JPS5980442A - 大分子結合用の化学的変成表面 - Google Patents

大分子結合用の化学的変成表面

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JPS5980442A
JPS5980442A JP12227383A JP12227383A JPS5980442A JP S5980442 A JPS5980442 A JP S5980442A JP 12227383 A JP12227383 A JP 12227383A JP 12227383 A JP12227383 A JP 12227383A JP S5980442 A JPS5980442 A JP S5980442A
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JP12227383A
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テリ−・エス・ダン
ジヨエル・エル・ウイリアムズ
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Becton Dickinson and Co
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Becton Dickinson and Co
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    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
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    • B05D3/141—Plasma treatment
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N11/00—Carrier-bound or immobilised enzymes; Carrier-bound or immobilised microbial cells; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
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    • G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
    • G01N33/543—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor with an insoluble carrier for immobilising immunochemicals
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的には基体表面への大分子の結合に影響を
及ぼすための方法と物品に関するもの、である。さらに
具体的には、本発明はプロティンのような利用可能官能
基を有する大分子の配向および結合に影響を及ぼす化学
的変性表面を基体表面へ提供するように、有機および無
機基体の表面を変性することに関するものである。
ポリマー表面への大分子の配向および結合はその大分子
と接する基体の表面化学を変えることによって選択的に
制御できることがここに示されている。
本発明の一つの好ましい具体化においては、基（８） 体の表面化学性はそれを適当な物質のプラズマに曝すこ
とによって変成される。基体を各種目的達成のために各
種のタイプのプラズマに曝すことは知られている。例え
ばティーガル　コーポレーションの小冊子、ＣＰｌ、２
８７、は電子部品の乾式不純分除去、清浄化および蝕刻
；光学的表面の清浄化；結合性、湿潤性および化学的抵
抗性をもつ表面の作製；フィルム沈着物と接着性改善の
ための基体の乾式浄化；にプラズマが使用できることを
示している。しかし、大分子の結合および配向がその分
子が結合される基体の表面の化学的変性によって影響を
受は得ることは知られていない。
大分子の結合を制御する（この種の結合を増進または妨
害する）能力が重要であることは自明である。結合の配
向を制御することができることの重要さは抗体のような
具体的大分子を引用して描くことができる。Ｙ（Ｆａｈ
）の二つの短かい腕は抗原を認識し得る免疫学的活性部
位を含んでいる。
ある免疫学的検定にとっては、抗体をある基体へ結合さ
