JPS60145692A - 単一軸モ−ド半導体レ−ザ - Google Patents
単一軸モ−ド半導体レ−ザInfo
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- JPS60145692A JPS60145692A JP59002186A JP218684A JPS60145692A JP S60145692 A JPS60145692 A JP S60145692A JP 59002186 A JP59002186 A JP 59002186A JP 218684 A JP218684 A JP 218684A JP S60145692 A JPS60145692 A JP S60145692A
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- electrode
- diffraction grating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、作製が容易で生産性に優れた発振波長制御可
能な単一軸モード半導体レーザに関する。
能な単一軸モード半導体レーザに関する。
（従来技術との問題点）
光ファイバの低損失化に伴い１１００ｋを越える光フア
イバ通信システムが構成可能となりている。
イバ通信システムが構成可能となりている。
この様な通信システムでは光ファイバの波長分散による
影響を受けるため光源としては、却−軸モードで動作す
る半導体レーザが必要とされる。また最近光へテロダイ
ン通信システムも実験が開始され始めている。光源には
単一軸モード動作のみく ならず１発振波長の制御可能性が要求されて験る、従来
半導体レーザの発振波長を制御するためには動作温度を
変化させるという方法をとって来たが制御性等圧間組が
あった。最近、分布フラッグ反射形半導体レーザを用い
、導波路に電流を注入しプラズマ効果により屈折率を変
え発振波長を制御する方法が東盛等により提案され、昭
和５８年９月の電子通信学会半導体材料部門全国大会の
８５−４で報告されているように４Ａ程度の波長制御結
果を得ている。しかしながら提案された構造は複雑であ
り、発振閾値も高く実用的ではなかった。
影響を受けるため光源としては、却−軸モードで動作す
る半導体レーザが必要とされる。また最近光へテロダイ
ン通信システムも実験が開始され始めている。光源には
単一軸モード動作のみく ならず１発振波長の制御可能性が要求されて験る、従来
半導体レーザの発振波長を制御するためには動作温度を
変化させるという方法をとって来たが制御性等圧間組が
あった。最近、分布フラッグ反射形半導体レーザを用い
、導波路に電流を注入しプラズマ効果により屈折率を変
え発振波長を制御する方法が東盛等により提案され、昭
和５８年９月の電子通信学会半導体材料部門全国大会の
８５−４で報告されているように４Ａ程度の波長制御結
果を得ている。しかしながら提案された構造は複雑であ
り、発振閾値も高く実用的ではなかった。
（発明の目的）
本発明は構造が単純であり、作製が容易で生産性に優れ
る単一軸モード半導体レーザな提供するものである。
る単一軸モード半導体レーザな提供するものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザは、少なくとも一層の膜厚が３０
０Ｘ以下の量子井戸形半導体層から成る活性層と、前記
活性層の一部領域あるいは前記活性層に降接して設けら
れた導波路層の一部領域に形成された、周期が−」−×
ｍλ（宍４に実効ｎｅＨｆ ２ 屈折率、ｍ；正の整数、λ；発振波長）で与えられる凸
凹の繰り返しの回折格子とを含む多層構造を備え、回折
格子が形成された領域と形成されない領域とに独立に電
流注入できる様に各領域の上部にそれぞれ電極を備えて
いる構成となっている。
０Ｘ以下の量子井戸形半導体層から成る活性層と、前記
活性層の一部領域あるいは前記活性層に降接して設けら
れた導波路層の一部領域に形成された、周期が−」−×
ｍλ（宍４に実効ｎｅＨｆ ２ 屈折率、ｍ；正の整数、λ；発振波長）で与えられる凸
凹の繰り返しの回折格子とを含む多層構造を備え、回折
格子が形成された領域と形成されない領域とに独立に電
流注入できる様に各領域の上部にそれぞれ電極を備えて
いる構成となっている。
（発明の基本原理）
本発明の詳細な説明する前に本発明の基本原理について
簡単に説明する。
簡単に説明する。
最近活性層厚を薄くし、量子井戸効果を出現させた量子
井戸形半導体レーザが作製され従来の半導体レーザには
見られない特性が明らかにされつつある。その１つに内
部吸収損失の低さがある。
井戸形半導体レーザが作製され従来の半導体レーザには
見られない特性が明らかにされつつある。その１つに内
部吸収損失の低さがある。
即ち量子井戸形半導体レーザでは、状態密度関数が階段
