JPS60127752A - ＩＣパツケ−ジリ−ド部のΝｉメツキ - Google Patents
ＩＣパツケ−ジリ−ド部のΝｉメツキInfo
- Publication number
- JPS60127752A JPS60127752A JP23582483A JP23582483A JPS60127752A JP S60127752 A JPS60127752 A JP S60127752A JP 23582483 A JP23582483 A JP 23582483A JP 23582483 A JP23582483 A JP 23582483A JP S60127752 A JPS60127752 A JP S60127752A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead
- plating film
- package
- solderability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半田付は等によ多接続するリードにＮｉメッキ
を施し半田付は性を向上させた多層配線基板リード部や
ＩＣパッケージリ〜ド部のＮｉメッキに関するものであ
る。
を施し半田付は性を向上させた多層配線基板リード部や
ＩＣパッケージリ〜ド部のＮｉメッキに関するものであ
る。
従来、コバール材質のリードに金メッキを施さない製品
は数多くあり、これらはＮｉメッキを被膜したものであ
った。このリード表面のＮ１メッキ被膜はＩＣ素子搭載
等のアッセンブリ一工程において、スズメッキでの密着
不良が多発し、また半田付けでの半田濡れ性が非常に悪
かった。それは客先のアッセンブリ一工程で酸化したリ
ード上のＮｉメッキが、スズメッキ工程の前処理での酸
化の除去が確実に出来難いために、スズメッキの密着性
が悪くなったものである。この部品を半田付けするとス
ズメッキが半田浴に溶解し、酸化の除去が出来てない面
が露出して半田の濡れ性不良が発生したためである。
は数多くあり、これらはＮｉメッキを被膜したものであ
った。このリード表面のＮ１メッキ被膜はＩＣ素子搭載
等のアッセンブリ一工程において、スズメッキでの密着
不良が多発し、また半田付けでの半田濡れ性が非常に悪
かった。それは客先のアッセンブリ一工程で酸化したリ
ード上のＮｉメッキが、スズメッキ工程の前処理での酸
化の除去が確実に出来難いために、スズメッキの密着性
が悪くなったものである。この部品を半田付けするとス
ズメッキが半田浴に溶解し、酸化の除去が出来てない面
が露出して半田の濡れ性不良が発生したためである。
本発明者は、上記原因を鋭意研究して解析した結果、本
発明を完成したものである。
発明を完成したものである。
本発明はコネクター等へ接続するリードに、Ｎ１メッキ
を施したＩＣパッケージリード部のＮ１メッキにおいて
、該Ｎｉメッキ被膜としてＣ。
を施したＩＣパッケージリード部のＮ１メッキにおいて
、該Ｎｉメッキ被膜としてＣ。
含有量が５ｗｔ％以下であることを特徴とするＩＣパッ
ケージリード部のＮｉメッキを提供するものである。
ケージリード部のＮｉメッキを提供するものである。
以下、本発明につき詳しく説明する。
前述でのスズメッキの密着性悪さおよび半田濡れ性不良
の原因を種々調査し解析したところ次のことが判明した
。
の原因を種々調査し解析したところ次のことが判明した
。
Ｎｉメッキ中に含まれているＣｏ量に起因することが明
らかになり、そのＣｏはＮｉに比較して酸化されやすく
、シかも生成した酸化物は緻密であり、スズメッキ等の
前処理では除去することが困難であシ半田付き性が良く
なかった。
らかになり、そのＣｏはＮｉに比較して酸化されやすく
、シかも生成した酸化物は緻密であり、スズメッキ等の
前処理では除去することが困難であシ半田付き性が良く
なかった。
そのためＮ１メッキ被膜の００量を種々変化させて調査
した結果を下記に示した。
した結果を下記に示した。
第 １ 表
上表半田付けは、コバールリードにＮ１およびＮｌ −
Ｃｏ合金メッキを行ない加熱処理後にスズメッキを行な
ったものを半田付けした。
Ｃｏ合金メッキを行ない加熱処理後にスズメッキを行な
ったものを半田付けした。
また半田付は性については、アメリカ軍隊の規格である
ＭＩＬ −ＳＴＤ ８８３−２００３に準じて行い、半
田付は性の評価は規準サンプルとの比較において行われ
たもので、上表での○は試料表面積の９５チ以上が半田
で濡れているもの、△は７５多以上９５％以下、×は７
５％以下を示したものである。
ＭＩＬ −ＳＴＤ ８８３−２００３に準じて行い、半
田付は性の評価は規準サンプルとの比較において行われ
たもので、上表での○は試料表面積の９５チ以上が半田
で濡れているもの、△は７５多以上９５％以下、×は７
５％以下を示したものである。
本発明でＮｉメッキ被膜中のＣｏ量を５ｗｔｑ６以下に
限定した理由は、試料表面積の９５％以上の半田濡れ性
によるもので°、Ｃｏ量の６ｗｔ％以下でも良好なもの
であるが、品質安定性、耐久性等よフ考慮しての安全性
を見込んだものである。
限定した理由は、試料表面積の９５％以上の半田濡れ性
によるもので°、Ｃｏ量の６ｗｔ％以下でも良好なもの
であるが、品質安定性、耐久性等よフ考慮しての安全性
を見込んだものである。
上記の如く本発明はＩＣパッケージや多層配線基板等の
接続リード部の半田付は性を向上してかつ耐熱特性に優
れたものとし、品質の安定性と耐久性を計ることが出来
た。
接続リード部の半田付は性を向上してかつ耐熱特性に優
れたものとし、品質の安定性と耐久性を計ることが出来
た。
以下、実施例につき記述する。
実施例
ＡｈＯｓ ９２％含有のグリーンシート上ＫＷ粉末を調
製したペーストにて配線を印刷して還元雰囲気中で焼結
したメタライズ上にＮｉメッキ厚さ２μｍを施し９００
℃にてシンター後、銀ロー材を使用してリード金具を接
合した。
製したペーストにて配線を印刷して還元雰囲気中で焼結
したメタライズ上にＮｉメッキ厚さ２μｍを施し９００
℃にてシンター後、銀ロー材を使用してリード金具を接
合した。
この接合したリード部品に、前記第１表に示したＮｉメ
