JPS6010275B2 - ケ−ブル布設位置探索方法 - Google Patents
ケ−ブル布設位置探索方法Info
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- JPS6010275B2 JPS6010275B2 JP56209803A JP20980381A JPS6010275B2 JP S6010275 B2 JPS6010275 B2 JP S6010275B2 JP 56209803 A JP56209803 A JP 56209803A JP 20980381 A JP20980381 A JP 20980381A JP S6010275 B2 JPS6010275 B2 JP S6010275B2
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- Japan
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- current
- cable
- alternating current
- repeater
- frequency alternating
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/02—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with propagation of electric current
- G01V3/06—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with propagation of electric current using ac
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Electric Cable Installation (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
｛１｝ 発明の技術分野
本発明はケーブル、特に海底ケーブルの布設位置探索方
法に関する。
法に関する。
■ 技術の背景
ケーブルを布設して通信を行なうシステムでは、一旦布
設したケーブルならびに中継器の修理及び埋設等のため
ケーブルの位置を正確に標定する必要が生じる場合があ
る。
設したケーブルならびに中継器の修理及び埋設等のため
ケーブルの位置を正確に標定する必要が生じる場合があ
る。
このようなケーブルならびに中継器が陸上システムのご
とく架空布線されている場合あるいはマンホール等に地
中布線されている場合には、これらの設置位置あるいは
埋設位置を探索することは労を要しない。
とく架空布線されている場合あるいはマンホール等に地
中布線されている場合には、これらの設置位置あるいは
埋設位置を探索することは労を要しない。
大体、肉視の範囲内にあるからである。ところがこれら
ケーブル、中継器が海底に布設されたときはその探索は
困難である。そこで、大体の布設位置が予め分っている
海底近傍に検出器を投下したのちこれを移動させケーブ
ルの存在位置を探る。この場合、ケーブルからは交流磁
界を発生せしめるので、該検知器は磁気検知器というこ
とになる。そして、その交流磁界は通常、ケーブル容量
よる減衰量の少ない１０ＨＺ〜５０ＨＺ程度の低周波交
流電流をケーブルに流すことにより発生せしめられる。
又その磁界の大きさは交流電流の大きさに比例する。糊
従来技術と問題点 第１図は一般的な海底中継伝送路の構成を示す回路図で
ある。
ケーブル、中継器が海底に布設されたときはその探索は
困難である。そこで、大体の布設位置が予め分っている
海底近傍に検出器を投下したのちこれを移動させケーブ
ルの存在位置を探る。この場合、ケーブルからは交流磁
界を発生せしめるので、該検知器は磁気検知器というこ
とになる。そして、その交流磁界は通常、ケーブル容量
よる減衰量の少ない１０ＨＺ〜５０ＨＺ程度の低周波交
流電流をケーブルに流すことにより発生せしめられる。
又その磁界の大きさは交流電流の大きさに比例する。糊
従来技術と問題点 第１図は一般的な海底中継伝送路の構成を示す回路図で
ある。
本図において、Ｃ，，Ｃ２…………Ｃｎ，Ｃｎ＋，は海
底同軸ケーブル（以下単にケーブルと称す）であり、ほ
ぼ一定間隔で海底中継器Ｒ，，Ｒ２・……”…Ｒｎ‐，