状になるため吸収保数の波長依存性は通常の半導体レー
ザに比較し急峻となる。才だ半導体レーザの発振波長は
注入キャリア密度によるバンドギ’ｒツブの縮小（ｂａ
ｎｄ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）により自然発光ピークより
数十ｍｅｖ程度短波長側になる。
状になるため吸収保数の波長依存性は通常の半導体レー
ザに比較し急峻となる。才だ半導体レーザの発振波長は
注入キャリア密度によるバンドギ’ｒツブの縮小（ｂａ
ｎｄ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）により自然発光ピークより
数十ｍｅｖ程度短波長側になる。
従って発光波長にして１．３μｍ組成で、膜）ｔ４−５
０大の活性層を有する量子井戸形半導体レーザで発振し
た光を電流を注入していない同じ組成の量子井戸形半導
体レーザに入射させた場合の吸収損失は５〜１０ｃＩｎ
であり、同様な実験を従来の半導体レーザで行った場
合に比べ１０〜２０％の低い吸収損失を示した。これら
の実験結果については１９８３年発行の応用物理学会誌
１０月号の８４３頁から８５１頁に記載された開本等に
よる報告にも同様の結果が報告されている。従って、量
子井戸形活性層の一部で発振動作を行なわせた場合発光
領域に連続する活性層は低損失の導波路として機能させ
ることができる。本発明はこの導波路部での吸収損失の
低さに着目し、この領域に回折格子を形成した分布ブラ
ッグ反射（ＤＢＲ）形半導体レーザを構成するものであ
る。
０大の活性層を有する量子井戸形半導体レーザで発振し
た光を電流を注入していない同じ組成の量子井戸形半導
体レーザに入射させた場合の吸収損失は５〜１０ｃＩｎ
であり、同様な実験を従来の半導体レーザで行った場
合に比べ１０〜２０％の低い吸収損失を示した。これら
の実験結果については１９８３年発行の応用物理学会誌
１０月号の８４３頁から８５１頁に記載された開本等に
よる報告にも同様の結果が報告されている。従って、量
子井戸形活性層の一部で発振動作を行なわせた場合発光
領域に連続する活性層は低損失の導波路として機能させ
ることができる。本発明はこの導波路部での吸収損失の
低さに着目し、この領域に回折格子を形成した分布ブラ
ッグ反射（ＤＢＲ）形半導体レーザを構成するものであ
る。
（実施例 １）
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａｌ （ｂｌは本発明の実施例を示す斜視図及
び断面図である。まず製作工程を説明する。ｎ形ＩｎＰ
基板１の上に、部分的に回折格子１００を形成する。回
折格子１００の周期は４０００Ｘ＜ ｚ次の周期）であ
り、深さは１５００ｋ、（１１０）方向に繰り返されて
形成されている。回折格子１００ｉ’！Ｈｅ−Ｃｄガス
レーザの４２５０＾の発振光を用い２光束干渉蕗光法に
より形成した。回折格子１００を部分的に形成するため
には、回折格子１００を形成しない部分をＳｉｎ！膜で
覆っておけば良い。
び断面図である。まず製作工程を説明する。ｎ形ＩｎＰ
基板１の上に、部分的に回折格子１００を形成する。回
折格子１００の周期は４０００Ｘ＜ ｚ次の周期）であ
り、深さは１５００ｋ、（１１０）方向に繰り返されて
形成されている。回折格子１００ｉ’！Ｈｅ−Ｃｄガス
レーザの４２５０＾の発振光を用い２光束干渉蕗光法に
より形成した。回折格子１００を部分的に形成するため
には、回折格子１００を形成しない部分をＳｉｎ！膜で
覆っておけば良い。
次にマスクとして用いたＳｉｎ、膜をエツチング後ｎ形
ＩｎＧａＡｓＰ層光ガイド２（膜厚０．２＾、発光波長
にして１．１０μｍ組成キャリア濃度ｔ ｘ ｉ ｏ１
８胡）、ＩｎＧａＡａＰ活性層３（ノンドープ、膜厚１
００Ｘ発光波長にして１．３０μｍ組成）、Ｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波層４（膜厚０．２人、発光波長にして１
．１０μｍ組成、キャリア濃度１ｘｔｏｃ４）及びＰ形
ＩｎＰクラッド層５（膜厚１μｍ、キヤｇ − リア濃度ｘｘｌｏ ｃ４）を順次エピタキシャル成長さ
せる。エピタキシャル成長には薄膜を制御性良く成長で
きるハイドライド気相成長（ＶＰＥ ）法を用いた。Ｐ
形不純物にはＺｎ、ｎ形不純物にはＳｅを用いている。
ＩｎＧａＡｓＰ層光ガイド２（膜厚０．２＾、発光波長
にして１．１０μｍ組成キャリア濃度ｔ ｘ ｉ ｏ１
８胡）、ＩｎＧａＡａＰ活性層３（ノンドープ、膜厚１
００Ｘ発光波長にして１．３０μｍ組成）、Ｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波層４（膜厚０．２人、発光波長にして１
．１０μｍ組成、キャリア濃度１ｘｔｏｃ４）及びＰ形
ＩｎＰクラッド層５（膜厚１μｍ、キヤｇ − リア濃度ｘｘｌｏ ｃ４）を順次エピタキシャル成長さ
