JPS5999406A - 焦点検知装置 - Google Patents
焦点検知装置Info
- Publication number
- JPS5999406A JPS5999406A JP20850682A JP20850682A JPS5999406A JP S5999406 A JPS5999406 A JP S5999406A JP 20850682 A JP20850682 A JP 20850682A JP 20850682 A JP20850682 A JP 20850682A JP S5999406 A JPS5999406 A JP S5999406A
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- Japan
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- embedded
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Focusing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カメラ等の光学装置に適用される好適な焦点
検知装置に関する。
検知装置に関する。
従来、カメラにおいては第１図に示されるような焦点検
知装置が適用されていた。撮影レンズ２の状態により被
写体１は予定焦点面３上に像４としであるいは予定焦点
面３の奥行きにおいて像５とり、て結像される。像５が
結像する場合には、予定焦点面３上においては焦点ぼけ
した像となる。
知装置が適用されていた。撮影レンズ２の状態により被
写体１は予定焦点面３上に像４としであるいは予定焦点
面３の奥行きにおいて像５とり、て結像される。像５が
結像する場合には、予定焦点面３上においては焦点ぼけ
した像となる。
予定焦点面３上しこ像４が結像する場合と、予定焦点面
３の奥行きに像５が結像する場合の２つの場合について
、予定焦点面３上の光量゛分布は、第２図で示される。
３の奥行きに像５が結像する場合の２つの場合について
、予定焦点面３上の光量゛分布は、第２図で示される。
曲線７は、像４の予定焦点面３上の光量分布、曲線８は
物体ｌが予定焦点面３の奥行きで像５として結像した場
合の予定焦点面３上での光量分布を示す。これから明ら
かなように被写体ｌが予定焦点面３上に像４として結像
している場合には山型の鋭いピークを有する曲線７とな
り、予定焦点面３の奥行きに像５として結像するときは
なだらかなピークの曲線８となる。この光量分布は、予
定焦点面３上に直線状に配設された検知素子（例えばＣ
ＣＤを用いる。）により電気信号に変換される。さらに
微分処理を行なって曲線７のような鋭いピークを有する
か否かを演算し、予定焦点面３上に被写体像が結像され
ているか否かを°判定した信号を出力し、撮影者に知ら
せる。
物体ｌが予定焦点面３の奥行きで像５として結像した場
合の予定焦点面３上での光量分布を示す。これから明ら
かなように被写体ｌが予定焦点面３上に像４として結像
している場合には山型の鋭いピークを有する曲線７とな
り、予定焦点面３の奥行きに像５として結像するときは
なだらかなピークの曲線８となる。この光量分布は、予
定焦点面３上に直線状に配設された検知素子（例えばＣ
ＣＤを用いる。）により電気信号に変換される。さらに
微分処理を行なって曲線７のような鋭いピークを有する
か否かを演算し、予定焦点面３上に被写体像が結像され
ているか否かを°判定した信号を出力し、撮影者に知ら
せる。
さらに予定焦点面３の前後に、直線状に検知素子を配設
するとどの検知素子からの出力信号が最も鋭いピークを
有するか否かを検知することができ、撮影レンズの移動
方晶の検知も行なうことができる。ところがこの様な、
従来の検知装置ではＣＣＤなどの検知素子や複雑な構成
の処理回路が必要であるという欠点が有った。
するとどの検知素子からの出力信号が最も鋭いピークを
有するか否かを検知することができ、撮影レンズの移動
方晶の検知も行なうことができる。ところがこの様な、
従来の検知装置ではＣＣＤなどの検知素子や複雑な構成
の処理回路が必要であるという欠点が有った。
本発明は、上述の欠点を解消するために提案されたもの
で、簡単な構成の検知素子と処理回路とからなる焦点検
知装置を提供することを目的とする。
で、簡単な構成の検知素子と処理回路とからなる焦点検
知装置を提供することを目的とする。
以下、本発明を図面を参照してその実施例に基づいて説
明する。
明する。
第３図は、本発明の一実施例を構成する受光部の平面図
、第４図は第３図の受光部の断面図である。Ｎ″層１７
上にＸ層１８が積層される。リフレッシュパルス発生器
１９の一端はＮ″層１７に接続され、他端は接地される
。ｆｆ［１８上面部には、円形状に第１のソース層であ
るに層９と、その周囲に同心円の中空円形状に第１のフ
ローティングゲート、５である２層１０が埋設され、前
