JPS60140824A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60140824A JPS60140824A JP58247823A JP24782383A JPS60140824A JP S60140824 A JPS60140824 A JP S60140824A JP 58247823 A JP58247823 A JP 58247823A JP 24782383 A JP24782383 A JP 24782383A JP S60140824 A JPS60140824 A JP S60140824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- sensitivity
- resist layer
- substrate
- cooled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造工８に於て用いられるレジス
トパターン形成方法に関する。
トパターン形成方法に関する。
口）従来技術
集積化された半導体装置の製造工程においては、一般に
エツチングの保護膜としてレジストが用いられる。集積
度化が進むにつれてレジストの高感度、高解像度化が望
まれている。
エツチングの保護膜としてレジストが用いられる。集積
度化が進むにつれてレジストの高感度、高解像度化が望
まれている。
一般にレジストパターンの形成は、基板上にレジストを
適尚な方法で被覆してレジスト層を形成し、熱処理（プ
リベーク）後室温にて放冷した後、これに電子線等を照
射して所望の潜像を描画し、続いてそのレジスト層に適
ｌ−だ現像条件で現像処理を行い、レジスト膜に描画さ
れた潜像からレジストパターンを形成している。
適尚な方法で被覆してレジスト層を形成し、熱処理（プ
リベーク）後室温にて放冷した後、これに電子線等を照
射して所望の潜像を描画し、続いてそのレジスト層に適
ｌ−だ現像条件で現像処理を行い、レジスト膜に描画さ
れた潜像からレジストパターンを形成している。
レジストの高感度化を図るには、レジスト材料の改良と
共に、レジストパターン形成工程におけるレジスト膜厚
、プリベーク温度・時間、現像液、現像温度・時間など
の要因があり広く研究されている。しかしながらプリベ
ーク後の冷却方法に関する研究例は見られない。
共に、レジストパターン形成工程におけるレジスト膜厚
、プリベーク温度・時間、現像液、現像温度・時間など
の要因があり広く研究されている。しかしながらプリベ
ーク後の冷却方法に関する研究例は見られない。
ハ）発明の目的
本発明は、高分子材料がプリベーク後の急冷によって結
晶性が低下し、溶剤に溶は易くなる事から、レジストを
プリベーク後急冷することによってレジストの感度を向
上せしめることを目的とする。
晶性が低下し、溶剤に溶は易くなる事から、レジストを
プリベーク後急冷することによってレジストの感度を向
上せしめることを目的とする。
二〕発明の構成
本発明は、基板上に形成したレジスト層をブリベーク後
急冷し、続いて露光、現像する構成を採っている。
急冷し、続いて露光、現像する構成を採っている。
ホ）実 施 例
以下実施例にもとすいて詳細に説明する。レジストとし
ては、重量平均分子量（Ｍｗ）約１００万のポリメタク
リル酸メチル（ＰＭＭＡ）レジストを使用し、シリコン
等の基板（１）上に厚み０．５μｍのレジスト層（２）
を形成し、１８０℃で６０分間、熱処理（プリベーク）
後、冷蔵庫内（１０℃）で急冷後室温放置冷却した。次
いで電子線露光機で印加電圧２ Ｑ ＫＶ、電流１．０
Ｘ１０−１０Ａで２．６Ｘ１０ 〜４．８ Ｘ １０
Ｃ／−の露光−量で１２５μｍ角のパターンを露光（３
）シた後、メチルセロソルブとイソプロピルアルコール
の混合液にて現像処理を行い、１８０℃で３Ｄ分乾燥し
た。次に露光部と未露光部の膜厚を触針法により測定し
たところ、その時の感度は１．５ Ｘ １０−”Ｃ／
ａｌであった。そして斯る条件下での感度曲線を第１図
（５）に示す。
ては、重量平均分子量（Ｍｗ）約１００万のポリメタク
リル酸メチル（ＰＭＭＡ）レジストを使用し、シリコン
等の基板（１）上に厚み０．５μｍのレジスト層（２）
を形成し、１８０℃で６０分間、熱処理（プリベーク）
後、冷蔵庫内（１０℃）で急冷後室温放置冷却した。次
いで電子線露光機で印加電圧２ Ｑ ＫＶ、電流１．０
Ｘ１０−１０Ａで２．６Ｘ１０ 〜４．８ Ｘ １０
Ｃ／−の露光−量で１２５μｍ角のパターンを露光（３
）シた後、メチルセロソルブとイソプロピルアルコール
の混合液にて現像処理を行い、１８０℃で３Ｄ分乾燥し
た。次に露光部と未露光部の膜厚を触針法により測定し
たところ、その時の感度は１．５ Ｘ １０−”Ｃ／
ａｌであった。そして斯る条件下での感度曲線を第１図
（５）に示す。
一方、レジスト膜（２）のプリベーク後に、ブリベーり