せることが望ましい。このような結合は主としてＹ（Ｆ
Ｃ）抗体立体配置の長い腕の結合によっておこってその
抗体の免疫的活性を保持せねばならない。
ときには基体へ結合される利用性能官能基をもちその場
合に結合と配向の制御が重要である大分子の他の例は、
カラム水簸（ｅｌｕｔｒｉａｔｉｏｎ）による他プロテ
ィン類精製用のカラムへ結合したプロティＸ生物学的活
性様式にある酵素固定化、および生物学的処理のための
ホルモンの結合、を含む。
従って、本発明の一つの主目的は利用可能官能基をもつ
大分子を表面へ結合／または配向させる作用をする化学
的特定表面を提供することである。
本発明のもう一つの目的は基体への大分子の結合および
／または配向に影響を及ぼす化学的変性表面をもつ基体
を提供することである。
本発明のさらにもう一つの目的は基体表面上での抗体の
結合および配向を制御する化学的変性表面を基体へ提供
することである。
本発明のさらにもう一つの目的は利用可能官能基をもつ
生物学的活性大分子の物品表面上での結合および／また
は配向を制御するための方法と物品を提供することであ
る。
本発明のこれらの目的およびその他の目的は添付図面か
らさらに明らかになるであろう。
第１図は本発明実施において用いることができる一つの
装置の模型的線図である。
第２図は第１図の装置に描かれている試料支持器の透視
図である。
第３図は抗体の模型的表現である。
第４図から第６図は各種の未処理基体と本発明に従って
処理した基体との結合および配向特性のプロットである
。
一般的にいえば、生物学的活性大分子の結合および／ま
たは配向はその大分子と接触している基体表面の表面化
学性を変えることによって調節できることが発見された
のである。重合体表面の表面化学性は選択され篩モポｌ
Ｊ亡、共重合、表面グラフト化Ｆよび化学的変性、を用
いることにより、並びに、表面のプラズマ処理によって
、変えることができる。特に、プラズマ変性法は特定の
化学官能基、兄素比、および他の表面性質を付与するの
に使用してよい。本発明によれば、重合体表面はプラズ
マ変性技法によってつくられ、それによっである範囲の
表面化学性と表面性質が生じた。
この変性された重合体表面は生物学的活性大分子の溶液
へ露出され、次いで、大分子の結合および配向が表面化
学に高度に依存することを示すために試験された。
ここで使用する場合、用語「大分子」は約１０００．９
／分子より大きい分子量をもつすべての有機分子または
無機分子を意味する。用語「利用し得る官能基」とは基
体への結合に利用できる大分子中に含まれる化学的活性
官能基を意味する。好適な官能基はいくつかを挙げれば
、アミン、カルボキシル、スルフヒト９リル、ヒト８０
キシル、サルフェート、アルキルハライド８を含む。用
語［生化学的活性大分子］とは生化学的活性をもつアミ
ノ酸含有分子（普通にはプロティン）を意味する。
好適な物質のプラズマは、重合体物質、ガラスおよび金
属を含めた有機および無機質の基体の表面層を厚さに関
係なくかつ基体組成に無関係に変性して、基体表面上に
特定的化学官能基を提供するように使用してよい。ガラ
スおよび金属の場合には、その無機質基体上に有機質層
を提供するために例えばメタンのような炭素源を含める
ことが望ましい。このようなプラズマ法は所望の最終目
標が細胞生長を増進することであっても遅らせるもので
あっても、伺らから細胞生長を表面へ付与するのに適し
ている。基体表面は適当な物質のプラズマあるいは適当
な物質のプラズマの選択成分で以て表面へ特定の化学的
官能基をクラフト化することによって不可逆的に変性さ
れる。適当な物質は、限定するものではないが、炭素、
窒素、ノ・ロゲン、硫黄、燐、それらの混合物、および
、それらの化合物を含む。本発明によって変性される表
面は基体表面へグラフト化された特定の化学的官能基を
もち、組織培養生長用あるいは生長抑制用に適した表面
化学性質を提供する。
本発明の別の具体化においては、基体表面の変性方法が
提供されるのであり、特定的にいえば、基体を反応帯内
部に推備し； その反応帯中で適当な物質のプラズマを提供し、その反
応帯は中性物質、その物質の正イオン、その物質の負イ
オン、電子および光子を含み；そのプラズマの諸成分の
少くとも一つが反応帯中で基体表面と接触することを妨
げ； 反応帯中のプラズマ諸成分の残りと基体表面を接触させ
；そして、 基体表面上にその物質の特定的官能基を形成させる； ことから成る、特定的化学種による処理によって有機重
合体物質を変性する方法が提供されている。
本発明のこの具体化は、基体と接触するプラズマの選ば
れた反応性種の利用は特定的化学官能基を提供するのに
