JPH0465555B2 - - Google Patents
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- JPH0465555B2 JPH0465555B2 JP57205649A JP20564982A JPH0465555B2 JP H0465555 B2 JPH0465555 B2 JP H0465555B2 JP 57205649 A JP57205649 A JP 57205649A JP 20564982 A JP20564982 A JP 20564982A JP H0465555 B2 JPH0465555 B2 JP H0465555B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Sustainable Energy (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス基板上に形成した薄膜シリコ
ン太陽電池に関する。
ン太陽電池に関する。
第１図にそのような薄膜太陽電池の例を示す。
ガラス等の透明絶縁基板１の上に複数の透明電極
２が分離して形成されている。透明電極２は通常
ITO（インジウム錫酸化物）やSnO2（錫酸化物）
から形成される。透明電極２の上に非晶質シリコ
ン層３が堆積され、非晶質シリコン層３は透明電
極の側からほう素をドープしたｐ形非晶質シリコ
ン層（約100Å）、ノンドープ非晶質シリコン層
（0.5μm）、りんをドープしたｎ形非晶質シリコン
層（500Å）の３層から成つている。これらは電
気伝導形に対応して不純物ガスと共にシランガス
のグロー放電によつて形成される。各非晶質シリ
コン層３の上には金属電極４が形成され、複数の
太陽電池ユニツト１０ができ上がる。各金属電極
４を隣接ユニツト１０の透明電極２と電気的に接
続し、透明電極２１を金属電極４と同時に基板１
の上に形成された端部の金属電極５と接続するこ
とにより、太陽電池ユニツトが直列接続された太
陽電池６が形成される。金属電極５は電流取り出
し電極として用いられる。この型の太陽電池は透
明絶縁基板上に太陽電池ユニツトを任意の数だけ
直並列に形成することができる。
ガラス等の透明絶縁基板１の上に複数の透明電極
２が分離して形成されている。透明電極２は通常
ITO（インジウム錫酸化物）やSnO2（錫酸化物）
から形成される。透明電極２の上に非晶質シリコ
ン層３が堆積され、非晶質シリコン層３は透明電
極の側からほう素をドープしたｐ形非晶質シリコ
ン層（約100Å）、ノンドープ非晶質シリコン層
（0.5μm）、りんをドープしたｎ形非晶質シリコン
層（500Å）の３層から成つている。これらは電
気伝導形に対応して不純物ガスと共にシランガス
のグロー放電によつて形成される。各非晶質シリ
コン層３の上には金属電極４が形成され、複数の
太陽電池ユニツト１０ができ上がる。各金属電極
４を隣接ユニツト１０の透明電極２と電気的に接
続し、透明電極２１を金属電極４と同時に基板１
の上に形成された端部の金属電極５と接続するこ
とにより、太陽電池ユニツトが直列接続された太
陽電池６が形成される。金属電極５は電流取り出
し電極として用いられる。この型の太陽電池は透
明絶縁基板上に太陽電池ユニツトを任意の数だけ
直並列に形成することができる。
第２図は第１図のようにして形成した太陽電池
６をモジユール化したものである。このモジユー
ルの特徴は、一つの太陽電池の基板１をモジユー
ルの光入射側の保護材として用いるものであり、
他に特別に光入射側保護材を調達する必要がな
い。そのため太陽電池モジユールの低価格化が可
能である。太陽電池ユニツトのガラス板との反対
側に保護膜７を接着剤又は充填材８を用いて形成
する。保護膜７はふつ素樹脂フイルム又はアルミ
箔をはさんだ合成樹脂等から成り、外からの打
撃、湿度、傷付けなどから太陽電池を守るもので
ある。充填材８は、PVB（ポリビニルブチラー
ル）、EVA（エチレンビニールアセテート）、シリ
コーン等が用いられる。次に取りつけ用治具９が
シリコーン樹脂などの接着剤でガラス板１にとり
つけられ、保護膜７の太陽電池６と反対側に電流
取り出し用端子ボツクス１１が設けられる。
６をモジユール化したものである。このモジユー
ルの特徴は、一つの太陽電池の基板１をモジユー
ルの光入射側の保護材として用いるものであり、
他に特別に光入射側保護材を調達する必要がな
い。そのため太陽電池モジユールの低価格化が可
能である。太陽電池ユニツトのガラス板との反対
側に保護膜７を接着剤又は充填材８を用いて形成
する。保護膜７はふつ素樹脂フイルム又はアルミ
箔をはさんだ合成樹脂等から成り、外からの打
撃、湿度、傷付けなどから太陽電池を守るもので
ある。充填材８は、PVB（ポリビニルブチラー
ル）、EVA（エチレンビニールアセテート）、シリ
