JPS60114832A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 装置に関する。

現在、各種の事務用機器治計測用機器に於ける端末表示
器、或は、テレビやビデオカメラ用モニターに於ける表
示器として、陰極線管（所謂、ＣＲＴ）が広く利用され
ている。しかし、このＣＲＴに就いては、画質、解像度
、表示容量の而で銀塩若しくは電子写真法を用いたハー
ドコピー程度のレベルに達していないと言う不ｌｉ：ｌ
ｊが残されている。又、ＣＲＴに代わるものとして、液
晶によりドツトマトリックス表示する所謂、液晶パネル
の実用化の試みも為されているが、この液晶パネルに就
いても、駆動性、信頼性、生産性、耐久性の面で未だ満
足できるものは得られていない。

そこで、本発明は、斯かる技術分野に於ける従来技術の
解決し得なかった課題を解決することを目的とする。

つまり、本発明の目的は、光変調装置や１妬解像度で良
質の画像を表示する、駆動性、生産性、耐久性、信頼性
に優れた表示装置を提供することを目的とする。

本発明の表示装置は、疎水部分と親水部分とを有する有
機化合物分子よりなる単分子膜又は単分子層累積膜およ
び該単分子膜又は該単分子層累積膜を加熱するための発
熱要素とを具備する表示素子と、該発熱要素を駆動させ
るための駆動手段と、該表示素子に対して画像情報に応
じた信号を出力する信号出力手段および信号走査手段と
、該表示素子を照明するための照明光学系と、該表示素
子の画像情報をスクリーン上に投写するための結像光学
系とを具備することを特徴とする。

前記照明光学系はシュリーレン光学系から成ることが好
ましい。

以下に本発明に係る表示装置の例を図面に従って説明す
る。第１図、第２図は、ライトバルブ式投写装置の構成
図であり、第３図はライトバルブ式投写装置のブロック
図である。ライトバルブ（光弁）は光を制御あるいは調
節するものの意であり、従って、独立した光源からの光
を適当な媒体（本発明の場合、表示素子の単分子膜又は
単分子層累積膜）で制御してスクリーン上に投写表示す
る方式のディスプレイはすべてこれに含まれることにな
る。この方式は、ブラウン管のような自発）シ型ディス
プレイに比べると原理的には、使用する光源を強くする
ことにより表示画面のサイズと明るさをいくらでも増加
できるので、特に光歌な必要とする大画面ディスプレイ
に適している。そのうち、第１図に示すものは、シュリ
ーレンライトバルブとも呼ばれているもので、入力信号
に応じて制御媒体である鵬分子膜又は単分子層累積膜に
光の屈折角、回折角あるいは反射角の異なるパターンあ
るいは散乱によるパターンをつくり、シュリーレン光学
系を用いてその変化を明暗像に変換し、スクリーンに投
写する方式である。

第１図に示したようなシュリーレンライトバルブ投写装
置は、表示素子ＤＥ、ンユリーレンレンズ１４．結像レ
ンズ１７．第１格子１６ａ、第２格子１３ｂ、スクリー
ン１５および表示素子ＤＥの単分子膜および単分子層累
積膜を加熱するための発熱要素を駆動させるための駆動
手段（不図示）、表示素子ＤＥに対して画像情報に応じ
た信号を出力する信号出力手段より構成される。表示素
子ＤＥは、例えば第４図（Ａ）　、　（Ｂ）に示したよ
うに、基板１、発熱要素２．単分子膜または単分子層累
積膜６、保護用基板４より成る。第４図（Ａ）は、透過
型の表示素子の断面図であり、第４図＋Ｂ）は、反射型
の表示素子の断面図である。はじめに、このような表示
素子の作像原理を以下に説明する。

第４図（４）の透過型の表示素子の作像原理は、次のと
おりである。

作像のためにあるパターンに従い、発熱要素２の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素２上の単分子膜又
は単分子層累積膜乙の加熱部５において物性変化な生ぜ
しめる。この表示素子の基板１側から平行光である照明
光７を入射させると、加熱部５以外の部分を通過する光
と、加熱部６を通過する光とでは屈折率等が異なり、光
路が変化する。この変化を直接、間接にとらえ表示する
。

第４図（Ｂ）の反射型の表示素子においては、照射光７
を透過型とは逆に保護用基板４側から入射し、重分□子
膜又は単分子層累積膜６より基板１側に設けである不図
示の反射膜によって反射せしめ、加熱部５と加熱部５以
外の部において反射される反射光の光路の変化をとらえ
表示する。

本発明の表示装置の表示素子を構成する単分子膜または
単分子層累積膜の構成分子としては、分子内に疎水部分
と親水部分を有する冶機化合物であれば広く用いること
ができる。

このような有機化合物としては、以下のものが例示され
る。

（１）高級脂肪酸 ＣＨ，（ＣＨ２）、４ＣＯＯＨ ＣＨ，（ＣＨ２）、６ＣＯＯＨ ＣＨ３（ＣＨ２）、、ＣＯＯＨ ｃＨｓ（ｃＨｔ）＋（ｃｍ＝ｃｕｃｎ２）４（ＣＨ２）
ｚ　Ｃ００ＨＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ２）８ＣＯＯＨ ＣＨ２＝ｃＨ（ＣＨ２）＋５ＣＯＯＨ ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ２）２８ＣＯＯＨ ＣＨｓ　（ＣＨ２）　１□ＣＣｏｏｌ 晶２ ＣＨ３（ＣＨ２）８　Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝＝Ｃ（ＣＨ２）８Ｃ
ＯＯＨＣＨ３（ＣＨ２）。Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ（ＣＨ２）８
ＣＯＯＨＣＨ３（ＣＨ２）ＩＩ　Ｃ＝ＣＣＥＣ（ＣＨ２
）８ＣＯＯＨＣＨ３（ＣＨ２）＋３０ミＣ−Ｃ＝Ｃ（Ｃ
Ｈ２）８　Ｃ００Ｈ（２）シアニン色素 一般式　■ Ｘ４ＣＨ＝ＣＨ姶Ｘ′ （式中Ｘは■または■の哉であり、Ｘ′はＩＶ〜Ｘの基
であり、ｎはＯまたは正の整数である）で示されるシア
ニン色素。

（ｕ）　（＋ｎ） ◎■）・・− （Ｖｌ） （■）　（■） ｃＩ Ｑｘ）　（Ｘ） ■からＸの式中、ＺはＮ−Ｒ＋　、　Ｏ、Ｓｅ　。

Ｃ（Ｍｅ）２であり、ＹはＨ又は２−Ｍｅであり、Ｒ１
はＣ１〜４のアルキ、ル基であり、Ｒ２はＣＩＧ〜３゜
のアルキル基である。

一般式■で示されるシアニン色素の具体例を以下に例示
する。

ＩＸＩ　ｎｌ （３）アゾ色素 （Ｒ２はＣｌＯ−３゜のアルキル基である）Ｎａ０３Ｓ
＋Ｎ＝Ｎ＋０（ＣＨ２）Ｉ？ＣＨ３（４）リン脂質 レシチン ケファリン スフィンゴミエリン プラスマロゲン （５）長鎖ジアルキルアンモニウム塩 Ｕ （ｍは１０〜３０の整数） 前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば、■。

Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロジェ
ット法（ＬＢ法）を用いる。ラングミュア・プロジェッ
ト法は、分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子に
おいて、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度
に保たれているとき、分子は水面上で親水基を下に向け
て単分子の層になることを利用して単分子膜または単分
子層の累積膜を作成する方法である。水面上の単分子層
は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開している
ときは、一分子当り面積Ａと表面圧Ｈとの間に二次凡理
想気体の式、 ／７Ａ　＝　ｋＴ が成り立ち、“気体膜″′となる。ここに、ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“′凝縮膜（また
は固体膜）°”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表
面へ一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単
分子膜または年分−ｒ層累積膜は例えば次のようにして
製造する。

まず有機化合物を溶剤に溶解し、これを水相中に展開し
有機化合物を膜状に析出させる。次にこの析出物が水相
上を自由に拡散して拡かりずぎないように仕切板（また
は浮子）を設け゛Ｃ展開１ｆ１百。１１を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合゛状態に比例した表面
圧Ｈを得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して
膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、
累積膜の製造に適する表面圧Ｈな設定することができる
。この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に
上下させることにより単分子膜が基板上に移しとられる
。単分子膜は以上で製造されるが、単分子層累積膜は、
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子
層累積膜が形成される。

成膜分子は、前記の有機化合物から１種または２種以上
選択される。

単分子膜又は単分子層累積膜の）ｌ、８さは３０　Ｘ〜
３００μｍが適しており、特に３０００　Ａ〜３０μｍ
が適している。

単分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき法の
他、水平付着法２回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では、水面を横切る方向に基板をおろすと一層め
は親水ｈ（が基板側に向いた単分子層が基板上に形成さ
れる。前述のように基板を上下させると、各行程ごとに
１枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子の向きが引
上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法による
と、各層間は親水基と親水基、疎水基と疎水基が向かい
合うＹ型膜が形成される。

このようにして作成された単分子層累積膜の模式図を第
５図に示す。図中、８−１は親水基、８−２は疎水基で
ある。それに対し、水平何首法は、基板を水面に水平に
接触させて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単
分子層が基板」二に形成される。この方法では、累積し
ても、成膜分子の向きの交代はなく全ての層において、
疎水基が、１１（板側に向いたＸ型膜が形成される。反
対に全ての層において親水基が基板側に向いた累積１臣
はＺ型ＩＩかと呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体な水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である、。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面４Ｗ基板を用いる時には、基板ロール
から水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る
。また、前述した親水基、疎水基の基板への向きは原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもできる
。

単分子膜または単分子層累積膜を作成する他の方法とし
ては、スパッタリング法、プラズマ重合法、二分子膜作
製法などがある。

裁板１として使用することのできるものとしては、ガラ
ス、アルミニクムなどの金属、プラスチック、セラミッ
クなどが挙げられる。第４図（５）に示した透過型の場
合には、できる限り耐圧性のある透光性のガラスやプラ
スチック、特に無色乃至淡色のものが好ましい。また、
基板表面の洗浄が不十分であると、単分子層を水面から
移しとる時に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または
単分子層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを
使用する必要がある。

保護用基板４としては、できる限り耐圧性のある透光性
のガラスやプラスチックが適しており、特に無色乃至淡
色のものが好ましい。保護用基板４を設けることは、単
分子膜または単分子層累積膜の耐久性、安定性を向上さ
せるためには、好ましいことであるが、成膜分子の選択
によって保護用基板は設けても設けなくてもよい。

発熱要素２は、ドツトマトリックス状（点材列状）、ド
ツトライン状（点線状）、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により単分子膜又は単分子層累積膜
を加熱するためのものである。

発熱要素２としては、赤外線などによる輻射線加熱を利
用するものや抵抗加熱等のジュール熱を利用するもの等
があげられる。前者としては各、（Φの無機あるいは有
機材料、例えばＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅの合金、カーボン・ブ
ラック等の無機顔料、ニグロシン等の有機染料、アゾ系
下の有機顔料などが増している。後者としては、例えば
硼化）＼フニウムや窒化タンタル等の金属化合物やニク
ロム等の合金が適している。発熱要素２の膜厚はエネル
ギー伝達効率及び解像力に影響を及ぼす。これらの観点
より、発熱要素２の好適な膜厚は１０００〜２０００＾
である。表示素子が透過型の場合、発熱要素２は可視光
に対して透過性であることが要件となる。

しかし、発熱要素２は、特別に設けなくとも、」−把持
性を具備した基板材料を選択することによ番へ基板１が
発熱要素を兼ねることもできる。

反射膜としては、高融点の金属材料又は金属化合物材料
を用いて金属膜、誘電ミラーなどを、単分子膜又は単分
子層累積膜６より基板１側にスパッタリング法、蒸着法
などにより設ける。反射膜も発熱要素２同様、基板１の
材ネ：１を、光を反射しうる材料を選択することにより
、基板１に兼ねさせることもできる。

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、接着力を強化する目的で、基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもで
きる。さらに単分子層形成条件、ＬＢ法であれば例えば
水相の水素イオン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選
択等によっても接着力を強化することもできる。

前述した加熱部５における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、たとえば、具体的には単分子膜又は
単分子層累積膜を構成している分子集合体の屈折率、密
度、分極率等の変化および相転移を意味している。たと
えば、この中で屈４１１率について言えば、発熱要素２
の加熱部乙の発熱により単分子膜又は単分子層累積膜６
が温度ｔ℃から温度（を十Δｔ）℃に上昇したとする。

この場合、温度ｔ℃の時の単分子膜又は単分子層累積１
換の屈折率をＮとし、温度（ｔ＋Δｔ）℃の時のこの屈
折率をＮ＋ΔＮとすると、屈折率勾配はΔＮ／Δｔζ−
１０””（１／’Ｃ）である。屈折率の変化率、即ち温
度に対する屈折率変化は僅かであるが、発熱要素の加熱
部乙の近辺の単分子膜又は単分子層累積膜６の微小領域
が加熱されると微小領域における屈折率勾配は大であり
、従って、この加熱された微少領域の単分子ｊ換又は単
分子層累積１ｆ！；４３０）加熱部５はパワーを持ち、
屈折率勾配の人の領域において光は屈折、散乱、回折初
ニする。

発熱要素２の加熱部６が発熱して単分子膜又は単分子層
累積膜３の物性が前述のように変化する程度に加熱され
て加熱部５が形成される。発熱要素２のその他の部位は
発熱していないのでそれに対応する単分子膜又は単分子
層累積膜６の低温領域の物性の変化はほとんどなく、そ
の物性は近似的に一様である。低温領域においても実際
には加熱部等からの熱伝導によって、加温され、光学的
物性は変化するであろうが、加熱部の変化からみると、
相対的に無視できる程度である。

