JPS5987816A - 電子ビ−ム転写装置 - Google Patents
電子ビ−ム転写装置Info
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- JPS5987816A JPS5987816A JP19820882A JP19820882A JPS5987816A JP S5987816 A JPS5987816 A JP S5987816A JP 19820882 A JP19820882 A JP 19820882A JP 19820882 A JP19820882 A JP 19820882A JP S5987816 A JPS5987816 A JP S5987816A
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- mask
- aperture
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、位置合わせ機能を備えた電子ビーム転写装置
の改良に関する。
の改良に関する。
近時、集積回路の高密度化に伴い、微細パターン形成技
術の主流をなしてきたホトリソグラフィはその限界が指
摘され、この限界を打ち破るものとして電子ビームやＸ
線による新しいりソグラフイが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出される光電子を、試料
およ汐マスク間の均一な電界および磁界で試料上に集束
させ、マスク上のパターンを試料上に一括転写する電子
ビーム転写装置が開発されるに至っている。この装置は
、高速転写が可能であるため高い生産性を有する、マス
ク構造がホトマスクと類似しているため従来技術を利用
できる、および焦点深度が深いので段差のある基板上へ
の転写を行い得る等の実用的利点を有し、サブミクロン
の微細パターン加工に極めて有望である。なお、このよ
うな装置の有効性は、例えば文献（Ｒ，Ｗａｒｄ 、Ｊ
、Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏ ｌ。
術の主流をなしてきたホトリソグラフィはその限界が指
摘され、この限界を打ち破るものとして電子ビームやＸ
線による新しいりソグラフイが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出される光電子を、試料
およ汐マスク間の均一な電界および磁界で試料上に集束
させ、マスク上のパターンを試料上に一括転写する電子
ビーム転写装置が開発されるに至っている。この装置は
、高速転写が可能であるため高い生産性を有する、マス
ク構造がホトマスクと類似しているため従来技術を利用
できる、および焦点深度が深いので段差のある基板上へ
の転写を行い得る等の実用的利点を有し、サブミクロン
の微細パターン加工に極めて有望である。なお、このよ
うな装置の有効性は、例えば文献（Ｒ，Ｗａｒｄ 、Ｊ
、Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏ ｌ。
ｇｙ、１ｂ（ｂ） 、 Ｎｏｖ／Ｄｅｃ 、 １９７９
）に記載されている。
）に記載されている。
第１図は上記した電子ビーム転写装置の一例を示す概略
構成図である。図中１は転写室を形成する真空容器で、
この容器１内は真空ポンプ２によシ１ ｏ−６（Ｔｏｒ
ｒ）程度に真空排気されている。真空容器１の内部には
、試料３を保持する試料保持機構４および光電マスク５
を保持するマスク保持機構６がそれぞれ設けられている
。
構成図である。図中１は転写室を形成する真空容器で、
この容器１内は真空ポンプ２によシ１ ｏ−６（Ｔｏｒ
ｒ）程度に真空排気されている。真空容器１の内部には
、試料３を保持する試料保持機構４および光電マスク５
を保持するマスク保持機構６がそれぞれ設けられている
。
そして、これらの試料３および光電マスク５は１０ Ｑ
