JPS60100809A - Voltage/current converting circuit - Google Patents

Voltage/current converting circuit

Info

Publication number
JPS60100809A
JPS60100809A JP58208858A JP20885883A JPS60100809A JP S60100809 A JPS60100809 A JP S60100809A JP 58208858 A JP58208858 A JP 58208858A JP 20885883 A JP20885883 A JP 20885883A JP S60100809 A JPS60100809 A JP S60100809A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
collector
voltage
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58208858A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Taneshige
種茂 慎一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP58208858A priority Critical patent/JPS60100809A/en
Publication of JPS60100809A publication Critical patent/JPS60100809A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To ensure the satisfactory voltage/current conversion over a wide current range by combining two PNP and NPN transistors (TR) and supplying the same current to both TRs from a current mirror circuit. CONSTITUTION:A resistance R is connected between the common-connected base and collector of a PNP TRQ1 and an earth, and the emitter of the TRQ1 is connected to the emitter of an NPN TRQ2. The base of the TRQ2 is connected to the base and the collector of an NPN TRQ3. The emitter of the TRQ3 is connected to the emitter of a PNP TRQ4. Then a current mirror circuit is connected to the collector of the TRQ2 as well as to the common-connected base and the collector of the TRQ3. The voltage V is impressed between the base and the collector of the TRQ4. Thus the output current has no change due to temperatures. In this way, the satisfactory voltage-current conversion over a wide current range is ensured.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電圧入力を電流出力に変換する電圧−電流変
換回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a voltage-to-current conversion circuit that converts a voltage input into a current output.

背景技術とその問題点 電圧−電流変換回路の簡単かつ基本的なものとしては、
第1図に示すようなものが考えられる。
Background technology and its problems A simple and basic voltage-current conversion circuit is as follows.
Something like the one shown in FIG. 1 can be considered.

これは、NPN型トランジスタX/のエミッタが抵抗R
を介して接地され、トランジスタX/のコレクタにPN
P型トランジスタX、2の共通接続されたベース及びコ
レクタが接続され、トランジスタX、2のベース及びコ
レクタにそれぞれトランジスタX2と共にカレントミラ
ー回路を構成するPNP型トランジスタX 3+ X 
qのベースが接続され、トランジスタX/のベースに電
圧■が与えられるもので、トランジスタXlのベース・
エミッタ間順方向電圧をvBB/とすると、トランジス
タX/のエミッタ電圧はV−■BB/となり、この電圧
V−VBB/が抵抗Rによって電流に変換されて、トラ
ンジスタX/のνレクタには V−VBI ■−・・・・曲・・・・・・四囲・叩・(1)D電流が
流れ、トランジスタXj+X4’のコレクタて同じ電流
が得られる。
This means that the emitter of the NPN transistor
PN to the collector of transistor X/
The commonly connected bases and collectors of the P-type transistors X and 2 are connected, and the PNP-type transistors X 3+
The base of transistor q is connected to the base of transistor
If the forward voltage between emitters is vBB/, the emitter voltage of transistor -VBI ■-...Song...Square/Tap (1) D current flows, and the same current is obtained from the collector of transistors Xj+X4'.

しかしながら、トランジスタのベース・エミッタ間順方
向電圧は温度によって変化するので、この第1図の回路
の場合、出力電流■が温度にょって変化する不都合があ
る。
However, since the forward voltage between the base and emitter of the transistor changes depending on the temperature, the circuit shown in FIG. 1 has the disadvantage that the output current 2 changes depending on the temperature.

そこで、温度補償された電圧−電流変換回路として、第
2図に示すようなものが考えられる。これは、第1図の
回路のNPNPNPトランジスタのベースがPNPNP
Nトランジスタのエミッタに接続され、トランジスタX
tのエミッタに抵抗R/が接続され、コレクタが接地さ
れ、ベース・コレクタ間に電圧■が与えられるもので、
トランジスタX、、X、のベース・エミッタ間順方向電
圧をそれぞれVI3Lt + VBB/とすると、トラ
ンジスタXr、X/のエミッタ電圧はそれぞれV+VB
gt 、 V−1−VB肘−VBE/に々るので、出力
電流工はV+VBg、t−VBg/ I−□ ・・・曲・・・曲・・・・・・・(2)となっ
て、はぼV/Rに等しくなる。
Therefore, a temperature-compensated voltage-current conversion circuit as shown in FIG. 2 can be considered. This means that the base of the NPNPNP transistor in the circuit of Figure 1 is PNPNP.
connected to the emitter of transistor N, and connected to the emitter of transistor
A resistor R/ is connected to the emitter of t, the collector is grounded, and a voltage ■ is applied between the base and collector.
If the base-emitter forward voltage of transistors X, X, is VI3Lt + VBB/, then the emitter voltage of transistors Xr, X/ is V+VB
gt, V-1-VBelbow-VBE/Nitoru, so the output current is V+VBg, t-VBg/I-□...Song...Song...(2) , is approximately equal to V/R.