用いることができ、その官能基が大分子の結合および／
または配向に影響を及ぼすよう作用するという発見に基
づいている。
ここに図を参照して、本発明の他の特徴および利点を説
明する。
第１図に示すように、第一ガスと第二ガスをどちらかあ
るいは−緒に真空室１７へ送るために第一ガス貯槽１１
、第二ガス貯槽１３が導管手段１５と一緒に設備されて
いる。流量計１９と２１がガス流速を計量するために備
えられ、真空計２６は真空室１７内部に圧力検定のため
に備えられている。パルプ２５．２７、および２９は第
一ガス貯槽１１、第二ガス貯槽１５の中のガスおよび真
空室１７に入るガスの流速を制御するために備えられて
いる。使用に先立ち、真空室１７を真空ポンプ６６へパ
ルプ３１を開くことによって脱気する。
適当な電極６５と３７を適当な電圧源６９へ連ぐ。
この反応系はまたトラップ４１、排気導管４６、および
そのパルプ４５を含んでいる。
第２図において最もよくわかるように、本発明によって
処理されるべき基体４７は試料支持器５５の中に入れ真
空室１７内部に置く。試料支持器はグリッド′″１、グ
リッド″２、およびグリッド″′６、の記号の三つのグ
リッド８のグリッドゝ集合体を含んでいる。電気的にバ
イアスをかけることができるコレクター４９を試料のグ
リッド系と別の側に置く。
試料をグリッド３とコレクターとの間の位置に適当な保
持器５１によって保持する。
操作に当っては、電極３５と６７の間に発生させたプラ
ズマの選択的成分を反発させるために、三つのグリッド
のいずれかまたはコレクターに正または負の電荷で以て
バイアスをかけることができ、あるいはいずれにもかけ
ないことができる。
試料支持器中の基体は次に反発されないプラズマの成分
と反応させられる。
本発明は天然ポリマーおよび合成の付加ポリマーおよび
縮合ポリマーを含めた固体重合体物質の表面を変えるの
に用いることができる。このような重合体物質は、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレンおよびエ
チレン−アルファーオレフィンコポリマーのようなポリ
オレフィン類；ポリアクリレート、ポリエチレンメタク
リレート、ポリエチルアクリレート、のようなアクリル
ポリマー類およびコポリマー類；ポリ塩化ビニルのよう
なハロゲン化ビニルポリマー類およびコポリマー類；ポ
リビニルメチルエーテルのようなポリビニルエーテル類
；ポリ沸化ビニリデンおよびポリ塩化ビニリデンのよう
なポリハロゲン化ビニリデン類；ポリアクリロニトリル
；ポリビニルケトン類；ポリビニルアミン類；ポリスチ
レンのようナポリビニル芳香族類；ポリビニルアセテー
トのようなポリビニルエステル類；エチレンーメチルメ
タクＩＪＬ／−−）コポリマー、アクリロニトリル−ス
チレンコポリマー、ＡＢＳ、およびエチレン−ビニルア
セテートコポリマーのようなビニルモノマーとオレフィ
ン類とのコポリマー類；フタジエン−スチレンコポリマ
ー、ポリイソプレン、合成ポリイソプレン、ポリブタジ
ェン、ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、ポリ
クロロプレンゴム、ポリイソブチレンゴム、エチレン−
プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、
インブチレン−イソプレンコポリマー、およびポリウレ
タンゴムのような天然および合成のゴム類；ナイロン６
６およびポリカプロラクタムのようなポリアミド８類；
ポリエチレンテレフタレート、アルキッド樹脂のような
ポリエステル類；フェノールホルムアルデヒド樹脂類；
ポリカーボネート類：ポリオキシメチレン類；ポリイミ
ド類：ポリエーテル類；エポキシ樹脂類；ポリウレタン
類；羊毛；木Ｍ；　絹；レーヨン；レーヨントリアセテ
ート；セルローズ；セルローズアセテート；セルローズ
ブチレート；セルローズアセテートブチレート；セロフ
ァン；セルローズナイトレート；セルローズプロピオネ
ート；セルローズエーテル類；および、カルボキシメチ
ルセルローズ；を含む。
本発明に従って表面を変性することができる無機物質は
、黒鉛のような非金属；鉄、アルミニウム、錫、銅、お
よびニッケルのような金属；酸化マグネシウム、シリカ
、アルミナ、およびチタニアのような金属および他の元
素の酸化物；粘土、パイライト、およびアスベストのよ
うな鉱物；塩化ナトリウムおよび炭酸カルシウムのよう
な塩類；およびガラスおよび耐火物のような合成組成物
；を含む。
基体は、有機であっても無機であっても、いかなる形状
であってもよく、例えば連続的でも粒状でもよく、多孔