，Ｒｎが挿入される。これらはケーブルの心線Ｐに接続
する系であり、低周波交流電流源Ｇの一端に接続する。
電流源Ｇの他端はケ−ブルの外部導体Ｋに接続し、海底
アースＥとほぼ同電位である。電流源Ｇから供給された
低周波交流電流ｉは各ケーブル区間に交流磁界（例えば
図解的にＬで示す）を生ぜしめ、これを検知器Ｓにて検
知する。第２図は第１図における中継器Ｒ，，Ｒ２・・
…・・・・・・・の１つの一般的な構成を示す回路図で
ある。
底同軸ケーブル（以下単にケーブルと称す）であり、ほ
ぼ一定間隔で海底中継器Ｒ，，Ｒ２・……”…Ｒｎ‐，
，Ｒｎが挿入される。これらはケーブルの心線Ｐに接続
する系であり、低周波交流電流源Ｇの一端に接続する。
電流源Ｇの他端はケ−ブルの外部導体Ｋに接続し、海底
アースＥとほぼ同電位である。電流源Ｇから供給された
低周波交流電流ｉは各ケーブル区間に交流磁界（例えば
図解的にＬで示す）を生ぜしめ、これを検知器Ｓにて検
知する。第２図は第１図における中継器Ｒ，，Ｒ２・・
…・・・・・・・の１つの一般的な構成を示す回路図で
ある。
本図において一点鎖線で示すＰＳＦ，および俺Ｆ２はそ
れぞれ電力分離炉波器であり、電源回路Ｑを介して中継
増幅器ＡＭＰに直流給電を行なう。電源回路Ｑ内には、
中継増幅器ＡＭＰの電源回路のインピーダンスねｍｐと
並列にツェナーダイオードＺＤが設けられ、直流給電電
流１を電源回路Ｑに通電した時前記ねｍｐの電圧降下に
よりその両端に電圧を発生する。この電圧は通常談ッェ
ナーダィオードのッェナー電圧に比べて小さくッェナー
ダイオードは非導通である。なお、電源回路Ｑのインピ
ーダンスｒＲは、増幅器ＡＭＰの電源回路のインピーダ
ンスＺａｍｐとッェナーダイオードのインピーダンスＺ
松との並列インピーダンスとなる。
れぞれ電力分離炉波器であり、電源回路Ｑを介して中継
増幅器ＡＭＰに直流給電を行なう。電源回路Ｑ内には、
中継増幅器ＡＭＰの電源回路のインピーダンスねｍｐと
並列にツェナーダイオードＺＤが設けられ、直流給電電
流１を電源回路Ｑに通電した時前記ねｍｐの電圧降下に
よりその両端に電圧を発生する。この電圧は通常談ッェ
ナーダィオードのッェナー電圧に比べて小さくッェナー
ダイオードは非導通である。なお、電源回路Ｑのインピ
ーダンスｒＲは、増幅器ＡＭＰの電源回路のインピーダ
ンスＺａｍｐとッェナーダイオードのインピーダンスＺ
松との並列インピーダンスとなる。
第３図は第１図および第２図によって示した一般的な海
底中継伝送路の低周波交流電流に対する等価回路図であ
る。
底中継伝送路の低周波交流電流に対する等価回路図であ
る。
なお、既述したのと同一構成要素には同一の参照記号を
付して示す。本図において、ｒｏ・〜ｒｃＭ，はケーブ
ルＣ，〜Ｃｎ十，の各中心導体（芯線）の抵抗、ｒＲ，
〜ｒＲｎは低周波交流電流ｉ（検知用信号）に対する各
中継器Ｒ，〜Ｒｎの電源回路Ｑの等価インピーダンス（
第２図のｒＲに相当）、Ｃｃ＾，，ＣｃＡｎ十，，Ｃｃ
Ｂ，，ＣｃＢｎ十，は各ケーブルの芯線ＰとアースＥ間
の等価容量、ＣＲ＾・，ＣＲ＾ｎ，ＣＲＢ，，ＣＲＢｎ
は各中継器の中心導体（芯線の系）とアースＥ間の等価
容量を表わす。ところで、従来における交流磁界発生の
ための低周波交流電流ｉは、第２図に示す直流給電のた
めの通電電流１に置き換えて通電される。ッェナーダィ
オードＺＤに対し順方向ではなく逆方向に通電される。
その電流波形は添付図に図示するとおりである。第４Ａ
図は低周波交流電流の第１のタイプを示す波形図であり
、縦軸はその振幅ｌ ｉｌを示し、横軸は経過時間ｔを
示す。この第１のタイプにおける電流の式は、ｉａ（ｔ
）＝１ａＳｉｎ２中ナｔ で表わされる。
付して示す。本図において、ｒｏ・〜ｒｃＭ，はケーブ
ルＣ，〜Ｃｎ十，の各中心導体（芯線）の抵抗、ｒＲ，
〜ｒＲｎは低周波交流電流ｉ（検知用信号）に対する各
中継器Ｒ，〜Ｒｎの電源回路Ｑの等価インピーダンス（
第２図のｒＲに相当）、Ｃｃ＾，，ＣｃＡｎ十，，Ｃｃ
Ｂ，，ＣｃＢｎ十，は各ケーブルの芯線ＰとアースＥ間
の等価容量、ＣＲ＾・，ＣＲ＾ｎ，ＣＲＢ，，ＣＲＢｎ
は各中継器の中心導体（芯線の系）とアースＥ間の等価
容量を表わす。ところで、従来における交流磁界発生の
ための低周波交流電流ｉは、第２図に示す直流給電のた
めの通電電流１に置き換えて通電される。ッェナーダィ
オードＺＤに対し順方向ではなく逆方向に通電される。
その電流波形は添付図に図示するとおりである。第４Ａ