ｉｍ、ｌ程度離間して対向配置されるものとなっている
。なお、上記光電マスク５は第２図にその拡大図を示す
如く紫外光を透過する石英基板５ａ、この基板５ａ上に
所望のパターンを形成して設けられた紫外光吸収部材か
らなるマスクパターン５ｂ、およびマスクパターン５ｂ
に遮ぎられることなく到達した紫外光を受けて光電子を
放出するＣＨＩからなる光電面５ｃで形成されている。
ｉｍ、ｌ程度離間して対向配置されるものとなっている
。なお、上記光電マスク５は第２図にその拡大図を示す
如く紫外光を透過する石英基板５ａ、この基板５ａ上に
所望のパターンを形成して設けられた紫外光吸収部材か
らなるマスクパターン５ｂ、およびマスクパターン５ｂ
に遮ぎられることなく到達した紫外光を受けて光電子を
放出するＣＨＩからなる光電面５ｃで形成されている。
また、前記試料３は光電マスク５に対向する面に感電子
線レジスト３ａを塗布したものである。そして、これら
試料３および光電マスク５は検出器７によシその相対位
置を検出され、この検出情報によシ位置合わせされるも
のとなっている。
線レジスト３ａを塗布したものである。そして、これら
試料３および光電マスク５は検出器７によシその相対位
置を検出され、この検出情報によシ位置合わせされるも
のとなっている。
一方、前記真空容器Ｉの外部には光源８が設けられてい
る。光源８は紫外光を発光するもので、その紫外光はシ
ャッタ９が開かれたとき紫外光透過窓ｌＯを介して前記
光電マスク５に照射される。また、真空容器１の外部に
はへシムホルム形フィル１１および直流電源１２がそれ
ぞれ設けられている。そして、上記コイル１１によシ前
記試料３とマスク５との対向方向に沿って磁界が印加さ
れると共に、上記電源１２によシ上記方向と同方向に電
界が、印加されるものとなっている。なお、図中１３．
１４．１５はそれぞれ定盤、防去ゴムおよび架台を示し
ている。
る。光源８は紫外光を発光するもので、その紫外光はシ
ャッタ９が開かれたとき紫外光透過窓ｌＯを介して前記
光電マスク５に照射される。また、真空容器１の外部に
はへシムホルム形フィル１１および直流電源１２がそれ
ぞれ設けられている。そして、上記コイル１１によシ前
記試料３とマスク５との対向方向に沿って磁界が印加さ
れると共に、上記電源１２によシ上記方向と同方向に電
界が、印加されるものとなっている。なお、図中１３．
１４．１５はそれぞれ定盤、防去ゴムおよび架台を示し
ている。
しかして、前記光源８がらの紫外光を光電マスク５に照
射すると、同マスク５がらマスクパターン５ｂＫ応じた
光電子が放出され、この光電子が前記磁界および電界に
ょシ集束され試料３上に照射される。これにょシ、試料
３上のレジスト３ａが上記マスクパターン５ｂに応じて
露光されることになる。かくしてマスクパターン５ｂを
試料３上に一括転写することができ、前述した利点を奏
するのである。
射すると、同マスク５がらマスクパターン５ｂＫ応じた
光電子が放出され、この光電子が前記磁界および電界に
ょシ集束され試料３上に照射される。これにょシ、試料
３上のレジスト３ａが上記マスクパターン５ｂに応じて
露光されることになる。かくしてマスクパターン５ｂを
試料３上に一括転写することができ、前述した利点を奏
するのである。
ところで、この柚の電子ビーム転写装置における光電マ
スク５と試料３との位置合わせは、第３図或いは第４図
に示す如くして行われる。
スク５と試料３との位置合わせは、第３図或いは第４図
に示す如くして行われる。
第３図では試料３に微小貫通孔２１を形成し、光電マス
ク６の位置合わせマーク２２によって些形された光電子
を上記貫通孔２１を介して電子検出器２４で検出し、光
電マスク５と試料３との相対的な位置ずれを検出する。
ク６の位置合わせマーク２２によって些形された光電子
を上記貫通孔２１を介して電子検出器２４で検出し、光
電マスク５と試料３との相対的な位置ずれを検出する。