しかし、この第2図の回路の場合でも、電圧■を変えた
ときのトランジスタXj+X/の電流密度の差や、それ
ぞれのベース・エミッタ間順方向電圧’VBBt l 
VBB/の絶対値の差、温度特性の差によって、出力電
流■の絶対値にばらつきを生じたり、出力電流■が温度
によって変化してしまう。
However, even in the case of the circuit shown in Fig. 2, the difference in current density of the transistor Xj +
Due to the difference in the absolute value of VBB/ and the difference in temperature characteristics, the absolute value of the output current (2) varies, and the output current (2) changes depending on the temperature.

さらに改良された電圧−電流変換回路として、第3図に
示すように負帰還増幅器を用いたものが考えられる。即
ち、これは、第1図の回路に対して、差動接続されたト
ランジスタX t + X 7や、カレントミラー回路
を構成するトランジスタXg+x9などが付加されたも
ので、これによると、トランジスタX/のエミッタ電圧
はトランジスタxgのベースに与えられる電圧Vと等し
くなり、出力電流lはほとんどV/Rに等しくなって、
トランジスタのベース・エミッタ間順方向電圧などの影
響を受けなくなる。
As a further improved voltage-current conversion circuit, one using a negative feedback amplifier as shown in FIG. 3 can be considered. That is, this is a circuit in which differentially connected transistors X t + The emitter voltage of becomes equal to the voltage V applied to the base of transistor xg, and the output current l becomes almost equal to V/R,
It is no longer affected by the forward voltage between the base and emitter of the transistor.

しかしながら、この第3図の回路の場合、回路がかなυ
複雑になるばかシか、ピーキングや発振などを起こす恐
れがある。
However, in the case of the circuit shown in Figure 3, the circuit is
There is a risk that it will become complicated or cause peaking or oscillation.

発明の目的 本発明は、以上の点に鑑み、簡単な構成によって、出力
電流の絶対値にばらつきを生じたり、出力電流が温度に
よって変化することのない、新規な電圧−電流変換回路
を提案するものである。
Purpose of the Invention In view of the above points, the present invention proposes a novel voltage-current conversion circuit that has a simple configuration and does not cause variations in the absolute value of the output current and does not change the output current due to temperature. It is something.

発明の概要 本発明では、2個のPNP型トランジスタと2個のNP
N型トランジスタを組合わせ、それぞれのトランジスタ
にカレントミラー回路によって同一 −の電流を供給し
て、トランジスタのベース・エミッタ間順方向電圧の絶
対値及び温度特性を吸収する。
Summary of the Invention In the present invention, two PNP type transistors and two NP type transistors are used.
N-type transistors are combined and the same current is supplied to each transistor by a current mirror circuit to absorb the absolute value and temperature characteristics of the forward voltage between the base and emitter of the transistors.

実施例 第≠図は本発明の電圧−電流変換回路の一例で、集積回
路/内において、PNP型の第1のトランジスタQ/、
NPN型の第2のトランジスタQJINPN型の第3の
トランジスタQ3及びPNP型の第≠のトランジスタQ
<=と、それぞれPNP型の第夕、第乙のトランジスタ
Q j+ Q gと、それぞれPNP型のトランジスタ
Q、7+ Q gが形成される。
Embodiment FIG.
NPN-type second transistor QJINPN-type third transistor Q3 and PNP-type second transistor Q
<=, PNP-type transistors Qj+Qg, and PNP-type transistors Q and 7+Qg, respectively, are formed.