図は低周波交流電流の第１のタイプを示す波形図であり
、縦軸はその振幅ｌ ｉｌを示し、横軸は経過時間ｔを
示す。この第１のタイプにおける電流の式は、ｉａ（ｔ
）＝１ａＳｉｎ２中ナｔ で表わされる。
ｌａはピーク値、九ま周波数である。第４Ｂ図は低周波
交流電流の第２のタイプを示す波形図である。
交流電流の第２のタイプを示す波形図である。
この第２のタイプにおける電流の式は、ｉｂ（ｔ）＝Ｉ
ＤＣｂ＋１ｂＳｉｎ２中〆ｔで表わされる。
ＤＣｂ＋１ｂＳｉｎ２中〆ｔで表わされる。
ＩＤｃｂは低周波交流電流（ｉ）が重畳すべき直流電流
である。第４Ａ図あるいは第４８図に示した波形を有す
る低周波交流電流ｉを通電したとき、中継器内に現われ
る電圧特性について考察する。
である。第４Ａ図あるいは第４８図に示した波形を有す
る低周波交流電流ｉを通電したとき、中継器内に現われ
る電圧特性について考察する。
第５Ａ図及び第５Ｂ図は第２図の中継器の電圧／電流特
性を示し、特に第５Ａ図は第４Ａ図に示した低周波交流
電流を通電することにより第２図の中継器に生じる電圧
の特性を示す波形図であり、第５Ｂ図は第４Ｂ図に示し
た低周波交流電流を通電することにより第２図の中継器
に生じる電圧の特性を示す波形図である。
性を示し、特に第５Ａ図は第４Ａ図に示した低周波交流
電流を通電することにより第２図の中継器に生じる電圧
の特性を示す波形図であり、第５Ｂ図は第４Ｂ図に示し
た低周波交流電流を通電することにより第２図の中継器
に生じる電圧の特性を示す波形図である。
両図において、機軸は低周波交流電流ｉならびに経過時
間ｔであり、縦軸は電圧ｖならびに経過時間ｔである。
さらに■は、第４Ａ図又は第４Ｂ図の電流波形を示し、
現われる電圧波形は■で示される。先ず、第５Ａ図につ
いてみると、中継器に対する電圧／電流の特性は非直線
である。そして、その非直線の具合は次の３つの区間に
分けられる。なお、その非直線の具合は、低周波交流電
流ｉに対する動作抵抗（第３図のｒＲ参照）の変化とい
う形式で明らかにする。■〜■の区間……・・・１０〜
１００ ■〜■の区間…・・…・５０００〜２ｋＱ■〜■の区間
………１０００〜２０００ （■、■、■および■は第５Ａ図中に図示する部分に相
当する。
間ｔであり、縦軸は電圧ｖならびに経過時間ｔである。
さらに■は、第４Ａ図又は第４Ｂ図の電流波形を示し、
現われる電圧波形は■で示される。先ず、第５Ａ図につ
いてみると、中継器に対する電圧／電流の特性は非直線
である。そして、その非直線の具合は次の３つの区間に
分けられる。なお、その非直線の具合は、低周波交流電
流ｉに対する動作抵抗（第３図のｒＲ参照）の変化とい
う形式で明らかにする。■〜■の区間……・・・１０〜
１００ ■〜■の区間…・・…・５０００〜２ｋＱ■〜■の区間
………１０００〜２０００ （■、■、■および■は第５Ａ図中に図示する部分に相
当する。
）この第５Ａ図の波形から次のことが明らかとなる。ｉ
）電流ｉが小さい領域（第４Ａ図および第５Ａ図でハッ
チングを施した部分）において、一般に増幅器ＡＭ円の
利得はケーブルの損失に対して過剰利得となるため、多
中継伝送になると、増幅器の熱雑音のみで過負荷するこ
とがある。
）電流ｉが小さい領域（第４Ａ図および第５Ａ図でハッ
チングを施した部分）において、一般に増幅器ＡＭ円の
利得はケーブルの損失に対して過剰利得となるため、多
中継伝送になると、増幅器の熱雑音のみで過負荷するこ
とがある。
この場合、該過負荷は低周波交流電流の１サイクル毎に
生じ、中継器の劣化という事態を招く恐れがある。ｉｉ
）主として、動作抵抗が１〜１００および５００〜水○
（前述の区間■〜■および■〜■）となる領域を使用す
るから、電圧ｖの波形が歪むことはもとより、低周波交
流電流の減衰が著しく遠地点では十分な交流磁界が得ら
れないという欠点がある。
生じ、中継器の劣化という事態を招く恐れがある。ｉｉ
）主として、動作抵抗が１〜１００および５００〜水○
（前述の区間■〜■および■〜■）となる領域を使用す
るから、電圧ｖの波形が歪むことはもとより、低周波交
流電流の減衰が著しく遠地点では十分な交流磁界が得ら
れないという欠点がある。
又、第３図の等価回路からも明らかなように電源回路で
の動作抵抗ｒＲが大になると、ケーブルおよび中継器の
容量による電流減衰が大となり、正方向の電流の減衰は
大、負方向の電流の減衰は小となって、遠地点では電圧
波形のみならず電流波形についても歪みを生ずるという