そして、この検出信号に基づいてＸ、Ｙ方向に対しては
偏向コイルにより補正し、回転方向に対しては回転テー
ブルによシ補正することによって、光電マスクと試料と
の位置合ゎせを行っている。また、第４図では試料３上
に重金属や重金属化合物等からなるマーク２５を形成Ｌ
、こ（Ｄｖ−１２５に光電子が入射した際に発生するＸ
線２６を位置検出信号としてＸ線検出器２７にて検出し
ている。
偏向コイルにより補正し、回転方向に対しては回転テー
ブルによシ補正することによって、光電マスクと試料と
の位置合ゎせを行っている。また、第４図では試料３上
に重金属や重金属化合物等からなるマーク２５を形成Ｌ
、こ（Ｄｖ−１２５に光電子が入射した際に発生するＸ
線２６を位置検出信号としてＸ線検出器２７にて検出し
ている。
ところが、この池の位置合わせ手法にあっては、位置合
わせ時にマークとパターン領域とを同時に照明すると、
位置合ゎせを行っている間の光電子の照射が転写摩の「
ボケ」の原因、！：々るので、位置合わせ時の光電子照
射量を露光時の照射量に比して小さく（飼えば１０％以
下）する必要がある。このため、位置合わせ時の照明光
強度を転写時のそれよシ弱くする方法、位置合わせの時
間を転写時間よシ短くする方法、或いは両者の併用が行
われている。しかし、位置合わせ時の光電子照射量を小
さくすることは、位置検出信号のＳＮ比低下を招き、好
ましくなかった。
わせ時にマークとパターン領域とを同時に照明すると、
位置合ゎせを行っている間の光電子の照射が転写摩の「
ボケ」の原因、！：々るので、位置合わせ時の光電子照
射量を露光時の照射量に比して小さく（飼えば１０％以
下）する必要がある。このため、位置合わせ時の照明光
強度を転写時のそれよシ弱くする方法、位置合わせの時
間を転写時間よシ短くする方法、或いは両者の併用が行
われている。しかし、位置合わせ時の光電子照射量を小
さくすることは、位置検出信号のＳＮ比低下を招き、好
ましくなかった。
上記の問題を解決する方法として、位置合わせマークの
みを選択的に照明する方法が文献（Ｗ、Ｒ，Ｌｉｖｅｓ
ａｙ＋Ｊ 、Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
ｖｏｌ、 １５゜Ｎｏ、３．Ｐ４Ｏ１０（１９７８））
に記載されている。この方法では、位置合わせの際にパ
ターン部分は照明されないので、位置合わせ時の光電子
照射量を十分大きくすることができ、上述の間通を基本
的には解決できる。
みを選択的に照明する方法が文献（Ｗ、Ｒ，Ｌｉｖｅｓ
ａｙ＋Ｊ 、Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
ｖｏｌ、 １５゜Ｎｏ、３．Ｐ４Ｏ１０（１９７８））
に記載されている。この方法では、位置合わせの際にパ
ターン部分は照明されないので、位置合わせ時の光電子
照射量を十分大きくすることができ、上述の間通を基本
的には解決できる。
しかしながら、このような手法を実際の製造ラインで使
用するには、次のような解決すべき問題が残っている。
用するには、次のような解決すべき問題が残っている。
すなわち、ウェハ上のマークの位１崖は、一般にウェハ
上でのチップ配置Ｕによって変える必要があシ、またマ
ーク領域の大きさもチップの大小によって変わることが
ある。
上でのチップ配置Ｕによって変える必要があシ、またマ
ーク領域の大きさもチップの大小によって変わることが
ある。
飼えば、前述の重金属や重金属化合物等からなるマーク
によるＸ線検出方式においては、検出信号のＳＮ比を良
くするために、マーク領域を数（＋ｕ ）角にする必要
があシ、実際には第５図ニ示ス如くウェハ３上に部列さ
れるチップのうち少なくとも２チップ分の領域をマーク
領域２８として使用する。したがって、マークがウェハ
上の決められた位置にしか設置できない場合、チップの
配列がこれによって制限され最も多くチップを取シ得る
配列ができなくなるため、生産性を低下させる原因とな
