JPS60109229A - 回転処理装置 - Google Patents
回転処理装置Info
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- JPS60109229A JPS60109229A JP21617383A JP21617383A JPS60109229A JP S60109229 A JPS60109229 A JP S60109229A JP 21617383 A JP21617383 A JP 21617383A JP 21617383 A JP21617383 A JP 21617383A JP S60109229 A JPS60109229 A JP S60109229A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- coating film
- wafer
- pressure
- coating
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、回転処理装置に関するものである。
半導体装置の製造にあたっては、塗布膜形成工程があり
て、この塗布膜の形成には、スピンナ等。
て、この塗布膜の形成には、スピンナ等。
回転機構を有するものが用いられている。試料載置台上
の半導体ウエノ・に塗布膜を形成するには、塗布装置が
あり、該半導体ウェハに塗布膜形成用液状物質を滴下し
、滴下した液体をウエノ・の高速回転によって塗布膜を
形成している。すなわち、半導体ウェハに滴下された液
体は、高速回転の遠心力でウェハ周縁方向に流れ該液体
がウエノ・主表面上に行き渡り塗布膜を形成している。
の半導体ウエノ・に塗布膜を形成するには、塗布装置が
あり、該半導体ウェハに塗布膜形成用液状物質を滴下し
、滴下した液体をウエノ・の高速回転によって塗布膜を
形成している。すなわち、半導体ウェハに滴下された液
体は、高速回転の遠心力でウェハ周縁方向に流れ該液体
がウエノ・主表面上に行き渡り塗布膜を形成している。
塗布膜形成用液状物質には、例えば５ＯＧ（シリコン・
オン・グラス）、ホトレジスト、拡散剤等が用いられる
。
オン・グラス）、ホトレジスト、拡散剤等が用いられる
。
しかし、この塗布膜形成においては、ウエノ１が高速で
回転するため、ウエノ・中央部からウエノ・周縁方向に
高速気流が発生し、この高速気流に含まれる不純物及び
塗布膜形成に用いた液状物質が塗布装置の内側ではねか
えり、ウェハ中央部に巻きこまれる現象を本発明者は見
い出した。これは第″２図に示す如く、高速気流に含ま
れる塗布膜２１がウェハ上の塵芥等を吸着し、ウエノ・
に付着している。この問題は、塗布装置の内側で飛散し
汚染された塗布膜がウェハ上で環流しウエノ・の塗布膜
に付着し、塗布膜の欠陥となっていた。
回転するため、ウエノ・中央部からウエノ・周縁方向に
高速気流が発生し、この高速気流に含まれる不純物及び
塗布膜形成に用いた液状物質が塗布装置の内側ではねか
えり、ウェハ中央部に巻きこまれる現象を本発明者は見
い出した。これは第″２図に示す如く、高速気流に含ま
れる塗布膜２１がウェハ上の塵芥等を吸着し、ウエノ・
に付着している。この問題は、塗布装置の内側で飛散し
汚染された塗布膜がウェハ上で環流しウエノ・の塗布膜
に付着し、塗布膜の欠陥となっていた。
また、特にこの塗布装置は、°塗布膜を形成する液状物
質が塗布装置外に漏″れないようにしている。
質が塗布装置外に漏″れないようにしている。
このように塗布装置全体を外気と遮断し、またウェハが
高速で回転するためウェハ中央部主表面上の気圧降下が
起り、高速気流にのって汚染された塗布霧が該ウェハに
付着しやすいという問題かあった。
高速で回転するためウェハ中央部主表面上の気圧降下が
起り、高速気流にのって汚染された塗布霧が該ウェハに
付着しやすいという問題かあった。
この問題は、塗布膜の膜厚の不均一化、物性の特性が変
化し、時には実用化されない塗布膜となり、塗布膜形成
の量産化を阻害するものであった。
化し、時には実用化されない塗布膜となり、塗布膜形成
の量産化を阻害するものであった。
本発明は、前記問題点を解決するために案出されたもの
で、その目的は、特性のすぐれた塗布膜を形成する技術
を提供することにある。
で、その目的は、特性のすぐれた塗布膜を形成する技術
を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願におい工開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである〇すなわち１回
転するウェハの表面に有害な気流が環状に発生すること
ｔ阻止し、塗布膜に異物が付着するのを防止することを
達成するものである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである〇すなわち１回
転するウェハの表面に有害な気流が環状に発生すること
ｔ阻止し、塗布膜に異物が付着するのを防止することを
達成するものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、回転塗布装置の一実施例を示し、この装置は
上カップ２と下カップ３とから成り、この上・下カップ
