JPS5994882A - 薄膜シリコン太陽電池 - Google Patents
薄膜シリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS5994882A JPS5994882A JP57205649A JP20564982A JPS5994882A JP S5994882 A JPS5994882 A JP S5994882A JP 57205649 A JP57205649 A JP 57205649A JP 20564982 A JP20564982 A JP 20564982A JP S5994882 A JPS5994882 A JP S5994882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- solar cell
- component
- solar battery
- sodium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 12
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- -1 potassium or lithium Chemical compound 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 13
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 150000003475 thallium Chemical class 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス基鈑上に形成した薄膜シリコン太陽電
池に関する。
池に関する。
第１図にそのような薄膜太陽電池の例を示す。
Ｍガラス等の透明絶縁基板１の上に複数の透明電極２が
分離して形成されている。透明電極２は通常ＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）や８ｎ０２ （錫酸化物）から形成
される。透明電極２の上に非晶質シリコン層３が堆積さ
れ、非晶質シリコン層３は透明電極の側からほう素をド
ープしたｐ形弁晶質シリコン層（約１０ＯＡ）、ノンド
ープ非晶質シリコンＭ （０，５μｍ）、りんをドープ
したｎ形弁晶質シリコン層（５００Ａ ）の３Ｎから成
っている。これらは電気伝導形に対応して不純物ガスと
共にシランガスのグロー放電圧よって形成される。各非
晶質シリコン層３の上には金偶電極４が形成され、複数
の太陽電池ユニット１０ができ上がる。各金−属電極４
を隣接ユニット１０の透ＢＡ％極２と電気的に接続し、
ｂ中〒十→透明電極２１を金属電極４と同時に基板１の
上に形成された端部の金員電極５と接続すること罠より
、太陽電池ユニットが直列接続された太陽電池６が形成
される。金属電極５は電流取り出し電極として用いられ
る。この型の太陽電池は透明絶縁基板上に太陽電池ユニ
ットを任意の数だけ直並列に形成することができる。
分離して形成されている。透明電極２は通常ＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）や８ｎ０２ （錫酸化物）から形成
される。透明電極２の上に非晶質シリコン層３が堆積さ
れ、非晶質シリコン層３は透明電極の側からほう素をド
ープしたｐ形弁晶質シリコン層（約１０ＯＡ）、ノンド
ープ非晶質シリコンＭ （０，５μｍ）、りんをドープ
したｎ形弁晶質シリコン層（５００Ａ ）の３Ｎから成
っている。これらは電気伝導形に対応して不純物ガスと
共にシランガスのグロー放電圧よって形成される。各非
晶質シリコン層３の上には金偶電極４が形成され、複数
の太陽電池ユニット１０ができ上がる。各金−属電極４
を隣接ユニット１０の透ＢＡ％極２と電気的に接続し、
ｂ中〒十→透明電極２１を金属電極４と同時に基板１の
上に形成された端部の金員電極５と接続すること罠より
、太陽電池ユニットが直列接続された太陽電池６が形成
される。金属電極５は電流取り出し電極として用いられ
る。この型の太陽電池は透明絶縁基板上に太陽電池ユニ
ットを任意の数だけ直並列に形成することができる。
第２図は第１図のようにして形成した太陽電池６をモジ
ュール化したものである。このモジュールの特徴は、ｔ
つの太陽電池の基板１をモジュールの光入射側の保護材
として用いるものであり、他に特別に光入射側保膜材を
調達する必要がない。
ュール化したものである。このモジュールの特徴は、ｔ
つの太陽電池の基板１をモジュールの光入射側の保護材
として用いるものであり、他に特別に光入射側保膜材を
調達する必要がない。
そのため太陽電池モジュールの低価格化が可能である。
太陽［池ユニットのガラス板との反対（ＩＩ ｉｃ保護
膜７を接着剤又は充填材８を用いて形成する。
膜７を接着剤又は充填材８を用いて形成する。
