JPS5983111A - 光集積回路作製法 - Google Patents
光集積回路作製法Info
- Publication number
- JPS5983111A JPS5983111A JP19415082A JP19415082A JPS5983111A JP S5983111 A JPS5983111 A JP S5983111A JP 19415082 A JP19415082 A JP 19415082A JP 19415082 A JP19415082 A JP 19415082A JP S5983111 A JPS5983111 A JP S5983111A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- photoresist
- substrate
- grating pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ケ) 発 明 の 目 的
この発明は、半導体基板」二の任意の場所に、任意の周
・期、任意の大きさの回路格子を作製する方法を提供す
ることを目的とする。
・期、任意の大きさの回路格子を作製する方法を提供す
ることを目的とする。
(イ)導波路形回折格子
半導体レーザ、先導波路、変調器、分波素子等をモノリ
シックに半導体基板上に形成する光ICは、光通信、光
情報処理等の分野で出現の待たれている光デバイスであ
る。
シックに半導体基板上に形成する光ICは、光通信、光
情報処理等の分野で出現の待たれている光デバイスであ
る。
光ICを構成する機能素子には、波長多重通信に重要な
コンポーネントとなる波長分波合波素子、分布帰還型レ
ーザ、偏向ミラー等がある。これら機能素子を製作する
ためには、導波路形の回折格子は、特に重要な基本的要
素となる。
コンポーネントとなる波長分波合波素子、分布帰還型レ
ーザ、偏向ミラー等がある。これら機能素子を製作する
ためには、導波路形の回折格子は、特に重要な基本的要
素となる。
半導体基板上の所望の場所に、所望の周期の、所望の大
きさの回折格子を製作する技術の開発は、光ICを実現
するためには不可欠である。
きさの回折格子を製作する技術の開発は、光ICを実現
するためには不可欠である。
現在、導波路形の回折格子は、二光束干渉法又は電子ビ
ーム露光法等の方法で作製されている。
ーム露光法等の方法で作製されている。
(つ)電子線ビーム露光法
細い電子線ビームを、集積回路を作製すべき半導体基板
上のフォトレジスト又は酸化膜に照射して回折格子やそ
の他の素子を作製するものである。
上のフォトレジスト又は酸化膜に照射して回折格子やそ
の他の素子を作製するものである。
電子線ビームの走査は、電子計算機によってあらかじめ
プログラムされたパターンに従ってなされることができ
る。
プログラムされたパターンに従ってなされることができ
る。
電子ビームによって、所望の場所に、所望の寸法の回折
格子を作製することができる。しかし、電子ビームの直
径は有限で、ある程度(例えば0.1μmφ)以下に絞
ることができない。このだめ、電子ビームM光によって
、光ICの回折格子に要求される微細周期のパターンを
描くことは難しい。
格子を作製することができる。しかし、電子ビームの直
径は有限で、ある程度(例えば0.1μmφ)以下に絞
ることができない。このだめ、電子ビームM光によって
、光ICの回折格子に要求される微細周期のパターンを
描くことは難しい。
現在、電子ビーム露光によって製作できる回折格子の格
子周期の下限は0.5μmである。
子周期の下限は0.5μmである。
光IC用回折格子に必要な微細構造を得ることができな
い。
い。
に)二光束干渉露光法
第1図は二光束干渉露光法の概略を示す光学系構成図で
るる。
るる。
半導体基板1には、予めフォトレジスト2を(或は酸化
膜)コーティングしである。
膜)コーティングしである。
レーザ3は例えばHe −Cd v−ザで、4416
Aの波長のコヒー1.・シト光を生ずる。シャッタ4を
通シ、ミラー5で反射されたレーザ光は、ビームスプリ
ッタ6で2光束に分けられる。それぞれは、ビームエク
ヌパンダ7.7によって、拡径される。
Aの波長のコヒー1.・シト光を生ずる。シャッタ4を
通シ、ミラー5で反射されたレーザ光は、ビームスプリ
ッタ6で2光束に分けられる。それぞれは、ビームエク
ヌパンダ7.7によって、拡径される。
拡径された平面波に近いレーザ光は、ミラー8.8によ
って反射され、基板1に対し、反対側から、等しい入射
角θをなして、入射する。
って反射され、基板1に対し、反対側から、等しい入射
角θをなして、入射する。
二元束はコヒーレント光を分けたものであるから、入射
方向と直角な方向に干渉縞を作る。この干渉縞がフォト
レジスト2に露光記録される。フォトレジストを現像し
