JPS6011398B2 - Memory test pattern writing device - Google Patents

Memory test pattern writing device

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JPS6011398B2
JPS6011398B2 JP54150899A JP15089979A JPS6011398B2 JP S6011398 B2 JPS6011398 B2 JP S6011398B2 JP 54150899 A JP54150899 A JP 54150899A JP 15089979 A JP15089979 A JP 15089979A JP S6011398 B2 JPS6011398 B2 JP S6011398B2
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JP
Japan
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pattern
data
address
storage section
write
Prior art date
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JP54150899A
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Japanese (ja)
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JPS5673359A (en
Inventor
健二 木村
浩司 石川
直明 鳴海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Takeda Riken Industries Co Ltd
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Publication date
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体メモリ試験に用いられ、その試験の際
に期待値と被試験メモリの出力とを比較する際の期待値
を発生したり、或は不用な比較を除去するためのマスク
パターンを発生したりするなどのためのパターンを記憶
する記憶部に対し、そのパターンを書込むためのパター
ン書込み装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] The present invention is used for semiconductor memory testing, and generates an expected value when comparing the expected value with the output of the memory under test during the test, or eliminates unnecessary comparisons. The present invention relates to a pattern writing device for writing a pattern to a storage unit that stores a pattern for generating a mask pattern for the purpose of printing, etc.

半導体試験装置においては例えば第1図に示すようにパ
ターン発生器11の端子12からアドレスパターンを発
生し、被試験メモリ13がアクセスされ、パターン発生
器11の端子14からのその時の書込みデータが被試験
メモリ13に書込まれる。
In a semiconductor testing device, for example, as shown in FIG. 1, an address pattern is generated from the terminal 12 of a pattern generator 11, the memory under test 13 is accessed, and the write data at that time from the terminal 14 of the pattern generator 11 is accessed. It is written into the test memory 13.

又端子12よりのアドレスにより被試験メモリ13が読
み出され、その読み出し出力は比較回路15に供給され
る。一方、端子12よりのアドレスはマスクパターン記
憶部16及び期待値パターン記憶部17をも同時にアク
セスしてそれぞれマスクパターン及び期待値パターンが
読み出される。その読み出された期待値パターンと被試
験メモリー3よりの読み出しデータとが比較部15によ
り比較される。その際その比較中の不用なものをマスク
してしまうこがあり、マスクパターン記憶部16の出力
によってそのマスク制御が行われる。その場合被試験メ
モリ13よりの−回の読み出し出力が複数ビットの場合
、そのうちの特定のもの、すなわちマスクパターン記憶
部16より読み出されたマスクパターンにより指定され
たものがマスクされて期待値パターンとの比較出力は発
生せず、マスクされないもののみが比較部15より出力
され、或は読み出されたマスクパターンにより指定され
たアドレスについては比較部15から出力を全く発生し
ないようにすることにより試験時間を短縮し、また不良
解析を容易にすることが行われている。被試験メモリ1
3の出力と記憶部17よりの期待値とが比較部16で比
較されて不一致が出力端子18に出力され、つまりその
時アクセスされたアドレスの部分が不良であることを示
す信号が出力端子18に得られることになる。このよう
にメモリ試験装置においてはマスクパターン記憶部16
や期待値パターン記憶部17が設けられる。
Further, the memory under test 13 is read by the address from the terminal 12, and the read output is supplied to the comparison circuit 15. On the other hand, the address from the terminal 12 also accesses the mask pattern storage section 16 and the expected value pattern storage section 17 at the same time, and the mask pattern and expected value pattern are respectively read out. The read expected value pattern and the data read from the memory under test 3 are compared by the comparison unit 15. At this time, unnecessary items being compared may be masked, and the masking control is performed by the output of the mask pattern storage section 16. In that case, if the - times readout output from the memory under test 13 is a plurality of bits, a specific one of them, that is, one specified by the mask pattern read from the mask pattern storage section 16, is masked to form the expected value pattern. By not generating a comparison output with the mask pattern and only outputting what is not masked from the comparison unit 15, or by not generating any output from the comparison unit 15 for the address specified by the read mask pattern. Efforts are being made to shorten test time and facilitate failure analysis. Memory under test 1
The output of 3 and the expected value from the storage section 17 are compared in the comparison section 16, and a mismatch is outputted to the output terminal 18. In other words, a signal indicating that the part of the address accessed at that time is defective is outputted to the output terminal 18. You will get it. In this way, in the memory test device, the mask pattern storage section 16
and an expected value pattern storage section 17.

