JPS6012288Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6012288Y2 JPS6012288Y2 JP1980020927U JP2092780U JPS6012288Y2 JP S6012288 Y2 JPS6012288 Y2 JP S6012288Y2 JP 1980020927 U JP1980020927 U JP 1980020927U JP 2092780 U JP2092780 U JP 2092780U JP S6012288 Y2 JPS6012288 Y2 JP S6012288Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- melting point
- low melting
- ceramic
- point glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は低融点ガラスを用いてセラミックパッケージを
気密封止した半導体装置に関する。
気密封止した半導体装置に関する。
従来、キャビティーを有するセラミックパッケージの基
板上に低融点ガラスを介して蓋部材（以下リッドと称す
る）を取り付け、前記キャビティー内の素子を気密封止
する半導体装置は、第１図の斜視図に示す様な構造であ
った。
板上に低融点ガラスを介して蓋部材（以下リッドと称す
る）を取り付け、前記キャビティー内の素子を気密封止
する半導体装置は、第１図の斜視図に示す様な構造であ
った。
つまり、セラミック基板２及び外部リード５よりなるセ
ラミックパッケージ１の前記セラミック基板２上に、低
融点ガラス４を介してリッド３を取り付けた構造であっ
た。
ラミックパッケージ１の前記セラミック基板２上に、低
融点ガラス４を介してリッド３を取り付けた構造であっ
た。
また、この従来装置を断面図で表わしたのが第２図であ
る。
る。
つまり、セラミック基板２及び外部リード５よりなるセ
ラミックパッケージ１のキャビティー７に素子６を実装
し、前記セラミック基板２上に低融点ガラス４を介して
リッド３を取り付け、前記素子６を気密封止した構造で
あった。
ラミックパッケージ１のキャビティー７に素子６を実装
し、前記セラミック基板２上に低融点ガラス４を介して
リッド３を取り付け、前記素子６を気密封止した構造で
あった。
上記の様な構造の場合、封止材料に低融点ガラスを用い
ている為、金錫ろう材封止をした装置と比べ、材料コス
トが安く、また、リッド材質がサファイア、石英、アル
ミナ等の物質でも容易に封止が可能である。
ている為、金錫ろう材封止をした装置と比べ、材料コス
トが安く、また、リッド材質がサファイア、石英、アル
ミナ等の物質でも容易に封止が可能である。
またさらに、最近の低融点ガラスは４００℃程度で封止
が可能であり、耐熱性に劣る素子も封止可能であること
から広く用いられている。
が可能であり、耐熱性に劣る素子も封止可能であること
から広く用いられている。
しかしながら、この低融点ガラス封止した従来の装置は
、落下衝撃に対して気密不良を起こし易いという欠点を
有している。
、落下衝撃に対して気密不良を起こし易いという欠点を
有している。
たとえば、第１図、第２図に示した構造を有する従来の
装置を、誤って机の上から床に落してしまった時、リッ
ドが剥離してしまうという様な現象がしばしば見られた
。
装置を、誤って机の上から床に落してしまった時、リッ
ドが剥離してしまうという様な現象がしばしば見られた
。
実際にはＪＩＳ規格のＪＩＳ−Ｃ−７０２１の自然落下
試験（７５ｃｍの高さから落下）を行なってみれば、こ
の事実は明白となる。
試験（７５ｃｍの高さから落下）を行なってみれば、こ
の事実は明白となる。
たとえば、第３図に示す様に、従来装置に自然落下試験
を行なった時、衝突板）０上にリッド３から落下をした
場合、特に高い発生率でもって気密性の劣化が生じる。
を行なった時、衝突板）０上にリッド３から落下をした
場合、特に高い発生率でもって気密性の劣化が生じる。
その時のリッド封着部における気密不良個所を第４図の
拡大断面図に示す。
拡大断面図に示す。
この図では、セラミック基板２上に低融点ガラス４を介
してリッド３が封着されている部分を拡大して示しであ
る。