保護膜７はふっ素樹脂フィルム又はアルミ箔をはさんだ
合成樹脂等から成り、外からの打撃、湿度、傷付けなど
から太陽電池を守るものである。充填材８は、ＰＶＢ（
ポリビニルブチラール）、ＥＶＡ（エチレンビニールア
セテート）、シリコーン等が用いられる。次に取りつけ
用治具９かシリコーン樹脂などの接着剤でガラス板１に
とりつげられ、保護膜７の太陽電池６と反対側に電流取
り出し用端子ボックス１１が設けられる０ この型の太陽電池モジュールの強度は絶縁基板であるガ
ラス板１により達成される。従ってガラス板１は所定の
必要な強度を有している必要がある。例えば、風圧、ひ
ようなどの打撃または石かあたった場合などの打撃に耐
えて、太陽電池を保護すると共に破壊を防ぎ又破壊した
場合もまわりて災害をひきおこすことをなくす対処が必
要とされる。このために風冷強化ガラスを用いることを
検討したが、風冷強化の板ガラスをグロー放電で非晶ｙ
シリコンを成長させる約３００℃の雰囲りにおくと成長
後は生板ガラスの強度に戻ってしまうことが見い出され
た。
合成樹脂等から成り、外からの打撃、湿度、傷付けなど
から太陽電池を守るものである。充填材８は、ＰＶＢ（
ポリビニルブチラール）、ＥＶＡ（エチレンビニールア
セテート）、シリコーン等が用いられる。次に取りつけ
用治具９かシリコーン樹脂などの接着剤でガラス板１に
とりつげられ、保護膜７の太陽電池６と反対側に電流取
り出し用端子ボックス１１が設けられる０ この型の太陽電池モジュールの強度は絶縁基板であるガ
ラス板１により達成される。従ってガラス板１は所定の
必要な強度を有している必要がある。例えば、風圧、ひ
ようなどの打撃または石かあたった場合などの打撃に耐
えて、太陽電池を保護すると共に破壊を防ぎ又破壊した
場合もまわりて災害をひきおこすことをなくす対処が必
要とされる。このために風冷強化ガラスを用いることを
検討したが、風冷強化の板ガラスをグロー放電で非晶ｙ
シリコンを成長させる約３００℃の雰囲りにおくと成長
後は生板ガラスの強度に戻ってしまうことが見い出され
た。
未発明の目的は従って非晶質シリコンの成長温度にさら
されても強度の落ちることのない強化ガラスを用いた太
陽電池を提供することにある。
されても強度の落ちることのない強化ガラスを用いた太
陽電池を提供することにある。
この目的は充電変換活性領域が非晶質シリコンからなる
太陽電池において、透明基板としてガラスの成分の金属
元素の一部を原子半径の大きい元素によって置換した材
料からなる板を用いることによって達成される。
太陽電池において、透明基板としてガラスの成分の金属
元素の一部を原子半径の大きい元素によって置換した材
料からなる板を用いることによって達成される。
９下図を引用して未発明の実施例について説明する。第
３図はそのようなガラスの成分の金属元素の一部を原子
半径の異なる元素によって置換したいわゆる化学強化ガ
ラスの内部応力を他のガラスと比較して示したもので、
曲Ｍ３１は化学強化ガラス、曲線３２は風冷強化ガラス
、曲線おけ生板ガラスを示す。化学強化ガラスはソーダ
ガラスをカリウム又はリチウム等ナトリウムより原子半
径の大きい成分を含む３００〜５０℃の塩浴、例えばＫ
ＮＯａ塩浴中に数時間つけることでナトリウムとカリウ
ム又はリチウム原子が置換したもので、表面層では圧縮
応力、内側では引っ張り応力が形成され強化される。し
かし、この圧縮応力が発生する厚さは化学処理時間によ
って異るがｔヨぼ１５〜３０μｍであり、ガラスの厚み
に比較すると表面のごく一部であると考えてよい。これ
に引ぎかえ風冷強化ガラスの場合、圧縮応力部は５００
〜１０００μ でガラ１ ７′）厚さ′）／６〜／１ｏに相当する。
３図はそのようなガラスの成分の金属元素の一部を原子
半径の異なる元素によって置換したいわゆる化学強化ガ
ラスの内部応力を他のガラスと比較して示したもので、
曲Ｍ３１は化学強化ガラス、曲線３２は風冷強化ガラス
、曲線おけ生板ガラスを示す。化学強化ガラスはソーダ
ガラスをカリウム又はリチウム等ナトリウムより原子半
径の大きい成分を含む３００〜５０℃の塩浴、例えばＫ
ＮＯａ塩浴中に数時間つけることでナトリウムとカリウ
ム又はリチウム原子が置換したもので、表面層では圧縮
応力、内側では引っ張り応力が形成され強化される。し
かし、この圧縮応力が発生する厚さは化学処理時間によ
って異るがｔヨぼ１５〜３０μｍであり、ガラスの厚み
に比較すると表面のごく一部であると考えてよい。これ
に引ぎかえ風冷強化ガラスの場合、圧縮応力部は５００
〜１０００μ でガラ１ ７′）厚さ′）／６〜／１ｏに相当する。
第４図は、化学強化ガラスを図中に記入した各温度で焼
きなましだ実験結果を示す。３００℃の雰囲気では６２
Ｈ放置しても強度は初期の８５俤程度保持し、直線４１
で示した通常の生板ガラスの強度の５倍程度ある。この
ことから非晶質シリコンを形成する３（）０°ＣＩＨ程
度では強度はほとんど劣化しないと考えてよい。
