JPS60142607A - 圧電薄膜複合振動子 - Google Patents
圧電薄膜複合振動子Info
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- JPS60142607A JPS60142607A JP24676883A JP24676883A JPS60142607A JP S60142607 A JPS60142607 A JP S60142607A JP 24676883 A JP24676883 A JP 24676883A JP 24676883 A JP24676883 A JP 24676883A JP S60142607 A JPS60142607 A JP S60142607A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は圧電薄膜を用いたＶＨＦ 、 ＵＩ（Ｆ用高周
波圧電振動子に関し、特にシリコン・ダイヤスラムと圧
電薄膜との組み合わせからなる複合構造の振動部位を有
する圧電薄膜振動子に関するものである。
波圧電振動子に関し、特にシリコン・ダイヤスラムと圧
電薄膜との組み合わせからなる複合構造の振動部位を有
する圧電薄膜振動子に関するものである。
（従来技術）
一般に、高周波領域で使用される圧電振動子は振動モー
ドとして板面が厚さに比べて十分広い圧電性薄板の厚み
振動が用いられている。
ドとして板面が厚さに比べて十分広い圧電性薄板の厚み
振動が用いられている。
厚み振動の残根周波数は圧電性薄板の厚さに反比例する
ので高周波帯で使用するためには厚さを薄くしなければ
ならないが、厚さが４０ミクロン程度以下になると平行
平面研磨などの加工が非常に困齢となる。
ので高周波帯で使用するためには厚さを薄くしなければ
ならないが、厚さが４０ミクロン程度以下になると平行
平面研磨などの加工が非常に困齢となる。
振動部分の厚さを薄くして５０Ｍト以上の厚み振動圧電
振動子を得る方法としては、第１図、第２図の構造の圧
電薄膜振動子が公知である。この圧電薄膜振動子はクリ
コン基板２２の上に新らたにシリコン薄膜２３と絶縁体
の薄膜２４を形成した後、エツチングによってシリコン
基板２２に空孔２１を形成し、さらに絶縁体薄膜２４の
上に順に下地電極２６、圧電薄膜２５、上部電極２７を
形成することによって製造するもので、一般に非圧電性
である薄膜部材２３．２４と圧電薄膜２５とからなる複
合ダイアフラムが周縁部を基板２２によって支持された
構造となっている。
振動子を得る方法としては、第１図、第２図の構造の圧
電薄膜振動子が公知である。この圧電薄膜振動子はクリ
コン基板２２の上に新らたにシリコン薄膜２３と絶縁体
の薄膜２４を形成した後、エツチングによってシリコン
基板２２に空孔２１を形成し、さらに絶縁体薄膜２４の
上に順に下地電極２６、圧電薄膜２５、上部電極２７を
形成することによって製造するもので、一般に非圧電性
である薄膜部材２３．２４と圧電薄膜２５とからなる複
合ダイアフラムが周縁部を基板２２によって支持された
構造となっている。
圧電板だけからなる圧電振動子ではすでに実験的にも理
論的にも詳しく調べられておシ、インハーモニック・オ
ーバートーン−モードがスフ’ｌＪ７スとして励振され
ないような電極寸法もよく知られている。しかし、従来
圧電薄膜を利用した複合振動子においては、圧電板だけ
からなる圧電振動子についての理論や実験から類推する
ほかはなく、その類推が正しいかどうかは確かめられて
いなかった０ 圧電薄膜複合振動子において発振器やフィルタへの応用
面から電極寸法はできるだけ大きくすることが必要であ
るが、電極寸法を増大するとスプリアスが励振されるよ
うになり、特性が悪くなる０よってスプリアスが励振さ
れずできるだけ大きな電極寸法をもつ振動子が実現でき
れば、非常に実用上大きな効果をもたらす０ （発明の目的） 本発明は上記のような複合振動子において、インハーモ
ニック・オーバートーンがスプリアスとして励振されな
い最大電極寸法をもち、かつ振動成分が電極近傍にだけ
存在することができるシリコン・ダイアフラムと圧電薄
膜の厚さの比をもち、良好な厚み縦振動特性をもつ複合
振動子を実現することを目的としている０ （発明の構成） ｌ明はシリコン・ダイアフラムの薄ｉ上の厚み方向に絶
縁薄膜、下部電極、ＺｎＯ薄膜、上部電極の順に積層さ
れた多層構造の振動部位を有し、周縁部をシリコン基板
によって支持された厚み振動圧電振動子においてＺｎｎ
模膜厚さをＴ１、シリコン・ダイヤフラムの薄層部の厚
さをＴ２多層構造の振動部位全体の厚さをＴとし、さら