質でも非透過性でもよく、大きくても小さくてもよい。
本発明は結晶、粉末、板、細片、フィルム、シート、線
状物、繊維、織物、フィラメント、管状物、注型物、押
出物、圧縮成型物、などの表面を変えるために使用でき
る。
炭素、水素、酸素、窒素、硫黄、燐、ハロゲンの元素、
それらの混合物、およびそれらの化合物のプラズマが本
発明に従って基体表面を変性するのに有用である。
四つのタイプのプラズマを発生させることができ；これ
らは熱的プラズマ、放電プラズマ、ビームプラズマ（イ
オンビームおよび電子ビームのような）およびコロナ放
電のような混成プラズマである。本発明の方法において
使用に適するプラズマは放電プラズマ、ビームプラズマ
および混成プラズマである。適当なプラズマは約１．Ｏ
Ｗから約１０順の電力水準におけるＤＣ源またはマイク
ロ波領域の波長をもつＡＣ源の使用によって発生させる
ことができる。無線周波数（ｒ、ｆ、）源のような高周
波源に限定するものではないけれども、このタイプのプ
ラズマは、選択されたプラズマ種（ｓｐｅｃｉｓｓ）　
　の濃度が源の周波数、電力および系圧力によって制御
できるという点において、本発明の方法と物品にとって
特に有利である。ｒ、　ｆ。
プラズマが管材および他の閉鎖系のようなより複雑な物
品の形状の表面を均一に変性させるのに好適であること
も事実であり、これらに対してＤＣまたは低周波発生プ
ラズマは不満足である。
一般には、本発明での使用に適したｒ、ｆ、プラズマは
約０．１から約３００メガヘルツの周波数において約５
から約１０００ワツトのような絶縁破壊を開始させる電
力でｏ、ｏｏｉから１０トールの範囲の圧力において発
生される。物品は通常はｒ、ｆ。
プラズマへ約０．１秒から約１２０分の間曝され、もち
ろん、より長い時間もより短い時間も使用できる。プラ
ズマ処理に続いて、残留活性ポリマ一種と反応させるの
に適した雰囲気を、表面またはその近傍において、１ト
ールから７６０トールの範囲の圧力で１秒から４時間の
間提供するよう設計された急冷サイクルを行なうことが
できる。
ｒ、ｆ、プラズマは第１図に示すように二枚の平板の間
で発生させることができ、あるいは米国特許第４，１８
８，４２６号に示されるようにらせんコイルで以て発生
させることができる。
以下の実施例は本発明の各種の特長をさらに説明するが
しかし付属の特許請求の範囲に示されている本発明の領
域を制限するつもりのものではない。
実施例　１ 抗体と放射性同位元素標識技法を使用して抗原の小濃度
を検定することはよく知られている。この技法は一般に
はＲＩＡ　（ラヂオイムノアセイ）とよばれ、商業的に
広く使用されている。固相ＲＩＡとよばれるＲＩＡの一
つの特殊形はポリマーが抗体を結合させる能力に依存し
ている。抗原がこのポリマーに近接せしめられると、抗
原はこの結合抗体と反応する。既知量の標識化抗原を試
験管へ添加することによって一つの競争的検定を展開す
ることができる。しかし、この方法はポリマー表面に維
持される結合抗体の免疫学的活性に大いに依存するもの
である。
本発明においては、基体表面上での抗体結合の表面濃度
と抗体分子の配向との制御をプラズマ表面変性法によっ
て可能とさせる方法が開示されている。
ＩｇＧ抗体の化学的定義はＦｃフラグメントとＦａｂフ
ラグメントを別々に命名するように進展してきた。抗体
の免疫学的活性部位は第３図中に含まれる１ｇ０分子の
添付線図に描かれているようにＦａｈフラグメント中に
ある。ある抗体が一つの表面の上に被覆されている場合
には、そのＦａｂフラグメントは抗原を結合させるのに
近づき易いものでなげればならない。それ故、固体表面
へＩｇＧを結合させる好ましい配向はＦｃフラグメント
が表面へ結合し二つのＦａｂフラグメントが結合し易い
状態で残ることである。
ポリスチレン成型細片を第１図の装置の真空室の中に置
く。真空室１７を次に５０μへ２０分間脱気し、次いで
Ｓ０２で以て１０分間２００μまで充ｌした。１０メガ
ヘルツのｒ、ｆ、プラズマを５分間４５ワツトの電力で
以て操作した。真空室１７ヲＳ０２の２００μにおいて
２分間保ち、５０μへ２分間脱気し、次いで大気圧下の
空気へ曝した。
このポリスチレン細片の表面の相対的ゼータ−ポテンシ
ャルは−１９，４ｍＶであることが測定された。ウイル
ヘルミー平板接触角によって測定した表面張力は７２°
±６０であることが測定された。
変性表面への抗体の結合を測定するために、精製した（
硫酸アンモニウム分画法）兎ＩｇＧに　　工で以て放射
性同位元素標識を付与した。ＩｇＧ結合量をイオン強度
０．１５７５Ｍの燐酸塩緩衝食塩水中の１０μ９／ｍ１