きなましだ実験結果を示す。３００℃の雰囲気では６２
Ｈ放置しても強度は初期の８５俤程度保持し、直線４１
で示した通常の生板ガラスの強度の５倍程度ある。この
ことから非晶質シリコンを形成する３（）０°ＣＩＨ程
度では強度はほとんど劣化しないと考えてよい。
以上の検討から５趨厚と３朋厚の化学強化ガラスを用い
て第１図の太陽電池を形成し、第２図の方法でモジー−
ルを構成した。その結果６０ｒｒｙ の風圧を模擬し
た静圧力下及びくりかえし圧力下及び２２５Ｆの鋼球を
２ｍ上から落下させる試験において両者共合格した。一
方、生板ガラス及び風冷強化ガラスを用いた太陽電池で
同様の試験を行った結果、６０ ”／ 風圧模擬の条
件の試験は合格したが、鋼球の落下については１ｍの落
下試験においても合格しなかった。以上の点から、化学
強化ガラスを用いると 非晶質シリコンを形成した低コ
スト非結質太陽電池モジュールが形成できる。
て第１図の太陽電池を形成し、第２図の方法でモジー−
ルを構成した。その結果６０ｒｒｙ の風圧を模擬し
た静圧力下及びくりかえし圧力下及び２２５Ｆの鋼球を
２ｍ上から落下させる試験において両者共合格した。一
方、生板ガラス及び風冷強化ガラスを用いた太陽電池で
同様の試験を行った結果、６０ ”／ 風圧模擬の条
件の試験は合格したが、鋼球の落下については１ｍの落
下試験においても合格しなかった。以上の点から、化学
強化ガラスを用いると 非晶質シリコンを形成した低コ
スト非結質太陽電池モジュールが形成できる。
また化学強化ガラスの圧縮応力部は、表面から１５〜３
０μｍであるのでカッターで傷をつけることにより生板
ガラスと同様圧切断することが出きた。
０μｍであるのでカッターで傷をつけることにより生板
ガラスと同様圧切断することが出きた。
この場合も切断された箇々のガラス板の強度の劣化はな
か〜た。このことはこの強化ガラスを用いて太陽電池を
作成した後、不要の部分のガラスを切りおとすことがで
きることを示している。
か〜た。このことはこの強化ガラスを用いて太陽電池を
作成した後、不要の部分のガラスを切りおとすことがで
きることを示している。
第５図はその実施例を示し、基板１は化学強化ガラスで
ある。この基板１の上に形成された太陽電池ユニット１
０は互に直並列に接続されている。
ある。この基板１の上に形成された太陽電池ユニット１
０は互に直並列に接続されている。
金４電極形成まではガラス基板１に太ＩＳ電池３ニット
領域外に余裕】２をとって形成すると大λなガラス基板
の場合には取り扱いやすく、治具で支え嘔り る場合にも好都合である。このため製造か搦が向上した
。金Ｒ電極被着等すべての工程終了後必要最小限領域１
３の部分までガラス基板を切断したものである。こうし
てモジー−ルの面か効率を向上させることができ、モジ
ュール面積当りの発箪、能力が向上した。このことはま
た太陽宵、池モジュールの低価格化につながる１、 化学強化ガラスは第６図忙示す方法で作成した０溶融塩
を入れる器２１の底部にはンーダガラＸ板２２を上方へ
引き上げられるように大器がおいている。
領域外に余裕】２をとって形成すると大λなガラス基板
の場合には取り扱いやすく、治具で支え嘔り る場合にも好都合である。このため製造か搦が向上した
。金Ｒ電極被着等すべての工程終了後必要最小限領域１
３の部分までガラス基板を切断したものである。こうし
てモジー−ルの面か効率を向上させることができ、モジ
ュール面積当りの発箪、能力が向上した。このことはま
た太陽宵、池モジュールの低価格化につながる１、 化学強化ガラスは第６図忙示す方法で作成した０溶融塩
を入れる器２１の底部にはンーダガラＸ板２２を上方へ
引き上げられるように大器がおいている。
ガラス板２２により部分された容器２１の−１には硝酸
カリウム２４．他方にはＴ／？ＣＪ！又はＴ／Ｃ１！３
のタリウム塩２５が入れられ、図示していたいヒータ
により約４００〜５００℃に加熱されて融解した状態圧
ある。ガラス板２２はこの両方液に接している時間が約
５〜１０時間となるようにゆっくり上昇させる。
カリウム２４．他方にはＴ／？ＣＪ！又はＴ／Ｃ１！３
のタリウム塩２５が入れられ、図示していたいヒータ
により約４００〜５００℃に加熱されて融解した状態圧
ある。ガラス板２２はこの両方液に接している時間が約
５〜１０時間となるようにゆっくり上昇させる。
こうして作成されたガラス板は、第４図に示すのと同じ
強度が得られた。
強度が得られた。
このガラス板を用いて第７図に示すようにセルを作成し
た。第１図と共違の部分圧は同一の符号が付され、５−
８ｉ屑３はｐ形層３４、ノンドープ層３５、ｎ形層３６
よりなる。ガラス基板ｌσ−一方の面１４は第６図に示
す方法で硝酸カリウム塩浴中で処理され、Ｎａかに−ｃ
−置換された面で訃り、他方の面１５はタリウム寧浴中
で処理され、ＮａがＴ７で置換された面である。このセ
ル構造において、太陽電池の表面の光反射率が両面をカ
リウム塩で処理したガラスを用いたセルの反射率に比較
