JPS60108913A - 電歪素子制御装置 - Google Patents
電歪素子制御装置Info
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- JPS60108913A JPS60108913A JP58215979A JP21597983A JPS60108913A JP S60108913 A JPS60108913 A JP S60108913A JP 58215979 A JP58215979 A JP 58215979A JP 21597983 A JP21597983 A JP 21597983A JP S60108913 A JPS60108913 A JP S60108913A
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- voltage
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- circuit
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は圧電素子の駆動回路に関し、特に圧電素子の伸
縮を利用して精密な位置決めを実現するための装置にお
いて、圧電素子の変化量を正確に制御するための装置に
関する。この様な位置決めを必要とする装置としては検
査装置、精密ｆｘ ｑｌｌｌ装定、半導体パターン焼付
装置などがある。
縮を利用して精密な位置決めを実現するための装置にお
いて、圧電素子の変化量を正確に制御するための装置に
関する。この様な位置決めを必要とする装置としては検
査装置、精密ｆｘ ｑｌｌｌ装定、半導体パターン焼付
装置などがある。
半導体回路素子はその構成パターンの最小寸法が微細化
しており、このため投影焼付装置においても高い分解能
が必要とされる。高い分解能を得るためには、結像光学
系のマスク位置およびウェハー位置はその焦点位置に正
確に位置決めされなければならない。
しており、このため投影焼付装置においても高い分解能
が必要とされる。高い分解能を得るためには、結像光学
系のマスク位置およびウェハー位置はその焦点位置に正
確に位置決めされなければならない。
従来この種の装置の焦点合わせ方法は、背面矯正能力の
ある超平面プレート（ウェハーチャック）により平面矯
正されたウェハーの上面を、所定位置にある参照面（ウ
ェハーディスク）の３個所のツメに突き当てて停止させ
ることにより行っていた。その為、ウェハー面上に塗布
されている粘着性のあるレジストが参照面（ウェハーデ
ィスク）のツメに付着され、数多くのウェハーを処理し
た場合レジスト付着により焦点ボケの大きな原因となっ
ていた。またウェハーに突き当っている参照面の３個所
のツメ部分はフォトマスク像が投影されず、半導体素子
の収益率が減小する大きな要因でもあった。
ある超平面プレート（ウェハーチャック）により平面矯
正されたウェハーの上面を、所定位置にある参照面（ウ
ェハーディスク）の３個所のツメに突き当てて停止させ
ることにより行っていた。その為、ウェハー面上に塗布
されている粘着性のあるレジストが参照面（ウェハーデ
ィスク）のツメに付着され、数多くのウェハーを処理し
た場合レジスト付着により焦点ボケの大きな原因となっ
ていた。またウェハーに突き当っている参照面の３個所
のツメ部分はフォトマスク像が投影されず、半導体素子
の収益率が減小する大きな要因でもあった。
本発明は、従来の機械的な接触位置決めに替えて圧電素
子を具備する非接触位置を採用するに伴なって、圧電素
子の変化量を正確に設定することを目的とする。
子を具備する非接触位置を採用するに伴なって、圧電素
子の変化量を正確に設定することを目的とする。
第４図以降で本発明実施例の駆動回路を説明するが、こ
こではまず本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を
描いた第１図で全体の構成を説明する。１０は光源１０
ａを発したマスク照明光を収束させるための照明光学系
であり、１は集積回路パターンを具えたマスクである。
こではまず本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を
描いた第１図で全体の構成を説明する。１０は光源１０
ａを発したマスク照明光を収束させるための照明光学系
であり、１は集積回路パターンを具えたマスクである。
２はマスクチャックで１のマスクを保持している。３は
縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェハ−１５ぼウ
ェハーステージである。ウェハーステージ５はウェハー
４を縮小投影レンズ３の光軸に対して直角な平面Ｘ７面
を移動することが出来る。ウェハーステージ５にはウェ
ハー４を縮小投影レンズの光軸方向（Ｚ方向）に移動さ
せる不図示のウェハーＺユニットが載っている。
縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェハ−１５ぼウ
ェハーステージである。ウェハーステージ５はウェハー
４を縮小投影レンズ３の光軸に対して直角な平面Ｘ７面
を移動することが出来る。ウェハーステージ５にはウェ
ハー４を縮小投影レンズの光軸方向（Ｚ方向）に移動さ
せる不図示のウェハーＺユニットが載っている。
第２図に縮小投影レンズ３とウェハース−ユニットの配
置を示す断面図を示す。３は縮小投影レンズ、４は投影
像が映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェ
ハー４を保持する。２３はピエゾ素子であり、その一端
がウェハーチャック２０、他端がピエゾ素子２３の容器
の底部に圧接している。
置を示す断面図を示す。３は縮小投影レンズ、４は投影
像が映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェ
ハー４を保持する。２３はピエゾ素子であり、その一端
がウェハーチャック２０、他端がピエゾ素子２３の容器
の底部に圧接している。
ウェハーチャック２０はピエゾ素子２３の伸縮により上