、基板1をエツチングする事によって、基板上に周期的
な凹凸条を形成する。
方向と直角な方向に干渉縞を作る。この干渉縞がフォト
レジスト2に露光記録される。フォトレジストを現像し
、基板1をエツチングする事によって、基板上に周期的
な凹凸条を形成する。
二光束干渉露光法に於て、干渉縞の周期dは、λ
で表わされる。ここで、スはレーザ光の波長、nはレジ
ストの面する媒質の屈折率、θはレーザ光の基板への入
射角である。
ストの面する媒質の屈折率、θはレーザ光の基板への入
射角である。
二光束干渉露光法は、波長の短い可視光レーザ(He−
Cdレーザ等)を使えば、十分に周期の小さい回折格子
を露光することができる。可視光、近赤外光による光通
信に必要なサブミクロン周期(0,2μm程度)の回折
格子を得ることは可能である。
Cdレーザ等)を使えば、十分に周期の小さい回折格子
を露光することができる。可視光、近赤外光による光通
信に必要なサブミクロン周期(0,2μm程度)の回折
格子を得ることは可能である。
しかし、拡径した二元束を干渉させるから、回折格子を
形成する領域を局所的に制限する事は難しい。
形成する領域を局所的に制限する事は難しい。
任意の場所に、任意の形状、寸法の回折格子を作ること
が必要である。このため、第2図に示すように、スリッ
ト、マスク9をフォトレジスト2の上に重ねて、局所的
に露光する方法が試みられている。
が必要である。このため、第2図に示すように、スリッ
ト、マスク9をフォトレジスト2の上に重ねて、局所的
に露光する方法が試みられている。
しかし、スリット、ガラスマスク等には厚みがある。開
口部又は透明部を通して、二元束が、レジスト2に入射
するが、開口部、透明部のエツジでレーザ光が回折する
。仁の回折によって、エツジ近傍では、レーザ光が整っ
た平面波ではなくなシ、干渉縞のパターンが乱れる。こ
のだめ、良好な回折格子パターンが得られない。
口部又は透明部を通して、二元束が、レジスト2に入射
するが、開口部、透明部のエツジでレーザ光が回折する
。仁の回折によって、エツジ近傍では、レーザ光が整っ
た平面波ではなくなシ、干渉縞のパターンが乱れる。こ
のだめ、良好な回折格子パターンが得られない。
このような難点があった。
本発明は、このような欠点を解決した、局所的な回折格
子作製方法を与える。
子作製方法を与える。
け)薄膜による回折格子作製法
本発明を薄膜としてフォトレジストを使用した場合を例
にとって説明する。
にとって説明する。
第3図は、相異る性質を有する2種類のフォトレジスト
を用いた回折格子作製法の工程図を示す。
を用いた回折格子作製法の工程図を示す。
基板1に、第1フオトレジスト10を塗布し、二元束干
渉露光し、現像して、回折格子のパターンを作製する。
渉露光し、現像して、回折格子のパターンを作製する。
第8図(1)は、これを示す。
次に、回折格子パターン上に、第2フオトレジスト11
を塗布する。第2フオトレジスト11は、第1フオトレ
ジストと硬化特性が異なる。たとえば、第1フオトレジ
スト10がポジ型フォトレジストでめるとすれば、第2
フオトレジスト11はネガ型フォトレジストとする。逆
に、第1フォトレジスト10がネガ型であれば、第2フ
ォトレシヌト11はポジ型である。
を塗布する。第2フオトレジスト11は、第1フオトレ
ジストと硬化特性が異なる。たとえば、第1フオトレジ
スト10がポジ型フォトレジストでめるとすれば、第2
フオトレジスト11はネガ型フォトレジストとする。逆
に、第1フォトレジスト10がネガ型であれば、第2フ
ォトレシヌト11はポジ型である。
次に第8図(8)に示すように、マスク12を、基板1
、フォトレジスト10、’IIに密着させて、基板に直
角方向の光を照射し、露光する。この段階に於ける露光
は、回折格子を作製すべき場所の第2フオトレジスト1
1のみを除去し、他の部分(7)第27オ)レジスト1
1を残すだめのものである。
、フォトレジスト10、’IIに密着させて、基板に直
角方向の光を照射し、露光する。この段階に於ける露光
は、回折格子を作製すべき場所の第2フオトレジスト1
1のみを除去し、他の部分(7)第27オ)レジスト1
1を残すだめのものである。
第2フオトレジヌト11がネガ型フォトレジストである
場合、マスク12はネガマスクを使用する。つまり、回
折格子を作製すべき場所に対応するマスクの部分は遮光
部13に、その他の部分は透明部14になっている。
場合、マスク12はネガマスクを使用する。つまり、回
折格子を作製すべき場所に対応するマスクの部分は遮光
部13に、その他の部分は透明部14になっている。
この露光によって、透明部14の直下の部分の第2フオ
トレジストは硬化する。辷光部13の下の第1フオトレ
ジストはポジ型フォトレジストであるが、この露光に於
ては光照射を受けないので、回折格子パターンが消去さ