に前記振動部位上の上部電極は円形であり、その直径を
Ｌとシ、ＺｎＯ薄膜とシリコン・ダイアフラムとの厚さ
の比Ｔ＊ ／ＴｔをＸ、全体の厚さと円形電極の直径の
比Ｌ／ＴをＹと置き換えたときにＸとＹが次式Ｙ≦ｔｏ
Ｘ”−２ｏＸ＋ｓ、２（ただし０＜Ｘ≦０．７）Ｙ≦ｔ
０．３Ｘ＋４．４ （ただし０．７ ＜Ｘ＜ ３．０
）で表わされる関係を有していることを特徴とする圧電
薄膜複合振動子である。
論的にも詳しく調べられておシ、インハーモニック・オ
ーバートーン−モードがスフ’ｌＪ７スとして励振され
ないような電極寸法もよく知られている。しかし、従来
圧電薄膜を利用した複合振動子においては、圧電板だけ
からなる圧電振動子についての理論や実験から類推する
ほかはなく、その類推が正しいかどうかは確かめられて
いなかった０ 圧電薄膜複合振動子において発振器やフィルタへの応用
面から電極寸法はできるだけ大きくすることが必要であ
るが、電極寸法を増大するとスプリアスが励振されるよ
うになり、特性が悪くなる０よってスプリアスが励振さ
れずできるだけ大きな電極寸法をもつ振動子が実現でき
れば、非常に実用上大きな効果をもたらす０ （発明の目的） 本発明は上記のような複合振動子において、インハーモ
ニック・オーバートーンがスプリアスとして励振されな
い最大電極寸法をもち、かつ振動成分が電極近傍にだけ
存在することができるシリコン・ダイアフラムと圧電薄
膜の厚さの比をもち、良好な厚み縦振動特性をもつ複合
振動子を実現することを目的としている０ （発明の構成） ｌ明はシリコン・ダイアフラムの薄ｉ上の厚み方向に絶
縁薄膜、下部電極、ＺｎＯ薄膜、上部電極の順に積層さ
れた多層構造の振動部位を有し、周縁部をシリコン基板
によって支持された厚み振動圧電振動子においてＺｎｎ
模膜厚さをＴ１、シリコン・ダイヤフラムの薄層部の厚
さをＴ２多層構造の振動部位全体の厚さをＴとし、さら
に前記振動部位上の上部電極は円形であり、その直径を
Ｌとシ、ＺｎＯ薄膜とシリコン・ダイアフラムとの厚さ
の比Ｔ＊ ／ＴｔをＸ、全体の厚さと円形電極の直径の
比Ｌ／ＴをＹと置き換えたときにＸとＹが次式Ｙ≦ｔｏ
Ｘ”−２ｏＸ＋ｓ、２（ただし０＜Ｘ≦０．７）Ｙ≦ｔ
０．３Ｘ＋４．４ （ただし０．７ ＜Ｘ＜ ３．０
）で表わされる関係を有していることを特徴とする圧電
薄膜複合振動子である。
次に本発明について詳細に説明する〇
（実施例）
第１．第２図は本発明の振動子の振動部位の基本構造を
示している。第１．第２図において、２２は表面が（１
００）面であるようなシリコン基板、２１はエツチング
によって基板に作製した空孔、２３はホウ素を高濃度に
ドープしたシリコン薄膜である。２４は温度補償のため
に設けられた薄いＳｉへ薄膜、２６は下地電極、２５は
ＺｎＯ圧電薄膜、２７は上部円形電極である。
示している。第１．第２図において、２２は表面が（１
００）面であるようなシリコン基板、２１はエツチング
によって基板に作製した空孔、２３はホウ素を高濃度に
ドープしたシリコン薄膜である。２４は温度補償のため
に設けられた薄いＳｉへ薄膜、２６は下地電極、２５は
ＺｎＯ圧電薄膜、２７は上部円形電極である。
第１．第２図のような複合振動子に対して一例として、
以下ＺｎＯ薄膜２５とシリコン薄膜２３の厚さの比が〆
１．の場合について説明する。
以下ＺｎＯ薄膜２５とシリコン薄膜２３の厚さの比が〆
１．の場合について説明する。
ＺｎＯ薄膜２５の厚さをＴ１ ＋シリコン薄膜の厚さを
％ｒ上部円形電極の直径をＬ、複合構造部位の全厚をＴ
とする。複合振動子において全面電極の場合の共振周波
数をｆｒ 、反共振周波数ｆＲ、電極直径がＬのときの
共振周波数をｆｒとする。また複合板の圧電反作用に帰
因し実効電気機械結合係数Ｒｔに依存する周波数低下量
を ” π刀 Δ＝１−７（ｌ＋ｆｆ、、Ｒ？） とする。この時、この複合振動子の基本厚み縦振動の共
振特性を第３図に示す。第３図は電極直径りを変化させ
たときの振動子の規格化された共振周波数の変化を示し
たものである０第３図においし て、ｒｙ Ｊマ＝ ｔ、９ではＯ≦ψ痴領域には共振周
波数は１点（０印をつけた１点）しか々く、その場合の
振動子の表面の変位υ２は振動部位中心から端の方へ第
４図に示したようになシ、基本モードだけが電極近傍に
閉じ込められ、スプリアスは生じない。一方、７Ｔ Ｊ
２Ｚ ”：：２．２では、０＜、ψ≦１の領域に共振周
波数が２点（目印をつけた５点）あり、その場合の２点
での振動子の表面の変位ＩＪｆは振動部位中心から端の
方へ、第５図［ａｌ、第５図ｆｂ）に示されたようにな