第1.第3のトランジスタQ/、QJ(7)ベース及ヒ
コレクタがそれぞれ共通接続されて第1.第3のトラン
ジスタQ/、QJはそれぞれダイオード構成にされ、第
1のトランジスタQ/のベース及ヒコレクタと集積回路
/の接地端子−との間に抵抗Rが接続され、第1のトラ
ンジスタQ/のエミッタが第2のトランジスタQ、2の
エミッタに接続され、第2のトランジスタQxのベース
が第3のトランジスタQ3のベース及びコレクタに接続
され、第3のトランジスタQ3のエミッタが第≠のトラ
ンジスタQ4=のエミッタに接続され、第≠のトランジ
スタQIIのコレクタが接地端子lに接続される。
1st. The bases and collectors of the third transistors Q/, QJ (7) are commonly connected, respectively, and the first... The third transistors Q/ and QJ each have a diode configuration, and a resistor R is connected between the base and collector of the first transistor Q/ and the ground terminal of the integrated circuit/. The emitter is connected to the emitter of the second transistor Q,2, the base of the second transistor Qx is connected to the base and collector of the third transistor Q3, and the emitter of the third transistor Q3 is connected to the emitter of the second transistor Q4= The collector of the ≠-th transistor QII is connected to the ground terminal l.

第夕のトランジスタQsのベース及びコレクタが共通接
続されて第5のトランジスタQrはダイオード構成にさ
れ、第2のトランジスタQ、2のコレクタと第6のトラ
ンジスタQgのベースが第夕のトランジスタQsのベー
ス及びコレクタに接続され、第6のトランジスタQgの
コレクタが第3のトランジスタQ3のベース及びコレク
タに接続され、第夕、第乙のトランジスタQj、Qaの
エミッタがそれぞれ集積回路/の電源電圧供給端子3に
接続されて、第夕、第乙のトランジスタQ 、t+ Q
 6がカレントミラー回路を構成する。トランジスタQ
 71 Q gのベースがそれぞれ第jのトランジスタ
Q3のベース及びコレクタに接続され、エミッタがそれ
ぞれ電源電圧供給端子3に接続されて、トランジスタQ
7 、 Q、rがそれぞれ第jのトランジスタQsと共
にカレントミラー回路を構成する。そして、第≠のトラ
ンジスタQ<=のベースより入力電圧供給端子tが導出
されて、集積回路/の外部において入力電圧供給端子≠
と接地端子ノとの間に、即ち集積回路/の外部より第t
のトランジスタQ<=のベース・コレクタ間に電圧■が
与えられる。
The bases and collectors of the second transistor Qs are commonly connected, and the fifth transistor Qr has a diode configuration, and the collectors of the second transistors Q and 2 and the base of the sixth transistor Qg are connected to the base of the second transistor Qs. The collector of the sixth transistor Qg is connected to the base and collector of the third transistor Q3, and the emitters of the transistors Qj and Qa are respectively connected to the power supply voltage supply terminal 3 of the integrated circuit. are connected to the second and second transistors Q, t+Q
6 constitutes a current mirror circuit. transistor Q
The bases of 71 Q g are respectively connected to the base and collector of the j-th transistor Q3, and the emitters are respectively connected to the power supply voltage supply terminal 3, so that the transistor Q
7, Q, and r each form a current mirror circuit together with the j-th transistor Qs. Then, the input voltage supply terminal t is derived from the base of the ≠-th transistor Q<=, and the input voltage supply terminal ≠
and the ground terminal, that is, from the outside of the integrated circuit/
A voltage ■ is applied between the base and collector of the transistor Q<=.

この回路で、トランジスタQ<=、Q3.Qx、Qlの
ベース・エミッタ間順方向電圧をそれぞれvnB’t 
+VnEJ r VBg、2 + VBE/とすると、
トランジスタQl/、のエミッタにはV + vBEl
’の電圧が、トランジスタQ3のベース及びコレクタ、
従ってトランジスタQ2のベースにはV+VBB<z 
+VREJ ノミ圧力、t−ランジス、りQ、2のエミ
ッタにはV+Vng+ +VB+q3−VBE、2の電
圧が、トランジスタQlのベース及びコレクタにはV+
VBgg +Vag3−VBE、2−VBn/(7)電
圧力、それぞれ得られ、トランジスタQ/のベース及ヒ
コレクタの電圧が抵抗Rによって電流に変換されて、ト
ランジスタQ/、Q、2のコレクタにはの電流が流れ、
トランジスタQ 71 Q iのコレクタに同じ電流が
得られる。
In this circuit, transistors Q<=, Q3. The base-emitter forward voltage of Qx and Ql is vnB't, respectively.
+VnEJ r VBg, 2 + VBE/, then
At the emitter of the transistor Ql/, V + vBEl
'The voltage at the base and collector of transistor Q3,
Therefore, the base of transistor Q2 has V+VBB<z
+VREJ chisel pressure, t-runges, V+Vng+ on the emitter of Q, 2, voltage on +VB+q3-VBE, 2, V+ on the base and collector of transistor Ql
VBgg +Vag3-VBE, 2-VBn/(7) voltage forces are obtained, respectively, and the voltage at the base and collector of transistor Q/ is converted into a current by resistor R, and the collectors of transistors Q/, Q, and 2 have no current. current flows,
The same current is obtained in the collector of transistor Q 71 Q i.