ッキ被膜中のＣｏ量を各種変化させてＮ１またはＮｉ−
Ｃｏ合金をメッキ厚さ２μｍした。
ッキ被膜中のＣｏ量を各種変化させてＮ１またはＮｉ−
Ｃｏ合金をメッキ厚さ２μｍした。
この際Ｎ１メッキ中の００量は、０％ではスルファミン
酸Ｎｉメッキ液を使用し、Ｎ１メッキ中のＣｏ量が３ｗ
ｔ％以上のものはニッケルワット液浴にＣｏとして硫酸
Ｃ０を添加して使用した。
酸Ｎｉメッキ液を使用し、Ｎ１メッキ中のＣｏ量が３ｗ
ｔ％以上のものはニッケルワット液浴にＣｏとして硫酸
Ｃ０を添加して使用した。
この各種試料にＡｕメッキ厚さ１μｍを施してリード部
分のみＡｕ層を剥離し、ＩＣ素子等のアッセンブリ一工
程に回した。この工程での実際の製品作成では、ＩＣ素
子付きパッケージでの耐熱特性を向上させるためにリー
ド部以外はマスキングしてから、リード部のみＣｏ１５
ｗｔ％以下のＮｉワット液浴あるいはスルファミン酸Ｎ
ｌメッキ液が使用される。
分のみＡｕ層を剥離し、ＩＣ素子等のアッセンブリ一工
程に回した。この工程での実際の製品作成では、ＩＣ素
子付きパッケージでの耐熱特性を向上させるためにリー
ド部以外はマスキングしてから、リード部のみＣｏ１５
ｗｔ％以下のＮｉワット液浴あるいはスルファミン酸Ｎ
ｌメッキ液が使用される。
上記この実施例でのアッセンブリ一工程を終了したもの
は、スズメッキ厚さ５μｍを施し、アメリカ軍隊規格で
あるＭＩＬ −ＳＴＤ ８８３−２００３に準じて評価
し、次工程の半田付けを６３８ｎ／３７Ｐｂにて行い、
半田の濡れ性評価を行った。
は、スズメッキ厚さ５μｍを施し、アメリカ軍隊規格で
あるＭＩＬ −ＳＴＤ ８８３−２００３に準じて評価
し、次工程の半田付けを６３８ｎ／３７Ｐｂにて行い、
半田の濡れ性評価を行った。
この実施例での試料個数は各々１００個について行い、
各試料を規準サンプルと並列して拡大鏡にて観察評価を
行った。
各試料を規準サンプルと並列して拡大鏡にて観察評価を
行った。
各試料は○、Δ、Ｘでの前記した表面積での規準で分類
し、下表に示した。
し、下表に示した。
以上の如く本発明のＮｉメッキ被膜としてＣ。
含有量が５ｗｔ％以下であるもののＩＣパッケージまた
は多層配線基板等の接続リード部は、半田付は性を十分
と云える程度までに向上してそれによる耐熱特性を優れ
たものとし、耐久性のある品質安定を計ったものである
。
は多層配線基板等の接続リード部は、半田付は性を十分
と云える程度までに向上してそれによる耐熱特性を優れ
たものとし、耐久性のある品質安定を計ったものである
。
Claims (1)
- コネクター等へ接続するリードに、Ｎｉメッキを施した
ＩＣパッケージリード部のＮｉメッキにおいて、該Ｎｉ
メッキ被膜としてＣｏ含有量が５ ｗｔ ％以下である
ことを特徴とするＩＣパッケージリード部のＮ１メッキ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23582483A JPS60127752A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ＩＣパツケ−ジリ−ド部のΝｉメツキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23582483A JPS60127752A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ＩＣパツケ−ジリ−ド部のΝｉメツキ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127752A true JPS60127752A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=16991799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23582483A Pending JPS60127752A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ＩＣパツケ−ジリ−ド部のΝｉメツキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4722137A (en) * | 1986-02-05 | 1988-02-02 | Hewlett-Packard Company | High frequency hermetically sealed package for solid-state components |
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596662A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Toshiba Corp | Electronic component member |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23582483A patent/JPS60127752A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596662A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Toshiba Corp | Electronic component member |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4722137A (en) * | 1986-02-05 | 1988-02-02 | Hewlett-Packard Company | High frequency hermetically sealed package for solid-state components |
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
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