従ってこれら記憶部16,17には予めその必要なパタ
ーンを記憶しておく必要がある。これら記憶部16,1
7に対するパターンの書込みは中央処理装置などのパタ
ーン発生器より発生された各マスクパタ−ンや期待値パ
ターンが順次記憶部に転送されて書込まれる。しかしそ
の書込みにおいて従来は各1ビットごとに、或は一つの
アドレスごとに中央処理装置よりパターンを送っていた
。中央処理装置のパターン発生部より入出力データバス
を通じて外部の記憶部へパターンを書込むには1サイク
ルは1マイクロ秒程度と比較的長く、記憶部16,17
の動作可能なサイクルが20ナノ秒程度であることと比
較して遅いものであった。従って被試験メモリ13のア
ドレスが多数の場合はマスクパターンや期待値パターン
を対応する記憶部に予め書込むための時間が長くなる次
点があった。この発明の目的はマスクパターンや期待値
パターンなどメモリ試験に必要なパターンを記憶部に書
込むことを比較的短時間、つまり高速度に行うことがで
きるパターン書込み装置を提供することにある。
Therefore, it is necessary to store the necessary patterns in the storage units 16 and 17 in advance. These storage units 16,1
In writing patterns to the memory 7, mask patterns and expected value patterns generated by a pattern generator such as a central processing unit are sequentially transferred to the storage section and written. However, in writing, conventionally a pattern has been sent from the central processing unit for each bit or for each address. One cycle is relatively long, about 1 microsecond, for writing a pattern from the pattern generation section of the central processing unit to the external storage section via the input/output data bus.
This was slow compared to the operable cycle of about 20 nanoseconds. Therefore, when there are a large number of addresses in the memory under test 13, there is a problem in that it takes a long time to write the mask pattern and the expected value pattern into the corresponding storage section in advance. An object of the present invention is to provide a pattern writing device that can write patterns necessary for a memory test, such as mask patterns and expected value patterns, into a storage section in a relatively short time, that is, at high speed.

この発明によればパターン発生部から書込み指令が制御
部に与えられると制御部ではアドレスセット信号、クロ
ックパルス及びデータセット信号を発生し、そのアドレ
スセット信号によりアドレスカウンタに書込み開始アド
レスが設定され、更にデータセット信号によりデータ列
変換部にパターン発生部よりの並列データがセットされ
る。
According to this invention, when a write command is given to the control section from the pattern generation section, the control section generates an address set signal, a clock pulse, and a data set signal, and the write start address is set in the address counter by the address set signal, Furthermore, parallel data from the pattern generation section is set in the data string conversion section by the data set signal.

このデータ列変換部はクロックパルスによりシフト動作
されて入力された並列データを直列デー外こ変換する。
これと同時にアドレスカゥンタは一定方向に歩進する。
更に書込みパルス発生部において前記クロツクパルスよ
り書込みパルスが作られ、このパルスによってパターン
記憶部が書込み動作を行い、すなわちその時のアドレス
カゥン夕の内容によってデータ列変換部の出力が書込ま
れる。このようにしてパターンは、例えば中央処理装置
によって制御されて発生するものであり、そのパターン
発生装置から発生するマスクパターンや期待値パターン
などは入出力バスに並列に与えられるため、これらを各
1ビットずつバスに出力する場合と比較してその送出速
度を充分遅くすることができ、しかもそのように遅くさ
れても並列データを直列データに変換してパターン記憶
部に記憶されるため全体としては高速度に動作すること
ができる。
This data string conversion section converts input parallel data shifted into serial data by a clock pulse.
At the same time, the address counter increments in a certain direction.
Furthermore, a write pulse is generated from the clock pulse in the write pulse generating section, and the pattern storage section performs a write operation using this pulse, that is, the output of the data string conversion section is written according to the content of the address counter at that time. In this way, patterns are generated under the control of, for example, a central processing unit, and mask patterns, expected value patterns, etc. generated from the pattern generator are applied in parallel to the input/output bus, so each of them is Compared to outputting bits to the bus bit by bit, the transmission speed can be made sufficiently slower, and even if the transmission speed is slowed down, the parallel data is converted to serial data and stored in the pattern storage unit, so overall Can operate at high speed.

次にこの発明によるメモリ試験用パターン書込み装置の
実施例を第2図を参照して説明しよう。
Next, an embodiment of the memory test pattern writing device according to the present invention will be described with reference to FIG.