れるという事がない。
トレジストは硬化する。辷光部13の下の第1フオトレ
ジストはポジ型フォトレジストであるが、この露光に於
ては光照射を受けないので、回折格子パターンが消去さ
れるという事がない。
第3図(4)に示すようにこれを現像すると、回折格子
を作製すべき部分に窓が開く。窓開き部Aには第1フオ
トレジストの回折格子ノぐターンが鱈出する。その他の
部分は第2フオトレジスト11で覆われた被覆部Bとな
る。
を作製すべき部分に窓が開く。窓開き部Aには第1フオ
トレジストの回折格子ノぐターンが鱈出する。その他の
部分は第2フオトレジスト11で覆われた被覆部Bとな
る。
これをエツチングすると、第3図(5)に示すように、
窓開き部Aの基板が回折格子/<ターンどおシにエツチ
ングされる。
窓開き部Aの基板が回折格子/<ターンどおシにエツチ
ングされる。
最後に、フオトレジス)10.11を剥離すると、所望
の場所に回折格子15が残る。
の場所に回折格子15が残る。
以上の説明は、第1フオトレジストがポジ型、第2フオ
トレジストがネガ型の場合であるが、逆の場合でも、同
様にして、回折格子を作製することができる。この場合
、マスクは遮光、透明部の反対になったポジ型マスクを
使用する。
トレジストがネガ型の場合であるが、逆の場合でも、同
様にして、回折格子を作製することができる。この場合
、マスクは遮光、透明部の反対になったポジ型マスクを
使用する。
同一基板上の複数の領域に同じ周期、同一方向の回折格
子を作製するのは、以上の工程を1口実行しただけでで
きる。
子を作製するのは、以上の工程を1口実行しただけでで
きる。
複数の領域に、異なる周期、異なる方向の回折格子を設
けるには、同様の工程を何回も繰返すことによってなさ
れる。
けるには、同様の工程を何回も繰返すことによってなさ
れる。
また、この発明を、相異なる性質のレジスト薄膜を使用
した場合を例にとって説明したが、この発明は他の薄膜
を使用することによっても実現できる。ただしその場合
、薄膜形成の時点で、第1フオトレジストの回折格子パ
ターンが熱変形を起さない様な低温プロセスである必要
がある。真空蒸着による金属膜等使用することができる
。その場合、金属膜に窓あけを実施するためには、通常
のフォトエツチングプロ士スを行えばよい。
した場合を例にとって説明したが、この発明は他の薄膜
を使用することによっても実現できる。ただしその場合
、薄膜形成の時点で、第1フオトレジストの回折格子パ
ターンが熱変形を起さない様な低温プロセスである必要
がある。真空蒸着による金属膜等使用することができる
。その場合、金属膜に窓あけを実施するためには、通常
のフォトエツチングプロ士スを行えばよい。
Q)本発明の効果
(1)光ICに使用する回折格子を、基板上の所望の領
域に、所望の大きさで形成できる。
域に、所望の大きさで形成できる。
製作したフォトレジストパターン上へ、別種のフォトレ
ジストによシバターニングし限られた区域にのみ回折格
子を作製できるからである。
ジストによシバターニングし限られた区域にのみ回折格
子を作製できるからである。
(II) 同一基板上の数ケ所に、それぞれ異る周期
、異なる方向を持つ回折格子を作製することができる。
、異なる方向を持つ回折格子を作製することができる。
本発明は、領域を限定し、局所的に任意の周期、任意の
方向の回折格子を作製できるので、これを繰返すことに
よっていかなる周期、方向の回折格子をも多数製作でき
る。
方向の回折格子を作製できるので、これを繰返すことに
よっていかなる周期、方向の回折格子をも多数製作でき
る。
((1) この発明の用途
この発明は、光集積回路、光回路、分布帰還型半導体レ
ーザ、光分波器、光合波器などに応用することができる
。
ーザ、光分波器、光合波器などに応用することができる
。
第1図は二元束干渉露光法の光学系構成図。
第2図はスリット、ガラヌマヌクによって露光領域を限
定した例を示す断面図。 第8図は相反する性質の2種類のフォトレジストを用い
る本発明の回折格子枠製法の工程図。(1)は基板上に
、二元束干渉露光によシ回折格子のレジストパターンを
作製する工程、(2)は第2フオトレジストを塗布した
工程、(3)はマスクを通して減光した工程、(4)は
現像工程、(5)はエツチング工程、(6)は剥離工程
を示す。 1 ・・・・・・・・・ 基 板2
・・・・・・・・・ フォトレジスト3 ・・・
・・・・・・ し − ザ4 ・
・・・・・・・・ シ ャ ッ タ5
・・・ ・・・ ・・・ ミ
ラ −6・・・・・・・・・
ビームスプリッタ1 ・・・・・・・・・ ビー
ムエクスパンダ8・・・・・・・・・ミラー 9 ・・・・・・・・・ スリット、ガラスマスク
10 ・・・・・・・・・ 第1フオトレジスト11
・・・・・・・・・ 第2フオトレジスト12 ・