は、後述する半導体ウェハ上の圧力を適正に保つのに適
した位置に内装され、かつ外枠１で覆われている。下方
ラグ３には試料載置台５が備げらｄ、この載置台は、半
導体ウェハ４を載置できると共に、ウェハを真空吸着に
よって固定すると共忙１回転することができる。ウェハ
の真空吸着は、該試料載置台と回転軸６に形成された真
空着花Ｊ１が連通されている真空ポンプ８によってなさ
れる。ウェハの回転は、底壁９を貫通し駆動モータ７と
連結する回転軸（スピンドル）によってなされる。１０
は、回転軸６の軸受である。また、下カップ忙は、底壁
９を貫通（１、て塗布液を排出する排出管１６が設けら
れ、下カップの上方には、半導体ウェハの回転による遠
心力で塗布するための液体が周囲に飛散し、それがはね
返って該ウェハ表面に不所望に付着するのを防止するは
ね返り防止板１８が設けられている。このはね返り防止
板により、この防止板に飛散した塗布霧が速やかに排気
管に流れる。また該排出管１６には排出管の圧力を計る
ための管１７が付設され、肢管は圧力計２４に連結して
いる。
上カップ２と下カップ３とから成り、この上・下カップ
は、後述する半導体ウェハ上の圧力を適正に保つのに適
した位置に内装され、かつ外枠１で覆われている。下方
ラグ３には試料載置台５が備げらｄ、この載置台は、半
導体ウェハ４を載置できると共に、ウェハを真空吸着に
よって固定すると共忙１回転することができる。ウェハ
の真空吸着は、該試料載置台と回転軸６に形成された真
空着花Ｊ１が連通されている真空ポンプ８によってなさ
れる。ウェハの回転は、底壁９を貫通し駆動モータ７と
連結する回転軸（スピンドル）によってなされる。１０
は、回転軸６の軸受である。また、下カップ忙は、底壁
９を貫通（１、て塗布液を排出する排出管１６が設けら
れ、下カップの上方には、半導体ウェハの回転による遠
心力で塗布するための液体が周囲に飛散し、それがはね
返って該ウェハ表面に不所望に付着するのを防止するは
ね返り防止板１８が設けられている。このはね返り防止
板により、この防止板に飛散した塗布霧が速やかに排気
管に流れる。また該排出管１６には排出管の圧力を計る
ための管１７が付設され、肢管は圧力計２４に連結して
いる。
一方、上カップ２には、気体供給管３７が挿設され、こ
の供給管による気体は、マルチノズル１４を通って、試
料載置台上に噴射される。また、上カップの略中央部に
半導体ウェハ主表面上の圧力を測定する圧力計２３に連
結された管１３を配設する。上カップの縁周部には大気
侵入を防止するためのガイド板１５が設けられている。
の供給管による気体は、マルチノズル１４を通って、試
料載置台上に噴射される。また、上カップの略中央部に
半導体ウェハ主表面上の圧力を測定する圧力計２３に連
結された管１３を配設する。上カップの縁周部には大気
侵入を防止するためのガイド板１５が設けられている。
試料載量台上には制御装置１９を経て塗布膜形成用液状
物質を定量ずつ供給するための滴下ノズルが設けられて
いる。１００は、気体供給の制御部であって、半導体ウ
ェハ上の圧力測定忙基づいて適正な圧力を半導体ウヱハ
主表面上に保持するためのものである。
物質を定量ずつ供給するための滴下ノズルが設けられて
いる。１００は、気体供給の制御部であって、半導体ウ
ェハ上の圧力測定忙基づいて適正な圧力を半導体ウヱハ
主表面上に保持するためのものである。
次に本実施例回転処理装置の作用について説明する。
試料載置台５の上に半導体つ１工・・４を載置し、真空
ポンプ８から真空吸着孔１１Ｙ介して該載置台に固定す
る。そして上カップ２を閉じる。ノズル１２から５ＯＧ
１半導体ウェハの中央部上に滴下する。駆動モータ７を
介して半導体ウェハを回転させ、この回転の遠心力によ
って、塗布膜を形成する。前記塗布膜を形成する際、制
御部により、半導体ウェハ上の圧力を検知し、その検知
結果にもとづき、マルチノズルを介して、不活性ガス、
例えば窒素を供給する。
ポンプ８から真空吸着孔１１Ｙ介して該載置台に固定す
る。そして上カップ２を閉じる。ノズル１２から５ＯＧ
１半導体ウェハの中央部上に滴下する。駆動モータ７を
介して半導体ウェハを回転させ、この回転の遠心力によ
って、塗布膜を形成する。前記塗布膜を形成する際、制
御部により、半導体ウェハ上の圧力を検知し、その検知
結果にもとづき、マルチノズルを介して、不活性ガス、
例えば窒素を供給する。
更に詳しく説明すると、管１３）ｋ用いて、半導体ウェ
ハ主表面上の圧力と大気圧との差を圧力計２３Ｙ介して
測定する。肢管１３の位置は半導体ウェハから約１００
ｍｍである。該圧力計２３の値はＡＭＰ３１で増幅され
、減（加）算器３３に連絡される。
ハ主表面上の圧力と大気圧との差を圧力計２３Ｙ介して
測定する。肢管１３の位置は半導体ウェハから約１００
ｍｍである。該圧力計２３の値はＡＭＰ３１で増幅され
、減（加）算器３３に連絡される。
一方、排気管１６に設けられた管１７Ｙ用いて、排出時
の圧力と大気圧との差を、圧力計２４を介して測定する
。該圧力計２４の値は、ＡＭＰ３２で増幅され、上記減
（加）Ｘ器３３に連絡される。
の圧力と大気圧との差を、圧力計２４を介して測定する
。該圧力計２４の値は、ＡＭＰ３２で増幅され、上記減
（加）Ｘ器３３に連絡される。
該減（加）算器にＡＭＰ３１及びＡＭＰ３２より連絡さ