コーン等が用いられる。次に取りつけ用治具９が
シリコーン樹脂などの接着剤でガラス板１にとり
つけられ、保護膜７の太陽電池６と反対側に電流
取り出し用端子ボツクス１１が設けられる。
この型の透明電池モジユールの強度は絶縁基板
であるガラス板１により達成される。従つてガラ
ス板１は所定の必要な強度を有している必要があ
る。例えば、風圧、ひようなどの打撃または石が
あたつた場合などの打撃に耐えて、太陽電池を保
護すると共に破壊を防ぎ又破壊した場合もまわり
に災害をひきおこすことをなくす対処が必要とさ
れる。このために風冷強化ガラスを用いることを
検討したが、風冷強化の板ガラスをグロー放電で
非晶質シリコンを成長させる約300℃の雰囲気に
おくと成長後は生板ガラスの強度に戻つてしまう
ことが見い出された。
であるガラス板１により達成される。従つてガラ
ス板１は所定の必要な強度を有している必要があ
る。例えば、風圧、ひようなどの打撃または石が
あたつた場合などの打撃に耐えて、太陽電池を保
護すると共に破壊を防ぎ又破壊した場合もまわり
に災害をひきおこすことをなくす対処が必要とさ
れる。このために風冷強化ガラスを用いることを
検討したが、風冷強化の板ガラスをグロー放電で
非晶質シリコンを成長させる約300℃の雰囲気に
おくと成長後は生板ガラスの強度に戻つてしまう
ことが見い出された。
本発明の目的は従つて非晶質シリコンの成長温
度にさらされても強度の落ちることのない強化ガ
ラスを用いた太陽電池であつて、かつ光電変換効
率が良好な太陽電池を提供することにある。
度にさらされても強度の落ちることのない強化ガ
ラスを用いた太陽電池であつて、かつ光電変換効
率が良好な太陽電池を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明によれば、
透明のガラス基板と、該ガラス基板上に形成され
た透明電極と、光電変換活性領域である非晶質シ
リコン層と、金属電極とから成る薄膜シリコン太
陽電池において、前記ガラス基板であるソーダガ
ラス中に含まれるナトリウムの一部が、該ソーダ
ガラスの前記透明電極面側でタリウムにより、他
面側でカリウムによりそれぞれ置換されて成り、
前記ソーダガラスの内部と前記透明電極面側およ
び他面側の表面とで異なつた応力分布を有するも
のとする。
透明のガラス基板と、該ガラス基板上に形成され
た透明電極と、光電変換活性領域である非晶質シ
リコン層と、金属電極とから成る薄膜シリコン太
陽電池において、前記ガラス基板であるソーダガ
ラス中に含まれるナトリウムの一部が、該ソーダ
ガラスの前記透明電極面側でタリウムにより、他
面側でカリウムによりそれぞれ置換されて成り、
前記ソーダガラスの内部と前記透明電極面側およ
び他面側の表面とで異なつた応力分布を有するも
のとする。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第３図はそのようなガラスの成分の金属元
素の一部をイオン半径の異なる元素によつて置換
したいわゆる化学強化ガラスの内部応力を他のガ
ラスと比較して示したもので、曲線３１は化学強
化ガラス、曲線３２は風冷強化ガラス、曲線３３
は生板ガラスを示す。化学強化ガラスはソーダガ
ラスをカリウム等ナトリウムよりイオン半径の大
きい成分を含む300〜50℃の塩浴、例えばKNO3
塩浴中に数時間つけることでナトリウムとカリウ
ムイオンが置換したもので、表面層では圧縮応
力、内側では引つ張り応力が形成され強化され
る。しかし、この圧縮応力が発生する厚さは化学
処理時間によつて異るがほぼ15〜30μmであり、
ガラスの厚みに比較すると表面のごく一部である
と考えてよい。これに引きかえ風冷強化ガラスの
場合、圧縮応力部は500〜1000μでガラスの厚さ
の1/6〜1/10に相当する。
する。第３図はそのようなガラスの成分の金属元
素の一部をイオン半径の異なる元素によつて置換
したいわゆる化学強化ガラスの内部応力を他のガ
ラスと比較して示したもので、曲線３１は化学強
化ガラス、曲線３２は風冷強化ガラス、曲線３３
は生板ガラスを示す。化学強化ガラスはソーダガ
ラスをカリウム等ナトリウムよりイオン半径の大
きい成分を含む300〜50℃の塩浴、例えばKNO3
塩浴中に数時間つけることでナトリウムとカリウ
ムイオンが置換したもので、表面層では圧縮応
力、内側では引つ張り応力が形成され強化され
る。しかし、この圧縮応力が発生する厚さは化学
処理時間によつて異るがほぼ15〜30μmであり、
ガラスの厚みに比較すると表面のごく一部である
と考えてよい。これに引きかえ風冷強化ガラスの
場合、圧縮応力部は500〜1000μでガラスの厚さ
の1/6〜1/10に相当する。
第４図は、化学強化ガラスを図中に記入した各
温度で焼きなました実験結果を示す。300℃の雰
囲気では62H放置しても強度は初期の85％程度保