せる。エピタキシャル成長には薄膜を制御性良く成長で
きるハイドライド気相成長（ＶＰＥ ）法を用いた。Ｐ
形不純物にはＺｎ、ｎ形不純物にはＳｅを用いている。
成長温度は６７０℃、エピタキシャル成長前にはｎ形Ｉ
ｎＰ基板１表面に形成した回折格子１００の変形を防止
するため１１０４ｐｐのＰＨ８，１１０２ｐｐのＡｓＨ
３を流している。次にハイドライド気相成長で形成した
多層膜半導体基板の（１１０）方向罠平行に幅約１０μ
ｍ”Ｃ−深さ３μｍの平行な２本の＠５１．５２をフォ
トリングラフィの手法を用いて形成する。間に挾んだメ
サストライプ５０の中に含まれる活性層３０幅は１．５
μｍから２ ／Ａ ｍとなるように形成した。次にカー
ボンスライドポートを用いた液相エピタキシャル（ＬＰ
Ｅ ）法により、Ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層６（平坦部
での膜厚０．５μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度ｚｘｘ
ｏｉ）及びｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層７（平坦部での膜
厚０．５ μｍ、Ｔｅドープ、キャリア濃度５Ｘ１０
ｍ）をメサストライフ’５０の上には積層させない様に
成長し、次に連続してＰ形ＩｎＰ埋め込み層８（平坦部
での膜厚１．５μｍ１Ｚｎドープ、キャリア濃度１×１
０ Ｍ）、Ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（平坦部で
の膜厚１μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度ｌＸｌ０ ７
）を全面に亘って積層させた。以上でエピタキシャル成
長過程を終える。次にキャップ層８の上にＣＶＤ法で幅
でエツチングし剥離した後、表面にＴｉ−Ｐｔ −Ａｕ
電極を形成する。Ｔｉ膜厚は１５００λ、ｐｔ膜厚は１
００ＯＡ、Ａｕ膜厚は３０００Åである。このＴ ｉ
−Ｐ ｔ−Ａｕ ｉｌｌ極を形成する時に１回折格子１
００の上と他の部分とで２０μｍの分離溝３０を挟んで
注入電極２１と制御電極２２とに分離させて形成した。
ｎＰ基板１表面に形成した回折格子１００の変形を防止
するため１１０４ｐｐのＰＨ８，１１０２ｐｐのＡｓＨ
３を流している。次にハイドライド気相成長で形成した
多層膜半導体基板の（１１０）方向罠平行に幅約１０μ
ｍ”Ｃ−深さ３μｍの平行な２本の＠５１．５２をフォ
トリングラフィの手法を用いて形成する。間に挾んだメ
サストライプ５０の中に含まれる活性層３０幅は１．５
μｍから２ ／Ａ ｍとなるように形成した。次にカー
ボンスライドポートを用いた液相エピタキシャル（ＬＰ
Ｅ ）法により、Ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層６（平坦部
での膜厚０．５μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度ｚｘｘ
ｏｉ）及びｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層７（平坦部での膜
厚０．５ μｍ、Ｔｅドープ、キャリア濃度５Ｘ１０
ｍ）をメサストライフ’５０の上には積層させない様に
成長し、次に連続してＰ形ＩｎＰ埋め込み層８（平坦部
での膜厚１．５μｍ１Ｚｎドープ、キャリア濃度１×１
０ Ｍ）、Ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（平坦部で
の膜厚１μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度ｌＸｌ０ ７
）を全面に亘って積層させた。以上でエピタキシャル成
長過程を終える。次にキャップ層８の上にＣＶＤ法で幅
でエツチングし剥離した後、表面にＴｉ−Ｐｔ −Ａｕ
電極を形成する。Ｔｉ膜厚は１５００λ、ｐｔ膜厚は１
００ＯＡ、Ａｕ膜厚は３０００Åである。このＴ ｉ
−Ｐ ｔ−Ａｕ ｉｌｌ極を形成する時に１回折格子１
００の上と他の部分とで２０μｍの分離溝３０を挟んで
注入電極２１と制御電極２２とに分離させて形成した。
次に全体の膜厚な１００μｍの厚さにまで研磨してＡｕ
−Ｇ ｅ −Ｎ ｉのｎ側電極４０を形成した。
−Ｇ ｅ −Ｎ ｉのｎ側電極４０を形成した。
素子は注入電極２１の長さが約３００μｍ、制御電極２
２の長さが約５００μｍとなる様にして襞間して作製し
た。
２の長さが約５００μｍとなる様にして襞間して作製し
た。
ダイアモンドヒートシンクにｎ側′Ｆｌ・惨４０側を下
にして融着して素子特性を測定した。注入電極２１から
のみ電流を流した時の発振閾値はヒートシンク温度が２
５℃の時３０ ｍＡ、微分量子効率は２０％であった。
にして融着して素子特性を測定した。注入電極２１から