下に移動する。２７はテコであり、ウェハーチャックホ
ルダ２４に対してウェハーチャックベース２１を、ピエ
ゾ素子２３の容器を介して上下に移動させる。なお、ウ
ェハーチャックホルダー２４はウェハーステージ５に固
定されている。？５と２６はボールブツシュガイドであ
り、ウェハーチャックベース２１をウェハーチャックホ
ルダー２４に対して精度よくｚ軸方向の移動を行なわせ
る。
下に移動する。２７はテコであり、ウェハーチャックホ
ルダ２４に対してウェハーチャックベース２１を、ピエ
ゾ素子２３の容器を介して上下に移動させる。なお、ウ
ェハーチャックホルダー２４はウェハーステージ５に固
定されている。？５と２６はボールブツシュガイドであ
り、ウェハーチャックベース２１をウェハーチャックホ
ルダー２４に対して精度よくｚ軸方向の移動を行なわせ
る。
２８はウェハーチャックホルダー２４に固着するネジ、
２９はこれに係合するネジ棒、３０はネジ棒２９に取付
けられた歯車、３１はアイドラー歯車、３２はステッピ
ングモータの出力軸に取付けられた歯車、３３はステッ
ピングモータである。このステッピングモータ３３が回
転すると歯車を介してネジ棒２９が回転して上下に移動
し、これによりテコ２７の一端が押されてウェハー４の
面が縮小レンズの投影レンズの結像面へと移行するので
ある。
２９はこれに係合するネジ棒、３０はネジ棒２９に取付
けられた歯車、３１はアイドラー歯車、３２はステッピ
ングモータの出力軸に取付けられた歯車、３３はステッ
ピングモータである。このステッピングモータ３３が回
転すると歯車を介してネジ棒２９が回転して上下に移動
し、これによりテコ２７の一端が押されてウェハー４の
面が縮小レンズの投影レンズの結像面へと移行するので
ある。
２２はウェハーチャックベース２丁に取付けられたピエ
ゾ素子２３による駆動量を検知するための渦電流形位置
検知器であり、ウェハーチャックベース２１とウェハー
チャック２０との距離を測定する。３４・３５は縮小投
影レンズ３に取付けられたエアマイクロセンサーのノズ
ルであり、ノズルから吹出す空気の流量または背圧の変
化によりウェハー表面までの距離を測定する。
ゾ素子２３による駆動量を検知するための渦電流形位置
検知器であり、ウェハーチャックベース２１とウェハー
チャック２０との距離を測定する。３４・３５は縮小投
影レンズ３に取付けられたエアマイクロセンサーのノズ
ルであり、ノズルから吹出す空気の流量または背圧の変
化によりウェハー表面までの距離を測定する。
第３図に縮小投影レンズ３とエアーマイクロセンサーの
ノズルおよびウェハー４の上面図を示す。
ノズルおよびウェハー４の上面図を示す。
３４〜３７は縮小投影レンズに取付けられた４ケのエア
ーマイクロセンサーのノズルであり、４のウェハー表面
までの距離を測定している。ノズル３４〜３７で測定し
た縮小投影レンズの端面から４のウェハー表面までの距
離を各々’Ｉ Ｉ ｄ２ ） ｄ３ ｚ ｄ４とすると
、その平均距離は（’１＋ ｄ２ ＋ ｄＢ ＋ ｄ４
） ／ ４となる。所定の縮小投影レンズ３の焦点面位
置と縮小投影レンズ３の端面間の距離なｄ。とすると、
焦点面位置にウェハを移動させるのには Δｄ−ｄｏ−（ｄＩ＋ｄ２＋ｄ８＋ｄ４）／４なる量Δ
ｄだけウェハー２機構を移動させれば良い。
ーマイクロセンサーのノズルであり、４のウェハー表面
までの距離を測定している。ノズル３４〜３７で測定し
た縮小投影レンズの端面から４のウェハー表面までの距
離を各々’Ｉ Ｉ ｄ２ ） ｄ３ ｚ ｄ４とすると
、その平均距離は（’１＋ ｄ２ ＋ ｄＢ ＋ ｄ４
） ／ ４となる。所定の縮小投影レンズ３の焦点面位
置と縮小投影レンズ３の端面間の距離なｄ。とすると、
焦点面位置にウェハを移動させるのには Δｄ−ｄｏ−（ｄＩ＋ｄ２＋ｄ８＋ｄ４）／４なる量Δ
ｄだけウェハー２機構を移動させれば良い。
この結果ウェハーの平均面が焦点面位置となる。
第４図は本発明の実施例の自動焦点合わせ装置の駆動制
御機構の構成を示すブロック図である。
御機構の構成を示すブロック図である。
４０はマイクロプロセッサ−で各種判断処理を行い、各
々の場合に応じた指令を出す。４１はレジスタであり、
マイクロプロセッサ−４０がらステッピングモータ３３
への回転方向、回転量、回転速度などの指令情報を記憶
する。４２はステンピングモータ制御回路であり、レジ
スタ４１の指命情報に基すき、ステッピングモータ３３
のオープンループ制御を行う。
々の場合に応じた指令を出す。４１はレジスタであり、
マイクロプロセッサ−４０がらステッピングモータ３３
への回転方向、回転量、回転速度などの指令情報を記憶
する。４２はステンピングモータ制御回路であり、レジ
スタ４１の指命情報に基すき、ステッピングモータ３３
のオープンループ制御を行う。
初期状態において、ウェハーの表面位置は焦点面位置よ
り２聾以上離れている。これはウェハーの厚みが厚かっ
た場合でも縮小投影レンズ３に衝突しないためである。
り２聾以上離れている。これはウェハーの厚みが厚かっ
た場合でも縮小投影レンズ３に衝突しないためである。
なお、エアーセンサーノズルで精度よく測定できる範囲
は、ノズルの端面がらウェハー表面までの距離が約０．
２ ＋ｍｎ以内のときである。従って所定の焦点面位置
がノズルの端面から０．１ｍのところにあると仮定する
と、精度よく測定できるのはウェハー表面が上方向に移
動して焦点面位置より下側０．１ ｖａｎ以内に入って
がらである。
は、ノズルの端面がらウェハー表面までの距離が約０．
２ ＋ｍｎ以内のときである。従って所定の焦点面位置
がノズルの端面から０．１ｍのところにあると仮定する
と、精度よく測定できるのはウェハー表面が上方向に移
動して焦点面位置より下側０．１ ｖａｎ以内に入って
がらである。
−５０はエアーセンサーノズル３４〜３７の流体流量の
変化を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズ３と
ウェハー面迄の距離ｄＩ”Ｌ ｄ２ ｒ ｄ８ ｒ ｄ
４に対応した電圧出力ｖｌ ｅ Ｖ２ ＋ Ｖ８ ｒ
Ｖ４を発生する。
変化を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズ３と