持し、直線４１で示した通常の生板ガラスの強度
の５倍程度ある。このことから非晶質シリコンを
形成する300℃1H程度では強度はほとんど劣化し
ないと考えてよい。
温度で焼きなました実験結果を示す。300℃の雰
囲気では62H放置しても強度は初期の85％程度保
持し、直線４１で示した通常の生板ガラスの強度
の５倍程度ある。このことから非晶質シリコンを
形成する300℃1H程度では強度はほとんど劣化し
ないと考えてよい。
以上の検討から５mm厚と３mm厚の化学強化ガラ
スを用いて第１図の太陽電池を形成し、第２図の
方法でモジユールを構成した。その結果60m／ｓ
の風圧を模擬した静圧力下及びくりかえし圧力下
及び225ｇの鋼球を２ｍ上から落下させる試験に
おいて両者共合格した。一方、生板ガラス及び風
冷強化ガラスを用いた太陽電池で同様の試験を行
つた結果、60m／ｓ風圧模擬の条件の試験は合格
したが、鋼球の落下については１ｍの落下試験に
おいても合格しなかつた。以上の点から、化学強
化ガラスを用いると、非晶質シリコンを形成した
低コスト非晶質太陽電池モジユールが形成でき
る。
スを用いて第１図の太陽電池を形成し、第２図の
方法でモジユールを構成した。その結果60m／ｓ
の風圧を模擬した静圧力下及びくりかえし圧力下
及び225ｇの鋼球を２ｍ上から落下させる試験に
おいて両者共合格した。一方、生板ガラス及び風
冷強化ガラスを用いた太陽電池で同様の試験を行
つた結果、60m／ｓ風圧模擬の条件の試験は合格
したが、鋼球の落下については１ｍの落下試験に
おいても合格しなかつた。以上の点から、化学強
化ガラスを用いると、非晶質シリコンを形成した
低コスト非晶質太陽電池モジユールが形成でき
る。
また化学強化ガラスの圧縮応力部は、表面から
15〜30μｍであるのでカツターで傷をつけること
により生板ガラスと同様に切断することが出き
た。この場合も切断された箇々のガラス板の強度
の劣化はなかつた。このことはこの強化ガラスを
用いて太陽電池を作成した後、不要の部分のガラ
スを切りおとすことができることを示している。
15〜30μｍであるのでカツターで傷をつけること
により生板ガラスと同様に切断することが出き
た。この場合も切断された箇々のガラス板の強度
の劣化はなかつた。このことはこの強化ガラスを
用いて太陽電池を作成した後、不要の部分のガラ
スを切りおとすことができることを示している。
第５図はその実施例を示し、基板１は化学強化
ガラスである。この基板１の上に形成された太陽
電池ユニツト１０は互に直並列に接続されてい
る。金属電極形成まではガラス基板１に太陽電池
ユニツト領域外に余裕１２をとつて形成すると大
きなガラス基板の場合には取り扱いやすく、治具
で支える場合にも好都合である。このため製造歩
留りが向上した。金属電極被着等すべての工程終
了後必要最小限領域１３の部分までガラス基板を
切断したものである。こうしてモジユールの面積
効率を向上させることができ、モジユール面積当
りの発電能力が向上した。このことはまた太陽電
池モジユールの低価格化につながる。
ガラスである。この基板１の上に形成された太陽
電池ユニツト１０は互に直並列に接続されてい
る。金属電極形成まではガラス基板１に太陽電池
ユニツト領域外に余裕１２をとつて形成すると大
きなガラス基板の場合には取り扱いやすく、治具
で支える場合にも好都合である。このため製造歩
留りが向上した。金属電極被着等すべての工程終
了後必要最小限領域１３の部分までガラス基板を
切断したものである。こうしてモジユールの面積
効率を向上させることができ、モジユール面積当
りの発電能力が向上した。このことはまた太陽電
池モジユールの低価格化につながる。
化学強化ガラスは第６図に示す方法で作成し
た。溶融塩を入れる器２１の底部にはソーダガラ
ス板２２を上方へ引き上げられるように穴２３が
あいている。ガラス板２２により二分された容器
２１の一方には硝酸カリウム２４、他方には
TlCl又はTlCl3のタリウム塩２５が入れられ、図
示していないヒータにより約400〜500℃に加熱さ
れて融解した状態にある。ガラス板２２はこの両
方の液に接している時間が約５〜10時間となるよ
うにゆつくり上昇させる。こうして作成されたガ
ラス板は、第４図に示すのと同じ強度が得られ
た。
た。溶融塩を入れる器２１の底部にはソーダガラ
ス板２２を上方へ引き上げられるように穴２３が
あいている。ガラス板２２により二分された容器
２１の一方には硝酸カリウム２４、他方には
TlCl又はTlCl3のタリウム塩２５が入れられ、図
示していないヒータにより約400〜500℃に加熱さ
れて融解した状態にある。ガラス板２２はこの両
方の液に接している時間が約５〜10時間となるよ
うにゆつくり上昇させる。こうして作成されたガ
ラス板は、第４図に示すのと同じ強度が得られ
た。
このガラス板を用いて第７図に示すようにセル