ここで、トランジスタQ r + Q gによるカレン
ト、ミラー回路によってトランジスタQ3.Qgのコレ
クタにも同じIの電流が流れるので、 VHB/−VB
g<z+VBBj−VBEJとなって、トランジスタの
ベース・エミッタ間順方向電圧の絶対値及び温度特性が
共にキャンセルされ、 ■ ■=百 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ ・・(4)となって、出力電流Iの絶対値
のばらつき及び温度による変化を生じることがない。集
積回路/の外部より与えられる電圧Vが変化しても、ト
ランジスタQ/、Q、2に流れる電流とトランジスタQ
 J IQ<=に流れる電流が等しく変化し、VBg/
二■BBψ。
Here, transistors Q3 . The same current I flows through the collector of Qg, so VHB/-VB
g<z+VBBj−VBEJ, and the absolute value of the forward voltage between the base and emitter of the transistor and the temperature characteristics are both canceled, and ■■=100 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
. . . (4) Therefore, variations in the absolute value of the output current I and changes due to temperature do not occur. Even if the voltage V applied from the outside of the integrated circuit/ changes, the current flowing through transistors Q/, Q, 2 and transistor Q
The current flowing through J IQ<= changes equally, and VBg/
2■BBψ.

VBI!2=VBE、?の関係が保たれる。VBI! 2=VBE,? relationship is maintained.

ところで、第≠図の例の場合、電圧Vが零のときは、電
流■が流れず、トランジスタQ2のベースに電圧が加わ
らないので、その後、電圧■が大きくなっても、電流I
が流れず、回路が起動しないことがある。
By the way, in the case of the example shown in Figure ≠, when the voltage V is zero, the current ■ does not flow and no voltage is applied to the base of the transistor Q2, so even if the voltage ■ increases thereafter, the current I
may not flow and the circuit may not start.

第5図の例は、この点に鑑み、第≠図の例の回路に起動
回路を付加した場合で、集積回路/内において、更にそ
れぞれNPN型の2個のトランジスタQ q + Qt
oが形成され、トランジスタQ10のベース及びコレク
タが共通接続されてトランジスタQ10はダイオード構
成にされ、トランジスタQ9のエミッタが第1のトラン
ジスタQ/のベース及びコレクタに接続され、コレクタ
が第λのトランジスタQλのコレクタに接続され、ベー
スがトランジスタQ10のベース及びコレクタに接続す
れるとともに抵抗R3を介して電源電圧供給端子3に接
続され、トランジスタQ10のエミッタが抵抗R4=を
介して接地端子!に接続される。
In view of this point, the example in Fig. 5 is a case where a startup circuit is added to the circuit in the example in Fig.
o is formed, the base and collector of the transistor Q10 are commonly connected so that the transistor Q10 has a diode configuration, the emitter of the transistor Q9 is connected to the base and collector of the first transistor Q/, and the collector is connected to the λ-th transistor Qλ. The base of the transistor Q10 is connected to the base and collector of the transistor Q10, and is also connected to the power supply voltage supply terminal 3 via the resistor R3, and the emitter of the transistor Q10 is connected to the ground terminal ! via the resistor R4=. connected to.

この回路で、トランジスタQ/、Qyに電流が流れない
ときは、トランジスタQ10によってl・ランジスタQ
りに電流が流れる。このトランジスタQpに流れる電流
がごく僅かであっても、トランジスタQ3.QI1.に
電流が流れるので、電圧■が零から大きくなるときでも
、トランジスタQ、2のベースには必ず電圧が加わシ、
回路は起動する。トランジスタQりのベース電圧を必要
な範囲で低くしておくことにより、起動後はトランジス
タQ9がカットオフとなり、第弘図の例の回路と同じ動
作をする。
In this circuit, when no current flows through transistors Q/, Qy, transistor Q10
Current flows. Even if the current flowing through transistor Qp is very small, transistor Q3. QI1. Since current flows through the transistors Q and 2, even when the voltage increases from zero, voltage is always applied to the bases of transistors Q and 2.
The circuit starts up. By keeping the base voltage of the transistor Q9 low within the necessary range, the transistor Q9 is cut off after startup, and the circuit operates in the same way as the example circuit shown in Figure 1.