ウェハー面迄の距離ｄＩ”Ｌ ｄ２ ｒ ｄ８ ｒ ｄ
４に対応した電圧出力ｖｌ ｅ Ｖ２ ＋ Ｖ８ ｒ
Ｖ４を発生する。
４９はアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）であり、電
圧変換回路５ｏで発生した電圧ｖ１．ｖ２．■８゜ｖ４
をデジタル信号に変換してマイクロプロセンサー４０に
送る。ここでウェハー４の初期位置が焦点面位置より２
調以上離れているので、マイクロプロセッサ−４０はウ
ェハー２軸が上昇し、エアセンサーノズルの測定範囲に
入るまでレジスタ４１にステッピングモータの駆動指令
を与え続ける。ステッピングモータ３３の回転によりウ
ェハー２軸が上昇し、ウェハー４が焦点面位置より０．
１間以内に入ると、エアーセンサーノズル３４〜３７、
電圧変換回路５０およびアナログ−デジタル変換回路４
９を通じてマイクロプロセッサ−４ｏは副手範囲に入っ
た事を検知し、レジスタ４１ヘステンピングモータ３３
に停止指令を送り、ウェハー４の上昇を停める。次にマ
イクロプロセッサ−４０は、再びエアーセンサーノズル
３４〜３７、電圧変換回路５０オよびアナログ−デジタ
ル変換回路４９を介してウェハー４の表面位置の測定を
行い、ウニハフ２機構の移動量Δｄ＋＝ｄｏ （ｄ＋
十ｄ、十ｄｓ ＋ ｄ４ ）／４を算出する。
圧変換回路５ｏで発生した電圧ｖ１．ｖ２．■８゜ｖ４
をデジタル信号に変換してマイクロプロセンサー４０に
送る。ここでウェハー４の初期位置が焦点面位置より２
調以上離れているので、マイクロプロセッサ−４０はウ
ェハー２軸が上昇し、エアセンサーノズルの測定範囲に
入るまでレジスタ４１にステッピングモータの駆動指令
を与え続ける。ステッピングモータ３３の回転によりウ
ェハー２軸が上昇し、ウェハー４が焦点面位置より０．
１間以内に入ると、エアーセンサーノズル３４〜３７、
電圧変換回路５０およびアナログ−デジタル変換回路４
９を通じてマイクロプロセッサ−４ｏは副手範囲に入っ
た事を検知し、レジスタ４１ヘステンピングモータ３３
に停止指令を送り、ウェハー４の上昇を停める。次にマ
イクロプロセッサ−４０は、再びエアーセンサーノズル
３４〜３７、電圧変換回路５０オよびアナログ−デジタ
ル変換回路４９を介してウェハー４の表面位置の測定を
行い、ウニハフ２機構の移動量Δｄ＋＝ｄｏ （ｄ＋
十ｄ、十ｄｓ ＋ ｄ４ ）／４を算出する。
ステッピングモータ３３による移動分解能は２μｍであ
り、マイクロプロセラｆ−４０は２μｍ単位の移動量Δ
ｄ１をレジスタ４１に与えウェハー２軸を上昇させる。
り、マイクロプロセラｆ−４０は２μｍ単位の移動量Δ
ｄ１をレジスタ４１に与えウェハー２軸を上昇させる。
この結果ウェハー４の表面位置は焦点面位置に対して約
２μｍ以内の精度で位置する。
２μｍ以内の精度で位置する。
ここで、またウェハー４の表面までの距離を測定する。
エアーセンサーノズル３４〜３７による測定距離をそれ
ぞｈｃｌｏ〜ｄ１２とすれば、マイクロプロセッサ−４
０はレジスタ４３にΔｄ ２”’ ６ｏ （ｄ ｏ ＋
ｄ 、。
ぞｈｃｌｏ〜ｄ１２とすれば、マイクロプロセッサ−４
０はレジスタ４３にΔｄ ２”’ ６ｏ （ｄ ｏ ＋
ｄ 、。
＋ ｄｏ ＋ ｄ＋２）／ ４なるピエゾ素子２３の駆
動方向、駆動量の指令を出す。レジスタ４３はこの指令
およびピエゾ素子駆動の要否指令を記憶するとともに、
その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器４４および
ピエゾ駆動電圧発生回路４６に出力する。
動方向、駆動量の指令を出す。レジスタ４３はこの指令
およびピエゾ素子駆動の要否指令を記憶するとともに、
その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器４４および
ピエゾ駆動電圧発生回路４６に出力する。
４４はデジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）であり、マイ
クロプロセンサー４０の指令をアナログ電圧として差動
増幅器４５の指令電圧として出力する。
クロプロセンサー４０の指令をアナログ電圧として差動
増幅器４５の指令電圧として出力する。
４６はピエゾ駆動電圧発生回路であり、ピエゾ素子２３
に印加する最大電圧ｖＨの約２分の１の電圧を中心にし
て上下に電圧を、差動増幅器４５の出力に応じて発生す
る。−ピエゾ素子２３の駆動によりウェハー４が上下す
ると、その駆動量はエアセンサーノズル３４ 、３５
、３６ 、３７および渦電流型位置検知器２２で検知し
、測定することが出来る。、渦電流型位置検知器２２の
出力は変位電圧変換回路４８により変位量に比例した電
圧に変換され、差動増幅器４５およびアナログデジタル
変換器４７に出力される。
に印加する最大電圧ｖＨの約２分の１の電圧を中心にし
て上下に電圧を、差動増幅器４５の出力に応じて発生す
る。−ピエゾ素子２３の駆動によりウェハー４が上下す
ると、その駆動量はエアセンサーノズル３４ 、３５
、３６ 、３７および渦電流型位置検知器２２で検知し
、測定することが出来る。、渦電流型位置検知器２２の
出力は変位電圧変換回路４８により変位量に比例した電
圧に変換され、差動増幅器４５およびアナログデジタル
変換器４７に出力される。
差動増幅器４５は渦電流型位置検知器２２によって検出
されたピエゾ素子２３によるウェハー４の駆動量とマイ
クロプロセッサ−４０により指示された駆動量と逐次比
較し、その差が誤差範囲内に納まるまで駆動する。この
結果ウェハー４の表面は所定の焦点面位置に対して精度
よく位置することが出来る。４７はアナログデジタル変
換器（ＡＤＣ）であり、渦電流型位置検知器２２により
検知したピエゾ素子２３の駆動量をデジタル量に変換し
てマイクロプロセッサ−４０に伝送する。なお、第２の
検知器として渦電流型位置検知器を使用した理由はその
反応速度が速いからである。もしエアセンサーを使用し
てサーボループを形成すれば、収れんするまでの時間は
長くなるであろう。
されたピエゾ素子２３によるウェハー４の駆動量とマイ