単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部５を通過する照明
光７は、この部分に熱的に生じた屈折率勾配（グラディ
エンドインデックス）によって屈折、散乱、回折等して
単分子膜又は単分子層累積膜３内を直進せず屈折して光
路変化する。このため、単分子１漢又は単分子層累積膜
の加熱部５を通過する照明光７と、そこを通過しない照
明光７とは、表示素子ＤＥを射出してきた時、平行光と
はならず、それらの射出方向は互いに異なる。発熱要素
２の加熱部６が加熱しなくなれば、単分子膜又は単分子
層累積膜の加熱部５は冷却されてなくなり、表示素子Ｄ
Ｅから射出する照明光７の方向は全て同じ方向となる。

故に、単分子１１体又は単分子層累積膜の加熱部５の高
温領域を通過する照明光７と、加熱部でない部位の単分
子膜又は半分−ｒ層累積膜６の低温領域を通過する照明
光７とが光学的に識別される。

前述の相転移は、温度および圧力などの変化によって生
じる。相転移を起こす温度、すなわち（１１転移温度（
Ｔｃ）は物質によって固有であり、単分子膜又は単分子
層累積膜を形成する有機化ａ物は、Ｔｃ以下で結晶相で
あり、Ｔｃ以上で液晶相に相φノい移するものが特に好
ましい。また、Ｔｃは５０〜１００℃のものが適してい
る。例えば、ジアルキルアンモニウム塩のＴｃは２０℃
〜６０℃である。一般的にＴｃは、アルキル鎖長ととも
にＴｃは一１昌１．する。

第６図はジアルキルアンモニウム塩の場合の相■１１ム
移現象を模式的に示したものである。前述のごとく、屈
折率変化は温度変化に近似的に比例するが、Ｔｃの前後
では顕著に屈折率は変化する。したがって、加熱温度な
Ｔｃ以上に設定することがより好適である。勿論、Ｔｃ
以下で充分な屈折率変化が得られればＴｃ以上に設定す
る必要がないことは言うまでもない。さらに、累積膜の
構成分子を適当に選ぶことによって、結晶相がら液晶相
に、又はある種の液晶相からある種の液晶相に相転移す
ることによって光散乱ないしは不透光を呈する。

このような光散乱などの相転移による屈折率以外の物性
変化も作像に用いることができる。

本発明に係る表示素子は一定の照明条件（例えば、平行
光による照明）の下では直視表示も可能であるが、後述
の結像光学系との組合わせによって更に表示装置として
の用途及び利用価値は広がる。透過型の表示素子の直視
表示の、場合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部５
を通過してきた光の方向に対して位置した不図示の観察
眼に到辻する光量差に基づき表示画素の識別ができる。

相転移による光散乱を利用すると、直視表示はより５簡
単で効果的である。

反射型の表示素子と後述の結像光学系との組合わせの場
合、単分子膜又は、単分子層累積膜の加熱部５の結像光
学系による結像位置と発熱要素２によって加熱されてい
ない（発熱要素２によって単分子膜又は単分子層累積膜
が予熱されている場合も含む）単分子膜又は単分子層累
積膜３の低温領域の部分（以下、非加熱部という）の結
像光学系による結像位置が異なるためにデフォーカスす
ることにより表示点の識別がより明確に行なわれる。

従って、デフォーカスすることにより明点な暗点に反転
させて表示することもできる。後述の結像光学系を用い
ない場合には、表示素子の表示効果を増すために照明光
７として平行光を用い、後述のような遮光格子を付設す
れば表示効果は飛躍的に向上する。なお、第４図におい
て、発熱要素２は単分子膜又は単分子層累積膜３と直接
接して単分子膜又は単分子層累積膜３を加熱しているが
、単分子膜又は単分子層累積膜６の近辺に発熱要素２を
配置し熱伝導加熱により単分子膜又は単分子一層累積膜
３を加熱してもよい。たとえば、第４図（１１）におい
て、発熱要素２が光を反射しない場合、単分子膜又は単
分子層累積膜３と発熱要素２との間に光反射性の金属膜
、誘電ミラー等を介在さ吐イもよい。

なお、第４図では、説明をわかり易くするために表示素
子ＤＥに入射する光束を平行光としたカー、特に平行光
にかぎるものではなく、本質的：二は表示素子ＤＥｒ’
＝入射する光が発熱要素２の加熱部６の発熱によって光
路中に単分子膜又は単分子層累積膜６の高温領域、すな
わち加熱部５が形成されることにより加熱部５が形成さ
れない前の光路と比較して光路変化をするということを
利用するものである。

第７図は本発明に係る表示素子の作像原理を更に具体的
に説明するための表示素子の断面図であり、第７装置は
透過型の表示素子を、第７図（Ｂ）　）ま反射型の表示
素子を夫々示している。

図に於て、９は輻射線１０を吸収して発熱する輻射線吸
収層、６は単分子膜又は単分子層累積膜、４は保護用基
板を示す。なお、第７図（Ｂ）（二示さＪｔている反射
型の表示素子ＤＥに於て、１１は表示に利用する照明光
７を反射するための反射膜、１２は単分子膜又は単分子
層累積膜６を予め加熱しておくための発熱体層である。

これら反射膜１１、発熱体層１２は必ずしも表示素子Ｄ
Ｅに必要とするものではなく、必要に応じて設けられる
。たとえば、単分子膜又は単分子層累積膜６が加熱され
た時、輻射線吸収層９が光反射性をイコする時には反射
膜１１は用いられないし、単分子膜又は単分子層累積膜
の有機化合物成膜分子のＴｃが低く輻射線１０の輻射線
吸収層９への照射のみによる輻射線吸収層９の発熱のみ
で充分応答性良く単分子膜又は単分子層累積膜６が加熱
されて加熱部５が形成される場合は、発熱体層１２は設
けられない。

また、輻射線強度が充分に強い場合も発熱体層１２は不
要である。但し、発熱体層１２については後述するので
、第７図（Ｂ）においては発熱体層１２はないものとし
て説明する。また、これら圧力吸収膜１０や発熱体層１
２は必要に応じて第７図（Ｎに示されている透過型の表
示素子にも設けられる。