る。
によるＸ線検出方式においては、検出信号のＳＮ比を良
くするために、マーク領域を数（＋ｕ ）角にする必要
があシ、実際には第５図ニ示ス如くウェハ３上に部列さ
れるチップのうち少なくとも２チップ分の領域をマーク
領域２８として使用する。したがって、マークがウェハ
上の決められた位置にしか設置できない場合、チップの
配列がこれによって制限され最も多くチップを取シ得る
配列ができなくなるため、生産性を低下させる原因とな
る。
また、選択的照明方法においては、照明領域の周辺に照
明光がまわり込み、本来露光すべきでない部分が露光さ
れる虞れがある。この問題に対しては、照明領域に対し
てマーク領域を小さくし光がまわシ込む部分にパターン
を設けないことが考□えられるが、位置検出信号の高い
ＳＮ比を維持するためにはマーク領域を大きくすること
が必要であり、上記方法は好ましくない。
明光がまわり込み、本来露光すべきでない部分が露光さ
れる虞れがある。この問題に対しては、照明領域に対し
てマーク領域を小さくし光がまわシ込む部分にパターン
を設けないことが考□えられるが、位置検出信号の高い
ＳＮ比を維持するためにはマーク領域を大きくすること
が必要であり、上記方法は好ましくない。
また、照明領域を大きくすることは、チップ収率の低下
を招き、生産性の点で問題が生じる。
を招き、生産性の点で問題が生じる。
本発明の目的は、任意の位置に設置される位置合わせマ
ークのみを選択的に照明することができ、位置検出信号
の８Ｎ比向上及び生産性向上をはかり得る電子ビーム転
写装置を提供することにある。
ークのみを選択的に照明することができ、位置検出信号
の８Ｎ比向上及び生産性向上をはかり得る電子ビーム転
写装置を提供することにある。
本発明の骨子は、位置合わせ時に閉じられ、位置合わせ
マークのみを照明し得る開口部を有するシャッタを設け
、このシャッタに開口面積可変機能及び開口位置可変機
能を持たせることにある。
マークのみを照明し得る開口部を有するシャッタを設け
、このシャッタに開口面積可変機能及び開口位置可変機
能を持たせることにある。
すなわち本発明は、光照射により所望パターンに光電子
を放出する光電マスクと試料とを対向配置し、これらの
対向方向に沿って磁界及び電界を印加すると共に上記光
電マスクに光を照射して、光電マスクのパターンを試料
上に転写する電子ビーム転写装置において、前記光電マ
スクと試料との位置合わせの際に閉じられ、かつこの状
態で上記光電マスク上の位置合わせマーク部のみに光を
照射せしめる開口部を有した第１のシャッタと、上記位
置合わせマークの光照射により前記光電マスクと試料と
の位置ずれ電マスクの全体若しくは予め決められた転写
面積に光を照射せしめる第２の７ヤツタとを具１７ｍし
、前記第１のシャッタに前記光電マスク上の位置合わせ
マークの面積に応じて前記開口部の面積を可変する開口
面積可変機構、及び上記位置合わせ用マークの位置に応
じて上記開口部の位置を可変する開口位置可変機構をそ
れぞれ設けるようにしたものである。
を放出する光電マスクと試料とを対向配置し、これらの
対向方向に沿って磁界及び電界を印加すると共に上記光
電マスクに光を照射して、光電マスクのパターンを試料
上に転写する電子ビーム転写装置において、前記光電マ
スクと試料との位置合わせの際に閉じられ、かつこの状
態で上記光電マスク上の位置合わせマーク部のみに光を
照射せしめる開口部を有した第１のシャッタと、上記位
置合わせマークの光照射により前記光電マスクと試料と
の位置ずれ電マスクの全体若しくは予め決められた転写
面積に光を照射せしめる第２の７ヤツタとを具１７ｍし
、前記第１のシャッタに前記光電マスク上の位置合わせ
マークの面積に応じて前記開口部の面積を可変する開口
面積可変機構、及び上記位置合わせ用マークの位置に応
じて上記開口部の位置を可変する開口位置可変機構をそ
れぞれ設けるようにしたものである。