のみ電流を流した時の発振閾値はヒートシンク温度が２
５℃の時３０ ｍＡ、微分量子効率は２０％であった。
注入電極２１の下部の活性層３で発光した光は制御電＆
２２の下部領域の活性層３へと導波される。この領域の
光ガイド層２には回折格子１００が形成されている。導
波されｔこ光は回折格子１００の周期４０００ＸＫ対応
するブラッグ（Ｂｒａｇｇ ）波長の光のみが回折され
反射される。従って発振スペクトルに強い選択性がある
ため、単一軸モードで発振し、その彼長け、２５℃で５
ｍＶの光出力時に１．２９５０μｍであったい発振閾値
が３０ｍＡと小さくまた微分量子効率が３０チと高いの
は、回折格子１００が形成された領域での吸収損失が、
活性層３の膜厚が１００Ｘと薄く形成されているととＫ
よる負子井戸効果のため５ｚ−’程度に小さく、導波さ
れた光の３０％程度が注入ｆｍＪｋ２１の下部の活性層
３へと反射されることによる。
２２の下部領域の活性層３へと導波される。この領域の
光ガイド層２には回折格子１００が形成されている。導
波されｔこ光は回折格子１００の周期４０００ＸＫ対応
するブラッグ（Ｂｒａｇｇ ）波長の光のみが回折され
反射される。従って発振スペクトルに強い選択性がある
ため、単一軸モードで発振し、その彼長け、２５℃で５
ｍＶの光出力時に１．２９５０μｍであったい発振閾値
が３０ｍＡと小さくまた微分量子効率が３０チと高いの
は、回折格子１００が形成された領域での吸収損失が、
活性層３の膜厚が１００Ｘと薄く形成されているととＫ
よる負子井戸効果のため５ｚ−’程度に小さく、導波さ
れた光の３０％程度が注入ｆｍＪｋ２１の下部の活性層
３へと反射されることによる。
制御電極２２から電流を注入すると発振波長は短波長側
へ変化した。これは制御電＆２２の下部の活性層３での
キャリア密度を増加させるとプラズマ効果により活性層
３の屈折体が小さくなるためである。２５℃で５ｍＶの
光出力時に制御１！、極２２へ流すｉ電流を０から２０
ｍＡまで変化させると発振波長は１．２９５０μｍから
１．２９９０μｍまで４０Ｘ変化した。
へ変化した。これは制御電＆２２の下部の活性層３での
キャリア密度を増加させるとプラズマ効果により活性層
３の屈折体が小さくなるためである。２５℃で５ｍＶの
光出力時に制御１！、極２２へ流すｉ電流を０から２０
ｍＡまで変化させると発振波長は１．２９５０μｍから
１．２９９０μｍまで４０Ｘ変化した。
以上の様に注入電極２１および制御電接２２に流す′電
流を変えることにより光出力および発振波長の制御を行
うことが可能である。
流を変えることにより光出力および発振波長の制御を行
うことが可能である。
（実施例 ２）
第２図は本発明の第２０婁施例を示す斜視図である。第
１の実施例と異なる点は光導波層４の上に回折格子１０
０が形成されている点である。この場合には、第１回目
のエピタキシャル成長工程で光導波層４まで積層した後
部分的に、１ｏｏｏＸの周期の回折格子３を形成した後
ＫＰ形ＩｎＰクラッド層５をエピタキシャル成長する。
１の実施例と異なる点は光導波層４の上に回折格子１０
０が形成されている点である。この場合には、第１回目
のエピタキシャル成長工程で光導波層４まで積層した後
部分的に、１ｏｏｏＸの周期の回折格子３を形成した後
ＫＰ形ＩｎＰクラッド層５をエピタキシャル成長する。
後の工程は第１の実施例と同様である。この構造の素子
でも発振閾値、微分量子効率、発振波長の制御性などの
特性は第１の実施例と同様であった。
でも発振閾値、微分量子効率、発振波長の制御性などの
特性は第１の実施例と同様であった。
上記第１及び第２の実施例では活性層３は単層の量子井
戸層であったが、複数の量子井戸層が槙゛、み重ねられ
た多重量子井戸形の活性層であっても同様な結果が得ら
れる。
戸層であったが、複数の量子井戸層が槙゛、み重ねられ
た多重量子井戸形の活性層であっても同様な結果が得ら
れる。
（実施例 ３）
第３図（ａ） （ｂ）は本発明の第３の実施例を示す斜
視図及び断面図である。ｎ形ＩｎＰ基板Ｉ Ｋ ｎ形Ｉ
ｎＰバッファ層１２（膜厚３／Ａｍ 、Ｓｎドープ、キ
ャリア濃度７ｘｔｏａｄ）、その上に５層のＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３（ノンドープ、膜厚２００人、発光波長に
１．３μｍ組成）を間に４層のＩｎＰバリア層１０（ノ
ンドープ、膜厚１００人）を挾んで形成し史ＫＰ形Ｉｎ
Ｐ第１クラッド層１１（膜厚０．２μｍ％Ｚｎドープキ
ャリア濃度１ｘ１０ 胡）を積層した後に、部分的にＰ
形ＩｎＰ第１クラッドｗ１１１をＨＣｌ系の選択エツチ
ング液で剥離した後この部分にのみ周期４０００Ｘの回
折格子１００を形成する。この上ＫＰ形 ＩｎＰ クラ
ラ ド層５（膜厚１μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ
Ｘ １０”副）を積層する。
視図及び断面図である。ｎ形ＩｎＰ基板Ｉ Ｋ ｎ形Ｉ
ｎＰバッファ層１２（膜厚３／Ａｍ 、Ｓｎドープ、キ
ャリア濃度７ｘｔｏａｄ）、その上に５層のＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３（ノンドープ、膜厚２００人、発光波長に
１．３μｍ組成）を間に４層のＩｎＰバリア層１０（ノ
ンドープ、膜厚１００人）を挾んで形成し史ＫＰ形Ｉｎ
Ｐ第１クラッド層１１（膜厚０．２μｍ％Ｚｎドープキ
ャリア濃度１ｘ１０ 胡）を積層した後に、部分的にＰ
形ＩｎＰ第１クラッドｗ１１１をＨＣｌ系の選択エツチ
ング液で剥離した後この部分にのみ周期４０００Ｘの回
折格子１００を形成する。この上ＫＰ形 ＩｎＰ クラ
ラ ド層５（膜厚１μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ
Ｘ １０”副）を積層する。
次のメサエッチング工程以後は第１の実施例の場合に同
じである。素子特性は２５℃で発振閾値が２５ｍＡ、微
分量子動車は２５チ程度であった。
じである。素子特性は２５℃で発振閾値が２５ｍＡ、微
分量子動車は２５チ程度であった。
単一軸モード発振特性および波長制御特性等は第１の実
施例の場合とほぼ同様であり、５０Ａ程度の波長制御範
囲を有していた。
施例の場合とほぼ同様であり、５０Ａ程度の波長制御範
囲を有していた。
以上の実施例では活性層３の発光波長は１．３μｍあっ
たが、この波長に限定されることはなく、１．５５μｍ
１あるいは１．２μｍといった発光波長の組成であって
も良い。才だ材料としてＩｎＰ基板とこれに格子整合し
たＩｎＧａＡｓＰであったが、ＩｎＰ基板に格子整合し
たＡｔＧａＩｎＡｓや、ＧａＡｓ基板に格子整合したＡ
ｔＧａＡｓ やＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等でも構（
発明の効果） 最後に本発明の特徴をまとめると回折格子１００が形成
された光導波路領域に！子井戸形の活性層３を用いるこ
とにより作製が容易であること、単一軸モード発振をす
ること、回折格子１００が形成された領域１ｃ電流を注
入し屈折率を変化させることにより発振波長を制御する
ことかできること等である。
たが、この波長に限定されることはなく、１．５５μｍ
１あるいは１．２μｍといった発光波長の組成であって
も良い。才だ材料としてＩｎＰ基板とこれに格子整合し
たＩｎＧａＡｓＰであったが、ＩｎＰ基板に格子整合し
たＡｔＧａＩｎＡｓや、ＧａＡｓ基板に格子整合したＡ
ｔＧａＡｓ やＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等でも構（
発明の効果） 最後に本発明の特徴をまとめると回折格子１００が形成
された光導波路領域に！子井戸形の活性層３を用いるこ
とにより作製が容易であること、単一軸モード発振をす
ること、回折格子１００が形成された領域１ｃ電流を注
入し屈折率を変化させることにより発振波長を制御する
ことかできること等である。
第１図（８）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す斜
視図及び障１面図、第２図は本発明の第２の実ｂ１４例
を示す斜視図、第３図（ａ） （ｂｌは本発明の第３の
集ｚＪ１１例を示す斜視図及び断面図である。図中１は
ｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ５’ｅガイド
崩２．３はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ａ Ｐ活性）−１４は
Ｐ形１ｎＧａＡｓＰｉ導波層、５はＰ形ＩｎＰクラッド
層、６はＰ形ＩｎＰ電流ズｐツク層、７はｎ形ＩｎＰ電
流閉じ込め層、８はＰ形１ｎＰ埋め込み層、９はＰ形Ｉ
ｎＧａＡ８Ｐキャップ層、１０けノンドープＩｎＰバリ
ア層、１１はＰ形ＩｎＰ第１グａｙり層、１２はｎ形Ｉ
ｎＰハクファ層、５０はメサストライプ、５１．５２は
平行な２本の溝、２１は注入電極、２２は制御電極、３
０は分離溝、４０はｎ側１に極、１００は回折格子、６
０け５ｉ０２膜を示す。 （ｂ） りθ ｌθθ ￥２図
視図及び障１面図、第２図は本発明の第２の実ｂ１４例
を示す斜視図、第３図（ａ） （ｂｌは本発明の第３の
集ｚＪ１１例を示す斜視図及び断面図である。図中１は
ｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ５’ｅガイド
崩２．３はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ａ Ｐ活性）−１４は
Ｐ形１ｎＧａＡｓＰｉ導波層、５はＰ形ＩｎＰクラッド
層、６はＰ形ＩｎＰ電流ズｐツク層、７はｎ形ＩｎＰ電
流閉じ込め層、８はＰ形１ｎＰ埋め込み層、９はＰ形Ｉ