クロプロセッサ−４０により指示された駆動量と逐次比
較し、その差が誤差範囲内に納まるまで駆動する。この
結果ウェハー４の表面は所定の焦点面位置に対して精度
よく位置することが出来る。４７はアナログデジタル変
換器（ＡＤＣ）であり、渦電流型位置検知器２２により
検知したピエゾ素子２３の駆動量をデジタル量に変換し
てマイクロプロセッサ−４０に伝送する。なお、第２の
検知器として渦電流型位置検知器を使用した理由はその
反応速度が速いからである。もしエアセンサーを使用し
てサーボループを形成すれば、収れんするまでの時間は
長くなるであろう。
第５図は本発明の実施例に係るサーボ回路図である。回
路素子６０〜８３はＭ４図のピエゾ駆動電圧発生回路４
６を形成している。６０は鋸歯状波発生回路で約１０
ＫＨｚの鋸歯状波の発振を行っている。６２は比較器（
コンパレータ）であり、差動増幅器４５の出力と鋸歯状
波発生回路６０の出力との比較を行い、この結果なＯま
たは１のデジタル出力として反転器（インバータ）６４
に与える。この比較器６２により差動増幅器４５と鋸歯
状波発生回路６０との比較を行うことでパルス幅変調さ
れた出力が得られる。
路素子６０〜８３はＭ４図のピエゾ駆動電圧発生回路４
６を形成している。６０は鋸歯状波発生回路で約１０
ＫＨｚの鋸歯状波の発振を行っている。６２は比較器（
コンパレータ）であり、差動増幅器４５の出力と鋸歯状
波発生回路６０の出力との比較を行い、この結果なＯま
たは１のデジタル出力として反転器（インバータ）６４
に与える。この比較器６２により差動増幅器４５と鋸歯
状波発生回路６０との比較を行うことでパルス幅変調さ
れた出力が得られる。
反転器６４は比較器６２の出力を反転させて論理積回路
（アンド回路）６６と６７に与えている。レジスタ４３
の内容がピエゾ素子駆動の不要出力０（ＯＦＦ’）のと
き、差動増幅器４５の出力と無関係に論理積回路６６
、６７の出力は０とされる。これによリピエゾ素子２３
を放電状態にすることができる。
（アンド回路）６６と６７に与えている。レジスタ４３
の内容がピエゾ素子駆動の不要出力０（ＯＦＦ’）のと
き、差動増幅器４５の出力と無関係に論理積回路６６
、６７の出力は０とされる。これによリピエゾ素子２３
を放電状態にすることができる。
ピエゾ素子２３をサーボループで駆動する場合、レジス
タ４３のピエゾ素子駆動必要出力１ （ＯＮ）をマイク
ロプロセラｆ−４０より与える。この結果、論理積回路
６６−、６７は差動増幅器４５の出力を比較器６２でパ
ルス幅変調した信号として変換された形で通過させて光
結合器（フォトカプラー） ７０．７８に与える。
タ４３のピエゾ素子駆動必要出力１ （ＯＮ）をマイク
ロプロセラｆ−４０より与える。この結果、論理積回路
６６−、６７は差動増幅器４５の出力を比較器６２でパ
ルス幅変調した信号として変換された形で通過させて光
結合器（フォトカプラー） ７０．７８に与える。
論理積回路６６が出力０ （ＯＦＦ）のとき光結合器７
０はＯＦＦ、）ランジスタフ３はＯＮ、トランジスタ７
５もＯＮｌ トラ、レジスタ７６はＯＦＦとなり、ピエ
ゾ素子２３は充電されない。また論理積回路６６が出力
１ （ＯＮ）のとき光結合回路７０は一〇Ｎ、）ランジ
スタフ３はＯＦＦ、トランジスタ７５はＯＦＦ、）ラン
ジスタフ６はＯＮとなリビエゾ素子２空は充電される。
０はＯＦＦ、）ランジスタフ３はＯＮ、トランジスタ７
５もＯＮｌ トラ、レジスタ７６はＯＦＦとなり、ピエ
ゾ素子２３は充電されない。また論理積回路６６が出力
１ （ＯＮ）のとき光結合回路７０は一〇Ｎ、）ランジ
スタフ３はＯＦＦ、トランジスタ７５はＯＦＦ、）ラン
ジスタフ６はＯＮとなリビエゾ素子２空は充電される。
゛ 一方論理積回路６７が出力０ （ＯＦＦ）のとき、
光結合器７８はＯＦＦ、トランジスタ８１はＯＮ、）ラ
ンジスタ８２はＯＮとなり、ピエゾ素子２３は放電され
る。
光結合器７８はＯＦＦ、トランジスタ８１はＯＮ、）ラ
ンジスタ８２はＯＮとなり、ピエゾ素子２３は放電され
る。
また論理積回路６７が出力１ （ＯＮ）のとき、光結合
器７８はＯＮｌ トランジスタ８１はＯＦＦ、）ランジ
スタ８２はＯＦＦとｆｌす、ピエゾ素子２３は放電され
ない。ここで論理積回路６６．６７の出力の組み合せは
０と０かまたは１と１の組み合せしかないので、この組
み合せを表１にまとめる。
器７８はＯＮｌ トランジスタ８１はＯＦＦ、）ランジ
スタ８２はＯＦＦとｆｌす、ピエゾ素子２３は放電され
ない。ここで論理積回路６６．６７の出力の組み合せは
０と０かまたは１と１の組み合せしかないので、この組
み合せを表１にまとめる。
表１
ここでピエゾ素子２３はピエゾスタックと呼ばれている
ものを使用する。ピエゾスタックは厚さ約０．５咽のピ
エゾ素子が１００枚積層されているもので、４００ｖの
電圧を加えると３０μｍの変位か得られる。またピエゾ
素子は電気の等側口νとしては蓄電器（コンデンサー）
として表わせ、本実施例では０．０１μＦの容量を持っ
ている。ピエゾ素子２３はトランジスタ７６がＯＮでト
ランジスタ８３がＯＦＦのとき電源ＶＨから抵抗７６を
通じて充電され、光軸方向に伸びる。またトランジスタ
７６がＯＦＦでトランジスタ８３がＯＮのとき、抵抗８
３を通じて蓄−わえられた電荷が放電されて電位が下が
り、光軸方向に縮む。ここで電圧電源ｖＨは４００ｖで
、抵抗６８は電圧降下用抵抗、ツェナーダイオード６９
は光結合器７０．７８に過大な電圧を与えないための定
電圧源、抵抗７１．７２，７４，７９，８０は一各トラ
ンジスタのコレクタ抵抗である。抵抗７７はピエゾ素子
充電用抵抗、抵抗８３は放−用抵抗で２４０にΩを使用
しており、従ってピエゾ素子の充−放電時定数は２〜５
ｒＩＬ（８）となる。
ものを使用する。ピエゾスタックは厚さ約０．５咽のピ
エゾ素子が１００枚積層されているもので、４００ｖの
電圧を加えると３０μｍの変位か得られる。またピエゾ
素子は電気の等側口νとしては蓄電器（コンデンサー）
として表わせ、本実施例では０．０１μＦの容量を持っ
ている。ピエゾ素子２３はトランジスタ７６がＯＮでト
ランジスタ８３がＯＦＦのとき電源ＶＨから抵抗７６を
通じて充電され、光軸方向に伸びる。またトランジスタ