記Ｋ・層１８、Ｘ層１７によるドレイン層とにより、第
１の蓄積型受光素子２７を構成する。さらに２層１０の
周囲はＷ層１８の間隔部２６が配置される。この間隔部
２６の周囲には、前記第１の受光部と同様にして、同心
円状のに層１１．１層１２が埋設され、第２の蓄積型受
光素子２８を構成する。受光部右部においては長方形状
で２層１６が埋設され、１層１６内にに層１３とＸ層１
４が埋設され、受光部左部においては長方形状で２層２
２が埋設され、２層２２内にはＮ″層２０とに層２１力
く埋設される。これらの表面には酪化膜２３カ≦貼着さ
れる。さらに第５図の回路図をも参照して説明すると、
Ｘ層１３および１４．２層１６、酸化膜２３およびゲー
ト１５とによりＭＯＳ型電界効果トランジスタ２９を構
成する。同様にゲート１５と、？ｆ層２０および２１．
２層２２と酸化膜２３とによりＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタ３０を構成する。図示しない制御回路は、電界効
果トランジスタ２８と３０のゲートに接続される。フレ
ッンユパルス発生器１９の一端は接地され他端は蓄積型
受光素子２７．２８のドレインであるＸ層１７とＸ層１
８に接続される。蓄積型受光素子２７のソースであるＩ
ｆ層８は電界効果トランジスタ２８のソースであるド層
１３に接続される。このドレインであるＮ″層１４はコ
ンパレーク３３の非反転入力端子に接続される一方抵抗
３１を介して接地される。同様に蓄積型受光素子２８の
ソースであるド層１１は電界効果トランジスタ３０のソ
ースであるＮ″層２０に接続される。このドレインであ
るＮ″層２１はコンパレーク３３の反転入力端子に接続
される一方抵抗３１を介して接地される。コンパレータ
３３の出力端子はレベル判定器３４を介して表示器３５
に接続される。
、第４図は第３図の受光部の断面図である。Ｎ″層１７
上にＸ層１８が積層される。リフレッシュパルス発生器
１９の一端はＮ″層１７に接続され、他端は接地される
。ｆｆ［１８上面部には、円形状に第１のソース層であ
るに層９と、その周囲に同心円の中空円形状に第１のフ
ローティングゲート、５である２層１０が埋設され、前
記Ｋ・層１８、Ｘ層１７によるドレイン層とにより、第
１の蓄積型受光素子２７を構成する。さらに２層１０の
周囲はＷ層１８の間隔部２６が配置される。この間隔部
２６の周囲には、前記第１の受光部と同様にして、同心
円状のに層１１．１層１２が埋設され、第２の蓄積型受
光素子２８を構成する。受光部右部においては長方形状
で２層１６が埋設され、１層１６内にに層１３とＸ層１
４が埋設され、受光部左部においては長方形状で２層２
２が埋設され、２層２２内にはＮ″層２０とに層２１力
く埋設される。これらの表面には酪化膜２３カ≦貼着さ
れる。さらに第５図の回路図をも参照して説明すると、
Ｘ層１３および１４．２層１６、酸化膜２３およびゲー
ト１５とによりＭＯＳ型電界効果トランジスタ２９を構
成する。同様にゲート１５と、？ｆ層２０および２１．
２層２２と酸化膜２３とによりＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタ３０を構成する。図示しない制御回路は、電界効
果トランジスタ２８と３０のゲートに接続される。フレ
ッンユパルス発生器１９の一端は接地され他端は蓄積型
受光素子２７．２８のドレインであるＸ層１７とＸ層１
８に接続される。蓄積型受光素子２７のソースであるＩ
ｆ層８は電界効果トランジスタ２８のソースであるド層
１３に接続される。このドレインであるＮ″層１４はコ
ンパレーク３３の非反転入力端子に接続される一方抵抗
３１を介して接地される。同様に蓄積型受光素子２８の
ソースであるド層１１は電界効果トランジスタ３０のソ
ースであるＮ″層２０に接続される。このドレインであ
るＮ″層２１はコンパレーク３３の反転入力端子に接続
される一方抵抗３１を介して接地される。コンパレータ
３３の出力端子はレベル判定器３４を介して表示器３５
に接続される。
次に動作について説明する。
蓄積型受光素子２７のＮ″層９の入射光により電子正孔
対が形成され、このうち正孔はフローディングな状態の
２層１０に蓄積される。同様に蓄積型受光素子２８のＮ
″層１１への入射光により電子正孔対が形成されこのう
ち正孔は１層１２に蓄積される。
対が形成され、このうち正孔はフローディングな状態の
２層１０に蓄積される。同様に蓄積型受光素子２８のＮ
″層１１への入射光により電子正孔対が形成されこのう
ち正孔は１層１２に蓄積される。
Ｎ″層１１において発生した正孔を１層１２に蓄積させ
、ＰｉｌＯには蓄積させにないようにするために層１１
と２層１０との間にはＷ層１８により間隔部２６が構成
される。次に、Ｐ層ｌＯと１２への蓄積はリフレッシュ
パルス発生器１８からの出力信号がローレベルのとき行
なわれ、ハイレベルのときはいつでも読み出し可能であ
る。図示しない制御回路からのパルス信号ガミ界効果型
トランジスタ２８と３０のゲートに入力されることによ