・・・・・・・・ マ ス り13 ・
・・・・・・・・ 遮 光 部14 ・・・
・・・・・・ 透 明 部15 ・・・・・
・・・・ 回 折 格 子A ・・・・・・
・・・ 窓 開 き 部B ・・・・・・・
・・ 被 覆 部発 明 者
岡 本 賢 川西 脇 由 和 松 岡 春 治 西 浦 洋 三 第1図 第2図
定した例を示す断面図。 第8図は相反する性質の2種類のフォトレジストを用い
る本発明の回折格子枠製法の工程図。(1)は基板上に
、二元束干渉露光によシ回折格子のレジストパターンを
作製する工程、(2)は第2フオトレジストを塗布した
工程、(3)はマスクを通して減光した工程、(4)は
現像工程、(5)はエツチング工程、(6)は剥離工程
を示す。 1 ・・・・・・・・・ 基 板2
・・・・・・・・・ フォトレジスト3 ・・・
・・・・・・ し − ザ4 ・
・・・・・・・・ シ ャ ッ タ5
・・・ ・・・ ・・・ ミ
ラ −6・・・・・・・・・
ビームスプリッタ1 ・・・・・・・・・ ビー
ムエクスパンダ8・・・・・・・・・ミラー 9 ・・・・・・・・・ スリット、ガラスマスク
10 ・・・・・・・・・ 第1フオトレジスト11
・・・・・・・・・ 第2フオトレジスト12 ・
・・・・・・・・ マ ス り13 ・
・・・・・・・・ 遮 光 部14 ・・・
・・・・・・ 透 明 部15 ・・・・・
・・・・ 回 折 格 子A ・・・・・・
・・・ 窓 開 き 部B ・・・・・・・
・・ 被 覆 部発 明 者
岡 本 賢 川西 脇 由 和 松 岡 春 治 西 浦 洋 三 第1図 第2図
Claims (1)
- (1) コヒーレントな光源と、光源からの出射光を
三光束に分割するビームスプリッタと、光束を拡径する
コリメート系と、三光束を基板上で干渉せしめるための
ミラーとからなる三光束干渉露光装置にょシ、フォトレ
ジストを塗布した基板を露光し、現像し、エツチングす
る工程によシ、回折格子を作製する方法に於て、基板上
に第1フオトレジストを塗布し、三光束干渉露光し、現
像して、回折格子パターンを作製し、第1フオトレジヌ
ト上に薄膜をコーティングし、回折格子を作製すべき場
所以外を残す様に窓開はエツチングし、さらに基板を第
1フオトレジストの回折格子パターンをマスクとして、
基板をエツチングすることによシ、基板上の限られた場
所にのみ、回折格子を作製することを%−徴とする光集
積回路作製法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19415082A JPS5983111A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光集積回路作製法 |
US06/548,591 US4517280A (en) | 1982-11-04 | 1983-11-03 | Process for fabricating integrated optics |
EP83110986A EP0110184B1 (en) | 1982-11-04 | 1983-11-03 | Process for fabricating integrated optics |
DE8383110986T DE3370078D1 (en) | 1982-11-04 | 1983-11-03 | Process for fabricating integrated optics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19415082A JPS5983111A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光集積回路作製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5983111A true JPS5983111A (ja) | 1984-05-14 |
JPH0524481B2 JPH0524481B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=16319744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19415082A Granted JPS5983111A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 光集積回路作製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5983111A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007508717A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | インテル コーポレイション | トレンチを有する複合的パターニング方法及びその装置 |
