JPS6013068A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6013068A JPS6013068A JP12217683A JP12217683A JPS6013068A JP S6013068 A JPS6013068 A JP S6013068A JP 12217683 A JP12217683 A JP 12217683A JP 12217683 A JP12217683 A JP 12217683A JP S6013068 A JPS6013068 A JP S6013068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sputtering apparatus
- target
- contg
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の分野）
本発明はスパッタ装置に関する。
（従来技術）
従来複合薄膜を形成するスパッタ装置においては、２種
以上のターゲットの上部をシャンターで覆い、こ′れら
のターゲットを順次スパッタする方法が通常用いられて
きた。第１図に、二極スパッタ方式を用いたこの装置を
、２個のターゲットを用いた場合を本発明に関連して図
式的に示す。１゜２はそれぞれ電極であり、ターゲット
材３，４が取り伺けである。陽極５の上には任意の数の
基板６が取り付けである。シャッター７がターゲット３
．４の上部を覆っていて、シャッター７には穴８が開け
である。この穴８の位置は、シャッター７を軸９の回り
に回転することにより移動する。
以上のターゲットの上部をシャンターで覆い、こ′れら
のターゲットを順次スパッタする方法が通常用いられて
きた。第１図に、二極スパッタ方式を用いたこの装置を
、２個のターゲットを用いた場合を本発明に関連して図
式的に示す。１゜２はそれぞれ電極であり、ターゲット
材３，４が取り伺けである。陽極５の上には任意の数の
基板６が取り付けである。シャッター７がターゲット３
．４の上部を覆っていて、シャッター７には穴８が開け
である。この穴８の位置は、シャッター７を軸９の回り
に回転することにより移動する。
今ターゲット材３をスパッタするときは、穴８の位置を
ターゲツト材３の真上に移動し、通常の手順でスパッタ
する。これを順次繰返して複合薄膜を形成する。なお第
１図において、室１０はこれらの構成部品を収容する室
で、図示しない真空排気系を用いて、バルブ１１を通し
て真空に排気しうる。バルブ１２はアルゴン等のガス導
入用に設けである。また電気回路系も図示していない。
ターゲツト材３の真上に移動し、通常の手順でスパッタ
する。これを順次繰返して複合薄膜を形成する。なお第
１図において、室１０はこれらの構成部品を収容する室
で、図示しない真空排気系を用いて、バルブ１１を通し
て真空に排気しうる。バルブ１２はアルゴン等のガス導
入用に設けである。また電気回路系も図示していない。
上記の装置を用いて複合薄膜を形成すると、純度の高い
薄膜は得られない。最初のターゲツト材をスパッタする
と、他のターゲツト材にもこのターゲツト材が付着する
。次いでスパッタすべきターゲツト材はこうして既に汚
染されているので、スパッタすると基板には汚染された
薄膜か付着することになる。
薄膜は得られない。最初のターゲツト材をスパッタする
と、他のターゲツト材にもこのターゲツト材が付着する
。次いでスパッタすべきターゲツト材はこうして既に汚
染されているので、スパッタすると基板には汚染された
薄膜か付着することになる。
（発明の目的）
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、複合薄膜を同一スパッタ装置で形成する際に、積
層される複数個の物質が相互に混入することを防ぎ、安
定で且つ高純度の複合薄膜を形成するスパッタ装置を提
供することである。
あり、複合薄膜を同一スパッタ装置で形成する際に、積
層される複数個の物質が相互に混入することを防ぎ、安
定で且つ高純度の複合薄膜を形成するスパッタ装置を提
供することである。
（発明の構成）
複数個のターゲツト材を用いる複合薄膜形成用のスパッ
タ装置において、ターゲツト材を取り付けつる電極（例
えば二極スパッタ方式においては陰極）を収容する複数
個の独立した室を、基板をせて基板に付着させるための
開口を備え、この各開口を、必要に応じて他の開口とは
独立に開閉するためのバルブを設ける。
タ装置において、ターゲツト材を取り付けつる電極（例
えば二極スパッタ方式においては陰極）を収容する複数
個の独立した室を、基板をせて基板に付着させるための
開口を備え、この各開口を、必要に応じて他の開口とは
独立に開閉するためのバルブを設ける。
（実施例）
第２図は、２個の独立した室を設けた本発明による二極
スパッタ方式のスパッタ装置の実施例を図式的に示す断
面図である。基板６を取り付けうる陽極５を収容する室
２０に隣接して、この室２０とは独立して、ターゲット
３を取り付けうる陰極１を収容する室２１と、ターゲッ
ト４を取り付けうる陰極２を収容する室２２とを設ける
。室２１゜２２の位置は、従来のスパッタ装置と同様に
、陰極上のターゲットからスパッタされた物質が陽極上
の基板に付着するように定める。室２１．２２にはそれ
ぞれ室２０に通じる開口２３．２４が備えてあり、それ
ぞれバルブ２５，２りにより開閉される。このバルブ２
５．２６としてはゲートバルブなどがあり、操作時には
、図示していない手段によって横に移動し、開口２３．
２４を開閉する。室２０の空１１＆１２７，２８はバル
ブを退避させるために設けたもので、第２図では、バル
ブ２５ブ１１ 、２９ 、３０によりそれぞれ独立に図
示していない排気系により排気され、またアルゴン等の
気体はバルブ３１．３２を通って室２１．２２へそれぞ
れ独立に導入できる。
スパッタ方式のスパッタ装置の実施例を図式的に示す断
面図である。基板６を取り付けうる陽極５を収容する室
２０に隣接して、この室２０とは独立して、ターゲット
３を取り付けうる陰極１を収容する室２１と、ターゲッ
ト４を取り付けうる陰極２を収容する室２２とを設ける
。室２１゜２２の位置は、従来のスパッタ装置と同様に
、陰極上のターゲットからスパッタされた物質が陽極上
の基板に付着するように定める。室２１．２２にはそれ
ぞれ室２０に通じる開口２３．２４が備えてあり、それ
ぞれバルブ２５，２りにより開閉される。このバルブ２
５．２６としてはゲートバルブなどがあり、操作時には
、図示していない手段によって横に移動し、開口２３．
２４を開閉する。室２０の空１１＆１２７，２８はバル
