JPS60113166A - 半導体素子の試験方法 - Google Patents
半導体素子の試験方法Info
- Publication number
- JPS60113166A JPS60113166A JP22232983A JP22232983A JPS60113166A JP S60113166 A JPS60113166 A JP S60113166A JP 22232983 A JP22232983 A JP 22232983A JP 22232983 A JP22232983 A JP 22232983A JP S60113166 A JPS60113166 A JP S60113166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- temperature
- time
- heating
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体素子、％にパワー半導体素子の断続通
電試験を効果的に行なう半導体素子の試験方法に関する
ものである。
電試験を効果的に行なう半導体素子の試験方法に関する
ものである。
従来の半導体素子の試験方法は第１図に示すように、Ｔ
ｚ時間の間、半導体素子ＫＷ力を印加し、半導体素子の
自己発熱により加熱されると、半導体素子の温度が上昇
してゆく。そ、して、次のＴｇ待時間間、半導体素子へ
の電力を停止して、自然空冷により放熱すると、半導体
素子の温度が下降してゆく。このように、半導体素子の
自己発熱および自然空冷のサイクルを時間Ｔｘ＋Ｔｓで
繰シ返すものである。したがって、この試験方法の効率
は半導体素子の温度の上昇および下降のサイクル、特に
半導体素子の放熱能力によって決まる。
ｚ時間の間、半導体素子ＫＷ力を印加し、半導体素子の
自己発熱により加熱されると、半導体素子の温度が上昇
してゆく。そ、して、次のＴｇ待時間間、半導体素子へ
の電力を停止して、自然空冷により放熱すると、半導体
素子の温度が下降してゆく。このように、半導体素子の
自己発熱および自然空冷のサイクルを時間Ｔｘ＋Ｔｓで
繰シ返すものである。したがって、この試験方法の効率
は半導体素子の温度の上昇および下降のサイクル、特に
半導体素子の放熱能力によって決まる。
しかしながら、従来の半導体素子の試験方法は断続通電
における加熱および放電の繰り返し回数を数万回以上要
求される例が多いだめ、加熱時間および放熱時間が長く
なり、総試験時間が膨大になる。また、半導体素子の温
度上昇および温度下降に要する時間は実使用時の条件と
大差がないため、加速試験としての効果が低い、などの
欠点があった。
における加熱および放電の繰り返し回数を数万回以上要
求される例が多いだめ、加熱時間および放熱時間が長く
なり、総試験時間が膨大になる。また、半導体素子の温
度上昇および温度下降に要する時間は実使用時の条件と
大差がないため、加速試験としての効果が低い、などの
欠点があった。
したがって、この発明の目的は試験時間を短縮でき、し
かも試験効果を増大させることができる半導体素子の試
験方法を提供するものである。
かも試験効果を増大させることができる半導体素子の試
験方法を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は半導体素子
の自己発熱および自然放熱のサイクルを繰）返す断続通
電試験方法において、前記放熱に同期して周囲温度を変
化させるものであり、以下実施例を用いて詳細に説明す
る。
の自己発熱および自然放熱のサイクルを繰）返す断続通
電試験方法において、前記放熱に同期して周囲温度を変
化させるものであり、以下実施例を用いて詳細に説明す
る。
第２図（ａ）および第２図（ｂ）はこの発明による半導
体素子の試験方法の一実施例を説明するための図である
。まず、１８時間（ただし、Ｔ ａ （’ｉ″ｌ）の間
、図示せぬ周囲加熱装置に富力を印加し、半導体素子の
周囲温度を上昇させると共に半導体素子に電力を印加し
、半導体素子の自己発熱により加熱されると、半導体素
子の温度は第２図（ｂ）に示すように上昇してゆく。次
に、１４時間（ただし、Ｔ４＜Ｔ２）の間、図示せぬ周
囲加熱装置への電力を停止させ、半導体素子の周囲温度
を降下させると共に、半導体素子への電力を停止し、自
然空冷により放熱させると、半導体素子の温度は第２図
（ｂ）に示すように下降してゆく。したがって、半導体
素子の温度上昇、下降のサイクルは時間Ｔａ＋Ｔ４で繰
シ返されるため、試験４間を短縮することができる。
体素子の試験方法の一実施例を説明するための図である
。まず、１８時間（ただし、Ｔ ａ （’ｉ″ｌ）の間
、図示せぬ周囲加熱装置に富力を印加し、半導体素子の
周囲温度を上昇させると共に半導体素子に電力を印加し
、半導体素子の自己発熱により加熱されると、半導体素
子の温度は第２図（ｂ）に示すように上昇してゆく。次
に、１４時間（ただし、Ｔ４＜Ｔ２）の間、図示せぬ周
囲加熱装置への電力を停止させ、半導体素子の周囲温度
を降下させると共に、半導体素子への電力を停止し、自
然空冷により放熱させると、半導体素子の温度は第２図
（ｂ）に示すように下降してゆく。したがって、半導体
素子の温度上昇、下降のサイクルは時間Ｔａ＋Ｔ４で繰
シ返されるため、試験４間を短縮することができる。
なお、上述の実施例では周囲温度の下降は自然放熱によ
ったが、これに限定せず、放熱器などを用いて、温度下
降時にのみ接触させて、強制的に放熱させることによシ
、更に温度サイクルの時間を短縮することができること
はもちろんである。
ったが、これに限定せず、放熱器などを用いて、温度下
降時にのみ接触させて、強制的に放熱させることによシ
、更に温度サイクルの時間を短縮することができること
はもちろんである。
〔発明の効果］
以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体素子
の試験方法によれば半導体素子の温度上昇および温度下
降の温度サイクルに要する時間全短縮することができる