本発明によれば、位置合わせマークの領域及び位置に応
じてマークのみを選択的に照明することができる。この
ため、マークの領域及び位置を最適条件に定めることが
でき、したがって生産性を低下させることなく位置検出
信号のＳＮ比向上をはかシ得る。
じてマークのみを選択的に照明することができる。この
ため、マークの領域及び位置を最適条件に定めることが
でき、したがって生産性を低下させることなく位置検出
信号のＳＮ比向上をはかシ得る。
第６図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム転写装置
の要部構成を示す断面図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付し、その詳しい説明は省略する。紫
外光透過窓１０の上方には、光電マスク５上の位置合わ
せマーク部にのみ紫外光を照射するための第１のシャッ
タ３１が設置され、このシャッタ３１の上方にはパター
ン転写時光電マスク５の全面に紫外光を照射するための
第２のシャッタ３２が設置されている。第１のシャッタ
３１は、２枚のシャッタ板３１ａ、３１ｂからなるもの
で、これらのシャッタ板３１ｅＬ、３１ｂには開口部３
３ａ１３３ｂがそれぞれ形成されている。そして、これ
らの開口部３３ａ、３３ｂの下部には、紫外光を集光す
るだめの集光レンズ３４ａ、３４ｂがそれぞれ設置され
ている。また、シャッタ板３１ａ、３１ｂは、第７図に
示す如くアーム３５ａ、３５ｂにそれぞれスライド自在
に取り付けられ、駆動部３６ｅＬ、３６’ｏの作用によ
り紙面左右方向に移動される。そして、シャッタ板３１
ｅｔ、３１ｂの移動により、前記開口部３３ａ、３３ｂ
の位置が移動すると共に、第１のシャッタ３１が開閉す
るものとなっている。
の要部構成を示す断面図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付し、その詳しい説明は省略する。紫
外光透過窓１０の上方には、光電マスク５上の位置合わ
せマーク部にのみ紫外光を照射するための第１のシャッ
タ３１が設置され、このシャッタ３１の上方にはパター
ン転写時光電マスク５の全面に紫外光を照射するための
第２のシャッタ３２が設置されている。第１のシャッタ
３１は、２枚のシャッタ板３１ａ、３１ｂからなるもの
で、これらのシャッタ板３１ｅＬ、３１ｂには開口部３
３ａ１３３ｂがそれぞれ形成されている。そして、これ
らの開口部３３ａ、３３ｂの下部には、紫外光を集光す
るだめの集光レンズ３４ａ、３４ｂがそれぞれ設置され
ている。また、シャッタ板３１ａ、３１ｂは、第７図に
示す如くアーム３５ａ、３５ｂにそれぞれスライド自在
に取り付けられ、駆動部３６ｅＬ、３６’ｏの作用によ
り紙面左右方向に移動される。そして、シャッタ板３１
ｅｔ、３１ｂの移動により、前記開口部３３ａ、３３ｂ
の位置が移動すると共に、第１のシャッタ３１が開閉す
るものとなっている。
ここで、シャッタ板３１＆、、３１ｂが第７図に示す位
置では閉状態、シャツタ板３１ｈが左端部にシャツタ板
３１ｂが右端部に移動したとき開状態である。
置では閉状態、シャツタ板３１ｈが左端部にシャツタ板
３１ｂが右端部に移動したとき開状態である。
一方、前記シャッタ板３１ａ、３１ｂの上面には、回転
アパーチャマスク３７ａ、３７ｂがそれぞれ取着されて
いる。回転アパーチャマスク３７ａには、第８図に示す
如く６種類の面積の異なる開口部３８ａが同一円周上に
形成されておシ、アパーチャマスク３７ａの回転によシ
上記開ロ部３８ａのいずれか１つと前記シャツタ板３１
ａの開口部３３ｅｚとが重なる。つまり、光電マスク５
の位置合わせマークの面積に応じて開口部３８ａが選択
され、これによシ位置合わせマークにのみ紫外光が照射
されるものとなっている。なお、回転アパーチャマスク
３７ｂの構成は、上記アパーチャマスク３７ａと同様で
ある。
アパーチャマスク３７ａ、３７ｂがそれぞれ取着されて