輻射線吸収層９は輻射線１０とりわけ赤外線を効率的に
吸収して発熱するが、それ自身は発熱することによって
溶融し難いものでなければならない。

この輻射線吸収層９は各種の無機或は有機材料な成膜（
多層膜を含む）して得られる。尚、この輻射線吸収層９
自身は膜厚数μ程度なので、概して支持機能に乏へいか
ら、不図示のガラスやプラスチック等からなる輻射線透
過性支持板を基板として付加するのが一般的である。単
分子膜又は単分子層累積膜６を構成する有機化合物には
前述のような種類があり、一般に可視光線に対して透光
性を有するものが適しているが赤外線等の輻射線１０に
対して透光性で−あるか否かは問わない。１６は格子で
、単分子膜又は単分子層累積膜６が加熱されていない時
、表示素子に入射して透過型の表示素子を透過したり、
反射型の表示素子によって反射されて表示素子から射出
する照明光７を遮光している。このように構成された表
示素子ＤＥに対して、図面右方から輻射線（特に、赤外
線）１０を照射すると、輻射線吸収層９の対応点が発熱
する。この様にして輻射線吸収層９の一部が発熱すると
、これに接しているかもしくは近接している部分の単分
子膜又は単分子層累積膜６は熱伝導によって加熱され、
温度が上昇して、その物１′ｉ１が加熱前より変化し、
単分子膜又は単分子層累積ＩＩ□λ６の高温領域の加熱
部５が形成される。この加熱部５を通過する照明光７は
、加熱部５を通過する時、第４図に於て前述したメカニ
ズムによりその光路を変化させられる。この光路変化を
うけた照明光７の少なくとも一部は表示素子ＤＥを射出
した時、格子１６の開口を通過する。一方、加熱部５を
通らない照明光７は全て格子１６によって遮光されるの
で、この格子１６を介して表示素子ＤＥを見た場合、加
熱部５が形成された単分子膜又は単分子層累積膜の部分
を通過する照明光と、非加熱部を通過する照明光７とが
識別される。

勿論、非加熱部を通過する照明光７が、格ＥＪ′１６の
開口を通過するようにすれば、加熱部５が形成された時
に、この部分を通過する照明）１０７は格子１６によっ
て遮光されるので、照明光７が通過しない格子１６の開
口もあり、前述の例の逆の形態の表示素子も可能となる
。

格子１６がない場合でも、単分子膜又は単分子−層累積
膜３の加熱部５を通過する照明光７の方向と、非加熱部
を通過する照明光７の方向とは表示素子ＤＥを射出して
きた場合、互いに異なっているので、どちらか一方の光
束がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明光７は
識別される。

尚、表示素子ＤＥに対して輻射線１０を照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に照射することも
できるし、レーザ光源を利用して、輻射線１０をビーム
として多数のビームをドツト状に一括して照射すること
もできるが、■ビーム又は１ラインビームな輻射線吸収
層９上に走査させる方法をとることもできる。

又、輻射線１０を照射する方向は、第７図ｃＡ）に示さ
れている透過型の表示素子ＤＥの場合、図示例のみに限
定されない。つまり、保護用裁板４及び単分子膜又は単
分子層累積膜６を輻射線１０が透過する場合には、輻射
線１０を図面左方から照射することも可能である。尚、
表示の消去は単分子膜又は単分子層累積膜乙の加熱部５
の冷却によって自然に為される。

尚、以上では輻射線加熱によって表示画素を形成する方
法に就いて説明したが、本発明では第７図の輻射線吸収
層９を後述のように不図示のσｉ＋Ｊ：’＋等から成る
伝熱層に代え、これに不図示の発熱素子を近接若しくは
接触させて単分子膜又は単分子層累積膜を伝導加熱する
様に変形することも可能である。

本発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層９と単分子膜又は単分子層累積膜の間に前述
したように可視光線の反射膜１１を別途、介在させるこ
ともできる。斯かる反射ｉ１Ｇ：１１は、熱伝導の際、
それ自身が溶融することのない高融点の金属祠料又は金
属化合物月別によって形成する必要がある。

本発明に於て有効な表示を得るためには単分子膜又は単
分子層累積膜乙の輻射線吸収層９と接する面及びその近
傍が加熱される必要があるが、その加熱が単分子膜又は
単分子層累積膜乙の保護用基板４に接する面及びその近
傍にまで及ぶことは要件ではない。しかしながら、単分
子膜又は単分子層累積膜６の輻射線吸収層９の加熱面に
接する面及びその近傍の温度が周辺領域の単分子膜又は
単分子層累積膜６の温度より高い程、表示素子ＤＥの表
示のコントラストは向上することが実験の結果判った。

更に、これを積極的に利用すれば、単分子膜又は単分子
層累積膜６を加熱するための熱量を異ならしめることに
より中間調を表示することが可能になる。

尚、輻射線吸収層９上に輻射線１０を照射する照射スポ
ット径は小さい程表示のコントラストが良く好適な輻射
線１０のスポット径（直径）は０．５μ〜１００μ位が
適当である。

しかしながら幅２朋長さＩＯＭの矩形状の光束の輻射線
１０で輻射線吸収層９を照射しても表示像は得られるも
のである。本発明の詳細な説明に於てしばしば用いる単
分子膜又は単分子層累積膜−膜の加熱部５とは後者の範
囲も含むものである。もつとも、単分子膜又は単分子層
累積膜の加熱部５が微小でなくとも加熱面の温度が一様
でないために加熱部５に於ける光の光路の方向と非加熱
部に於ける光の光路の方向に差異が生ずれば識別効１と
は生ずる。したがって、本発明に於いては単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱部５を微小範囲に限定するもので
はない。

本発明においては、第７図（Ｂ）に示されているように
、表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の加熱
部５の形成速度を大いに速めるために、反射膜を用いな
い場合は、表示素子ＤＥの輻射線吸収層９と単分子膜又
は単分子層累積膜６との間に、反射膜を用いる場合は、
輻射線吸収層９と反射膜１１との間にジュール熱によっ
て発熱する発熱体層１２を設け、所定の屯分モ膜又は年
分Ｊ’−１ｒｌｉ累、債膜を予熱することが望ましい場
合もある。尚、この時、輻射線吸収層９或は反射膜１１
が導体である場合には、これ等と発熱体層１２との間に
不図示の絶縁層を設けることが望ましい。

このような発熱体層１２としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体（何れも不図示）等が好適である。発熱体層１２が
線状発熱体の場合、この幅方向に於いて発熱部は微小で
あるから良好な表示結果が得られるものと思われる。こ
のとき輻射線１０の輻射線１段載層９への照射と発熱体
層１２による単分子膜又は単分子層累積膜中の加熱とを
同期させるのが好適である。この様な発熱体層１２の素
材としては、硼化ハフニウムや窒化タンタル等に代表さ
れる金属化合物、ニクロム等の合金を挙げることができ
る。

又、本発明に於ては、単分子膜又は単分子層累積膜に直
接、腐蝕性の構成要素が接触する様な表示素子の構成は
、素子のＮ命を低下させることになるので、避けるべき
である。単分子膜又は単分子層累積膜に腐蝕性の構成要
素が接している構成では、化学腐蝕、熱酸化等が生じて
表示素子が損傷又は劣化する場合が大きいからである。

従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、１制蝕性の保護膜（不
図示）を形成することが望ましい。

そして、この保護膜の素材としては、酸化硅素、酸化チ
タン等の誘電体や耐熱性プラスチック等を挙げ”ること
かできる。この保護膜を反射膜がその機能を兼ねること
もある。

なお、輻射線吸収層９として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に基板としての輻射線透過性支持板−Ｌに成
膜されるのが曹通であるから、輻射線吸収層９を加熱し
た時、これは外部荒気によって酸化される心配はない。

輻射線吸収層９の輻射線吸収率が完全でない場合には、
これに輻射線１０を照射する側に反射防止膜（不図示）
を施すことにより輻射線吸収層９の輻射線１０の吸収率
を著しく高めることもできる。