４ＩｇＧから成るコーティング溶液のｐＨの関数として
周辺温度において測定した。ポリスチレン細片の表面（
上述のプラズマ法によって処理されたものおよび処理さ
れていないも力の両者）を６０分間この溶液へ露出し、
遠心分離乾燥した。
標識化ＩｙＧの比活性度は２．２　Ｘ　１０３ＤＰＭ／
μｇであった。抗体結合実験の結果は第４α図に描かれ
ている。低ｐＨにおいては抗体結合量は５０％増加した
。
Ｔ４　　に対する免疫学的活性を測定するために、アフ
イニイテイ　カラム　クロマトグラフィによって精製し
たＴ４−抗血清の溶液へ表面を露出した。
使用したＴ４−抗血清溶液濃度はイオン強度０１５６Ｍ
の燐酸塩緩衝食塩水中で１００μｇ／ｍｌであった。
ポリスチレン細片の表面をこの抗血清溶液へ２Ｄ分間露
出して遠心分離乾燥を行なった。被覆された表面を次に
放射性同位元素標識をつけたＴ４溶液へ４５分間室温で
露出し、すすぎ水ですすぎを行なった。
Ｔ４測定の結果を第４ｈ図に示した。低ｐＨにおいては
プラズマ処理ポリスチレン細片へ結合した抗原の量は非
処理ポリスチレン細片に比べて５５％増加した。
実施例　２ ポリスチレン成型細片を真空室１７の中に入れ、７５μ
へ１０分間脱気し次にＮＨ３の１８０μの圧力へ２分間
の間上げた。１０メガメルツのｒ、ｆ、プラズマを５分
間３５ワツトの電力で操作した。室を次に大気圧下の空
気に曝した。測定した相対的ゼータ−ポテンシャルは＋
８．２ｍＶであった。ウイルヘルミー平板接触角は６０
°士２°であると測定された。この変性表面への抗体結
合を測定するために、精製した（硫酸アンモニウム分画
法）兎■ｇＧに１２５１で以て放射性同位元素の標識を
付与した。
ＩｙＧ結合量を周辺温度において、０．１５６Ｍのイオ
ン強度をもつ燐酸塩緩衝食塩水中の１０μｇ／ｍｌから
成るコーティング溶液の７）Ｈの関数として測定した。
処理および非処理のポリスチレ〉・細片の表面をこの溶
液へ６０分間露出し遠心分離乾燥を行なった。標識化■
ｇＧの比活性度は２．２　Ｘ　１０”ＤＰＭ　／μｇで
あった。抗体結合実験の結果は第５α図に描かれている
。あるｐＨにおける抗体結合量の最大増加は２５％であ
る。
Ｔ４に対する免疫活性の測定のために、表面をアフイニ
イテイ　カラム　クロマトグラフィによって精製したＴ
４−抗血清溶液へ露出した。使用したＴ４−抗血清溶液
濃度は０．５６　Ｍのイオン強度の燐酸塩緩衝食塩水中
で１００μｇ／ｍｌであった。ポリスチレン細片の表面
をこの抗血清溶液へ２０分間露出し、遠心分離乾燥を行
なった。被覆された表面を次に放射性同位元素標識をつ
けたＴ４　溶液へ４５分間室温で露出し、すすぎ水です
すぎを行なった。
Ｔ４検討の結果は第５ｈ図中に示されている。これらの
データーから、たとえ抗体結合の増加が測定されたとし
ても、プラズマ処理ポリスチレン細片への結合Ｔ４の著
しい減少があることは明らかである。このデーターはＦ
ａｂ部位が少ししか露出されていないことを示し、■ｇ
Ｇ　ｔｒ＞配向が表面処理によって著しく影響を受けた
ことを描いている。
実施例　６ ホＩＪスチレン成型細片を真空室１７の中に入れ、７５
μへ１０分間脱気し、次いでＮＨ３の１８０μの圧力へ
２分間上げた。１０メガヘルツのｒ、ｆ、プラズマを５
分間６５ワツトの電力で操作した。室を次にＣＯ２の７
００トールの圧力まで２時間の急冷サイクルの間に上げ
た。プラズマ室を１トールまで脱気し次いで大気圧下の
空気へ開放した。この表面の相対的ゼータ−ポテンシャ
ルは＋６１．３ｍＶと測定された。ウイルヘルミー平板
接触角は６４°±３°であると測定された。
肇性表面へ結合する抗体を測定するために、精製した（
硫酸アンモニウム分画法）兎ＩｙＧに１２５Ｉで以て放
射性同位元素の標をつげた。ＩｇＧ結合量を周辺温度に
おいて、０．１５６Ｍのイオン強度の燐酸塩緩衝食塩水
中の１０μｇ／ｍｌ　Ｉ％から成るコーティング溶液の
ｐＨの関数として測定した。処理および非処理のポリス
チレン細片をこの溶液へ６０分間露出し遠心分離乾燥を
行なった。標識化ＩｙＧの比活性度は２．２　Ｘ　１０
３　ＤＰＭ／μｇであった。抗体結合実験の結果を第６
α図に描く。あるｐＨにおいて表面へ結合した工ｇＧの
最大増加は２０％である。
Ｔ４に対する免疫活性の測定のために、表面をアフイニ
イテイ　カラム　クロマトグラフィによって精製したＴ
４−抗血清溶液へ露出した。使用したＴ４−抗血清溶液
濃度は、０．１５６Ｍのイオン強度の燐酸塩緩衝食塩水
中の１００μｓ／−であった。
ポリスチレン細片の表面をこの抗血清溶液へ２０分間露
出し、遠心分離乾燥を行なった。破覆された表面を放射
性同位元素で標識化したＴ４溶液へ４５分間露出し、す