JP2007510289A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-19 | インテル コーポレイション | パターニングされた素子の繰り返しアレイに不規則性を導入する多段階処理 |
JP2009044158A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノパターン形成装置及びこれを用いたナノパターン形成方法 |
US8053146B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-11-08 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body including a diffractive relief structure and method for producing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53124457A (en) * | 1977-04-06 | 1978-10-30 | Toshiba Corp | Light amprification circuit |
JPS5434253A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of manufacturing diffraction grating |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19415082A patent/JPS5983111A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53124457A (en) * | 1977-04-06 | 1978-10-30 | Toshiba Corp | Light amprification circuit |
JPS5434253A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of manufacturing diffraction grating |
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JP2007508717A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | インテル コーポレイション | トレンチを有する複合的パターニング方法及びその装置 |
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KR100906788B1 (ko) * | 2003-10-17 | 2009-07-09 | 인텔 코포레이션 | 복합 프린팅 방법, 장치 및 시스템 |
US8053146B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-11-08 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body including a diffractive relief structure and method for producing the same |
US8450029B2 (en) | 2005-02-10 | 2013-05-28 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body and process for the production of a multi-layer body |
JP2009044158A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノパターン形成装置及びこれを用いたナノパターン形成方法 |
US8198609B2 (en) | 2007-08-09 | 2012-06-12 | Samsung Led Co., Ltd | Apparatus for forming nano pattern and method for forming the nano pattern using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0524481B2 (ja) | 1993-04-08 |
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