。このため、半導体素子の耐性の評価を短時間で行なう
ことができる効果がある。
の試験方法によれば半導体素子の温度上昇および温度下
降の温度サイクルに要する時間全短縮することができる
。このため、半導体素子の耐性の評価を短時間で行なう
ことができる効果がある。
第１図は従来の半導体素子の試験方法を説明するための
図、第２図（ａｌおよび第２図（ｂｌはこの発明に係る
半導体素子の試験方法の一実施例を説明するための図で
ある。 Ｔ ｉ −Ｔ ４・１１Φ一時間。 なお、図中、同一符号は同一まだは相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 ａ＋闇呻 第２図 りキ邸□ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２２２３２９号２、発明
の名称 半導体素子の試験方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１１」区丸の内二丁目２番３号（１
）明細書の特許請求の範囲を別紙の通シ補正する。 （２）同書第２頁第２０行の「前記放熱」を「前記発熱
および前記放熱」と補正する。 （３）同省第３頁第１２行〜１３行の「図示せぬ〜を停
止させ」を「周囲加熱装置への電力を停止し、図示せぬ
周囲冷却装置への電力を供給し」と補正する。 （４）同書第３頁第１４行の「自然空冷」を「強制空冷
」と補正する。 （５）同省第３頁第２０行〜第４頁第１行の「自然放熱
」を「強制空冷のみｊと補正する。 （６）同省第４頁第１行の「これに限定せず」を「これ
に加えて」と補正する。 （７）同省第４頁第２行の「強制的に」を「より効率的
に」と補正する。 （８）図面の第１図、第２図を別紙の通り補正する。 別 紙
図、第２図（ａｌおよび第２図（ｂｌはこの発明に係る
半導体素子の試験方法の一実施例を説明するための図で
ある。 Ｔ ｉ −Ｔ ４・１１Φ一時間。 なお、図中、同一符号は同一まだは相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 ａ＋闇呻 第２図 りキ邸□ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−２２２３２９号２、発明
の名称 半導体素子の試験方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１１」区丸の内二丁目２番３号（１
）明細書の特許請求の範囲を別紙の通シ補正する。 （２）同書第２頁第２０行の「前記放熱」を「前記発熱
および前記放熱」と補正する。 （３）同省第３頁第１２行〜１３行の「図示せぬ〜を停
止させ」を「周囲加熱装置への電力を停止し、図示せぬ
周囲冷却装置への電力を供給し」と補正する。 （４）同書第３頁第１４行の「自然空冷」を「強制空冷
」と補正する。 （５）同省第３頁第２０行〜第４頁第１行の「自然放熱
」を「強制空冷のみｊと補正する。 （６）同省第４頁第１行の「これに限定せず」を「これ
に加えて」と補正する。 （７）同省第４頁第２行の「強制的に」を「より効率的
に」と補正する。 （８）図面の第１図、第２図を別紙の通り補正する。 別 紙
Claims (1)
- 半導体素子の自己発熱および自然放熱のサイクルを繰シ
返す断続通電試験方法において、前記放熱に同期して周
囲温度を変化させることを特徴とする半導体素子の試験
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22232983A JPS60113166A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体素子の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22232983A JPS60113166A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体素子の試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113166A true JPS60113166A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16780640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22232983A Pending JPS60113166A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体素子の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112285595A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-29 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led灯珠的循环测试方法 |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22232983A patent/JPS60113166A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112285595A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-29 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led灯珠的循环测试方法 |
| CN112285595B (zh) * | 2020-10-15 | 2023-10-10 | 深圳市南北半导体有限责任公司 | 一种led灯珠的循环测试方法 |
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