４はセラミックス層、 ５は発熱体、 ６は炉本体、 ７．８は供給口である。 特許用 願人 住友′喝気工業株式会住日本電信成話公
社 代理人 弁理士 元石士部（他１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）加熱炉の炉心管に多孔質ガラス母材を挿入し、フ
ッ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス母材を脱水焼結
する装置において、加熱炉を具え、該加熱炉に石英炉心
管が内装され、該石英炉心管の内壁に墜点が石英よシ高
くかつフッ素ガスに対して耐蝕性を有するセラミックス
がコーティングされていること全特徴とする元ファイバ
用母材の製造装置。 （２、特許請求の範囲第１項において、上記石英管は銅
の混入割合が０．５ｐｐｍ以下の高純度石英管であるこ
とを特徴とする元ファイバ用母材の製造装置。 （３）特許請求の範囲第１項において、上記石英炉心管
の内壁にはボロンナイトライドが予め下地層としてコー
ティングされており、上記セラミックスは該下地層の上
面に形成されていることを特徴とする元ファイバ用母材
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184A JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184A JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145923A true JPS60145923A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0436100B2 JPH0436100B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=11463945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7184A Granted JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145923A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988006145A1 (en) * | 1987-02-16 | 1988-08-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heating furnace for glass materials for optical fiber and method of manufacturing same |
| US4969941A (en) * | 1987-02-16 | 1990-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Furnace for heating glass preform for optical fiber and method for producing glass preform |
| US5106401A (en) * | 1989-06-29 | 1992-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for thermal treatment of glass fiber preform |
| JPH0524876A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光フアイバ母材製造用タ−ゲツト支持部材 |
| JPH0585766A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光フアイバ母材延伸用支持部材 |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP7184A patent/JPS60145923A/ja active Granted
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
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