第2図において19はパターン記憶部であって第1図に
おけるマスクパターン記憶部或は期待値パターン記憶部
などである。このパターン記憶部19に対してパターン
発生部21よりの発生したパターンを書込む。このため
制御部22が設けられる。制御部22はパターン発生部
21よりの書込み指令が端子23より与えられると端子
24にアドレスセット信号を発生し、端子25にクロッ
クパルスを発生し、更に端子26にデータセット信号を
発生する。又この制御部22はパターン発生部21の端
子27より与えられる基準クロックを基準にして動作し
、つまりパターン発生部21と制御部22とは同期して
動作する。端子24のアドレスセット信号によりアドレ
スカウンタ28に書きはじめアドレスがセットされ、例
えば0番地にされる。
In FIG. 2, 19 is a pattern storage section, which is the mask pattern storage section or the expected value pattern storage section in FIG. 1. The generated pattern from the pattern generation section 21 is written into the pattern storage section 19. For this purpose, a control section 22 is provided. When the control section 22 receives a write command from the pattern generation section 21 through a terminal 23, it generates an address set signal at a terminal 24, a clock pulse at a terminal 25, and a data set signal at a terminal 26. Further, the control section 22 operates based on a reference clock supplied from the terminal 27 of the pattern generation section 21, that is, the pattern generation section 21 and the control section 22 operate in synchronization. The address at which writing begins is set in the address counter 28 by the address set signal at the terminal 24, and is set to address 0, for example.

このセットされた書きはじめアドレスより端子25のク
ロックに応じてアドレスカウンタ28は例えば一ずつブ
ラスされて歩進する。このアドレスカウンタ28の計数
内容がアドレスとしてパターン記憶部19に与えられて
この記憶部19がアクセスされる。更に端子26よりデ
ータセット指令がデータ列変換部29に与えられ、デ−
タ列変換部29に入出力バス31を通じてパターン発生
部21よりの並列データ、例えば16ビットのデータが
並列に取り込まれる。このデータ列変換部29は並列デ
ータを直列データに変換するものであって例えばシフト
レジス夕により構成され、そのシフトパルスは端子29
のクロツクである。この実施例においてはデータ列変換
部29で変換された直列データ、又はパターン発生部2
1より発生された直援のデータの何れかを選択してパタ
ーン記憶部19に1ビットずつ書き込むようにした場合
であって、データセレクタ32が設けられる。
From this set write start address, the address counter 28 is incremented, for example, by one, in response to the clock at the terminal 25. The count contents of this address counter 28 are given to the pattern storage section 19 as an address, and this storage section 19 is accessed. Furthermore, a data set command is given to the data string converter 29 from the terminal 26, and the data
Parallel data, for example, 16-bit data, from the pattern generation section 21 is taken in in parallel through the input/output bus 31 of the data string conversion section 29 . This data string converter 29 converts parallel data into serial data and is constituted by, for example, a shift register, and the shift pulse is sent to the terminal 29.
This is the clock. In this embodiment, the serial data converted by the data string converter 29 or the pattern generator 2
This is a case in which any of the direct data generated from 1 is selected and written into the pattern storage section 19 one bit at a time, and a data selector 32 is provided.

データセレクタ32はパターン発生部21よりの指令に
基づいてデータ列変換部29の出力、又は入出力バス3
1中の予め決められた1ビットの何れかを選択してパタ
−ン記憶部19の書き込みデータ端子に供給する。更に
制御部22よりのクロックパルスは書込みパルス発生部
33にも供給され、書き込みパルス発生部33により書
き込みパルスが作られる。
The data selector 32 selects the output of the data string converter 29 or the input/output bus 3 based on the command from the pattern generator 21.
One of the predetermined 1 bits is selected and supplied to the write data terminal of the pattern storage section 19. Further, the clock pulse from the control section 22 is also supplied to a write pulse generation section 33, and the write pulse generation section 33 generates a write pulse.

このパルスがパターン記憶部19に与えられるとアドレ
スカウンタ28の内容でアドレス指定されてデータセレ
クタ32の出力データが書き込まれる。例えば第3図に
示すようにパターン発生部21より第3図Aに示す書き
込み指令が発生すると、端子27よりの基準クロツクを
基準にして端子25に第3図Bに示すクロックパルスが
発生する。
When this pulse is applied to the pattern storage section 19, the address is designated by the contents of the address counter 28, and the output data of the data selector 32 is written. For example, as shown in FIG. 3, when a write command as shown in FIG. 3A is generated from the pattern generating section 21, a clock pulse as shown in FIG. 3B is generated at the terminal 25 based on the reference clock from the terminal 27.