Ｓ５８図は、本発明に係る別の表示素子の（）１而図で
あり、第８装置は透過型の、また第８図（Ｂｌは反射型
の表示素子を夫々示している。

図に於て、６は単分子膜又は単分子層累積膜、４は保護
用基板を示し、これ等は第４図にて説明したものと同じ
機能を持つ要素である。２９は熱伝導性の絶縁層であり
、この両面には、発熱Ｊｔ’；　−Ｊ′−としての複数
の発熱抵抗線３０．３１が、互いに絶縁層を挾んで交叉
する様にマトリックス状に２次元的に配列しである。１
は、これ等発熱抵抗線３０．３１及び絶縁層２９の支持
板としての基板である。第８図（Ａ）に示した透過型の
表示素子ＤＥの場合は、これら発熱抵抗線３０，３１、
基板１及び絶縁層２９は透明であり、たとえば発熱抵抗
線３０．３１はインジウム・ナイン・オキサイドの透明
薄膜から構成されている。そして、これらの表示素子Ｄ
Ｅに於ては、所定の発熱抵抗線３０゜６１が共に選択さ
れ発熱したときのみ、両者の交叉領域に於て単分子膜又
は単分子層累積膜３中に表示可能な高温領域の力■熱部
（不図示）が形成される様、設計しである。また、第７
図において前述したように反射膜１１は必要に応じて設
けられる。

次に、第９図を用いて斯かる表示素子をマトリックス駆
動する例に就いて、更に詳しく説明する。

図に於て、ＤＥは表示素子を示し、第８図で説明したも
のと同様の詳細構成を持つ。この表示素子ＤＢはＸｔ　
＋　Ｘｍ　＋　Ｘｎ　ｒ　Ｘｏ　、　Ｘｐの材軸の発熱
抵抗線（これらを行線と呼ぶ）とＹｃ　、　Ｙｄ　、　
Ｙｅの動軸の発熱抵抗線（これらを列線と呼ぶ）周で構
成されており列線Ｙｃ　、　Ｙｄ　、　Ｙｅの一方は共
通直流電源に接続されており、他方は夫々エミッタ接地
されたトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３のコレクタ仰ｊに接
続されている。

行線Ｘ７　＋　Ｘｍ　＋　Ｘｎ　＋　Ｘｏ　＋　Ｘｐに
順次、加熱用電流パルスを印加すると、これ等の行線に
対応する単分子膜又は単分子層累積膜（不図示）が順次
、線状に加熱されるが、このとき、加熱の程度を単分子
膜又は単分子層累積膜の加熱表示の閾値以下になるよう
に設定しであるので、単分子膜又は単分子層累積膜中に
加熱表示用の高温領域の加熱部は発生しない。一方、加
熱用電流信号の印加に同期させながら、エミッタ設置さ
れたトランジスタＴｒ、〜Ｔｒ３のベース側にビデオ信
号用パルスな加えてトランジスタＴｒｌ〜Ｔｒ３　をオ
ンすることにより、これらトランジスタＴｒｌ　＝　Ｔ
ｒ３と夫々接続している　列線Ｙｃ　、　Ｙｄ　、　Ｙ
ｅに対して、所定のビデオ信号を印加する。このビデオ
信号の印加によって、列導線Ｙｃ　＋　ｙａ　＋　Ｙｅ
に対応する単分子膜又は単分子層累積膜は線状に加熱さ
れる。これによって、加熱用電流パルスとビデオ信号と
が同期した行線と列線との交叉部分においては両者の発
熱により加算的に加熱されて、単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱の程度が加熱表示の閾値な越える。

選択された行線と列線の交叉部分に単分子膜又は単分子
層累積膜の加熱部５が形成される。

なお、以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができる。即ち、−行
線にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加
する様に変形しても、効果は全く同じである。このよう
に第８図に例示した表示素子ＤＥは、マトリックス駆動
をも可能とするものである。

次に、本発明の表示装置の基本°原理を説明する。

第１図はその表示装置の基本原理を説明するための概略
構成図である。第１格子１３ａの各スリットの像はシュ
リーレンレンズ１４によって第２格子１３ｂの各バーの
上に遮光されるように夫々結像するように配置されてい
る。シュリーレンレンズ１４と第２格子１３ｂとの間に
おかれた透過型の表示素子ＤＥの媒体としての単分子膜
又は単分子層累積膜が加熱されておらず、その物性（例
えば、屈折率）が一様に平滑であれば、第１格子１３ａ
を通過した入射光はすべて第２格子１３ｂにより遮られ
てスクリーン１５に到達しない。しかし、表示素子ＤＥ
の単分子膜又は単分子層累積膜乙の一部が発熱要素によ
り加熱されて高温になり単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部５が形成されると、そこを通過する光の光路が前
述したように変化するので、そこを通過した入射）’（
＝　１６は第２格子１３ｂで遮られることなく第２格子
１３ｂの間隙（開口）を通ってスクリーン１５上に到達
する。従って、表示素子ＤＥの単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱部５を加熱している加熱面又はその近傍の媒
体面をスクリーン１５に結像するように結像レンズ１７
を配置すれば、表示素子ＤＥの単分子膜又は単分子層累
積膜の温度変化量に対応した明暗像がスクリーン１５上
に得られる。なお、これに用いられる第１及び第２格子
１３ａ及び１３ｂの開口は線状、点状の如何を問わない
。

＄２図は透過型ライトバルブ式投写装置の概略構成図で
あり、透過型の表示素子に対する信号入力手段の配置例
を示している。１３ａは第１格子、ＤＥは透過型の表示
素子、１４はシュリーレンレンズ、１３ｂは第２格子、
１７は結像レンズ、１５はスクリーンで、これらの構成
は第１図の表示装置の構成に類似している。不図示のレ
ーザ光源及び光変調器を通して変調された輻射線（主に
、赤外線′）１０の信号光は水平スキャナー１８として
の回転多面鏡によって水平、走査され、レンズ２゜を介
し、垂直スキャナー１１としての回転多面鏡、又はガル
バノミラ−によって垂直走査され、コールドフィルタ２
１によって反射されて第７図（Ａ）に示した透過型の表
示素子での輻射線吸収層９に結像し、単分子膜又は単分
子層累積膜をドツトマトリックス状に加熱して単分子膜
又は単分子層累積膜の加熱部５の２次元像を形成する。

一方、第１格子１３ａを通過した入射光１６はコールド
フィルタ２１を通過するので、第１図に於いて前述せる
メカニズムによりスクリーン１５上に、表示素子ＤＥの
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部５に対応した２次
元の可視像を形成するものである。

本図に於いて用いられる表示素子ＤＥの輻射線吸収層は
可視光に対しては透過性のものでなければならないこと
はもちろんである。

なお、半導体レーザアレイ又は発光ダイオードアレイ（
ライン状に並べられたもの）を用いれば、水平スキャナ
ーは省略される。又コールドフィルタとガルバノミラ−
とを共用しても良い。

