JPS599108B2 - 磁気バブルメモリ装置のコイル巻線方式 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置のコイル巻線方式Info
- Publication number
- JPS599108B2 JPS599108B2 JP15913678A JP15913678A JPS599108B2 JP S599108 B2 JPS599108 B2 JP S599108B2 JP 15913678 A JP15913678 A JP 15913678A JP 15913678 A JP15913678 A JP 15913678A JP S599108 B2 JPS599108 B2 JP S599108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- winding
- section
- memory device
- winding method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置の２層セクション巻コイ
ルの巻線方式の改良に関する。
ルの巻線方式の改良に関する。
一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容易軸を持つて
いるが、ある種の磁性薄膜、例えばオルソフェライトや
磁性ガーネット等においては磁区が垂直な磁化容易軸を
持つている。
いるが、ある種の磁性薄膜、例えばオルソフェライトや
磁性ガーネット等においては磁区が垂直な磁化容易軸を
持つている。
この磁性薄膜に垂直方向の磁界を加えていくと、ある磁
界の強さで円筒磁区（バブルドメイン）となる。このバ
ブルドメインは直径が数μｍ以下であり磁性薄膜内を自
由に動くことができる。このバブルドメインをメモリ素
子として利用したのが磁気バブルメモリ装置である。第
１図はＤＩＰ型の磁気バブルメモリ装置の要部を分解し
て示したものであり、これについて簡単に説明する。チ
ップ１は絶縁基板２に搭載され、その上にはバブルの発
生、転送、検出、消去などを夫々行なうパターンが形成
され、それらの電極は絶縁基板２に設けられたリード端
子３に接続されている。またこのチップ１を包囲してバ
ブルの転送に必要な回転磁界を与えるためのＸ方向コイ
ル４とＹ方向コイル５とが設けられ、夫々のコイルはそ
の中央にチップ１が位置するように絶縁基板２に嵌入さ
れる。またコイル４、５の上下（Ｚ方向）にはバブルを
保持するためのバイアス磁界を印加する永久磁石６、７
と整磁板８、９が設けられ、更に全体がヨークを兼ねた
磁気シールドケース１０に挿入されて第２図に示す如く
組立られる。このような磁気バブルを制御してメモリ機
能を取得する装置においては、バブルを転送する駆動コ
イルが電気振動を生じバブルの転送の障害となることが
ある。このため駆動コイルを複数の区分に分けて巻いた
セクション巻コイルとして電気的振動を抑えるようにし
ている。ところがこのコイル巻方式は第３図に示すよう
に１層目の巻線１〜６を巻いた後、２層目の巻線７〜＠
を巻戻す際、２層目の巻線７が１層目の終りの巻線６と
その前の５との間に落ち込み易い。そのため寸法精度が
悪くなり、製造歩留りの悪化、工数の増加等コスト高の
原因となつている。本発明はこの欠点を改良するために
案出されたものである。このため本発明においては、全
長を複数の区分に分け、各区分毎に２層巻線を施しなが
ら１本の線にて全区分の巻線を行なう磁気バブルメモリ
装置の２層セクション巻コイルの巻線方式においで最終
区分を除く各区分の巻線は、第２層を第１層より巻戻す
際に、第１層の端から複数巻手前より巻き戻しを行なう
ことを特徴とするものである。以下添付図面に基づいて
本発明の実施例につき詳細に説明する。第４図に本巻線
方法の実施例を示す。この方法は先ずコイル巻冶具１１
の上に、第１の区分１の第１層目の巻線１から６までを
巻き、次に第２層目を巻戻すのであるが、このとき第１
層の最終巻線６を飛び越して５と４の間より巻戻してＯ
まで巻く。第２の区分は第１層目の巻線を＠から９まで
巻き、第２層目は第１区分と同様に最終巻線９を飛び越
して◎と＠の間より巻き戻して［相］まで、即ち第１区
分の第１層の５と６の間まで巻戻すのである。以下同様
にして各区分を巻き、最終区分Ｎのみは、第１層から第
２層への巻戻しに通常の方法を用いる。このような巻き
方を行なうと、第１層目より第２層目を巻戻すとき、第
１層の巻線のコイル巻冶具に対する摩擦が１巻のときよ
り２巻の方が遥かに大きいため第２層目の巻線の落込み
を防止する効果が大きい。
界の強さで円筒磁区（バブルドメイン）となる。このバ
ブルドメインは直径が数μｍ以下であり磁性薄膜内を自
由に動くことができる。このバブルドメインをメモリ素
子として利用したのが磁気バブルメモリ装置である。第
１図はＤＩＰ型の磁気バブルメモリ装置の要部を分解し
て示したものであり、これについて簡単に説明する。チ
ップ１は絶縁基板２に搭載され、その上にはバブルの発
生、転送、検出、消去などを夫々行なうパターンが形成
され、それらの電極は絶縁基板２に設けられたリード端
子３に接続されている。またこのチップ１を包囲してバ
ブルの転送に必要な回転磁界を与えるためのＸ方向コイ
ル４とＹ方向コイル５とが設けられ、夫々のコイルはそ
の中央にチップ１が位置するように絶縁基板２に嵌入さ
れる。またコイル４、５の上下（Ｚ方向）にはバブルを
保持するためのバイアス磁界を印加する永久磁石６、７
と整磁板８、９が設けられ、更に全体がヨークを兼ねた
磁気シールドケース１０に挿入されて第２図に示す如く
