JPS60120176A - 乾燥器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば洗浄後の半導体基板などを迅速に乾燥
させるＩこめの乾燥器に関する。

Ｉｎ　ｐ、Ｑａ　Ａｓなどの半導体基板は酸化しゃすい
性質をもっているため、製造工程において洗浄した場合
、表面に付着した水分を極めて迅速に乾燥させないと、
表面酸化が生じる。

このため従来では、洗浄後のこの種の半導体基板を乾燥
さける方法の１つとして、Ｎ２やΔｒなどの不活性ガス
を］−アーガンを用い−て半導体基板に噴ぎ付ける方法
が試みられている。しかし、この方法では、噴ぎイ１【
ノる不活性カスの湿度が低いので迅速な乾燥が−０きな
かった。このため迅速に乾燥ざ［！るへく不活性ガスの
流速を速くすると、Ｉｎ　Ｐ、Ｇａ　Ａｓなどの形状の
小ざな破損しやづい半導体基板では、ピンセット等によ
る固定が刺しいため噴き飛ばされたり破損し！、ニリす
る不都合があった。

また従来の方法として、赤外わ１１ランプを用いて熱線
を半導体基板に照射する方法も試みられている。しかし
この方法で【よ、ガスの流れがないので迅速な乾燥かで
きなかった。このため迅速な乾燥をさせるには、大きな
形状の赤外線ランプを用いて高温にする必要があるが、
火傷などの危険が伴なうので実用的でなかった。

またＳｉウェーハの乾燥に使うスピンナ一方式を用いる
のは、チップ形状が小さく破損しゃすい半導体基板には
不向きであった。

本発明は上記欠点を改め、チップ形状が小さく破損され
やすい洗浄後の半導体基板を噴き飛ばしたり破損したり
づ゛ることなく迅速に乾燥させることができるようにし
た乾燥器を提供することを目的としている。

以下、図面に示す本発明の実施例について説明する。

第１〜３図は本発明の一実施例による乾燥器を示してお
り、第１図は斜視図、第２図は一部を破断して描いた右
側面図である。

これらの図において１（ま矩形箱状の筐体で、その下面
が開口している。筐体１は４１台２に支持板３によって
固定されている。

支持板３には基台２と平行に矩形平板状の試料台４が取
り付けられている。この試料台４は、支持板３に穿設さ
れた上下方向の縦穴３ａに沿って高さを調整して締付ネ
ジ５によって固定される。

該試料台４どしては、塵埃の発生がなく、耐熱性があり
、不活性ガス、有機溶剤、酸、アルカリなどに対して耐
蝕性のある側斜、例えばステンレス板、表面にテフロン
コー１〜を施した金属板、表面をアルマイト処１里１）
だアルミニウム板などを用いる。

筐体１の内一部にに１、後）小する熱源ランプ１５の輻
口」熱を反ｑ・１シて試お１台４へ集光するための、断
面円弧状の反射板６が取り（＝ＪＵられている。

外部からの不活性ガスは、筺体１の側面を員いた導管７
、内部の導筈８、接続部９を介して、反射板６を下方へ
貫通して水平に設りられた水平管１０に導かれる。水平
管１ｏにに１、試料台４方向へ不活性ガスを噴きイ」け
るための１１貴出口１１が複数個段Ｃ）である。水平管
１０（あるいは導管７．８あるいはガス供給装置）の内
部には、不活性ガス中の微粒子などを捕えるためのガス
フィルタ（図示けず）が設りられている。

１２は導管７とＳ管８間に設【プられた不活性ガスの流
量を測定表示するニードルバルブ付きの流量貫１．１３
は流ｆｆｉ調整ツマミである。

水平管１０の外周囲には不活性ガスを加熱するためのヒ
ータ１４が被覆されている。なお水平管１０内に埋め込
んでもよい。ヒータ１４として（＝Ｌ１塵埃を発生しな
いような処理を施したニラ０ム綜又はタングステン線を
用いる。

輻射熱が反射板６によって試１１３１台４へ最もＪ：＜
集光されるように、且つ水平管１０の噴出口１１から噴
出されるガスの流路に位置するｊ：うに、熱源ランプ１
５が反射板６の下面に設けた支持具１６によって水平に
取り付りらけている。

熱源ランプ１５としては、形状が小さく、しかも高温を
保持でき、熱線を透過する月利で被覆されたものを用い
る。特に熱線の被覆拐としては、熱や前記不活性ガスに
さらされても塵埃など汚染の原因となる物質を発生させ
ないもの、例えば石英管などを用いる。またＩｎＰやＱ
ａ　Ａｓなど酸化されやすい半導体基板を乾燥させる場
合には、白色光等の輻射熱によって酸化されるのを防ぐ
ために、赤外線だりを透過させる一ノイルターを設りた
被覆刊を用いる。。