り、基本モードだけでなく、第５図（ｂｌに示されたよ
うな２次のインハーモニック・オーバートーンも電極近
傍に閉じ込められ、スプリアスとなる。
％ｒ上部円形電極の直径をＬ、複合構造部位の全厚をＴ
とする。複合振動子において全面電極の場合の共振周波
数をｆｒ 、反共振周波数ｆＲ、電極直径がＬのときの
共振周波数をｆｒとする。また複合板の圧電反作用に帰
因し実効電気機械結合係数Ｒｔに依存する周波数低下量
を ” π刀 Δ＝１−７（ｌ＋ｆｆ、、Ｒ？） とする。この時、この複合振動子の基本厚み縦振動の共
振特性を第３図に示す。第３図は電極直径りを変化させ
たときの振動子の規格化された共振周波数の変化を示し
たものである０第３図においし て、ｒｙ Ｊマ＝ ｔ、９ではＯ≦ψ痴領域には共振周
波数は１点（０印をつけた１点）しか々く、その場合の
振動子の表面の変位υ２は振動部位中心から端の方へ第
４図に示したようになシ、基本モードだけが電極近傍に
閉じ込められ、スプリアスは生じない。一方、７Ｔ Ｊ
２Ｚ ”：：２．２では、０＜、ψ≦１の領域に共振周
波数が２点（目印をつけた５点）あり、その場合の２点
での振動子の表面の変位ＩＪｆは振動部位中心から端の
方へ、第５図［ａｌ、第５図ｆｂ）に示されたようにな
り、基本モードだけでなく、第５図（ｂｌに示されたよ
うな２次のインハーモニック・オーバートーンも電極近
傍に閉じ込められ、スプリアスとなる。
一般に第３図においてわかるように、ｖＪ”Ｅ−の値が
大きくなるとインハーモニック・オーバートーンがＯ−
ψ−１の領域に入り、その場合、スプリアスとして励振
される。第３図における破線は圧電板だけからなる円形
電極をもつ振動子について示したものであシ、実線は円
形電極をもつ複合振動子の場合を示し、ている。第３図
かられかるように同じ下ＪＫの値に対しても圧電板だけ
の場合と複合振動子の場合とで共振周波数が異なり、圧
電振動子の結果から複合振動子の場合を予想することは
できない。
大きくなるとインハーモニック・オーバートーンがＯ−
ψ−１の領域に入り、その場合、スプリアスとして励振
される。第３図における破線は圧電板だけからなる円形
電極をもつ振動子について示したものであシ、実線は円
形電極をもつ複合振動子の場合を示し、ている。第３図
かられかるように同じ下ＪＫの値に対しても圧電板だけ
の場合と複合振動子の場合とで共振周波数が異なり、圧
電振動子の結果から複合振動子の場合を予想することは
できない。
一トーンが存在しなくなるので、その時の一一伝になる
ような電極寸法にすれば、発振器及びフィルタ等に使用
してもスプリアスが生じない特性が得られることに寿る
〇 第６図にＺｎＯ薄膜とシリコン薄膜の厚さの比Ｔ、／Ｔ
、に対する下の値を示す。第６図から、スプリアスが生
じない最大電極寸法となる時の−４の値はり。／Ｔ二Ｙ
、 ’［’、／Ｔ、 ＝Ｘとするとほぼ次式で近似で
きることが明らかである。
ような電極寸法にすれば、発振器及びフィルタ等に使用
してもスプリアスが生じない特性が得られることに寿る
〇 第６図にＺｎＯ薄膜とシリコン薄膜の厚さの比Ｔ、／Ｔ
、に対する下の値を示す。第６図から、スプリアスが生
じない最大電極寸法となる時の−４の値はり。／Ｔ二Ｙ
、 ’［’、／Ｔ、 ＝Ｘとするとほぼ次式で近似で
きることが明らかである。
即ち、Ｙ＝１０Ｘ−２０Ｘ＋８．２（ただしＯ＜Ｘ≦０
．７）Ｙ＝１０．３Ｘ＋４．４ （ただしＯ＜Ｘ＜ ３
．０ ）また、Ｔ、７Ｔ、 ＝ ３． Ｏの場合におい
て、〒＝２００の場合、０≦ψ≦１の領域には共振周波
数は基本モード１点だけしかないけれども、その時の変
位は第７図に示したようになり、振動子に励振される振
動変位は電極の外側にも減衰せずに伝播する。このため
、振動子を構成するダイアフラムの端の影響が無視でき
なくなり、良い特性が得られないととがわか□る。よっ
て、発振器及びフィルタへ応用する時には複合振動にお
いては、Ｔ！／Ｔ１の値を３．０より小さくする必要が
ある。
．７）Ｙ＝１０．３Ｘ＋４．４ （ただしＯ＜Ｘ＜ ３
．０ ）また、Ｔ、７Ｔ、 ＝ ３． Ｏの場合におい
て、〒＝２００の場合、０≦ψ≦１の領域には共振周波
数は基本モード１点だけしかないけれども、その時の変
位は第７図に示したようになり、振動子に励振される振
動変位は電極の外側にも減衰せずに伝播する。このため
、振動子を構成するダイアフラムの端の影響が無視でき
なくなり、良い特性が得られないととがわか□る。よっ
て、発振器及びフィルタへ応用する時には複合振動にお
いては、Ｔ！／Ｔ１の値を３．０より小さくする必要が
ある。