いる。回転アパーチャマスク３７ａには、第８図に示す
如く６種類の面積の異なる開口部３８ａが同一円周上に
形成されておシ、アパーチャマスク３７ａの回転によシ
上記開ロ部３８ａのいずれか１つと前記シャツタ板３１
ａの開口部３３ｅｚとが重なる。つまり、光電マスク５
の位置合わせマークの面積に応じて開口部３８ａが選択
され、これによシ位置合わせマークにのみ紫外光が照射
されるものとなっている。なお、回転アパーチャマスク
３７ｂの構成は、上記アパーチャマスク３７ａと同様で
ある。
このように構成された本装置の作用について、第９図を
参照して説明する。第９図は前記第１及び第２のシャッ
タ３１．３２の開閉タイミングを示すもので、図中Ｐは
第１のシャッタ３１、及び光電マスク５は、転写室１内
の所定位置にセットされる。このとき、シャッタｓ１．
３２は共に閉状態である。この状態で、シャッタ板３１
ａ、３１ｂの移動及びアパーチャマスク３７ａ、３７ｂ
の回転によシ、位置合わせ時に紫外光を照射すべき位置
及び面積が設定される。
参照して説明する。第９図は前記第１及び第２のシャッ
タ３１．３２の開閉タイミングを示すもので、図中Ｐは
第１のシャッタ３１、及び光電マスク５は、転写室１内
の所定位置にセットされる。このとき、シャッタｓ１．
３２は共に閉状態である。この状態で、シャッタ板３１
ａ、３１ｂの移動及びアパーチャマスク３７ａ、３７ｂ
の回転によシ、位置合わせ時に紫外光を照射すべき位置
及び面積が設定される。
時刻ｔ１でシャッタ３２が開かれると、シャッタ３１の
開口部３３ ａ ＃ ３３． ｂ及びアノく−チャマス
ク３７ａ、３７ｂの開口部３８ａ、３８ｂ間で光電マス
ク５と試料３との位置合わせが行われる。このとき、紫
外光の照射部が上記マーク部のみであるから、紫外光照
射量を十分小さくする必要はな（、ＳＮ比の高い位置検
出信号を得ることが可能であり、上記位置合わせを精度
良く行い得る。
開口部３３ ａ ＃ ３３． ｂ及びアノく−チャマス
ク３７ａ、３７ｂの開口部３８ａ、３８ｂ間で光電マス
ク５と試料３との位置合わせが行われる。このとき、紫
外光の照射部が上記マーク部のみであるから、紫外光照
射量を十分小さくする必要はな（、ＳＮ比の高い位置検
出信号を得ることが可能であり、上記位置合わせを精度
良く行い得る。
位置合わせが終了すると、時刻ｔ２でシャッタ３２は一
旦閉じられる。その後、時刻ｔ３でシャッタ３１が開け
られ、さらに時刻ｔ４でシャッタ３２が開かれる。そし
て、露光終了時刻を−でのを間Ｔ４５の間、光電マスク
５の全面に紫外光が照射されパターン転写が行われる。
旦閉じられる。その後、時刻ｔ３でシャッタ３１が開け
られ、さらに時刻ｔ４でシャッタ３２が開かれる。そし
て、露光終了時刻を−でのを間Ｔ４５の間、光電マスク
５の全面に紫外光が照射されパターン転写が行われる。
パターン転写が終了すると、時刻ｔ、でシャッタ３２が
閉じられ、さらに時刻１ｃｉでシャッタε ３Ｉが閉じられる。そして、ｖ誦Ｔａの間で試料３が転
写室Ｉ内から取シ出される。これ以降は、上記説明と同
様にして次の試料の転写が行われる。なお、上記ν’８
１ Ｔ ２３１ Ｔ ３４１ ’Ｔ５６ば数それぞれ数
〔ＳｅＣ〕〜数１’ ０ （ｓｅｅ）であった。
閉じられ、さらに時刻１ｃｉでシャッタε ３Ｉが閉じられる。そして、ｖ誦Ｔａの間で試料３が転
写室Ｉ内から取シ出される。これ以降は、上記説明と同
様にして次の試料の転写が行われる。なお、上記ν’８
１ Ｔ ２３１ Ｔ ３４１ ’Ｔ５６ば数それぞれ数
〔ＳｅＣ〕〜数１’ ０ （ｓｅｅ）であった。
かくして本装置によれば、光電マスク５上の位置合わせ
マークの位置及び領域面積に応じて、シャツタ板ｓ ｚ
ａ ′、 ｓ ｘ ｂ及び回転アパーチャマスク３７
ａ、３７ｂを移動させることによシ、上記マークのみを
選択的に照明することができる。このため、マークの位
置及び領域をチップ配列等の条件に応じて最適条件に設