してほぼすべての波長感度のある領域で約３％減少した
。これは、タリウム塩がはいることによりガラス板が強
化されると共に、屈折率が内部から表面にかけて勾配を
もって向上し、表面の屈折率は約１．７となって透明電
極の屈折率との差が小さくなり、この界面における反射
率が減少したためと考えられる。
た。第１図と共違の部分圧は同一の符号が付され、５−
８ｉ屑３はｐ形層３４、ノンドープ層３５、ｎ形層３６
よりなる。ガラス基板ｌσ−一方の面１４は第６図に示
す方法で硝酸カリウム塩浴中で処理され、Ｎａかに−ｃ
−置換された面で訃り、他方の面１５はタリウム寧浴中
で処理され、ＮａがＴ７で置換された面である。このセ
ル構造において、太陽電池の表面の光反射率が両面をカ
リウム塩で処理したガラスを用いたセルの反射率に比較
してほぼすべての波長感度のある領域で約３％減少した
。これは、タリウム塩がはいることによりガラス板が強
化されると共に、屈折率が内部から表面にかけて勾配を
もって向上し、表面の屈折率は約１．７となって透明電
極の屈折率との差が小さくなり、この界面における反射
率が減少したためと考えられる。
以上述べたように大全８ＡＶこよる太陽電池は、光入射
側の保護材を兼ねる透明基板として、ガラスの成分の一
部を置換して原子半径の大ぎい元素を添加することによ
って内部と載面で具なった歪みの分布を形成して分化し
たいわゆる化学強化ガラスを用いたもので、ａ ８ｉ
生成の温度にさらされても軟化せず、太陽電池を外力か
ら十分保ｖ５するばかりでなく、置換元素によっては入
射光の反射率の減少も可能で、低価格で高性能の太陽電
油の製造の上に与える効果は極めて犬である。
側の保護材を兼ねる透明基板として、ガラスの成分の一
部を置換して原子半径の大ぎい元素を添加することによ
って内部と載面で具なった歪みの分布を形成して分化し
たいわゆる化学強化ガラスを用いたもので、ａ ８ｉ
生成の温度にさらされても軟化せず、太陽電池を外力か
ら十分保ｖ５するばかりでなく、置換元素によっては入
射光の反射率の減少も可能で、低価格で高性能の太陽電
油の製造の上に与える効果は極めて犬である。
第１図、第２図は大発明の適用される太陽電池の一例で
第１図は斜視図、第２図は組立て後の断面図であり、第
３図は化学強化ガラスの応力分布を他のガラスのそれを
共に示した線図、第４図は化学強化ガラスの焼鈍妬よる
譬度変化線図、第５図は大発明による太陽電池セルの一
ツ施例の断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・ａ −
Ｓ ｉ層、４・・・金８電極。 ’ｔ′５図 オフ図 特許庁畏 官 若杉和夫 殿 １．事件の表示 句昭セフ−７θ♂ど々２３、補正を
する者 出願人事件との関係 ４、代 理 人 俤忙６１’；ｂ’（１＠（＠６１迅、７−名も７り・８
補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明細書第９頁第１９行目「図」の次に「、第６図は化学
強化ガラスの製造方法を説明するための断面図、第７図
は本発明の他の実施例の断面図」を挿入します。
第１図は斜視図、第２図は組立て後の断面図であり、第
３図は化学強化ガラスの応力分布を他のガラスのそれを
共に示した線図、第４図は化学強化ガラスの焼鈍妬よる
譬度変化線図、第５図は大発明による太陽電池セルの一
ツ施例の断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・ａ −
Ｓ ｉ層、４・・・金８電極。 ’ｔ′５図 オフ図 特許庁畏 官 若杉和夫 殿 １．事件の表示 句昭セフ−７θ♂ど々２３、補正を
する者 出願人事件との関係 ４、代 理 人 俤忙６１’；ｂ’（１＠（＠６１迅、７−名も７り・８
補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明細書第９頁第１９行目「図」の次に「、第６図は化学
強化ガラスの製造方法を説明するための断面図、第７図
は本発明の他の実施例の断面図」を挿入します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光電変換活性領域が非晶質シリコンからなるものに
おいて、透明基板としてガラスの成分の金属元素の一部
を原子半径の大きい元素によって置換した材料からなる
板が用いられたことを特徴とする薄膜シリコン太陽電池
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電池において、透明基
板として成分ナトリウムの一部か一面よりカリウム忙よ
り、他面よりタリウムにより置換されたソーダガラス板
が用いられ、その他面上に透明電極を介して非晶質シリ
コン層が設けられたことを特徴とする薄膜シリコン太陽