欠点がある。一方、第５Ｂ図の波形についてみると、前
述したハッチングの部分が除去され、過負荷による発振
現象はなくなり増幅器の劣化という事態は生じさせない
。
の動作抵抗ｒＲが大になると、ケーブルおよび中継器の
容量による電流減衰が大となり、正方向の電流の減衰は
大、負方向の電流の減衰は小となって、遠地点では電圧
波形のみならず電流波形についても歪みを生ずるという
欠点がある。一方、第５Ｂ図の波形についてみると、前
述したハッチングの部分が除去され、過負荷による発振
現象はなくなり増幅器の劣化という事態は生じさせない
。
ところが、ｉ）低周波交流電流ｉは動作抵抗１００〜２
００Ｑ（■〜■）の範囲で通電されるから減衰量がかな
り大になる欠点があり、又、いわゆるＰＲのロスも大に
なる欠点がある。ｉｉ） 中継器に流し得る電流の最大
値（ｌｏｃｂ＋ｌｂ）は許容電流によって制限される。
００Ｑ（■〜■）の範囲で通電されるから減衰量がかな
り大になる欠点があり、又、いわゆるＰＲのロスも大に
なる欠点がある。ｉｉ） 中継器に流し得る電流の最大
値（ｌｏｃｂ＋ｌｂ）は許容電流によって制限される。
そうすると、低周波交流電流の最大値ｌｂも自ずと制限
される。この結果、発生されるべき交流磁界の大きさが
制限されてしまうという欠点を伴う。‘４ー 発明の目
的本発明は上記従来の諸欠点に鑑み、過負荷発振、電流
の減衰、波形歪み等を排除可能なケーブルの布設位置探
索方法を提案することである。
される。この結果、発生されるべき交流磁界の大きさが
制限されてしまうという欠点を伴う。‘４ー 発明の目
的本発明は上記従来の諸欠点に鑑み、過負荷発振、電流
の減衰、波形歪み等を排除可能なケーブルの布設位置探
索方法を提案することである。
‘５ー 発明の構成そしてこの目的は、直流電流を通常
の給電電流とは逆方向に通電しその直流電流に低周波交
流電流を重畳することによって前述のッェナーダィオー
ドを常に導適状態にすることにより達成される。
の給電電流とは逆方向に通電しその直流電流に低周波交
流電流を重畳することによって前述のッェナーダィオー
ドを常に導適状態にすることにより達成される。
‘６）発明の実施例
以下本発明を説明する。
第６図は本発明に基づく方法を説明するための図である
。
。
本図において、既に説明した構成要素は同一の参照記号
で示している。なお、本図は第１図と第２図を図解的に
合成したものに相当し、特に中継器Ｒ２について（他の
中継器も同様）詳細に示す。本図で特に注目すべきとこ
ろは、矢印Ｙで示された直流電流の流れ方向である。す
なわち、第２図における電流１に対し本発明の当該電流
１′はマイナス電流、すなわち、その流れ方向が逆転し
ている。つまりツェナーダィオードＺＤに対しダイオー
ド特性上導通方向に通電することとなる。第７図は第６
図の低周波交流電流源〇が発生すべき電流ｉ′の波形を
示す図である。
で示している。なお、本図は第１図と第２図を図解的に
合成したものに相当し、特に中継器Ｒ２について（他の
中継器も同様）詳細に示す。本図で特に注目すべきとこ
ろは、矢印Ｙで示された直流電流の流れ方向である。す
なわち、第２図における電流１に対し本発明の当該電流
１′はマイナス電流、すなわち、その流れ方向が逆転し
ている。つまりツェナーダィオードＺＤに対しダイオー
ド特性上導通方向に通電することとなる。第７図は第６
図の低周波交流電流源〇が発生すべき電流ｉ′の波形を
示す図である。
第４Ａ図ならびに第４Ｂ図とは全く逆に負の直流電流（
−ｒ。ｃ）に対し、振幅１′の低周波交流電流が重畳し
、ここにｌｒｌはｌｒｏｃｌより小とする。かくして得
られる電流の式は、ｉ′（ｔ）ｉ−ｒ。
−ｒ。ｃ）に対し、振幅１′の低周波交流電流が重畳し
、ここにｌｒｌはｌｒｏｃｌより小とする。かくして得
られる電流の式は、ｉ′（ｔ）ｉ−ｒ。
Ｃ＋ｒＳｉｎ２汀ナｔである。
第８図は第７図に示した低周波交流電流を通電すること
により第６図の中継器に生じる電圧の特性を示す波形図
であり、既述の第５Ａ，５Ｂ図に対応する。
により第６図の中継器に生じる電圧の特性を示す波形図
であり、既述の第５Ａ，５Ｂ図に対応する。
この結果、ｉ）本図に示すとおり、低周波交流電流ｉ′
は動作抵抗の極めて４・さし、区間（■〜■）で通電さ
れることになる。つまり１〜１００程度である。従って
、電流の減衰を極めて小さい値に抑えることができる。
ｉｉ）通常とは逆方向給電のため増幅器ＡＭ円‘ま動作
状態とはならず既述の、過負荷のような現象が無くなる