７６がＯＦＦでトランジスタ８３がＯＮのとき、抵抗８
３を通じて蓄−わえられた電荷が放電されて電位が下が
り、光軸方向に縮む。ここで電圧電源ｖＨは４００ｖで
、抵抗６８は電圧降下用抵抗、ツェナーダイオード６９
は光結合器７０．７８に過大な電圧を与えないための定
電圧源、抵抗７１．７２，７４，７９，８０は一各トラ
ンジスタのコレクタ抵抗である。抵抗７７はピエゾ素子
充電用抵抗、抵抗８３は放−用抵抗で２４０にΩを使用
しており、従ってピエゾ素子の充−放電時定数は２〜５
ｒＩＬ（８）となる。
次に実施例に係るサーボ回路の動作を説明する。
初期状態ではレジスタ４３から制御不要信号が出され、
ピエゾ素子２３は完全に放電状態になっている。
ピエゾ素子２３は完全に放電状態になっている。
次（＝レジスタ４３から制御必要信号が出され、かつデ
ジタルアナログ変換器４４に最大駆動量の２分の１の相
当する駆動量すなわち１５μｍを与える。デジタルアナ
ログ変換器４４は駆動量１５μｍに相当するアナログ電
圧５ｖを出力し、差動増幅器４５に与える。一方、渦電
流型位置検知器２２の出力は、１５μｍの変位を検知し
たとき、変位電圧変換回路４８より５ｖの電圧が出力さ
れる様に調整されている。
ジタルアナログ変換器４４に最大駆動量の２分の１の相
当する駆動量すなわち１５μｍを与える。デジタルアナ
ログ変換器４４は駆動量１５μｍに相当するアナログ電
圧５ｖを出力し、差動増幅器４５に与える。一方、渦電
流型位置検知器２２の出力は、１５μｍの変位を検知し
たとき、変位電圧変換回路４８より５ｖの電圧が出力さ
れる様に調整されている。
しかし、最初の状態付近ではまだピエゾ素子２３は謔電
状態にあり、伸びの変位がないため変位電圧変換器４８
はＯｖを出力し、差動増幅器４５に与える。従って差動
増幅器４５は、変位電圧変換器４８からの帰還量が少な
いため大きなプラス電圧を出力として発生する。比較器
６２は、鋸歯状波発生回路６０の出力電圧より差動増幅
器４５の出方が大きいためほとんどＯ（ＯＦＦ）出力を
発生し、従って論理積回路６６ 、６７の出力をともに
１としピエゾ素子２３を充電し続ける。ピエゾ素子２３
は充電されて伸びの変位を発生するので、変位電圧変換
回路４８から変位に比例し光電圧を発生し、やがて変位
は１５μｍに近すき、変位電圧変換回路４８がらは５ｖ
に近い電圧が発生する。デジタルアナログ変換器４４の
出力（駆動指令電圧）に近い電圧が変位電圧変換回路４
８の出力（変位電圧）から帰還されてくると、差動増幅
器４５の出力はＯｖに近ずく。差動増幅器４５の出力が
ＯＶに近ずくと鋸歯状波発生回路６０の出力電圧のほぼ
中心電圧となり、比較器６２はほとんど時間幅の等しい
０ （ＯＦＦ）と１ （ＯＮ）出力を繰り返し、鋸歯状
波発生回路６２の発振周波数で発生する。比較器６２の
出力がほとんど時間幅の等しい０と１信号の繰り返しと
ｌる−と、ピエゾ素子２３の充電量と放電量は相等しく
なり、ピエゾ素子２３の端子−電圧は収束してくる。
状態にあり、伸びの変位がないため変位電圧変換器４８
はＯｖを出力し、差動増幅器４５に与える。従って差動
増幅器４５は、変位電圧変換器４８からの帰還量が少な
いため大きなプラス電圧を出力として発生する。比較器
６２は、鋸歯状波発生回路６０の出力電圧より差動増幅
器４５の出方が大きいためほとんどＯ（ＯＦＦ）出力を
発生し、従って論理積回路６６ 、６７の出力をともに
１としピエゾ素子２３を充電し続ける。ピエゾ素子２３
は充電されて伸びの変位を発生するので、変位電圧変換
回路４８から変位に比例し光電圧を発生し、やがて変位
は１５μｍに近すき、変位電圧変換回路４８がらは５ｖ
に近い電圧が発生する。デジタルアナログ変換器４４の
出力（駆動指令電圧）に近い電圧が変位電圧変換回路４
８の出力（変位電圧）から帰還されてくると、差動増幅
器４５の出力はＯｖに近ずく。差動増幅器４５の出力が
ＯＶに近ずくと鋸歯状波発生回路６０の出力電圧のほぼ
中心電圧となり、比較器６２はほとんど時間幅の等しい
０ （ＯＦＦ）と１ （ＯＮ）出力を繰り返し、鋸歯状
波発生回路６２の発振周波数で発生する。比較器６２の
出力がほとんど時間幅の等しい０と１信号の繰り返しと
ｌる−と、ピエゾ素子２３の充電量と放電量は相等しく
なり、ピエゾ素子２３の端子−電圧は収束してくる。
この様にして回路（二帰還が行なわれ、駆動指令電圧と
変位電圧が等しくなった所で安定し、ピエゾ素子２３は
所望の駆動量（１５μｍ）の駆動、を行ったことになる
。このように最大駆動量の２分の１の１５μｍを最初に
設定することにより、この後の調整の迅速化を図ること
ができる。ここで再びウェハー４の表面位置をエアセン
サーノズル３４〜３７で測定し、その時の距離なｄ、〜
ｄ□とすればピエゾ素子２３の新たな設定駆動量は、Δ
ｄ、＝ ｄｏ−（ｄｏ ＋ ｄｌｏ ＋ ｄ＋ｔ ＋
（１＋２）／４として与えられる。
変位電圧が等しくなった所で安定し、ピエゾ素子２３は
所望の駆動量（１５μｍ）の駆動、を行ったことになる
。このように最大駆動量の２分の１の１５μｍを最初に
設定することにより、この後の調整の迅速化を図ること
ができる。ここで再びウェハー４の表面位置をエアセン
サーノズル３４〜３７で測定し、その時の距離なｄ、〜
ｄ□とすればピエゾ素子２３の新たな設定駆動量は、Δ
ｄ、＝ ｄｏ−（ｄｏ ＋ ｄｌｏ ＋ ｄ＋ｔ ＋
（１＋２）／４として与えられる。
ここで前述のようにΔｄ２は２μｍ以内の量にすでに位
置決めされている。そこでマイクロプロセッサ−４０は
、すでに駆動の済んだ初期駆動量（１５μｒｒＬ）に新
たな駆動量Δｄ２を加えた値をレジスタ４３に与える。
置決めされている。そこでマイクロプロセッサ−４０は
、すでに駆動の済んだ初期駆動量（１５μｒｒＬ）に新
たな駆動量Δｄ２を加えた値をレジスタ４３に与える。
レジスタ４３は新たな駆動指令電圧を発生し、差動増幅
器４５で誤差増幅を行う。変位電圧変換回路４８の出力
（変位電圧）が駆動指令電圧と等しくなるとピエゾ端子
電圧は収束し、所定の駆動か終了する。
器４５で誤差増幅を行う。変位電圧変換回路４８の出力
（変位電圧）が駆動指令電圧と等しくなるとピエゾ端子
電圧は収束し、所定の駆動か終了する。