してリッド３が封着されている部分を拡大して示しであ
る。
この場合、リッド３の封着温度が低すぎると低融点ガラ
ス４とセラミック基板２の反応が十分に行なわれず、落
下衝撃により、両者の界面Ｂ−Ｃ間に剥離現象が生る。
ス４とセラミック基板２の反応が十分に行なわれず、落
下衝撃により、両者の界面Ｂ−Ｃ間に剥離現象が生る。
この部分の剥離問題はリッドの封着温度を上げることに
より大半は解決される。
より大半は解決される。
ところが、封着温度を上げた場合、衝突の際、今度は低
融点ガラス４自身のＡ−Ｂ間にクラックが発生してしま
う。
融点ガラス４自身のＡ−Ｂ間にクラックが発生してしま
う。
これは、もともと低融点ガラス自身が衝撃力に弱い為で
あり、いくらリッドの封着温度を上げ、リッドの接着強
度を増しても、気密不良は解決されないのである。
あり、いくらリッドの封着温度を上げ、リッドの接着強
度を増しても、気密不良は解決されないのである。
この為、衝突による気密不良を防ぐ為には、衝撃力自体
を緩衝できる装置構造にしなければならない。
を緩衝できる装置構造にしなければならない。
ところで、第３図に示す様な落下をした場合、セラミッ
クパッケージ１自身も相当な衝撃及び振動を受け、時に
はリッド３の接着強度よりもセラミックパッケージ１自
身の強度の方が小さく、セラミック基板２が破壊するこ
ともある。
クパッケージ１自身も相当な衝撃及び振動を受け、時に
はリッド３の接着強度よりもセラミックパッケージ１自
身の強度の方が小さく、セラミック基板２が破壊するこ
ともある。
セラミック基板の振動はリッドの接着強度に大きく影響
を及ぼす。
を及ぼす。
この為、落下試験に対しては、セラミック基板自身の強
度が大きいものを利用した方が有利であり、衝突による
衝撃及び振動をパッケージ自身で緩衝できる装置構造が
望ましい。
度が大きいものを利用した方が有利であり、衝突による
衝撃及び振動をパッケージ自身で緩衝できる装置構造が
望ましい。
その為にはパッケージ基板の厚さを増やすことが効果的
であることが実験より明らかになった。
であることが実験より明らかになった。
本考案は、従来装置構造の欠点を解消すべく、また、上
記の様な落下衝撃に対するパッケージ基板の影響に鑑み
て、セラミックパッケージ基板の裏面に落下衝撃緩衝部
材を備えた半導体装置を提供するものである。
記の様な落下衝撃に対するパッケージ基板の影響に鑑み
て、セラミックパッケージ基板の裏面に落下衝撃緩衝部
材を備えた半導体装置を提供するものである。
第５図に本考案の一実施例を斜視図で示す。
この装置の構造は、セラミック基板２及び外部り−ド５
よりなるセラミックパッケージ１の前記セラミック基板
２上に、低融点ガラス４を介してリッド３が封着されて
いるのであるが、セラミック基板２の裏面に低融点ガラ
スまたは樹脂などの接着材９を介して緩衝部材８を有し
ているものである。
よりなるセラミックパッケージ１の前記セラミック基板
２上に、低融点ガラス４を介してリッド３が封着されて
いるのであるが、セラミック基板２の裏面に低融点ガラ
スまたは樹脂などの接着材９を介して緩衝部材８を有し
ているものである。
また、この装置を断面図で表わしたのが第６図である。
すなわち、セラミック基板２の裏面に板状の緩衝部材８
を接着した構造である。
を接着した構造である。
緩衝部材８はセラミックを用い低融点ガラスによって接
着する。
着する。
このような構造であると、第７図に示す様な落下の方法
でも、リッド封着部の気密不良は生じなくなる。
でも、リッド封着部の気密不良は生じなくなる。
つまり、第７図はＪＩＳ −Ｃ−７０２１の落下衝撃試
験を行なっているところを示している図であるが、リッ
ド３が衝突板１０に衝突した際、衝撃力及び振動はセラ
ミックパッケージ１にも及ぶ。
験を行なっているところを示している図であるが、リッ
ド３が衝突板１０に衝突した際、衝撃力及び振動はセラ
ミックパッケージ１にも及ぶ。
しかし、セラミック基板２の裏面に、該セラミック基板
を補強するかたちで緩衝部材８が取り付けられている為
、衝突の際、低融点ガラス４に加わる衝撃力及び振動は
少なくなり、第４図に示した様な低融点ガラス４とセラ
ミック基板２との剥離、並びに低融点ガラス中のＡ−Ｂ
間のクラック等はなくなる。
を補強するかたちで緩衝部材８が取り付けられている為