第６図は、本発明に係る表示装置としてのライトバルブ
式投写装置のブロック図である０２２は映像信号を発生
する映像発生回路、２６は映像信号を制御してこの信号
を映像増幅回路２４及び水平、垂直駆動回路２５に与え
るための制６１１１回路、２６はレーザ光源、２７はレ
ーザ光ｂ；（からのレーザビームを映像増幅回路２４か
らの（１−ｉ’　Ｓ’、ｉに従って変調する光変調器、
光変調器２７により変調された光は、水平スキャナー１
８もしくは垂直スキャナー１９に入射する。また、水平
スキャナ−１８、垂直スキャナー１９は水平及び垂直駆
動回路２５による夫々映像信号に同期した駆動信号をう
けて動作する。他の破線内の部分の構成については前述
した構成と同じなので説明を省略する。

映像発生回路２２より出力された映像信号は制御回路２
６を介して映像増幅回路２４で増幅される。増幅された
映像信号の入力により光変調器２７は駆動し、レーザ光
源２６より出射されるレーザビームを変調する。一方、
制御回路２６より水平同期信号及び垂直同期信号が出力
され、水平、垂直駆動回路２５を介して夫々水平スキャ
ナー１８及び垂直スキャナー１９を駆動する。このよう
にして表示素子ＤＥの単分子膜又は単分子層累積膜内に
熱的２次元像が形成される。この後の破線内の構成動作
については前述した通りでありここでは簡単のため省略
する。なお、Ｔ’Ｖ電波を受イ８する場合には映像発生
回路２２に代えて受信機を用いればよい。

又、第９図々示例の如きマトリックス駆動を行なうのに
好適な表示素子を構成するための発熱要素としての発熱
素子の他の例に就いて第１０図により説明する。

第１０図は、発熱素子の一部領域を模式的に措いた外観
斜視図である。図に於いて６２は発熱抵抗層を示し、こ
れは、公知の発熱抵抗体（例えば、ニクロム合金、硼化
ハフニウム、窒化タンタル椹）を面状に成膜して得られ
る。図示されていないが、この抵抗層６２は、勿論、図
面下方にも延在している。又、３３ａ　、３３ｂ　、３
３ｃ　、３３ｄは何れも列導線であり、３４ａ、３４ｂ
、３４ｃは何れも行導線である。そして、これ等全ての
導線は、金、銀、銅、アルミニウム等の良導体により得
られる（なお、言及していないが、導線は５ｉ０２等の
絶縁膜（不図示）によって被覆されるのが一般的である
）。

図示発熱素子に於いて、例えば、列導線の３５ｂと行導
線の３４ｃが選択されてこれ等に共に電圧が印加された
ときには、両者の交叉部６５に対応する抵抗層３２の一
部に通電が為されて発熱する。

この様にして、行導線及び列導線の任意の（行・列）交
叉部を発熱させることができる。

従って、図示発熱素子を第８図の発熱抵抗線３０．３１
及び絶縁層２９からなる発熱要素としての発熱素子のか
わりに組込んだ表示素子に於いては、第９図々示例キ同
様なマトリックス駆動方式によって、ドツトマトリック
ス画像の表示が可能である。

ところで、第１０図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層６２を、行導線６４と列導線６６との交叉部にのみ
分割して設ける（その他の領域では導線同志を絶縁する
）ことも可能であり、この様な構成（第１１図）に於い
ては、信号に忠実な作像にとって不都合なりロストーク
の発生を実Ｔｌ的に防止することができる。

第１０図の例に於いては、行導線３４ａ　、３４ｂ・・
・・　（以下、行導線６４という）と列導線６６ａ。

３３ｂ・・・・（以下、列導線６３という）は５ｔｏ２
゜Ｓｉ３Ｎ、等の絶縁膜（不図示）を介して配設される
が、行導線３４と列導線６３の交差領域の絶縁膜は取り
除かれ、代りにその部分に発熱抵抗体６２ａ＋３２ｂ、
・・・・（以下、発熱抵抗体３２という）が埋めこまれ
ている。

次に第１２図に於いて斯がる第１１図に示した発熱要素
としての発熱素子を第８図に示した発熱抵抗線３０．３
１及び絶縁層２９からなる発熱素子の代わりに組込んだ
表示素子をマトリックス駆動する例について、更に詳し
く説明する。材軸選択回路６６は材軸駆動回路３７ａ　
、３７ｂ　・・・・（以下、材軸駆動回路６７という）
と信号線により電気的に結合されており、さらに夫々の
材軸駆動回路６７の各出力端子は夫々の行導線６４と結
合している。出力端子と行導線６４の結合のしがたは様
々あるが、本明細書に於ては基本的な態様について説明
するため、出力端子は行導線６４Ｑ）個数だけあり、一
つの出力端子は−の行導線と結合しているとする。

動軸選択回ｖｒ３８．列りｌ＋　駆動回路３９ａ　、３
９ｂ。

・・・・　（以下、動軸駆動回路３９という）及び列導
線３３相互の関係についても゛同様である。画像制御回
路４０は材軸選択回路３６及、び動軸辺択回路６８と信
号線により電気的に結ばれている。画像制御回路４０は
画像制御信号を出力することによって、材軸選択回路６
６がどの材軸な選択すべきかを指令し、側軸選択回路６
８に対しても同様である。即ち、画像制御回路４０から
の画像制御信号によって材軸選択回路６６は材軸駆動回
路６７のいずれかを介して特定の材軸（行導線）を選択
（スイッチ・オン）する。例えば、材軸選択回路６６が
行導線Ｘｐを選択すればＸｐ行選択信号を発し、それを
受けて材軸駆動回路３７Ｘｐは、行導線Ｘｐに対しても
材軸駆動信号を入力す乞。一方、画像制御回路４０から
の画像制御信号の一つであるビデオ信号が側軸選択回路
６８に入力されると、その指令を受けて側軸選択回路３
８は所定の動軸（列導線）を選択する。例えば、側軸選
択回路６８が列導線Ｙｅを選択すれば、同軸駆動回路３
９Ｙｅは同軸選択回路６８力ζら発せられたＹｅ列選択
信号を受けて列導線ｙｅをスイッチ・オン（導通）状態
にする。

材軸の選択と動軸の選択が同期してなされれば、本例の
場合、行導線Ｘｐと列導線Ｙｅの交叉点（選択点；　Ｘ
ｐ−Ｙｅ　）にある発熱抵抗体に電流が流れ、ジュール
熱が発生し、不図示の単分子膜又は単分子層累積膜に加
熱部が形成される。非選択点にもリーク電流は流れるが
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部形成電流値以下で
あるので単分子膜又は単分子層累積膜に加熱部は形成さ
れない。また、発熱抵抗体にダイオード機能を持たせる
ことにより、リーク電流をさらに微弱にすることができ
る。