（１１式で表わされる領域に関する具体的カー例として
、ＺｎＯの膜厚Ｔｔ ＝３．８８ｔｔｒｎ ｓ Ｓ ｉ
の膜厚Ｔ２＝３．８０μｍの複合振動子の特性について
述べると、一〒−の値が１６ （Ｌ＝１２５μｍ）の場
合を試作した結果、スプリアスが生じない共振特性が得
られた。
、ＺｎＯの膜厚Ｔｔ ＝３．８８ｔｔｒｎ ｓ Ｓ ｉ
の膜厚Ｔ２＝３．８０μｍの複合振動子の特性について
述べると、一〒−の値が１６ （Ｌ＝１２５μｍ）の場
合を試作した結果、スプリアスが生じない共振特性が得
られた。
なお本発明に係る振動子の製造方法の概略は次のとおり
である。
である。
表面ニボロンドープされたシリコン基板の両面にＳｉ、
Ｎ、保護膜ＣＶＤをつけ、フォトレジストで異方性エツ
チングし寿い部分をおおう。プラズマエツチングによっ
てレジストが力い部分の８ｉ３Ｎ、膜を除去し、その後
エチレンジアミンービロカテコ−ルー水の異−１エツチ
ング液でエツチングスフｘ＝その後リン酸で残りのＳ
ｉ 、 Ｎ、膜を除去し、表面に（リフトオフ）でＺｎ
Ｏ上につける。
Ｎ、保護膜ＣＶＤをつけ、フォトレジストで異方性エツ
チングし寿い部分をおおう。プラズマエツチングによっ
てレジストが力い部分の８ｉ３Ｎ、膜を除去し、その後
エチレンジアミンービロカテコ−ルー水の異−１エツチ
ング液でエツチングスフｘ＝その後リン酸で残りのＳ
ｉ 、 Ｎ、膜を除去し、表面に（リフトオフ）でＺｎ
Ｏ上につける。
また前述の式はスプリアスの発生しない最大電極寸法の
条件であるが、Ｙ＜ＩＯＸ” −２０Ｘ＋８．２（ｏ＜
Ｘ≦０．７ ）父ハＹ＜１０．３Ｘ＋４．４（０，７＜
Ｘ＜３．０） （７）Ｉｉ［ｆ ’＋＋（９１ Ｙの値がそれぞれ１０Ｘ” −２０Ｘ＋８．２ （ある
いは１０．３Ｘ＋４．４ ）に近い場合はスプリアスの
ない良好な特性が得られる。ただしＹが１に近づく範囲
では振動子は良好な特性が得られない。
条件であるが、Ｙ＜ＩＯＸ” −２０Ｘ＋８．２（ｏ＜
Ｘ≦０．７ ）父ハＹ＜１０．３Ｘ＋４．４（０，７＜
Ｘ＜３．０） （７）Ｉｉ［ｆ ’＋＋（９１ Ｙの値がそれぞれ１０Ｘ” −２０Ｘ＋８．２ （ある
いは１０．３Ｘ＋４．４ ）に近い場合はスプリアスの
ない良好な特性が得られる。ただしＹが１に近づく範囲
では振動子は良好な特性が得られない。
以上述べたように本発明によればスプリアスのない良好
外特性の複合振動子が得られ工業的価値も多大である。
外特性の複合振動子が得られ工業的価値も多大である。
第１図、第２図はＺｎＯ／Ｓｉ複合振動子の構造を示す
図、第３図は振動子において電極寸法を変化した時の共
振周波数の変化を示す図、第４図、第５図１第７図は振
動子の表面における変位Ｔｌ＋ｚの大きさを示す図、第
６図はＺｎＯ薄膜と８ｉ薄膜の比Ｔ！／Ｔ、に対するス
プリアスが生じない最大電極寸法りと振動子の厚さＴの
比Ｌ０／Ｔの値を示す図である。 以上の図において２２はシリコン基板、２３はシリコン
薄膜、２４は５１０２薄膜、２５はＺｎＯ薄膜、２６
、２７ 、２８は電極％２１は空孔な示し和る。 （、。テ理人弁理士内 原 晋 昂 １ 図 ＺＳ 亭 Ｚ 図 −〇 乎 ５ 図
図、第３図は振動子において電極寸法を変化した時の共
振周波数の変化を示す図、第４図、第５図１第７図は振
動子の表面における変位Ｔｌ＋ｚの大きさを示す図、第
６図はＺｎＯ薄膜と８ｉ薄膜の比Ｔ！／Ｔ、に対するス
プリアスが生じない最大電極寸法りと振動子の厚さＴの
比Ｌ０／Ｔの値を示す図である。 以上の図において２２はシリコン基板、２３はシリコン
薄膜、２４は５１０２薄膜、２５はＺｎＯ薄膜、２６
、２７ 、２８は電極％２１は空孔な示し和る。 （、。テ理人弁理士内 原 晋 昂 １ 図 ＺＳ 亭 Ｚ 図 −〇 乎 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン・ダイアフラムの薄層−ヒに絶縁薄膜、電極、
ＺｎＯ圧電薄膜、電極の順で積層された構造の振動部位
をもち、その周縁部をシリコン基板によって支持された
厚み振動圧電複合振動子において、 ＺｎＯ薄膜の厚さ
をＴＩ、シリコン・ダイヤフラムの薄層部の厚さをＴ、
多層構造の振動部位全体の厚さをＴとし、さらに前記振
動部位上の上部電極は円形であり、その直径をＬとし、
ＺｎＯ薄膜とシリコン・ダイヤフラムとの厚さの比Ｔ２
／ＴＩをＸ。 全体の厚さと円形電極の直径の比Ｌ／ＴをＹと置き換え
たときに、ＸとＹが次式 ％式％） Ｙ≦ＩＯ，３Ｘ＋４．４ （ただし０．７ ＜Ｘ＜ ３
．０ ）となる関係を有することを特徴とする圧電薄膜