を作成した。第１図と共通の部分には同一の符号
が付され、ａ−Si層３はｐ形層３４、ノンドープ
層３５ｎ形層３６よりなる。ガラス基板１の一方
の面１４は第６図に示す方法で硝酸カリウム塩浴
中で処理され、NaがＫで置換された面であり、
他方の面１５はタリウム塩浴中で処理され、Na
がTlで置換された面である。なお、ナトリウム、
カリウム、タリウムのイオン半径は、「物理定数
表（朝倉書店発行）」によれば、それぞれ、0.98，
1.33，1.49オングストロームである。このセル構
造において、太陽電池の表面の光反射率が両面を
カリウム塩で処理したガラスを用いたセルの反射
率に比較してほぼすべての波長感度のある領域で
約３％減少した。これは、タリウム塩がはいるこ
とによりガラス板が強化されると共に、屈折率が
内部から透明電極２側の表面にかけて勾配をもつ
て向上し、表面の屈折率は約1.7となつて透明電
極２の屈折率との差が小さくなり、この界面にお
ける反射率が減少したためと考えられる。
を作成した。第１図と共通の部分には同一の符号
が付され、ａ−Si層３はｐ形層３４、ノンドープ
層３５ｎ形層３６よりなる。ガラス基板１の一方
の面１４は第６図に示す方法で硝酸カリウム塩浴
中で処理され、NaがＫで置換された面であり、
他方の面１５はタリウム塩浴中で処理され、Na
がTlで置換された面である。なお、ナトリウム、
カリウム、タリウムのイオン半径は、「物理定数
表（朝倉書店発行）」によれば、それぞれ、0.98，
1.33，1.49オングストロームである。このセル構
造において、太陽電池の表面の光反射率が両面を
カリウム塩で処理したガラスを用いたセルの反射
率に比較してほぼすべての波長感度のある領域で
約３％減少した。これは、タリウム塩がはいるこ
とによりガラス板が強化されると共に、屈折率が
内部から透明電極２側の表面にかけて勾配をもつ
て向上し、表面の屈折率は約1.7となつて透明電
極２の屈折率との差が小さくなり、この界面にお
ける反射率が減少したためと考えられる。
通常、ソーダガラスの屈折率は1.52程度であ
る。本発明によれば、透明電極２側表面から、第
６図に示した方法により、ナトリウムがタリウム
に置換されている。よつて、自ずと、タリウム置
換量はガラス基板１の表面で最も高くなり、内部
に向かうに従い、徐々に減少する。従つて、ガラ
ス基板内部における屈折率の変化も連続的なもの
となる。屈折率がステツプ的に変化すると、その
ステツプ部において反射が生じるので、好ましく
ない。この反射率減少に関する現象は、本発明者
が種々の実験を重ねた結果、初めて知見したもの
である。
る。本発明によれば、透明電極２側表面から、第
６図に示した方法により、ナトリウムがタリウム
に置換されている。よつて、自ずと、タリウム置
換量はガラス基板１の表面で最も高くなり、内部
に向かうに従い、徐々に減少する。従つて、ガラ
ス基板内部における屈折率の変化も連続的なもの
となる。屈折率がステツプ的に変化すると、その
ステツプ部において反射が生じるので、好ましく
ない。この反射率減少に関する現象は、本発明者
が種々の実験を重ねた結果、初めて知見したもの
である。
以上に述べたように、本発明によれば、透明の
ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された透明
電極と、光電変換活性領域である非晶質シリコン
層と、金属電極とから成る薄層シリコン太陽電池
において、前記ガラス基板であるソーダガラス中
に含まれるナトリウムの一部が、該ソーダガラス
の前記透明電極面側でタリウムにより、他面側で
カリウムによりそれぞれ置換されて成り、前記ソ
ーダガラスの内部と前記透明電極面側および他面
側の表面とで異なつた応力分布を有するものとし
たので、下記の効果を奏する。
ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された透明
電極と、光電変換活性領域である非晶質シリコン
層と、金属電極とから成る薄層シリコン太陽電池
において、前記ガラス基板であるソーダガラス中
に含まれるナトリウムの一部が、該ソーダガラス
の前記透明電極面側でタリウムにより、他面側で
カリウムによりそれぞれ置換されて成り、前記ソ
ーダガラスの内部と前記透明電極面側および他面
側の表面とで異なつた応力分布を有するものとし
たので、下記の効果を奏する。
ａ−Si生成の温度に晒されても、風冷強化ガ
ラスのように強度が低下することはない。
ラスのように強度が低下することはない。
透明基板の内部と表面とで異なつた応力分布
を形成して強化ガラスとし、かつタリウムイオ
ンを用いたことにより、太陽電池を外力から十
分保護すると共に、入射光の反射率を減少させ
ることができ変換効率が向上する。
を形成して強化ガラスとし、かつタリウムイオ
ンを用いたことにより、太陽電池を外力から十