１７は熱源ランプ１ｂ（Ｊ′）電源スィッチ、１８は熱
源ランプ１５に供給される電力を８１１１整するための
熱源ランプ制御器の電力調整ツマミである。

支持板３の背面に（。ＬＮ力調整器（熱源ランプ制御器
）１９を収容し１ｃｒｔ体２０が取りトロつられている
。この筐体２０及び電力調整器１９は全体の車力バラン
スのため支持板３の背面に配置されている。２１はｍ　
Ｉｌｌニブラグである。

なお試料台４及び基台２には反剣を弱めるため黒アルマ
イ１−又は黒りＩ］　ｌ＼メッキ処理がなされている。

上記の如く本実施例の乾燥器は構成されているので、試
わ１台４の高さを調整して締付ネジ５で固定した後」−
面に洗浄後の半導体基板を多数のせ、ガス供給装置（図
示ぜ−ず）によって不活性ガスを供給づ−ると、水平管
１０の多数の噴出口１１から不活性ガスは噴出され、そ
の流路に位置する熱源ランプ１５に当って温められて試
料台４上の半導゛体基板に噴きイ」けられる。また熱源
ランプ１５の輻射熱は、反則板６によっ−（−試料台４
へ集光される。このＩζめ、温められた不活性ガスの噴
き（＝Ｉりど輻射熱の双方によって、半導体Ｍ板は４へ
めで短時間に乾燥づる。そして、乾燥させるべき半導体
基板の人ぎさ、厚さに応じて、電力調整ツマミ１８によ
って熱源ランプ１５の温度、流量調整ツマミ１３によっ
て噴出づ−る不活性ガスの流量を調整すればよいから、
微小な破１０シやすい半導体基板でも、噴き飛んだり破
損しない６１Ｑ囲で可及的に最高速Ｉ褒で乾燥するよう
に調整できる。

以上本発明の詳細な説明したが、本発明は上記実施例の
構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の変形が可１］ヒなことは勿論であり、
例えば筐体１の形状や反射板６の形状を変形したり、ま
た熱源ランプ１５の位置、噴出口１１の位置などを変え
ることもできる。

また熱源ランプ１５は噴出［１１１からの噴出ガスの流
路にではなく、流路の近傍に位置するように配置しでｂ
よい、。

本発明Ｔ：ｔｊ：　、上記の如く不活性ガスを熱源ラン
プ１５で温めて乾燥さぜるべき試お１に噴きイ」け、１
°１つ反射板６で熱源ランプ１５の輻射熱を集光して試
１′８１を照射している。従って、不活性ガスの風Ｆ１
−をさほど強くしなくでも、また熱源ランプ１５の温度
をさほど高くしなくても、試ゎＩを従来方法Ｊ：りはる
かに短時間で乾燥させることができる。

コ（７）　７．：め、ｌｎＰ、ＧａＡｓなど酸化しヤ）
１い、チップ形状の小さな破］ｏしヤ）Ｊい半導体基板
を、破損することなく、Ｏｎき飛ばすことなく、酸化さ
μることなく、迅速に乾燥さけることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示づ斜視図、第２図は一部
を破ｆｆ１ｉ　Ｌ−’Ｃ描いた右側面図である。 １・・・・・・筐体、２・・・・・基台、３・・・・・
・支持板、３ａ・・・・・・縦穴、４・・・・・・試わ
１台、５・・・・・・締ｆ＝１ネジ、６・・・・・・反
射板、１０・・・・・・水平管、１１・・・・・・噴出
口、１２・・・・・・流ｕｉ計、１４・・・・・・ヒー
タ、１５・・・・・・熱源ランプ、１６・・・・・・支
持具。 手続ネ山ヱＥ書く自発〉 昭和５８年１２月１２臼 特許庁長官　若杉　用人　殿 ２、発明の名称　乾燥器 ３、補正をり゛る者 事例どの関係　特許出願人 住所　東京都港区南麻布５丁目１０番２７号名称　（０
５７）安立電気株式会ネ１ 代表者　１）島　−部　（ほか１名） ４、代理人〒１０５　電話４３３−４７０２住所　東京
都港区新橋４−２４−３ 願書に添付する委任状および図面

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 不活性ガスを噴出する噴出口を有するＳ管と；該噴出口
   から噴出される不活性ガスの流路又はその近傍に配置さ
   れ、熱線を放射しで、該不活性ガスを加熱するための熱
   源ランプと： 前記熱線の徂を制御する熱陥ランプ制御器と；加熱され
   た雰囲気内に、且つ、前記熱源ランプからの距１ｔｌｌ
   ｌが調整可能に設けられ、乾燥ずべき試料を載置するた
   めの、上面が黒アルマイト又は黒クロムメツキ処理され
   た試料台と； 前記熱源ランプの熱線を、前記試料台上に冒かれた試料
   に向けて反射して集光覆′るように配置された反射板と
   を備えた乾燥器。