。
は動作抵抗の極めて４・さし、区間（■〜■）で通電さ
れることになる。つまり１〜１００程度である。従って
、電流の減衰を極めて小さい値に抑えることができる。
ｉｉ）通常とは逆方向給電のため増幅器ＡＭ円‘ま動作
状態とはならず既述の、過負荷のような現象が無くなる
。
従って、中継器の劣化原因が排除される。ｉｉｉ）ツェ
ナーダィオー日こ対して導通方向の給電であるから、ッ
ェナーダィオードＺＤの動作抵抗は小さい。
ナーダィオー日こ対して導通方向の給電であるから、ッ
ェナーダィオードＺＤの動作抵抗は小さい。
従って、通電される低周波交流電流の殆んど全てが、ツ
ェナーダィオードＺＤを流れることになる。このため、
ッェナーダィオードＺＤに許される最大の通電電流まで
電流ｉ′を引き上げることができ、従来よりも強力な交
流磁界Ｌを遠地点まで形成可能となる。【７｝ 発明の
効果 以上説明したように本発明によれば、低周波交流電流の
振幅を従来よりも大にすることができる上に、伝送路上
での損失も小さくでき、且つ中継器の劣化を招くおそれ
もない、という従来にない利点が生まれる。
ェナーダィオードＺＤを流れることになる。このため、
ッェナーダィオードＺＤに許される最大の通電電流まで
電流ｉ′を引き上げることができ、従来よりも強力な交
流磁界Ｌを遠地点まで形成可能となる。【７｝ 発明の
効果 以上説明したように本発明によれば、低周波交流電流の
振幅を従来よりも大にすることができる上に、伝送路上
での損失も小さくでき、且つ中継器の劣化を招くおそれ
もない、という従来にない利点が生まれる。
しかもそのために大幅な設計変・更あるいはハードウェ
ア増を要するということもない。
ア増を要するということもない。
第１図は一般的な海底中継伝送路の構成を示す回路図、
第２図は第１図における中継器Ｒ，，Ｒ２・・・・・…
・・・−の１つの一般的な構成を示す回路図、第３図は
第１図および第２図によって示した一般的な海底中継伝
送路の低周波交流電流に対する等価回路図、第４Ａ図は
低周波交流電流の第１のタイプを示す波形図「第４８図
は低周波交流電流の第２のタイプを示す波形図、第５Ａ
図は第４Ａ図に示した低周波交流電流を通電することに
より第２図の中継器に生じる電圧の特性を示す波形図、
第５Ｂ図は第４Ｂ図に示した低周波交流電流を通電する
ことにより第２図の中継器に生じる電圧の特性を示す波
形図、第６図は本発明に基づく方法を説明するための図
、第７図は第６図の低周波交流電流源Ｇ′が発生すべき
電流ｉ′の波形を示す図、第８図は第７図に示した低周
波交流電流を通電することにより第２図の増幅器ＡＭ岬
こ印加される電圧の特性を示す波形図である。 Ｃ，，Ｃ２，Ｃｍ Ｃｎ＋，……ケーフル「 Ｒ，，Ｒ
２，Ｒｎ‐，，Ｒｎ・・・・・・中継器「 Ｇ，〇・・
・・・・低周波交流電流源、血・…・・ッェナーダィオ
ード、ｉ，ｉ′・・・…低周波交流電流、Ｌ……交流磁
界、Ｓ・・・・・・磁気検知器。 第１い 第２図 努３図 繁ムＡ図 繁くＢ図 第５Ａ図 鞍５Ｂ図 袋６図 第７図 第８図
第２図は第１図における中継器Ｒ，，Ｒ２・・・・・…
・・・−の１つの一般的な構成を示す回路図、第３図は
第１図および第２図によって示した一般的な海底中継伝
送路の低周波交流電流に対する等価回路図、第４Ａ図は
低周波交流電流の第１のタイプを示す波形図「第４８図
は低周波交流電流の第２のタイプを示す波形図、第５Ａ
図は第４Ａ図に示した低周波交流電流を通電することに
より第２図の中継器に生じる電圧の特性を示す波形図、
第５Ｂ図は第４Ｂ図に示した低周波交流電流を通電する
ことにより第２図の中継器に生じる電圧の特性を示す波
形図、第６図は本発明に基づく方法を説明するための図
、第７図は第６図の低周波交流電流源Ｇ′が発生すべき
電流ｉ′の波形を示す図、第８図は第７図に示した低周
波交流電流を通電することにより第２図の増幅器ＡＭ岬
こ印加される電圧の特性を示す波形図である。 Ｃ，，Ｃ２，Ｃｍ Ｃｎ＋，……ケーフル「 Ｒ，，Ｒ
２，Ｒｎ‐，，Ｒｎ・・・・・・中継器「 Ｇ，〇・・
・・・・低周波交流電流源、血・…・・ッェナーダィオ
ード、ｉ，ｉ′・・・…低周波交流電流、Ｌ……交流磁
界、Ｓ・・・・・・磁気検知器。 第１い 第２図 努３図 繁ムＡ図 繁くＢ図 第５Ａ図 鞍５Ｂ図 袋６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ケーブルと、該ケーブルに対し縦続に所定間隔をお