第６図は第５図で示す鋸歯状波電圧発生回路６０から出
力される信号が比較器６２によりパルス幅変調される状
態を説明するための信号波形図である。
力される信号が比較器６２によりパルス幅変調される状
態を説明するための信号波形図である。
第６図（イ）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値より小さ
い場合である。駆動指令電圧より変位電圧が低いため差
動増幅器４５は高い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯
状波電圧と比較してルベルの時間幅の狭い出力を発生す
る。論理積回路ではこの信号が反転されてルベルの時間
幅の広い信号、つま°リピエゾ素子を充電する信号とな
る。第６図（ロ）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値とほ
とんど一致した場合である。駆動指令電圧と変位電圧が
ほとんど等しいため差動増幅器は中間電圧を発生し、コ
ンパレータは鋸歯状波電圧と比較してルベルと０レベル
の時間幅のほぼ等しい出力を発生する。
い場合である。駆動指令電圧より変位電圧が低いため差
動増幅器４５は高い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯
状波電圧と比較してルベルの時間幅の狭い出力を発生す
る。論理積回路ではこの信号が反転されてルベルの時間
幅の広い信号、つま°リピエゾ素子を充電する信号とな
る。第６図（ロ）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値とほ
とんど一致した場合である。駆動指令電圧と変位電圧が
ほとんど等しいため差動増幅器は中間電圧を発生し、コ
ンパレータは鋸歯状波電圧と比較してルベルと０レベル
の時間幅のほぼ等しい出力を発生する。
論理積回路ではこの信号を反転するが、ルベルとＯレベ
ルの時間幅の差が少ないためピエゾ素子の充放電が平衡
する信号となる。第６図（ハ）はピエゾ素子の伸びが駆
動指令値より大きい場合である。
ルの時間幅の差が少ないためピエゾ素子の充放電が平衡
する信号となる。第６図（ハ）はピエゾ素子の伸びが駆
動指令値より大きい場合である。
駆動指令電圧より変位電圧が高いため差動増幅器は低い
電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比較して
ルベレレの時間幅の広い出力を発生する。論理積回路で
はこの信号が反転されてルベルの狭い信号、つまりピエ
ゾ素子を放電する信号となる。
電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比較して
ルベレレの時間幅の広い出力を発生する。論理積回路で
はこの信号が反転されてルベルの狭い信号、つまりピエ
ゾ素子を放電する信号となる。
第７図はウェハー４上のショット配列、縮小投影レンズ
３およびエアセンサーノズル３４〜３７の配置を示した
甲である。図中Ｐで示した領域シま１シヨツトで露光さ
れるパターン領域である。ステツブアンドリピートタイ
プの投影焼付機はこの様にウェハーステージ５に載った
ウェハー４をｘＹ軸方向に移動させて分割焼付を行う。
３およびエアセンサーノズル３４〜３７の配置を示した
甲である。図中Ｐで示した領域シま１シヨツトで露光さ
れるパターン領域である。ステツブアンドリピートタイ
プの投影焼付機はこの様にウェハーステージ５に載った
ウェハー４をｘＹ軸方向に移動させて分割焼付を行う。
ところで領域Ｑを焼付ける場合、ウェハー４に対して縮
小投影レンズ３、エアセンサーノズル３４〜３７は図の
様に位置してりるのでエアセンサーノズル３５，３６．
３７はウェハー表面位置を検知測起来ない。′ｔなわち
ウェハー４を縮小投影レンズ３に近ずけていくと、マイ
クロプロセッサ−４０はエアセンサーノズル３５，３６
．３７が十分測定範囲内に入った事を検知することが出
来るが、エアセンサーノズル３４からは応答入力がない
。そこでマイクロプロセッサ−４０はエアセンサーノズ
ル３４が測定不能と判断して、エアセンチ−ノズル３５
．３６．３７の測定値ｄ２．’ｄ３． ｄ４の値を取り
出し平均してウェハー４までの平均距離を（ｄ２＋ｄ、
＋ｄ４）／３として算出する。焦点位置合せはこの算出
値を基（二行われる。
小投影レンズ３、エアセンサーノズル３４〜３７は図の
様に位置してりるのでエアセンサーノズル３５，３６．
３７はウェハー表面位置を検知測起来ない。′ｔなわち
ウェハー４を縮小投影レンズ３に近ずけていくと、マイ
クロプロセッサ−４０はエアセンサーノズル３５，３６
．３７が十分測定範囲内に入った事を検知することが出
来るが、エアセンサーノズル３４からは応答入力がない
。そこでマイクロプロセッサ−４０はエアセンサーノズ
ル３４が測定不能と判断して、エアセンチ−ノズル３５
．３６．３７の測定値ｄ２．’ｄ３． ｄ４の値を取り
出し平均してウェハー４までの平均距離を（ｄ２＋ｄ、
＋ｄ４）／３として算出する。焦点位置合せはこの算出
値を基（二行われる。
露光領域Ｑの露光が終了して次にＲの露光パターン領域
の露光を行う場合、Ｑの露光終了時にあらかしめエアセ
ンサーノズル３５によって露光領域Ｒのウェハー表面位
置を検知して距離を測定してオキ、この値をマイクロプ
ロセッサ−４０はレジスタ４３に駆動指命量として与え
る。ウェハー４が移動して露光領域Ｒが縮小レンズ３の
下に位置するとピエゾ素子２３は駆動を開始し、渦電流
形位置検知器２２で駆動量を確認して駆動を終了させる
。
の露光を行う場合、Ｑの露光終了時にあらかしめエアセ
ンサーノズル３５によって露光領域Ｒのウェハー表面位
置を検知して距離を測定してオキ、この値をマイクロプ
ロセッサ−４０はレジスタ４３に駆動指命量として与え
る。ウェハー４が移動して露光領域Ｒが縮小レンズ３の
下に位置するとピエゾ素子２３は駆動を開始し、渦電流
形位置検知器２２で駆動量を確認して駆動を終了させる
。
この様にしてウェハー４が露光領域Ｑから露光領域Ｒへ
移動する間に次の露光領域Ｒでの焦点合わせな終了させ
る事が出来る。このため他の動作時間を利用した無駄時