第4図は本発明の電圧−電流変換回路の更に別の例で、
トランジスタQ/〜Q、l−がすべて第≠図の例と逆の
導電型にされ、従って、トランジスタQ1.tのコレク
タが電源電圧供給端子3に接続され、トランジスタQr
−Qtrのエミッタがそれぞれ接地端子λに接続される
とともに、集積回路/内において電源電圧供給端子3と
接地端子lとの間に抵抗R5及びR乙が接続され、トラ
ンジスタQ<=のベースが抵抗Rj及びR6の接続点に
接続されて、集積回路/の内部でトランジスタQIIの
コレクタ・ベース間に電圧Vが与えられ、またトランジ
スタQ/のベース及びコレクタより端子夕が導出されて
、集積回路/の外部において端子夕と電源電圧供給端子
3との間に抵抗Rが接続される。
FIG. 4 shows yet another example of the voltage-current conversion circuit of the present invention.
Transistors Q/~Q, l- are all made of the opposite conductivity type as in the example of Figure ≠, so that transistors Q1 . The collector of t is connected to the power supply voltage supply terminal 3, and the transistor Qr
The emitters of -Qtr are connected to the ground terminal λ, and resistors R5 and R are connected between the power supply voltage supply terminal 3 and the ground terminal l within the integrated circuit, and the base of the transistor Q<= is connected to the resistor. It is connected to the connection point of Rj and R6, and a voltage V is applied between the collector and base of the transistor QII inside the integrated circuit/, and a terminal is led out from the base and collector of the transistor Q/, so that the integrated circuit/ A resistor R is connected between the terminal 3 and the power supply voltage supply terminal 3 externally.

この例においても、第≠図の例と同様の動作により、ト
ランジスタQ/、QxとトランジスタQ J IQ4t
に■=百の電流が流れ、トランジスタQ 71Q、!−
に同じ電流が得られる。この例では、電圧Vが集積回路
/の内部で初めから与えられるので、起動回路は必要な
い。
In this example as well, transistors Q/, Qx and transistor Q J IQ4t
A current of ■=100 flows through the transistor Q 71Q,! −
The same current can be obtained. In this example, no start-up circuit is required since the voltage V is initially provided within the integrated circuit.