更にこのパルスに対して僅か進んだ第3図0に示す書き
込みパルスが書き込みパルス発生器33より発生し、こ
のパルスの立下りでパターン記憶部19に対する書き込
み動作が行われる。アドレスカウンタ28はクロツクパ
ルスによって第3図Cに示すようにその内容が0,1,
2,3,……と例えば増加する。従ってカゥンタ28の
内容が0の場合にその時のセレクタ32で選ばれたデ−
夕、例えば第3図Eに示すデータがパターン記憶部19
のアドレスカウンタ28に指定された部分に書き込まれ
る。データセット信号が端子26に第3図日こ示すよう
に発生するごとに入出力バス31の例えば16ビットの
並列データがデータ列変換部29にセットされる。
Furthermore, a write pulse shown in FIG. 3, which is slightly advanced with respect to this pulse, is generated by the write pulse generator 33, and a write operation to the pattern storage section 19 is performed at the falling edge of this pulse. The address counter 28 changes its contents to 0, 1, 1, etc. as shown in FIG.
For example, it increases by 2, 3, . . . . Therefore, when the content of the counter 28 is 0, the data selected by the selector 32 at that time is
In the evening, for example, the data shown in FIG.
The data is written to the portion specified by the address counter 28 of. For example, 16-bit parallel data on the input/output bus 31 is set in the data string converter 29 every time a data set signal is generated at the terminal 26 as shown in FIG.

このセットされたデータがクロツクパルスによる駆動さ
れて順次1ビットずつデータセレクタ32を通じてパタ
ーン記憶部19に供給される。従ってパターン発生部2
1によって入出力バス31に供給するパターンデータは
、端子25のクロツクパルスの16周期に1回でよく、
逆に言えばパターン発生部21から入出力バス31へパ
ターンデータを送出する速度の1針音の速度でパターン
記憶部19に対するデータの書き込みを行うことができ
る。つまり一般にアドレスカウンタ28やパターン記憶
部19の速度は例えば20ナノ秒程度と高速度で行うこ
とができるが、パターン発生部21、いわゆる中央処理
装置により発生して入出力バス31にパターンを供給す
る速度は1マイクロ秒程度であり、従ってこれに対して
アドレスカゥンタ28やパターン記憶部19などは高速
度に動作させることができる。
This set data is driven by a clock pulse and is sequentially supplied bit by bit to the pattern storage section 19 through the data selector 32. Therefore, pattern generation section 2
The pattern data supplied to the input/output bus 31 by 1 may be supplied once every 16 periods of the clock pulse of the terminal 25.
In other words, data can be written into the pattern storage section 19 at the speed of one stitch, which is the speed at which pattern data is sent from the pattern generation section 21 to the input/output bus 31. In other words, the speed of the address counter 28 and the pattern storage section 19 can generally be as high as about 20 nanoseconds, but the pattern generation section 21, so-called central processing unit, generates a pattern and supplies the pattern to the input/output bus 31. The speed is about 1 microsecond, and therefore the address counter 28, pattern storage section 19, etc. can be operated at high speed.