すぎ水で以てすすぎを行なった。
Ｔ４検討の結果を第６ｈ図に示す。これらのデーターか
も、たとえＩｇＧ抗体結合の増加が測定されたとしても
、プラズマ処理ポリスチレン細片へ結合したＴ４の著し
い減少があることが明らかである。このデーターはさら
に、■ｇＧ抗体分子の配向が表面処理によって著しく影
響されたことを実証している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施において用いることができる一つの
装置の模型的線図であり、 第２図は第１図の装置において描かれている試料支持器
の透視図であり、 第６図は一つの抗体の模型的表現であり、第４図から第
６図は各種の非処理基体と本発明に従って処理された基
体との結合および配向特性のプロットである。 １１：第一ガス貯槽　１６：第二ガス貯槽１５：導管手
段　１７；真空室　１９．２１：流量計　２５．２７．
２９：パルプ　６６：真空ポンプ　３５：電極　６７：
電極　３９：電圧源４１ニドラツプ　４３：排気導管　
４５：ノ扱ブ４７：基体　４９：コレクター　５５：試
料支持器 特許出願人　　ベクトン・デイツキンソン・アント９・
カンノミニー （外４名） 図面の浄書（内容に安定なし） 秦１図 手続補正書 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１〕ル、／、）号 （昭和５８年７月５日提出の特許願） ２、発明の名称 大分子結合用の化学的変成表面 ６、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所 名　称　　ペクトン・デイッキンソン・アンド・カンパ
ニー ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕と〔発明の詳細な説明〕の
欄別紙の通り （別　紙） 土　特許請求の範囲を下記のように補正する。 「（１）炭素、水素、酸素、窒素、硫黄、燐、ハロゲン
およびそれらの化合物から成る群から選ばれる物質から
生成されるプラズマへ基体の表面を曝すことによって該
基体の表面化学性を変性することから成る、基体上での
大分子の結合および／または配向に影響を及ぼす方法。 伐）上記プラズマが約１から約３００メガヘルツの周波
数において、約５から約１０００ワツトの電力で、かつ
約０．００１から約１０）−ルの圧力において発生され
る放電プラズマである、特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 （３）上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から選
ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
法。 （４）上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物から選
ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
法。 （す （５）上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から選
ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
法。 （６）上記プラズマ物質が燐および燐化合物から選ばれ
る、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方法。 （７）上記プラズマ物質がハロゲンおよびノーロゲン化
合物から選ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項
に記載の方法。 （８）上記プラズマ物質が炭素および炭素化合物から選
ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
法。 （９）上記プラズマ物質が水素および水素化合物から選
ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
法。 （１０）上記大分子がプロティンである、特許請求の範
囲第１項に記載の方法。 （１１）上記大分子が抗体である、特許請求の範囲第１
項に記載の方法。 （１２）上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第１
項に記載の方法。 （１３）重合体物品の表面を炭素、水素、酸素、窒素、
硫黄、燐、ハロゲンおよびそれらの化合物から選ばれる