複合振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24676883A JPS60142607A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 圧電薄膜複合振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24676883A JPS60142607A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 圧電薄膜複合振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142607A true JPS60142607A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17153374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24676883A Pending JPS60142607A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 圧電薄膜複合振動子 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPS60142607A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842088B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-01-11 | Ube Industries, Ltd. | Thin film acoustic resonator and method of producing the same |
| US6885262B2 (en) | 2002-11-05 | 2005-04-26 | Ube Industries, Ltd. | Band-pass filter using film bulk acoustic resonator |
| WO2005060091A1 (ja) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Ube Industries, Ltd. | 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス |
| US6936837B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-08-30 | Ube Industries, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
| US7259498B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, filter, and duplexer |
| US7388318B2 (en) | 2002-06-20 | 2008-06-17 | Ube Industries, Ltd. | Thin film piezoelectric resonator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof |
| US7482737B2 (en) | 2005-10-12 | 2009-01-27 | Ube Industries, Ltd. | Aluminum nitride thin film, composite film containing the same and piezoelectric thin film resonator using the same |
| JP2009253008A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | 圧電デバイスの製造方法 |
| US7642693B2 (en) | 2003-05-15 | 2010-01-05 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Wurtzite thin film, laminate containing wurtzite crystalline layer and their manufacturing methods |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24676883A patent/JPS60142607A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842088B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-01-11 | Ube Industries, Ltd. | Thin film acoustic resonator and method of producing the same |