れた指示は、差圧設定３５された値と比較する比較器３
４に連絡され、次にＭＦＯ制御回路３６に連絡される。
れた指示は、差圧設定３５された値と比較する比較器３
４に連絡され、次にＭＦＯ制御回路３６に連絡される。
不活性ガスは１通常流量計２５および気体供給管３７を
通って、マルチノズル１４を介して半導体ウエノ・主表
面上に噴射されるが、前記Ｍ ｉｉ” ０制御回路３６
に連絡されると、該半導体ウエノ・の主表面上の圧力を
大気圧に近い状態にするため−ＭＦＯ（マス・フロー・
コントロール）２６を作動させる。この不活性ガスには
、主に窒素を用いるが、アルゴン等であってもよい。
通って、マルチノズル１４を介して半導体ウエノ・主表
面上に噴射されるが、前記Ｍ ｉｉ” ０制御回路３６
に連絡されると、該半導体ウエノ・の主表面上の圧力を
大気圧に近い状態にするため−ＭＦＯ（マス・フロー・
コントロール）２６を作動させる。この不活性ガスには
、主に窒素を用いるが、アルゴン等であってもよい。
第３図は、本発明の一実施例を示すもので、半導体ウェ
ハの高速回転で生じた高速気流を第２図で示すような塗
布膜２１が環状に流れるのを阻止した状態を表わしてい
る。
ハの高速回転で生じた高速気流を第２図で示すような塗
布膜２１が環状に流れるのを阻止した状態を表わしてい
る。
また第４図は、半導体ウェハの回転によって、半導体ウ
ェハ中央主表面上の圧力は弓状２２になり、該ウエノ・
の中央主表面上の圧力が低（なる状態を表わしている。
ェハ中央主表面上の圧力は弓状２２になり、該ウエノ・
の中央主表面上の圧力が低（なる状態を表わしている。
なお前記電気制御部は、半導体ウエノ・が高速回転によ
って生じる塗布霧の半導体ウエノ・中央主表面上への巻
き込みを防止する方法として、該ウェハ中央主表面上に
適量の不活性ガスを供給することにある。
って生じる塗布霧の半導体ウエノ・中央主表面上への巻
き込みを防止する方法として、該ウェハ中央主表面上に
適量の不活性ガスを供給することにある。
したがって、上記目的を達成するには、圧力計の位置ｔ
、例えば、該ウエノ・上に任意に設けて、適量の不活性
ガスをコントロールできろような構成にしてもよい。
、例えば、該ウエノ・上に任意に設けて、適量の不活性
ガスをコントロールできろような構成にしてもよい。
また、該ウエノ・上の塗布霧の巻き込みを阻止するには
、不活性ガスを一定量、即ち供給量を制御しない方法で
噴射することも考えられるが、この方法では、不活性ガ
スが例えばウニ／Ｓに供給されすぎてしまう結果となる
。この結果、不活性ガスによる塵芥等が生じ、塗布膜の
欠陥となることが考えられる。
、不活性ガスを一定量、即ち供給量を制御しない方法で
噴射することも考えられるが、この方法では、不活性ガ
スが例えばウニ／Ｓに供給されすぎてしまう結果となる
。この結果、不活性ガスによる塵芥等が生じ、塗布膜の
欠陥となることが考えられる。
半導体ウエノ・中央主表面上の圧力を一定にするととｋ
より、塗布霧の環状の発生、すなわち、汚染された塗布
霧の巻き込みを阻止するという作用で、極めて均一な膜
厚及び欠陥のない塗布膜が得られるという効果が得られ
る。
より、塗布霧の環状の発生、すなわち、汚染された塗布
霧の巻き込みを阻止するという作用で、極めて均一な膜
厚及び欠陥のない塗布膜が得られるという効果が得られ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で糧々変更可
能であることはいうま１もない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で糧々変更可
能であることはいうま１もない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの塗布
膜形成技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではな（。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの塗布
膜形成技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではな（。
たとえば、半導体ウエノ・等の乾燥する目的の技術など
に適用できる。
に適用できる。
第１図は、本発明の一実施例である回転処理装置の概略
構成図、 第２図は、背景技術で述べた塗布器を示す部分的概略拡
大図、 第３図は、第１図の部分的概略拡大図、第４図は、回転
処理装置の載置台上の雰囲気の圧力状態を示すグラフで
ある。 １・・・回転処理装置の外枠、２・・・上カップ、３・
・・下カップ、４・・・半導体ウエノ・等、５・・・試
料載置台、６・・・回転軸（スピンナ）、７・・・駆動
モータ、８・・・真空ポンプ、記・・底壁、ｌＯ・・・
軸受、１１・・・真空着花、１２・・・滴下ノズル、１
３．１７・・・管、１４・・・マルチノズル、１５・・
・ガイド板、１６・・・排気管、１８・・・はね返り防
止板、２１・・・塗布霧、２３゜２４・・・圧力計、２
５・・・流量計、２６・・・マス・フロー・コントロー
ル（ＭＦＯ）、３１．３２・・・アンプ、３３・・・減
（加）算器、３４・・・比較器、３５・・・差圧設定、
３６・・・ＭＦＯ制御回路、３７・・・気体供給管、１