炉内で室温ＶＣまで徐冷した場合、並びに室温（２５℃
）にて放冷した場合、について夫々光の実施例と同じ条
件で露光、現象し、感度を測定したところ、夫々３．２
Ｘ１０ Ｃ／ｃｒＡ、１．９Ｘ１０−５Ｃ７−であり、
各冷却方法に依る感度曲線を第２図（１３）、０にて示
す。
炉内で室温ＶＣまで徐冷した場合、並びに室温（２５℃
）にて放冷した場合、について夫々光の実施例と同じ条
件で露光、現象し、感度を測定したところ、夫々３．２
Ｘ１０ Ｃ／ｃｒＡ、１．９Ｘ１０−５Ｃ７−であり、
各冷却方法に依る感度曲線を第２図（１３）、０にて示
す。
このようにプリベーク後にレジストを急冷する過程ケ経
る事に依って感度が向上するのけ、レジストの高分子材
料の結晶性が急冷工程に依って低下する事が原因と見ら
れる。
る事に依って感度が向上するのけ、レジストの高分子材
料の結晶性が急冷工程に依って低下する事が原因と見ら
れる。
尚、実施例では冷却温度１０℃で行ったが、更に低温側
で冷却処理することにより、更に感度の向上が期待でき
る。また本発明による感度の向上は、高分子材料の結晶
性に起因しているため、２ＭＭＡｃ限定されるものでは
なくポジ型、ネガ型を問わず高分子材料から成るレジス
ト一般に適用可能である。
で冷却処理することにより、更に感度の向上が期待でき
る。また本発明による感度の向上は、高分子材料の結晶
性に起因しているため、２ＭＭＡｃ限定されるものでは
なくポジ型、ネガ型を問わず高分子材料から成るレジス
ト一般に適用可能である。
へ）発明の効果
以上述べた如く、本発明によるレジストパターン形成方
法は、今まで研究された事のなかった、プリベーク後の
冷却工程に着目して急冷処理するだけで感度を向上せし
めているので、現在までに研究された種々のレジストの
高感度化手法に更に追加実行が可能であり、レジストパ
ターン分野に大いなる利益を与えるものと思われる。し
かも本発明方法はその手法が極めて簡便であり、本発明
の実施の為のコストアップは皆無である。
法は、今まで研究された事のなかった、プリベーク後の
冷却工程に着目して急冷処理するだけで感度を向上せし
めているので、現在までに研究された種々のレジストの
高感度化手法に更に追加実行が可能であり、レジストパ
ターン分野に大いなる利益を与えるものと思われる。し
かも本発明方法はその手法が極めて簡便であり、本発明
の実施の為のコストアップは皆無である。
第１図は本発明方法の工程を示す断面図、第２図は本発
明、並びに従来方法に依るレジストの感度曲線図であっ
て、（１）は基板、（２ｊはレジスト層、を夫々示して
いる。
明、並びに従来方法に依るレジストの感度曲線図であっ
て、（１）は基板、（２ｊはレジスト層、を夫々示して
いる。
Claims (1)
- １）基板表面に高分子材料から成るレジスト層を設け、
このレジスト層を所望形状に露光、現像してレジストパ
ターンを形成するに際し、基板表面にレジスト層を設け
た後、プリベーク処理を施し、続いてレジスト層を設け
た基板を急冷し、然る後該レジスト層を所望形状に露光
、現像する事を特許としたレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247823A JPS60140824A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247823A JPS60140824A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140824A true JPS60140824A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17169190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58247823A Pending JPS60140824A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5171348A (en) * | 1989-06-20 | 1992-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical element |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58247823A patent/JPS60140824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5171348A (en) * | 1989-06-20 | 1992-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical element |
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