このように第６図に於て説明したと同様に、第１２図に
於いても、材軸駆動信号で線順次走青し、かつそれに同
期して同軸選択信号を出力し、同軸駆動回路３９を介し
て選択された列導線６３を導通状態にすることにより２
次元の画像表示を行うことができる。尚、側軸選択回路
６８はビデオイ１゜号による指令を受けて動軸選択信号
を出力するものである。この時、発熱抵抗体を流れる電
流の向きは問わない。このような、行、及び側軸選択回
路３６．５８と行、及び同軸駆動回路３７　、３９とは
シフトトランジスタやトランジスタアレイ等を用いて公
知の技術により構成されるものである。

尚、以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第７図（Ｂ）に於て前述した
ように第８図ＣＢ＋に示した構成の表示素子ＤＥにも、
必要、に応じて単分子膜又は単分子層累積膜３と反射膜
もしくは単分子膜又は単分子層累積膜６と発熱素子（た
とえば、その内の発熱抵抗線３０）との間に耐蝕性の酸
化硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単分
子膜又は単分子層累積膜とそれらとの反応ＩＮ食を適宜
防止することもできる。

第１３図は、本発明に係るカラー表示素子の例であり、
説明の便宜上、上半分を透過型の表示素子を、下半分を
反射型の表示素子として断面図で示しである。９は輻射
線吸収層、１１は反射膜であり、本図の上半分に示した
透過型の表示素子には設けていない。２８は、カラーモ
ザイクフィルタで、これの具体的構成及び製造技術に就
いては、既に、特公昭５２．−１３０９４号公報及び特
公昭５２−３６０１９号公報に於いて詳しく説明されて
いる通りであるから、これらを、採用することとして、
ここでは、詳細な説明を省略する。６は単分子膜又は単
分子層累積膜、４は保護用基板でカラーモザイクフィル
タ２８を除き表示素子ＤＥを構成する要素については第
７図に於いて説明した通りである。

図示例に於いて、カラーモザイクフィルタ２８の赤色フ
ィルタ部（Ｒ）に接する単分子膜又は単分子層累積膜３
が輻射線１ｏを吸収した輻射線吸収層９により然伝等加
熱され、この］二に半分Ｊ’　１１つさ又は単分子層累
積膜の加熱部５が生ずると、反射膜１１により反射され
るか、もしくは輻射線吸収層９を透過してきた平行照明
光７は単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部５゛を通過
することににす、前述のようなメカニズムにより、破線
で示したような加熱部５がない場合に通過してきた光の
光路とは異なった２点鎖線で示したような屈曲した光路
を通って、表示素子ＤＥ外に射出してくる。白色光が赤
色フィルタ部（Ｒ）に入射した場合、表示素子ＤＥから
出てくる透過光もしくは反射光は、赤が視覚される光（
以下、赤色光という）のみである。青色フィルタ部（Ｂ
）及び緑色フィルり部（Ｇ）を通過してくる光について
も赤色フィルタ部（Ｒ）を通過する前述の光の進路と同
様である。

但し、第１６図の場合、緑色フィルタ部（Ｇ）について
は、加熱部５を通過しない場合の光線のみ図示しである
。また、入射光が白色光の場合、青色フィルタ部（Ｂ）
を通過してきた光は、青が視覚される光（以下、青色光
という）のみであり、また緑色フィルタ部（Ｇ）を通過
してきた光は、緑が視覚される光（以下、緑色光という
）のみである。この単分子膜又は単分子層累積膜の加熱
部５を通過してくる光の方向に向って、表示素子ＤＥを
見た場合、不図示の観察者は、加色法による擬似カラー
を視覚するものである。例えば、相隣接したカラーモザ
イクフィルタ２８の赤色フィルタ部（Ｒ）、緑色フィル
タ部（Ｇ）、青色フィルタ部（Ｂ）に於いて同時に単分
子膜又は単分子層ｊ永積膜６を加熱して加熱部５が形成
された時には、不図示の観察者は白色を視覚することが
できる。

また、第７図に於いて説明したように、表示素子ＤＥの
前面に不図示の遮光格子を配置することにより、表示素
子ＤＥから出てくる光の内、単分子膜又は単分子層累積
膜の加熱部５を通過してくる光のみを不図示の遮光格子
の開口に通すことζ二より、更に明瞭な加色法による擬
似カラー表示をうろことができる。

また、第１６図に示したカラーモザイクフィルタの赤色
フィルタ部（Ｒ）や緑色フィルタ部（Ｇ）や青色フィル
タ部（Ｂ）を、適宜、発熱要素としての発熱素子の発熱
部（たとえば第８図に示した表示素子ＤＥに於ては、発
熱抵抗線６０と６１０）交叉点部、また、第１１図に示
した発熱素子（二おいては、発熱抵抗体６２の１部分）
上に夫々あわせて配列して設けることによって、第１６
図々示例と同様な構成を採用することにより、第８図、
第１１図に示した発熱素子を夫々用いた表示素ｒ−で、
第１３図と同様な原理でカラー表示を行うことができる
ことは勿論である。

表示素子ＤＥの単分子膜又は単分子層累積膜の厚さが非
常にλＩ７い場合、第、８図に示した如く、ス側と基板
側の両方に設置することにより、以下の効果が発生する
。

■　製作工程が簡単になり、歩留りが向上する。

■　単分子膜又は単分子層累積膜を両側から加温するの
で、熱効率が良い。

等である。

発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい。この放熱板には基板１（第８図）を
代用することが可能である。

なお、両信号線のすべてが発熱抵抗体によって形成され
る必要はない。むしろ、エネルギーの節約を図る上から
行線と列線の交叉部分のみを発熱抵抗体によって構成し
、それ以外はＡｔなどの良導体で構成する方が好ましい
と言えるが、その分、製造工程が複雑になる欠点はある
。

本発明はこの他にも単分子膜又は単１分子層累積膜を構
成する有機化合物成膜分子に色素分子を結合させて、様
々の色表示をすることができる。

さらに、感光性分子、強誘電性物質、錯体等の機能性分
子と表面活性物１ｊ４との結ａによって、尤、電気、イ
オン等によって制御することができる単分子膜又は単分
子層累積膜を有する光学素子を１１、することもできる
。

本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。

（１）、微小な単分子膜又は単分子層基１ｔｊｊ　ＩＩ
Ｑの加熱部の１個を表示画素単位として高密度に配列す
ることが可能であるから、高解像度の画像表示ができる
。

（２）４表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜
１膜の加熱部の存続時間を調節することによ′）て、静
止画、又は、スローモーションを含ＪΔ動画の表示が容
易にできる。

（３）、多色表示、並びに、フルカラー表示を容しＩＣ
＝実施することができる。

（４）、素子の構造が比較的、簡略であるから、その生
産性に優れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れ
ている。

（５）、広範囲な駆動方式に適応できる。

（６）、ラングミュア・プロジェット法を用いて単分子
膜又は単分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極
めて容易に図れる。