間の少ない露光装置が達成出来る。
移動する間に次の露光領域Ｒでの焦点合わせな終了させ
る事が出来る。このため他の動作時間を利用した無駄時
間の少ない露光装置が達成出来る。
なお、実施例ではウェハーについて記述されているが、
マスクまたはレティクルにも応用可能である。第１の検
知器には実施例で用いたエアーマイクロセンサー変位計
の他に、光電反射形変位計などを用いてもよい。第２の
検知器としては渦電流形変位計の他に、静電容量形変位
計などを用いても精度よく測定できる。また駆動源とし
ては実施例のピエゾ素子やリニアモータなどの直線運動
駆動源を用いて直接駆動すればメカニカルリンク機構を
不要としバックラッシュなどの不感帯がなくなるので、
精密な位置制御と速い応答速度が得られるが、回転運動
源を用いても勿論可能である。
マスクまたはレティクルにも応用可能である。第１の検
知器には実施例で用いたエアーマイクロセンサー変位計
の他に、光電反射形変位計などを用いてもよい。第２の
検知器としては渦電流形変位計の他に、静電容量形変位
計などを用いても精度よく測定できる。また駆動源とし
ては実施例のピエゾ素子やリニアモータなどの直線運動
駆動源を用いて直接駆動すればメカニカルリンク機構を
不要としバックラッシュなどの不感帯がなくなるので、
精密な位置制御と速い応答速度が得られるが、回転運動
源を用いても勿論可能である。
以上説明したように本発明によれば応答特性の良好で、
かつ移動な種畜に制御し得る圧電素子を使用しているの
で正確で、かつ迅速な焦点合わせが可能となる。
かつ移動な種畜に制御し得る圧電素子を使用しているの
で正確で、かつ迅速な焦点合わせが可能となる。
また、制御回路として圧電素子を直接制御する高圧制御
回路部と、微妙な電圧を処理する低圧制御回路部とを分
離しているので、電圧の立上りゃ立下り等の時間遅れが
減少するとともに効果的な電圧制御が可能となり、正確
でがっ迅速な焦点合わせが可能となる。
回路部と、微妙な電圧を処理する低圧制御回路部とを分
離しているので、電圧の立上りゃ立下り等の時間遅れが
減少するとともに効果的な電圧制御が可能となり、正確
でがっ迅速な焦点合わせが可能となる。
更に、帰還回路を設けているので精密な焦点合わせが常
に可能となる。
に可能となる。
第１図は本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を示
す斜視図、第２図は本発明の実施例に係る縮小投影レン
ズおよびウェハーＺユニットの配置を示す断面図、第３
図は本発明の実施例に係る縮小投影レンズとエアーマイ
クロセンサーのノズルおよびウェハーの上面図である。 第４図は本発明の実施例に係る自動焦点合わせ装置の駆
動機構の構成を示すブロック図、第５図は本発明の実施
例に係るサーボ回路図、第６図は第５図で示す鋸歯状波
電圧発生回路６０から出力される信号が比較器６２によ
りパルス幅変調される状態を説明するための信号波形図
、第７図はウェハー上のショッ斗配列、縮小レンズおよ
びエアセンサーノズルの配置を示す図である。 ３ ・・・・・・・・・・・・・・・縮小投影レンズ４
・・・・・・・・・・・・・・・ウェハー５ ・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーステージ２０・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーチャック２１・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーチャックペース２２
・・・・・・・・・・・・・・・過電流型位置検知器２
３・・・・・・・・・・・・・・・ピエゾ素子２４・・
・・・・・・・・・・・・・ウエハーチャックホルダー
２７・・・・・・・・・・・・・・・てこ３３・・・・
・・・・・・・・・・・ステッピングモーター３４〜３
７・・・・・・・・・エアマイクロセンサーノズル４０
・・・・・・・・・・・・・・・マイクロプロセッサ４
１．４３・・・・・・・・・レジスタイ２・・・・・・
・・・・・・・・・ステッピングモータ制御回路４４・
・・・・・・・・・・・・・・デジタルアナログ変換器
４５・・・・・・・・・・・・・・・差動増幅器４６・
・・・・・・・・・・・・・・ピエゾ素子駆動電圧発生
回路４７ 、４９・・・・・・・・・アナログデジタル
変換器４８・・・・・・・・・・・・・・・変位電圧変
換回路５０・・・・・・・・・・・・・・・電圧変換回
路６０・・・・・・・・・・・・・・・鋸歯状波電圧発
生回路６２・・・・・・・・・・・・・・・比較器６４
・・・・・・・・・・・・・・・反転器６６．６７・・
・・・・・・・論理積回路６８〜８３・・・・・・・・
・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４６の構成回路素子 特許出願人 キャノン株式会社 コツパレータ６２の出力 −■−−−−−■−−−−−
■−−−−−ロー（ロ） （ハ） 第６図 第７図
す斜視図、第２図は本発明の実施例に係る縮小投影レン
ズおよびウェハーＺユニットの配置を示す断面図、第３
図は本発明の実施例に係る縮小投影レンズとエアーマイ
クロセンサーのノズルおよびウェハーの上面図である。 第４図は本発明の実施例に係る自動焦点合わせ装置の駆
動機構の構成を示すブロック図、第５図は本発明の実施
例に係るサーボ回路図、第６図は第５図で示す鋸歯状波
電圧発生回路６０から出力される信号が比較器６２によ
りパルス幅変調される状態を説明するための信号波形図
、第７図はウェハー上のショッ斗配列、縮小レンズおよ
びエアセンサーノズルの配置を示す図である。 ３ ・・・・・・・・・・・・・・・縮小投影レンズ４
・・・・・・・・・・・・・・・ウェハー５ ・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーステージ２０・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーチャック２１・・・
・・・・・・・・・・・・ウェハーチャックペース２２