組立られる。このような磁気バブルを制御してメモリ機
能を取得する装置においては、バブルを転送する駆動コ
イルが電気振動を生じバブルの転送の障害となることが
ある。このため駆動コイルを複数の区分に分けて巻いた
セクション巻コイルとして電気的振動を抑えるようにし
ている。ところがこのコイル巻方式は第３図に示すよう
に１層目の巻線１〜６を巻いた後、２層目の巻線７〜＠
を巻戻す際、２層目の巻線７が１層目の終りの巻線６と
その前の５との間に落ち込み易い。そのため寸法精度が
悪くなり、製造歩留りの悪化、工数の増加等コスト高の
原因となつている。本発明はこの欠点を改良するために
案出されたものである。このため本発明においては、全
長を複数の区分に分け、各区分毎に２層巻線を施しなが
ら１本の線にて全区分の巻線を行なう磁気バブルメモリ
装置の２層セクション巻コイルの巻線方式においで最終
区分を除く各区分の巻線は、第２層を第１層より巻戻す
際に、第１層の端から複数巻手前より巻き戻しを行なう
ことを特徴とするものである。以下添付図面に基づいて
本発明の実施例につき詳細に説明する。第４図に本巻線
方法の実施例を示す。この方法は先ずコイル巻冶具１１
の上に、第１の区分１の第１層目の巻線１から６までを
巻き、次に第２層目を巻戻すのであるが、このとき第１
層の最終巻線６を飛び越して５と４の間より巻戻してＯ
まで巻く。第２の区分は第１層目の巻線を＠から９まで
巻き、第２層目は第１区分と同様に最終巻線９を飛び越
して◎と＠の間より巻き戻して［相］まで、即ち第１区
分の第１層の５と６の間まで巻戻すのである。以下同様
にして各区分を巻き、最終区分Ｎのみは、第１層から第
２層への巻戻しに通常の方法を用いる。このような巻き
方を行なうと、第１層目より第２層目を巻戻すとき、第
１層の巻線のコイル巻冶具に対する摩擦が１巻のときよ
り２巻の方が遥かに大きいため第２層目の巻線の落込み
を防止する効果が大きい。
なお本実施例は第２層目を巻戻すとき第１層目の１巻線
を飛び越すようにしたが２巻線を飛び越せば更に効果は
大となる。以上説明し２たように本発明のコイル巻線方
式は第２層目の巻線が第１層に落込むことが防止される
ため、寸法精度は良好となり、それにより製造歩留りも
向上して製造コストの引下げを可能とするものである。
を飛び越すようにしたが２巻線を飛び越せば更に効果は
大となる。以上説明し２たように本発明のコイル巻線方
式は第２層目の巻線が第１層に落込むことが防止される
ため、寸法精度は良好となり、それにより製造歩留りも
向上して製造コストの引下げを可能とするものである。
第１図は磁気バブルメモリ装置の一例の分解斜視図、第
２図はその完成品の斜視図、第３図は従来のセクシヨン
巻コイルの巻線方式の説明図、第４図は本発明にかかる
実施例のセクシヨン巻コイルの巻線方式の説明図である
。 １１・・・・・・＝１イル巻冶具、Ｉ，，Ｎ・・・・・
・セクシヨン巻コイルの区分、１〜［相］・・・・・・
巻線。
２図はその完成品の斜視図、第３図は従来のセクシヨン
巻コイルの巻線方式の説明図、第４図は本発明にかかる
実施例のセクシヨン巻コイルの巻線方式の説明図である
。 １１・・・・・・＝１イル巻冶具、Ｉ，，Ｎ・・・・・
・セクシヨン巻コイルの区分、１〜［相］・・・・・・
巻線。
Claims (1)
- １ 全長を複数の区分に分け、各区分毎に２層巻線を施
しながら１本の線にて連続して全区分の巻線を行なう磁
気バブルメモリ装置の２層セクション巻コイルの巻線方
式において、最終区分を除く各区分の巻線は、第２層を
第１層より巻戻す際に、第１層の端から複数巻手前より
巻き戻しを行なうことを特徴とする磁気バブルメモリ装
置のコイル巻線方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15913678A JPS599108B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリ装置のコイル巻線方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15913678A JPS599108B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリ装置のコイル巻線方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587373A JPS5587373A (en) | 1980-07-02 |
| JPS599108B2 true JPS599108B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=15687026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15913678A Expired JPS599108B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリ装置のコイル巻線方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599108B2 (ja) |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP15913678A patent/JPS599108B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587373A (en) | 1980-07-02 |
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