発明の効果 本発明によれば、第1のトランジスタQ/の共通接続し
たベース及びコレクタと電源の一端に接続されるべき端
子との間に抵抗Rを接続し、第1のトランジスタQ/の
エミッタを第1のトランジスタQ/と異なる導電型の第
2のトランジスタQ、2のエミッタに接続し、第2のト
ランジスタQ、2のベースヲ第2のトランジスタQ、2
と同じ導電型の第3のトランジスタQ3の共通接続した
ベース及ヒコレクタに接続し、第3のトランジスタQ3
のエミッタを第1のトランジスタQ/と同じ導電型の第
グのトランジスタのエミッタに接続し、第2のトランジ
スタQ、2のコレクタと第3のトランジスタQ3の共通
接続したベース及びコレクタにトランジスタQ s 、
Q 6からなるカレントミラー回路を接iし、第≠のト
ランジスタQ<zのベース・コレクタ間に電圧を与える
ようにしたので、トランジスタのベース・エミッタ間順
方向電圧などの影響によって出力電流の絶対値にばらつ
きを生じたり、出力電流が温度によって変化することが
なく、広い電流範囲にわたって良好な電圧−電流変換が
なされる。
Effects of the Invention According to the present invention, a resistor R is connected between the commonly connected base and collector of the first transistor Q/ and a terminal to be connected to one end of the power supply, and the emitter of the first transistor Q/ is connected to the emitter of a second transistor Q,2 of a conductivity type different from that of the first transistor Q, and the base of the second transistor Q,2 is connected to the second transistor Q,2.
is connected to the commonly connected base and collector of the third transistor Q3 of the same conductivity type as the third transistor Q3.
The emitter of the transistor Q is connected to the emitter of the second transistor of the same conductivity type as the first transistor Q, and the base and collector of the second transistor Q, which are commonly connected to the collector of the second transistor Q, and the third transistor Q3 are connected to the transistor Qs. ,
Since a current mirror circuit consisting of Q6 is connected and a voltage is applied between the base and collector of the ≠th transistor Q<z, the absolute output current is Good voltage-to-current conversion is achieved over a wide current range without causing variations in value or changing the output current due to temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第7図〜第3図はそれぞれ考えられる電圧−電流変換回
路の一例の接続図ソ第を図〜第6図はそれぞれ本発明の
電圧−電流変換回路の一例の接続図である。 図中、Q/、Q、、!、Q3.Qグは第1.第2.第3
゜第7のトランジスタ、Qr、Qgはカレントミラー回
路を構成するトランジスタである。 第1図 第2図 第3図 第4図
7 to 3 are connection diagrams of an example of a possible voltage-current conversion circuit, respectively. FIGS. 7 to 6 are connection diagrams of an example of a voltage-current conversion circuit of the present invention, respectively. In the figure, Q/, Q,,! , Q3. Q is the first. Second. Third
The seventh transistors Qr and Qg are transistors forming a current mirror circuit. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1のトランジスタの共通接続されたベース及びコレク
タと電源の一端に接続されるべき端子との間に抵抗が接
続され、上記第1のトランジスタのエミッタが上記第1
のトランジスタと異なる導電型の第!のトランジスタの
エミッタに接続され、上記第2のトランジスタのベース
が上記第!のトランジスタと同じ導電型の第3のトラン
ジスタの共通接続されたベース及びコレクタに接続され
、上記第3のl・ランジスタのエミッタが上記第1のト
ランジスタと同じ導電型の第≠のトランジスタのエミッ
タに接続され、上記第2のトランジスタのコレクタと上
記第3のトランジスタの共通接続されたベース及びコレ
クタにカレントミラー回路が接続され、上記第≠のトラ
ンジスタのベース・コレクタ間に電圧が与えられる電圧
−電流変換回路。
A resistor is connected between the commonly connected base and collector of the first transistor and a terminal to be connected to one end of the power supply, and the emitter of the first transistor is connected to the first transistor.
Transistors and different conductivity types! is connected to the emitter of the second transistor, and the base of the second transistor is connected to the emitter of the second transistor! The emitter of the third transistor is connected to the commonly connected base and collector of a third transistor of the same conductivity type as the first transistor, and the emitter of the third transistor is connected to the emitter of a third transistor of the same conductivity type as the first transistor. A current mirror circuit is connected to the commonly connected bases and collectors of the collector of the second transistor and the third transistor, and a voltage is applied between the base and collector of the ≠ third transistor. conversion circuit.
JP58208858A 1983-11-07 1983-11-07 Voltage/current converting circuit Pending JPS60100809A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58208858A JPS60100809A (en) 1983-11-07 1983-11-07 Voltage/current converting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58208858A JPS60100809A (en) 1983-11-07 1983-11-07 Voltage/current converting circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60100809A true JPS60100809A (en) 1985-06-04

Family

ID=16563277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58208858A Pending JPS60100809A (en) 1983-11-07 1983-11-07 Voltage/current converting circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60100809A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08178235A (en) * 1994-12-28 1996-07-12 Mie Horo Kk Refuse incinerator
JP2003038695A (en) * 2001-07-31 2003-02-12 Sanyo Electric Co Ltd Motor-driven vehicle

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08178235A (en) * 1994-12-28 1996-07-12 Mie Horo Kk Refuse incinerator
JP2003038695A (en) * 2001-07-31 2003-02-12 Sanyo Electric Co Ltd Motor-driven vehicle

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4350904A (en) Current source with modified temperature coefficient
US4085359A (en) Self-starting amplifier circuit
GB2199677A (en) Bandgap voltage reference circuit
US4313082A (en) Positive temperature coefficient current source and applications
JPS6148168B2 (en)
US4491780A (en) Temperature compensated voltage reference circuit
US4292583A (en) Voltage and temperature stabilized constant current source circuit
US4785231A (en) Reference current source
JPS60100809A (en) Voltage/current converting circuit
EP1242853B1 (en) Electronic circuit
US4433283A (en) Band gap regulator circuit
US4560919A (en) Constant-voltage circuit insensitive to source change
JPS6357808B2 (en)
TW202105113A (en) Reference voltage generation circuit
JP2897515B2 (en) Voltage-current converter
KR20020049761A (en) A CMOS bandgap reference voltage generator
KR0164528B1 (en) Power supply independent type constant current source circuit
JPH07112135B2 (en) Current amplifier circuit
JP2908149B2 (en) Operational amplifier
JPH036020Y2 (en)
JPH0546096Y2 (en)
JPS62248017A (en) Current absolute value circuit
JPH0828627B2 (en) Amplifier circuit
JPS63182723A (en) Reference voltage generating circuit
JPH0435775Y2 (en)