電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205649A JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205649A JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994882A true JPS5994882A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0465555B2 JPH0465555B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=16510385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205649A Granted JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625070A (en) * | 1985-08-30 | 1986-11-25 | Atlantic Richfield Company | Laminated thin film solar module |
| JPS6355451U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110021934A (ko) * | 2008-05-30 | 2011-03-04 | 코닝 인코포레이티드 | 광기전성 유리 적층 물품 및 층 물품 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205649A patent/JPS5994882A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625070A (en) * | 1985-08-30 | 1986-11-25 | Atlantic Richfield Company | Laminated thin film solar module |
| JPS6355451U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465555B2 (ja) | 1992-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4625070A (en) | Laminated thin film solar module | |
| US9209326B2 (en) | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof | |
| JP2009537985A5 (ja) | ||
| EP1968121B1 (en) | Method for manufacturing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell | |
| CN101681947B (zh) | 包括聚合物膜的光伏模块及该模块的制造工艺 | |
| CN104093564B (zh) | 光伏装配玻璃 | |
| US4389534A (en) | Amorphous silicon solar cell having improved antireflection coating | |
| JPH11103086A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN102013442A (zh) | 光伏电池衬底及其制造方法 | |
| JPS59143362A (ja) | パツシベ−シヨン膜 | |
| JPH0210777A (ja) | 厚膜太陽電池の集積直列接続方法及びタンデム太陽電池 | |
| JPS5994882A (ja) | 薄膜シリコン太陽電池 | |
| CN102484144A (zh) | 用于光伏装置的表面成核玻璃 | |
| KR20100006205A (ko) | Ｃｉｇｓ 태양전지 모듈 및 그 제조방법 | |
| CN103367514B (zh) | 一种弧形底电极薄膜太阳电池 | |
| CN209544369U (zh) | 一种双玻组件 | |
| JP2000299486A (ja) | 太陽電池 | |
| CN110120435A (zh) | 多结太阳能电池及其制备方法 | |
| JPS6211023Y2 (ja) | ||
| CN113690339A (zh) | 一种太阳能电池组件的制作方法和系统 | |
| US10032948B2 (en) | Solar battery module | |
| JPH0471276A (ja) | 少劣化太陽電池モジュール | |
| JPS6141261Y2 (ja) | ||
| CN114512560B (zh) | 光伏组件 | |
| CN208478346U (zh) | 一种太阳能电池 |