、衝突の際、低融点ガラス４に加わる衝撃力及び振動は
少なくなり、第４図に示した様な低融点ガラス４とセラ
ミック基板２との剥離、並びに低融点ガラス中のＡ−Ｂ
間のクラック等はなくなる。
ところで第５図、第６図における本考案に基づく装置で
、落下衝撃緩衝部材８は、低融点ガラスを接着剤として
用い、実際にはリッド３をセラミック基板２に封着する
のと同時に接着することが望ましい。
、落下衝撃緩衝部材８は、低融点ガラスを接着剤として
用い、実際にはリッド３をセラミック基板２に封着する
のと同時に接着することが望ましい。
そのことにより、従来のセラミックパッケージが使用で
きるし、従来のマウント及びボンディング作業も可能で
あり、また、工程数も従来とほとんど変わらない。
きるし、従来のマウント及びボンディング作業も可能で
あり、また、工程数も従来とほとんど変わらない。
以上の様に、本考案に基づく第５図、第６図の構造であ
れば、落下衝撃によるリッドの剥離や封着部からの気密
不良等が解消されるという利点を有している。
れば、落下衝撃によるリッドの剥離や封着部からの気密
不良等が解消されるという利点を有している。
第１図は従来装置の斜視図、第２図はその断面図、第３
図は従来装置に自然落下試験を行なっていることを説明
する図、第４図は従来装置の気密不良箇所拡大断面図、
第５図は本考案の実施例の斜視図、第６図はその断面図
、第７図は本考案に基づく装置に自然落下試験を行なっ
ていることを説明する図である。 １・・・・・・セラミックパッケージ、２・・・・・・
セラミック基板、３・・・・・・リッド、４・・・・・
・低融点ガラス、５・・・・・・外部リード、６・・曲
素子、７・・間キャビティー、８・・・・・・緩衝部材
、９・・・・・・接着材、１ｏ・曲・衝突板。
図は従来装置に自然落下試験を行なっていることを説明
する図、第４図は従来装置の気密不良箇所拡大断面図、
第５図は本考案の実施例の斜視図、第６図はその断面図
、第７図は本考案に基づく装置に自然落下試験を行なっ
ていることを説明する図である。 １・・・・・・セラミックパッケージ、２・・・・・・
セラミック基板、３・・・・・・リッド、４・・・・・
・低融点ガラス、５・・・・・・外部リード、６・・曲
素子、７・・間キャビティー、８・・・・・・緩衝部材
、９・・・・・・接着材、１ｏ・曲・衝突板。
Claims (1)
- キャビティーを有するセラミックパッケージの基板上に
低融点ガラスを介してリッドを取り付は該キャビティー
内の素子を気密封止する半導体装置において、前記パッ
ケージ基板のリッドと反対面に低融点ガラスを介して落
下衝撃緩衝用セラミック部材を取り付けたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980020927U JPS6012288Y2 (ja) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980020927U JPS6012288Y2 (ja) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56123555U JPS56123555U (ja) | 1981-09-19 |
| JPS6012288Y2 true JPS6012288Y2 (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=29617105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980020927U Expired JPS6012288Y2 (ja) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012288Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-02-20 JP JP1980020927U patent/JPS6012288Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56123555U (ja) | 1981-09-19 |
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