分保護すると共に、入射光の反射率を減少させ
ることができ変換効率が向上する。
強化部分は表面から15〜30μmの厚さなので、
生板ガラスと同様に切断でき、太陽電池を作製
後、不要部分を切り落とすことができるので、
モジユール面積当たりの発電能力が向上し、モ
ジユールを低価格で実現できる。
生板ガラスと同様に切断でき、太陽電池を作製
後、不要部分を切り落とすことができるので、
モジユール面積当たりの発電能力が向上し、モ
ジユールを低価格で実現できる。
第１図，第２図は本発明の適用される太陽電池
の一例で第１図は斜視図、第２図は組立て後の断
面図であり、第３図は化学強化ガラスの応力分布
を他のガラスのそれを共に示した線図、第４図は
化学強化ガラスの焼鈍による強度変化線図、第５
図は本発明による太陽電池セルの一実施例の平面
図、第６図は化学強化ガラスの製造方法を説明す
るための断面図、第７図は本発明の他の実施例の
断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…ａ−Si
層、４…金属電極。
の一例で第１図は斜視図、第２図は組立て後の断
面図であり、第３図は化学強化ガラスの応力分布
を他のガラスのそれを共に示した線図、第４図は
化学強化ガラスの焼鈍による強度変化線図、第５
図は本発明による太陽電池セルの一実施例の平面
図、第６図は化学強化ガラスの製造方法を説明す
るための断面図、第７図は本発明の他の実施例の
断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３…ａ−Si
層、４…金属電極。
Claims (1)
- １ 透明のガラス基板と、該ガラス基板上に形成
された透明電極と、光電変換活性領域である非晶
質シリコン層と、金属電極とから成る薄膜シリコ
ン太陽電池において、前記ガラス基板であるソー
ダガラス中に含まれるナトリウムの一部が、該ソ
ーダガラスの前記透明電極面側でタリウムによ
り、他面側でカリウムによりそれぞれ置換されて
成り、前記ソーダガラスの内部と前記透明電極面
側および他面側の表面とで異なつた応力分布を有
することを特徴とする薄膜シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205649A JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205649A JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994882A JPS5994882A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0465555B2 true JPH0465555B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=16510385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205649A Granted JPS5994882A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 薄膜シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011524270A (ja) * | 2008-05-30 | 2011-09-01 | コーニング インコーポレイテッド | 光起電性ガラス積層物品および層状物品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625070A (en) * | 1985-08-30 | 1986-11-25 | Atlantic Richfield Company | Laminated thin film solar module |
| JPS6355451U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-13 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205649A patent/JPS5994882A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011524270A (ja) * | 2008-05-30 | 2011-09-01 | コーニング インコーポレイテッド | 光起電性ガラス積層物品および層状物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5994882A (ja) | 1984-05-31 |
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