このようにして各パターンデータを1ビットずつパター
ン発生部21よりパターン記憶部19に直接書き込む場
合と比較してこの発明では高速度に書き込むことができ
る。なお必要に応じてデータセレクタ32を切換えて従
来と同機にパターン発生部21のパターンを1ビットず
つパターン記憶部19に書き込むようにすることもでき
る。使用する入出力バス31が32ビットの場合はパタ
ーンデータの32ビット分をパターン発生部21から同
時に発生して入出力バスを通じてデータ列変換部29に
セットするようにすると、更に高速度に書き込みを行う
ことができる。記憶部19の1つのアドレス部分に複数
ビット、例えば4ビットが記憶される場合は、データ列
変換部29に入力された16ビットデータを、そのシフ
トレジスタの第0段、第4段、第8段及び第1変装の各
出力を同時に記憶部19に書き込み、4回書き込むごと
に入出力バス31よりデータ列変換部29に新たにデー
タを入力すればよい。
In this way, compared to the case where each pattern data is directly written into the pattern storage section 19 from the pattern generation section 21 one bit at a time, the present invention can write data at a higher speed. Note that, if necessary, the data selector 32 can be switched to write the pattern of the pattern generating section 21 bit by bit into the pattern storage section 19 in the same way as in the conventional machine. If the input/output bus 31 used is 32 bits, 32 bits of pattern data can be simultaneously generated from the pattern generator 21 and set in the data string converter 29 via the input/output bus, thereby achieving even higher writing speed. It can be carried out. When a plurality of bits, for example 4 bits, are stored in one address part of the storage unit 19, the 16-bit data input to the data string conversion unit 29 is stored in the 0th stage, 4th stage, and 8th stage of the shift register. It is sufficient to simultaneously write the outputs of the stage and the first disguise into the storage section 19, and input new data to the data string conversion section 29 from the input/output bus 31 every four times.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はメモリ試験装置を示すブロック図、第2図はこ
の発明によるメモリ試験用パターン書き込み装置の一例
を示すブロック図、第3図はその動作の説明に供するた
めのタイムチャートである。 19・・・・・・パターン記憶部、21・・・・・・パ
ターン発生部、22・・・・・・制御部、23・・・・
・・書き込み指令信号端子、24・・・・・・アドレス
セット信号端子、25…・・・クロック端子、26・・
・・・・データセット信号端子、27・・・・・・クロ
ック端子、28・・・・・・アドレスカウンタ、29・
・・・・・データ列変換部、31・・・・・・入出力バ
ス、32……セレクタ部、33……書き込みパルス発生
部。 カー図 ル2図 外3図
FIG. 1 is a block diagram showing a memory test device, FIG. 2 is a block diagram showing an example of a memory test pattern writing device according to the present invention, and FIG. 3 is a time chart for explaining its operation. 19...Pattern storage unit, 21...Pattern generation unit, 22...Control unit, 23...
...Write command signal terminal, 24...Address set signal terminal, 25...Clock terminal, 26...
... Data set signal terminal, 27 ... Clock terminal, 28 ... Address counter, 29.
...Data string converter, 31...I/O bus, 32...Selector section, 33...Write pulse generator. Car diagram 2 diagram outside 3 diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 並列パターンデータを入出力バスに送出するパター
ン発生器と、そのパターン発生器から書込み指令が与え
られてアドレスセツト信号、上記パターン発生器から並
列パターンデータを入出力バスに送出する速度よりも速
いクロツクパルス及びデータセツト信号を発生する制御
部と、上記アドレスセツト信号により書込み開始アドレ
スがセツトされ、上記クロツクパルスにより一方向に歩
進し、アドレスを発生し、そのアドレスでパターン記憶
部をアクセスするアドレスカウンタと、上記データセツ
ト信号により上記パターン発生器から入出力バスに出力
された並列パターンデータが入力され、上記クロツクパ
ルスにより動作してその並列パターンデータを直列パタ
ーンデータに変換して上記パターン記憶部に書込みデー
タとして供給するデータ列変換部と、上記クロツクパル
スごとに書込みパルスを発生して上記パターン記憶部に
上記データ列変換部よりの直列パターンデータを複数の
アドレスに分割して書込む書込みパルス発生部とを具備
するメモリ試験用パターン書込み装置。
1. A pattern generator that sends parallel pattern data to the input/output bus, and an address set signal given a write command from the pattern generator, which is faster than the speed at which the parallel pattern data is sent from the pattern generator to the input/output bus. a control section that generates a clock pulse and a data set signal; and an address counter whose write start address is set by the address set signal, which increments in one direction by the clock pulse, generates an address, and which accesses the pattern storage section with the address. Then, the parallel pattern data output from the pattern generator to the input/output bus is inputted by the data set signal, and operated by the clock pulse, converts the parallel pattern data into serial pattern data and writes it into the pattern storage section. a data string converter that supplies the data as data; and a write pulse generator that generates a write pulse for each clock pulse and divides the serial pattern data from the data string converter into a plurality of addresses and writes them into the pattern storage section. A memory test pattern writing device comprising:
JP54150899A 1979-11-21 1979-11-21 Memory test pattern writing device Expired JPS6011398B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54150899A JPS6011398B2 (en) 1979-11-21 1979-11-21 Memory test pattern writing device
US06/205,162 US4369511A (en) 1979-11-21 1980-11-10 Semiconductor memory test equipment

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JP54150899A JPS6011398B2 (en) 1979-11-21 1979-11-21 Memory test pattern writing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5673359A JPS5673359A (en) 1981-06-18
JPS6011398B2 true JPS6011398B2 (en) 1985-03-25

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ID=15506806

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0279300A (en) * 1988-09-16 1990-03-19 Sanyo Electric Co Ltd Sound recording/reproducing device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4488300A (en) * 1982-12-01 1984-12-11 The Singer Company Method of checking the integrity of a source of additional memory for use in an electronically controlled sewing machine

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JPS5673359A (en) 1981-06-18

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