・・・・・・・・・・・・・・・過電流型位置検知器２
３・・・・・・・・・・・・・・・ピエゾ素子２４・・
・・・・・・・・・・・・・ウエハーチャックホルダー
２７・・・・・・・・・・・・・・・てこ３３・・・・
・・・・・・・・・・・ステッピングモーター３４〜３
７・・・・・・・・・エアマイクロセンサーノズル４０
・・・・・・・・・・・・・・・マイクロプロセッサ４
１．４３・・・・・・・・・レジスタイ２・・・・・・
・・・・・・・・・ステッピングモータ制御回路４４・
・・・・・・・・・・・・・・デジタルアナログ変換器
４５・・・・・・・・・・・・・・・差動増幅器４６・
・・・・・・・・・・・・・・ピエゾ素子駆動電圧発生
回路４７ 、４９・・・・・・・・・アナログデジタル
変換器４８・・・・・・・・・・・・・・・変位電圧変
換回路５０・・・・・・・・・・・・・・・電圧変換回
路６０・・・・・・・・・・・・・・・鋸歯状波電圧発
生回路６２・・・・・・・・・・・・・・・比較器６４
・・・・・・・・・・・・・・・反転器６６．６７・・
・・・・・・・論理積回路６８〜８３・・・・・・・・
・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４６の構成回路素子 特許出願人 キャノン株式会社 コツパレータ６２の出力 −■−−−−−■−−−−−
■−−−−−ロー（ロ） （ハ） 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）圧電素子と、 前記圧電素子の端子電圧を充放電するスイッチング素子
と、 前記スイッチング素子を制御する第１の制御回路と、 前記圧電素子の変化量を検出する検出手段と、前記検出
手段による検出量を帰還させ、所定の設楚駆動量との差
を比較して前記第１の制御回路を制御する第２の制御回
路とによって構成される電歪素子制御装置。 - （２）第１の制御回路は高電圧制御回路であり、第２の
制御回路は低電圧制御回路であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電歪素子制御装置。 - （３）前記第２の制御回路は前記検出移動量と前記設定
駆動量との差に応じた電圧を出力する誤差増幅器の出力
電圧により所定のパルス幅のパルスを出力する発振器の
パルス幅を変調するパルス幅変調回路を有し、該変調パ
ルスにより前記第１の制御回路を制御するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電歪素子制
御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215979A JPS60108913A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 電歪素子制御装置 |
| US06/667,993 US4600282A (en) | 1983-11-14 | 1984-11-05 | Alignment apparatus |
| GB08428609A GB2151045B (en) | 1983-11-14 | 1984-11-13 | Control of alignment |
| DE19843441621 DE3441621A1 (de) | 1983-11-14 | 1984-11-14 | Ausfluchtvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215979A JPS60108913A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 電歪素子制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108913A true JPS60108913A (ja) | 1985-06-14 |
| JPH057726B2 JPH057726B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16681399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215979A Granted JPS60108913A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-18 | 電歪素子制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108913A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284946U (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-30 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52108776A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern sticking device |
| JPS58122541A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58215979A patent/JPS60108913A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52108776A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern sticking device |
| JPS58122541A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284946U (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057726B2 (ja) | 1993-01-29 |
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