いて挿入される中継器と、該ケーブルおよび中継器に低
周波交流電流を通電するための低周波交流電流源とを有
し、前記低周波交流電流により前記ケーブルの周囲に発
生せしめられる交流磁界を検知することにより該ケーブ
ルの布設位置を探索するケーブル布設位置探索方法にお
いて、前記中継器内に中継器保護のために設けられたツ
エナーダイオードの導通方向、すなわち通常の給電方向
とは逆方向に直流給電することを特徴とするケーブル布
設位置探索方法。 ２ 前記逆方向の直流電流に前記低周波交流電流を重畳
する特許請求の範囲第１項記載のケーブル布設位置探索
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209803A JPS6010275B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ケ−ブル布設位置探索方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209803A JPS6010275B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ケ−ブル布設位置探索方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113778A JPS58113778A (ja) | 1983-07-06 |
| JPS6010275B2 true JPS6010275B2 (ja) | 1985-03-15 |
Family
ID=16578850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56209803A Expired JPS6010275B2 (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ケ−ブル布設位置探索方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010275B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252869A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | 松下電器産業株式会社 | フイルム状コネクタ及びその製造方法 |
| JPH0253911B2 (ja) * | 1983-12-28 | 1990-11-20 | Nippon Shashin Insatsu Kk | |
| JPH03208273A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Stanley Electric Co Ltd | 精細コネクタ及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6643989B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2020-02-12 | ヒュン チャン リー | 移動式漏電検出装置及び方法 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP56209803A patent/JPS6010275B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253911B2 (ja) * | 1983-12-28 | 1990-11-20 | Nippon Shashin Insatsu Kk | |
| JPS6252869A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | 松下電器産業株式会社 | フイルム状コネクタ及びその製造方法 |
| JPH03208273A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Stanley Electric Co Ltd | 精細コネクタ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58113778A (ja) | 1983-07-06 |
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