定することができる。したがって、生産性を低下させる
ことなく、位置検出信号のＳＮ比向上をはかシ得る。ま
た、前記集光レンズ３４ａ、３４ｂを設けたことによシ
、マーク上の紫外光強度を高めることができ、上記位置
検出信号のよシ一層のＳＮ比向上をはかシ得る。また、
紫外光は前記開口部３３ａ 、３３：ｂ 、３８ａ３８
ｂによって所望形状に整形されるが、レンズ３４ａ、３
４ｂ、の作用によって、位置合わせマーク領域周辺に紫
外光がまわシ込むのを防止し得る等の利点もある。
マークの位置及び領域面積に応じて、シャツタ板ｓ ｚ
ａ ′、 ｓ ｘ ｂ及び回転アパーチャマスク３７
ａ、３７ｂを移動させることによシ、上記マークのみを
選択的に照明することができる。このため、マークの位
置及び領域をチップ配列等の条件に応じて最適条件に設
定することができる。したがって、生産性を低下させる
ことなく、位置検出信号のＳＮ比向上をはかシ得る。ま
た、前記集光レンズ３４ａ、３４ｂを設けたことによシ
、マーク上の紫外光強度を高めることができ、上記位置
検出信号のよシ一層のＳＮ比向上をはかシ得る。また、
紫外光は前記開口部３３ａ 、３３：ｂ 、３８ａ３８
ｂによって所望形状に整形されるが、レンズ３４ａ、３
４ｂ、の作用によって、位置合わせマーク領域周辺に紫
外光がまわシ込むのを防止し得る等の利点もある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記第１のシャッタを構成するシャツタ板
の形状及びその移動機構等は３、仕様に応じて適宜変更
可能である。また、前記回転アパーチャマスクの開口部
の個数や形状等も実施例に限定されるものではなく、適
宜変更可能である。さらに、回転アパーチャマスクとし
て、開口部面積を連続可変可能な構造のものを用いるよ
うにしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
い。例えば、前記第１のシャッタを構成するシャツタ板
の形状及びその移動機構等は３、仕様に応じて適宜変更
可能である。また、前記回転アパーチャマスクの開口部
の個数や形状等も実施例に限定されるものではなく、適
宜変更可能である。さらに、回転アパーチャマスクとし
て、開口部面積を連続可変可能な構造のものを用いるよ
うにしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は従来の電子ビーム転写装置の概略構成を示す図
、第２図は上記装置に使用した試料及び光電マスクを拡
大して示す図、第３図及び第４図はそれぞれ光電マスク
と試料との位置ずれ検出手法を説明するための図、第５
図は試料上のチップ配列の一例を示す図、第６図は本発
明の一実ｍ例に係わる電子ビーム転写装置の要部構成を
示す断面図、第７図は上記実施例装置に使用したシャッ
タ構成を示す平面図、第８図は上記実施例に使用した回
転アパーチャマスク構成を示す平面図、第９図は上記実
施例の作用を説明するだめの模式図である。 １・・・真空容器（転写室）、２・・・真空ポンプ、３
・・・試料、５・・・光電マスク、７．．２４．２７・
・・検出器、８・・・光源、９・・・シャッタ、１０・
・・紫外光透過窓、１１・・・コイル、１２・・・電源
、２１・・・貫通孔、２２・・・位置合わせマーク、２
：！・・・光電子、２５ 、２８・・・マーク、２６・
・・Ｘ線、３１・・・第１のシャッタ、３２・・・第２
の７ヤツタ、３１ａ。 ３１ｂ・・・シャツタ板、３３ａ 、３３ｂ ＋ ３８
ｔｚ＋３８ｂ・・・開口部、３４ａ、３４ｂ・・・集光
レンズ、３７ａ、３７ｂ・・・回転アパーチャマスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ｍ３図 第４図 第５１’７１ 第６図 第９図 第７図 第８図
、第２図は上記装置に使用した試料及び光電マスクを拡
大して示す図、第３図及び第４図はそれぞれ光電マスク