（力、液晶のような液体を用いないので、製作が容易で
あり、かつ安全である。

（８）、相転移温度はそれ程高くないので、表示素子等
に用いる電力が少なくて済み、それだけ、電源部、即ち
光変調装置や表示装置を小型化できる。

（９）０本発明に係る光学素子は、表示装置への応用に
限らず、電子写真等に用いられる光変調装置への応用も
可能である。

Ｑｌ、　単分子膜又は単分子層累積膜の相転移を利用す
る場合において、累積膜構成分子の構造によっては、相
転移した状態を長く保持するものもある。このような場
合には、本発明に係る光学素子は記録装置（拐料）、記
憶装置（材料）として利用することもできる。

本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。

実施例１ 第７図（Ａ）に示す構成の表示素子を以下のようにして
製造した。

５ＯＮ角のガラス基板表面上にスパッタリング法により
膜厚１５００　ＸのＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ（ガドリニウム・
テルビウム・鉄）層を付着して、輻射線吸収層９を形成
した。このＧｄ−’ｒｂ　ＨＦｅ層の酸化を防止するた
め、その上に５ｉ０２保護膜で被覆した。次に、ＬＢ膜
膜製製装置水面上にアラキシン酸カドミクムの単分子膜
を形成し、垂直浸せき法により、５ｉ０２膜の表面上に
膜厚１０μｍのＹ型累積膜な付ｆｉ、”ｉ形成し、その
上に保護用基板４としてガラス基板を被せた。さらに、
ガラス基板４の外側表面に密接ないし近接して５本／朋
の線状格子を設置した。

輻射線熱源として、波長８３０　ｎｍを発光するＩ′−
。

導体レーザを使用した。適当な透過照明下で駆動させる
と、所定の表示効果があることを確認した。

実施例２　′ 第８図（Ａ）に示す構成の表示素子を以下のようにして
製造した。

５０＋ｕ角のガラス基板表面に、膜厚１５００　Ｘのイ
ンジウム・ナイン・オキサイド（Ｉ−Ｔ−０）をスパッ
タリング法によりつけた。次にフォトエツチング法によ
り、１０本／鵡の線状パターンを形成して、透明発熱抵
抗線３１を得る。なお、Ｉ−Ｔ−０のエツチング液とし
ては、塩化第２鉄水溶液と塩酸の混合液を用いた。次に
、透明発熱抵抗線６１が設置されたガラス基板表面に、
膜厚２．０００　ＸのＳ＋０２膜をスパッタリング法に
より付着して、絶縁層２９を形成した。さらに、その上
に、膜厚１．５０ＯＡのＩ−Ｔ・０を付け、フォトエツ
チング法により、透明発熱抵抗線６０を前記透明発熱抵
抗線６１と直交するように形成した。次に、ＬＢ膜膜製
製装置水面上にアラキシン酸カドミウムの単分子膜を形
成し、垂直浸せき法により、　５ｉ０２膜の表面上に膜
厚１０μｍのＹ型累積膜を形成しその上に、ガラス基板
４を被せた。上述の透過照明光学系の下で動作させると
所定の表示効果を得た。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明に係る表示素子を組み込んだラ
イトパルプ式投写装置の概略構成図である。第３図は本
発明に係る表示装置としてのライトパルプ式投射装置の
ブロック図である。第４図（Ｎは、本発明に係る透過型
の表示素子の断面図、第４図（Ｂ）は、本発明に係る反
射型の表示素子の断面図、第５図は、単分子層累積膜の
模式図、第６図は、単分子層累積膜における相転移現象
の模式図、第７図は本発明に係る表示素子の作像原理の
説明図であり、第７図（５）は、透過型表示素子の場合
、第７図（Ｂ）は、反射型表示素子の場合である。 第８図は、本発明に係るマトリックス駆動型の表示素子
の構成例を示す断面図であり、第８図（Ａ）は、透過型
表示素子、第８図（Ｂ）は、反射型表示素子である。第
９図は、本発明に係る作像方式の）う１式的説明図、第
１０図、第１１図は発熱素子の各構成例を説明するため
の外観部分斜視図、第１２図は、本発明に係るマトリッ
クス駆動表示装置のブロック図である。第１３図は、本
発明に係るカラー表示素子の断面図である。 ＤＥ・・・表示素子 １・・・基板 ２・・・発熱要素 ６・・・単分子膜又は単分子層累積膜 ４・・・保護用基板 ５・・・単分子膜又は単分子層累積膜のカロ熱部６・・
・発熱要素の加熱部 ７・・・照明光 ８−１・・・親水基 ８−２・・・疎水基 ９・・・輻射線吸収層 １０・・・輻射線 １１・・・反射膜 １２・・・発熱体層 １６・・・格子 ｉ６ａ・・・第１格子 １３ｂ・・・第２格子 １４・・・シュリーレンレンズ １５・・・スクリーン １６・・・入射光 １７・・・結像レンズ １８・・・水平スキャナー ２０・・・レンズ １９・・・垂直スキャナー ２１・・°コールドフィルタ ２２・・・映像発生回路 ２６・・・制御回路 ２４・・・映像増幅回路 ２５・・・水平駆動回路、垂直駆動回路２６・・・レー
ザ光源 ２７・・・光変調器 ２８・・・カラーモザイクフィルタ ２９・・・絶縁層 ３０　、３１・・・発熱抵抗線 ３２．３２ａ、３２ｂ、３２ｃ ・・・発熱抵抗層、発熱抵抗体 ３３．３３＆　、３３ｂ　、３３ｃｍ・・列導線６４．
３４ａ　、３４ｂ　ｌ　３４ｃｍ・・行導線３５・・・
交叉部 ６６・・・材軸選択回路 ３７．３７＆　、３７ｂ・・・材軸駆動回路３８・・・
副軸選択回路 ３９．６９＆、３９ｂ・・・同軸駆動回路４０・・・画
像制御回路 目面の：ｐ＝＜内容に変更なし） 第　１　図 第　２　図 一二ａのンｒ”：Ｌ’（内容に哀史なし）第　３　図 （Ａ）　（Ｂ） ！Ｓ４図 第　５　図 第６図 １′ｉｉ、１の浄ご・、１”Ｊ−（二上史なし）（Ａ）
　ＣＢ） 第７図 第８図 し而の浄書（内容にｔコ更なしｊ 第　１３　図 手続補正書（方式） １、事件の表示　昭和５８年　特許願　第２２１４．３
４・号２、発明の名称 表示装置 ３、補正をする者 事件との関係　出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 ６、補正の対象　図面 ７　補正の内容　第１．２．３．４図及び第７．８．９
、ｌ０５１１．１２．１８図を別紙の通り補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ユ、疎水部分と親水部分とを有する有機化合物分子より
   なる単分子膜又は単分子層累請膜および該単分子膜又は
   該単分子層累梼膜を加熱するための発熱要素とを具備す
   る表示素子と、該発熱要素を駆動させるための駆動手段
   と、該表示素子に対して画像情報に応じた（Ｍ号を出力
   する信号出力手段および信号走査手段と、該表示素子を
   照明するための照明光学系と、該表示素子の画像情報を
   スクリーン上に投写するための結像光学系とを具備する
   ことを特徴とする表示装置。 ２、　前記照明光学系がシュリーレン光学系がら成る特
   許請求の範囲＄１項記載の表示装置。