| US6936837B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-08-30 | Ube Industries, Ltd. | Film bulk acoustic resonator |
| US7140084B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-11-28 | Ube Industries, Ltd. | Method of producing thin film bulk acoustic resonator |
| US7388318B2 (en) | 2002-06-20 | 2008-06-17 | Ube Industries, Ltd. | Thin film piezoelectric resonator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof |
| US6885262B2 (en) | 2002-11-05 | 2005-04-26 | Ube Industries, Ltd. | Band-pass filter using film bulk acoustic resonator |
| US7642693B2 (en) | 2003-05-15 | 2010-01-05 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Wurtzite thin film, laminate containing wurtzite crystalline layer and their manufacturing methods |
| US7259498B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, filter, and duplexer |
| USRE42009E1 (en) | 2003-09-17 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Piezoelectric resonator having a spurious component control layer, filter using the piezoelectric resonator, and duplexer using the piezoelectric resonator |
| WO2005060091A1 (ja) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Ube Industries, Ltd. | 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス |
| US7212082B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-05-01 | Ube Industries, Ltd. | Method of manufacturing piezoelectric thin film device and piezoelectric thin film device |
| US7482737B2 (en) | 2005-10-12 | 2009-01-27 | Ube Industries, Ltd. | Aluminum nitride thin film, composite film containing the same and piezoelectric thin film resonator using the same |
| JP2009253008A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | 圧電デバイスの製造方法 |
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