ｎＧａＡ８Ｐキャップ層、１０けノンドープＩｎＰバリ
ア層、１１はＰ形ＩｎＰ第１グａｙり層、１２はｎ形Ｉ
ｎＰハクファ層、５０はメサストライプ、５１．５２は
平行な２本の溝、２１は注入電極、２２は制御電極、３
０は分離溝、４０はｎ側１に極、１００は回折格子、６
０け５ｉ０２膜を示す。 （ｂ） りθ ｌθθ ￥２図
Claims (1)
- １、少なくとも１層の膜厚が３００ Ａ以下の量：井戸
形半導体層から成る活性層と、前記活性層の一部領域あ
るいは前記活性層に隣接し２設けられた導波路層の一部
領域に形成された、周期が数、λ；発振波長）で与えら
れる凸凹の繰り返しの回折格子とを含む多層積層檜造を
伽え、前記回折格子が形成された領域と、前記回折格子
が形成されていない領域とに、独立に電柱な注入できる
様に各々の領域の上部に分離した電極が形成されている
ことを特徴とする単一軸モード半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002186A JPS60145692A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002186A JPS60145692A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145692A true JPS60145692A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11522328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002186A Pending JPS60145692A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145692A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183587A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS6392076A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6435978A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Wavelength-tunable semiconductor laser |
| US4815087A (en) * | 1985-05-15 | 1989-03-21 | Sumitomo Elec. Industries, Ltd. | High speed stable light emitting semiconductor device with low threshold current |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342692A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Nec Corp | Compound semiconductor device |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59002186A patent/JPS60145692A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342692A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Nec Corp | Compound semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4815087A (en) * | 1985-05-15 | 1989-03-21 | Sumitomo Elec. Industries, Ltd. | High speed stable light emitting semiconductor device with low threshold current |
| JPS62183587A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS6392076A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6435978A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Wavelength-tunable semiconductor laser |
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