と試料との位置ずれ検出手法を説明するための図、第５
図は試料上のチップ配列の一例を示す図、第６図は本発
明の一実ｍ例に係わる電子ビーム転写装置の要部構成を
示す断面図、第７図は上記実施例装置に使用したシャッ
タ構成を示す平面図、第８図は上記実施例に使用した回
転アパーチャマスク構成を示す平面図、第９図は上記実
施例の作用を説明するだめの模式図である。 １・・・真空容器（転写室）、２・・・真空ポンプ、３
・・・試料、５・・・光電マスク、７．．２４．２７・
・・検出器、８・・・光源、９・・・シャッタ、１０・
・・紫外光透過窓、１１・・・コイル、１２・・・電源
、２１・・・貫通孔、２２・・・位置合わせマーク、２
：！・・・光電子、２５ 、２８・・・マーク、２６・
・・Ｘ線、３１・・・第１のシャッタ、３２・・・第２
の７ヤツタ、３１ａ。 ３１ｂ・・・シャツタ板、３３ａ 、３３ｂ ＋ ３８
ｔｚ＋３８ｂ・・・開口部、３４ａ、３４ｂ・・・集光
レンズ、３７ａ、３７ｂ・・・回転アパーチャマスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ｍ３図 第４図 第５１’７１ 第６図 第９図 第７図 第８図
Claims (1)
- 光照射によシ所望パターンに光電子を放出する光電マス
クと試料とを対向配置し、これらの対向方向に沿って磁
界及び電界を印加すると共に上記光電マスクに光を照射
して、光電マスクのパターンを試料上に転写する電子ビ
ーム転写装置において、前記光電マスクと試料との位置
合わせの際に閉じられ、かつこの状態で上記光電マスク
上の位置合わせマーク部のみに光を照射せしめる開口部
を有した第１のシャッタと、上記位置合わせマークの光
照射によシ前記光電マスクと試料との位置ずれを検出す
る手段と、転写の際に１￥を術箋記光電マスクの全体若
しくは予め決められた転写゛面積に光を照射せしめる第
２のシャッタとを具備し、前記第１のシャッタは前記光
電マスク上の位置合わせマークの面積に応じて前記開口
部の面積を可変する開口面積可変機構、及び上記位置合
わせ用マークの位置に応じて上記開口部の位置を可変す
る開口位置可変機構を備えたものであることを特徴とす
る電子ビーム転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820882A JPS5987816A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 電子ビ−ム転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19820882A JPS5987816A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 電子ビ−ム転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987816A true JPS5987816A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16387276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19820882A Pending JPS5987816A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 電子ビ−ム転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987816A (ja) |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP19820882A patent/JPS5987816A/ja active Pending
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