ブを退避させるために設けたもので、第２図では、バル
ブ２５ブ１１ 、２９ 、３０によりそれぞれ独立に図
示していない排気系により排気され、またアルゴン等の
気体はバルブ３１．３２を通って室２１．２２へそれぞ
れ独立に導入できる。
操作時には、ターゲツト材３を最初にスノくツタすると
きは、第２図に示すように、ノ＜バルブ２５を開いてお
く。スパッタされた物質は開口２３を通り、陽極３に取
り付けられた基板に付着する。このとき、他のターゲッ
ト４は独立した室に収容してあり、バルブ２６を閉じて
いるので、上記のスパッタされた物質によって汚染され
ない。次いで、バルブ２５を閉じ、もう一つのノクバル
ブ２６を開く。
きは、第２図に示すように、ノ＜バルブ２５を開いてお
く。スパッタされた物質は開口２３を通り、陽極３に取
り付けられた基板に付着する。このとき、他のターゲッ
ト４は独立した室に収容してあり、バルブ２６を閉じて
いるので、上記のスパッタされた物質によって汚染され
ない。次いで、バルブ２５を閉じ、もう一つのノクバル
ブ２６を開く。
こうしてターゲット４をスノ寸ツタすると、室２１の中
のターゲット３は汚染されない。こうして複数個のター
ゲツト材３と４とは順次基板４に付着し、高純度の複合
薄膜を形成する。
のターゲット３は汚染されない。こうして複数個のター
ゲツト材３と４とは順次基板４に付着し、高純度の複合
薄膜を形成する。
なお、この実施例は２個のターゲツト材を用いているが
、より多数のターゲツト材をス、ｆツタするときは、陰
極を収容する独立した室の数をふやして対応できること
は容易に理解できるだろう。
、より多数のターゲツト材をス、ｆツタするときは、陰
極を収容する独立した室の数をふやして対応できること
は容易に理解できるだろう。
この実施例は二極スパッタ方式以外の方式、例えば高周
波スパッタ方式、においても同様に適用できる。
波スパッタ方式、においても同様に適用できる。
（発明の効果）
本発明により、ターゲツト材からスノずツタされた物質
は他のターゲツト材を汚染せず、高純度の薄 の保護膜を形成することもてきる。
は他のターゲツト材を汚染せず、高純度の薄 の保護膜を形成することもてきる。
第１図は、従来の複合薄膜形成用のスパッタ装置の図式
的な断面図である。 第２図は、本発明による実施例の図式的な断面図である
。 １．２・・・陰極、３ 、４−・・ターゲツト材、５・
・・陽極、６・・・基板、２１．２２−・・独立した室
、２３゜２４・・・開口、２５，２６・・・ノ句しブ。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人−ｙ９理士青山 葆ほか２名
的な断面図である。 第２図は、本発明による実施例の図式的な断面図である
。 １．２・・・陰極、３ 、４−・・ターゲツト材、５・
・・陽極、６・・・基板、２１．２２−・・独立した室
、２３゜２４・・・開口、２５，２６・・・ノ句しブ。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人−ｙ９理士青山 葆ほか２名
Claims (1)
- （１）複数個のターゲツト材を用いるスパッタ装置にお
いて、ターゲツト材を取り付けうる電極を収容する複数
個の独立した室を設け、各室毎に基板を収容する室にス
パッタされた物質を通過させる開口を備え、各開口に他
の開口とは独立に開閉するためのバルブを設けたことを
特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12217683A JPS6013068A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12217683A JPS6013068A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013068A true JPS6013068A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14829452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12217683A Pending JPS6013068A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198459A2 (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Hitachi, Ltd. | Thin film forming method through sputtering and sputtering device |
| EP0655514A1 (en) * | 1993-11-04 | 1995-05-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Film depositing apparatus and process for preparing layered structure including oxide superconductor thin film |
-
1983
- 1983-07-04 JP JP12217683A patent/JPS6013068A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198459A2 (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Hitachi, Ltd. | Thin film forming method through sputtering and sputtering device |
| US4692230A (en) * | 1985-04-15 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Thin film forming method through sputtering and sputtering device |
| EP0655514A1 (en) * | 1993-11-04 | 1995-05-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Film depositing apparatus and process for preparing layered structure including oxide superconductor thin film |
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