りＮ″層８よび１１、Ｋ層１７、Ｘ層１８を流れる電流
を制御し、ドレインであるＮ″層１４および２１からの
出力信号は抵抗３１および３２により電圧の形で読み出
される。蓄積型受光素子２７と２８からの出力電圧の大
小はＣＯＤなどと比較して数１００ｍＶ〜数Ｖの高いレ
ベルで゛あるから直接判定も可能である。電界効果トラ
ンジスタ２９と３０からの出力信号はコンパレータ３３
により比較され、レベル判定器３４により判定され合焦
あるいは非合焦状態である旨の表示を表示器３５が行う
。
、ＰｉｌＯには蓄積させにないようにするために層１１
と２層１０との間にはＷ層１８により間隔部２６が構成
される。次に、Ｐ層ｌＯと１２への蓄積はリフレッシュ
パルス発生器１８からの出力信号がローレベルのとき行
なわれ、ハイレベルのときはいつでも読み出し可能であ
る。図示しない制御回路からのパルス信号ガミ界効果型
トランジスタ２８と３０のゲートに入力されることによ
りＮ″層８よび１１、Ｋ層１７、Ｘ層１８を流れる電流
を制御し、ドレインであるＮ″層１４および２１からの
出力信号は抵抗３１および３２により電圧の形で読み出
される。蓄積型受光素子２７と２８からの出力電圧の大
小はＣＯＤなどと比較して数１００ｍＶ〜数Ｖの高いレ
ベルで゛あるから直接判定も可能である。電界効果トラ
ンジスタ２９と３０からの出力信号はコンパレータ３３
により比較され、レベル判定器３４により判定され合焦
あるいは非合焦状態である旨の表示を表示器３５が行う
。
つまりＮ”層８への受光量が所定値より大であれば合焦
状態と判定されることとなる。なお、第３図に示される
受光部を予定焦点面３およびその前後に配置することに
より合焦、非合焦状態の判定ばかりでなく撮影レンズの
移動方向をも検知できる。
状態と判定されることとなる。なお、第３図に示される
受光部を予定焦点面３およびその前後に配置することに
より合焦、非合焦状態の判定ばかりでなく撮影レンズの
移動方向をも検知できる。
本発明は、以上のように簡易な構成で合焦あるいは非合
焦状態にあることを判定でき製造コストの低下に資する
という効果を奏する。
焦状態にあることを判定でき製造コストの低下に資する
という効果を奏する。
第１図は、従来の焦点検知装置の概略構成図、第２図は
、予定焦点面上における光量分布状態説明図、第３図は
、本発明の一実施例を構成する受光部の平面図、第４図
は、第３図の受光部の断面図、第５図は、第３図の実施
例を構成する回路図である。 ２７．２８・・・ 蓄積型受光素子、 ２８．３０・・・ 電界効果型トランジスタ、３３・・
・ コンパレータ、 ３４・・・ レヘル判定器、 ３５・・・ 表示器。
、予定焦点面上における光量分布状態説明図、第３図は
、本発明の一実施例を構成する受光部の平面図、第４図
は、第３図の受光部の断面図、第５図は、第３図の実施
例を構成する回路図である。 ２７．２８・・・ 蓄積型受光素子、 ２８．３０・・・ 電界効果型トランジスタ、３３・・
・ コンパレータ、 ３４・・・ レヘル判定器、 ３５・・・ 表示器。
Claims (1)
- 非破壊読み出し可能な蓄積型受光素子を同心円状に複数
個配置し、該複数の受光素子からの出力信号により合焦
判定を行う事を特徴とする焦点検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20850682A JPS5999406A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 焦点検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20850682A JPS5999406A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 焦点検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999406A true JPS5999406A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16557281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20850682A Pending JPS5999406A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 焦点検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999406A (ja) |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP20850682A patent/JPS5999406A/ja active Pending
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