００・・・制御部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 Ｃつ＼−−− ・ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
構成図、 第２図は、背景技術で述べた塗布器を示す部分的概略拡
大図、 第３図は、第１図の部分的概略拡大図、第４図は、回転
処理装置の載置台上の雰囲気の圧力状態を示すグラフで
ある。 １・・・回転処理装置の外枠、２・・・上カップ、３・
・・下カップ、４・・・半導体ウエノ・等、５・・・試
料載置台、６・・・回転軸（スピンナ）、７・・・駆動
モータ、８・・・真空ポンプ、記・・底壁、ｌＯ・・・
軸受、１１・・・真空着花、１２・・・滴下ノズル、１
３．１７・・・管、１４・・・マルチノズル、１５・・
・ガイド板、１６・・・排気管、１８・・・はね返り防
止板、２１・・・塗布霧、２３゜２４・・・圧力計、２
５・・・流量計、２６・・・マス・フロー・コントロー
ル（ＭＦＯ）、３１．３２・・・アンプ、３３・・・減
（加）算器、３４・・・比較器、３５・・・差圧設定、
３６・・・ＭＦＯ制御回路、３７・・・気体供給管、１
００・・・制御部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 Ｃつ＼−−− ・ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回転自在な試料載置台と気体を噴射するマルチノズ
ルからなる回転処理装置であって、前記試料載置台と前
記マルチノズルの間と、該回転処理装置の排出部九夫々
圧力計に連結する夫々の管を配設し、夫々の圧力計の測
定値をもとに試料載置台上に該マルチノズルを通って気
体を噴射する機構を有することを特徴とする回転処理装
置。 ２、前記気体に不活性ガスを用いたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の回転処理装−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21617383A JPS60109229A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 回転処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21617383A JPS60109229A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 回転処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60109229A true JPS60109229A (ja) | 1985-06-14 |
Family
ID=16684427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21617383A Pending JPS60109229A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 回転処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60109229A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS6395626A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Toshiba Corp | レジストの塗布装置 |
| JPH03267169A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| WO2007076739A2 (de) * | 2005-12-23 | 2007-07-12 | Bohnet, Hans | Beschichtungsanlage für wafer |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP21617383A patent/JPS60109229A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS6395626A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Toshiba Corp | レジストの塗布装置 |
| JPH03267169A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| WO2007076739A2 (de) * | 2005-12-23 | 2007-07-12 | Bohnet, Hans | Beschichtungsanlage für wafer |
| WO2007076739A3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-09-07 | Bohnet Hans | Beschichtungsanlage für wafer |
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