物質から生成されるプラズマへ曝すことによって表面化
学性が変成されている重合体物品から成る、その重合体
物品上ヱ〃大分子の結合および／または配向に影響を及
ぼすのに適した物品。 （１４）プラズマが約１から約３００メガヘルツの周波
数において、約５から約１０００ワツトの電力で、約０
．００１から約１０トールの圧力において発生される放
電プラズマである、特許請求の範囲第１３項に記載の物
品。 （１５）上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記
載の物品。 （１６）上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記
載の物品。 （１７）上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記
載の物品。 （１８）上記プラズマ物質が燐および燐化合物から選ば
れる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記載の
物品、 （１９）上記プラズマ物質がハロゲンおよびハロゲン化
合物から選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１
４項に記載の物品。 （２０）上記プラズマ物質が炭素および炭素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記
載の物品。 （２１）上記プラズマ物質が水素および水素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記
載の物品。 （２２）上記大分子がプロティンである、特許請求の範
囲第１３項に記載の物品。 （２３）上記大分子が抗体である、特許請求の範囲第１
３項に記載の物品。 （２４）上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第１
３項に記載の物品。 （２５）無機物品の表面を炭素、水素、酸素、窒素、硫
黄、燐、ハロゲンおよびそれらの化合物から成る群から
選ばれる物質から生成されるプラズマへ曝すととによっ
て表面化学性が変性されている無機物品から成る、その
無機物品上での大分子の結合および／または配向に影響
を及ぼすのに適した物品。 （２６）プラズマが約１から約３００メガヘルツの周波
数において、約５から約１０００ワツトの電力で、約０
．００１から約１０トールの圧力において発生される放
電プラズマである、特許請求の範囲第２５項に記載の物
品。 （２７）上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 （２８）上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 （２９）上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から
選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 （３０）上記プラズマ物質が燐および燐化合物から選ば
れる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 （３１）上記プラズマ物質がノ・ロゲンおよびノ・ロゲ
ン化合物から選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載
の物品。 （３２）　（ａ）　　基体を反応帯内部に準備し、（ｂ
）上記反応帯へプラズマを提供するのに適した物質を導
入し、 （Ｃ）この物質をプラズマ生成条件に曝し、それによっ
てプラズマが中性物質、上記物質の正イオン、上記物質
の負イオン、電子および光子から成り立ち、 （ｄ）上記のプラズマ成分の少くとも一つが上記基体と
接触することを妨げ、 （ｅ）上記基体の表面を上記プラズマの上記成分の残り
と接触させ、 （ｆ）上記有機基体の表面上に上記物質の特定的官能基
を形成させる、 ことから成り立つ方法によって；上記基体の表面化学性
を変性することから成る、基体上での大分子の結合およ
び／または配向に影響を及ぼす方法。 （３３）上記プラズマが電気放電条件下で生成される、
特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 （３４）上記物質が酸素、窒素、ハロゲン、硫黄、それ
らの化合物、およびそれらの混合物から選ばれる、特許
請求の範囲第３２項および第３３項に記載の方法。 （３５）上記揮発化物質が酸素およびその化合物である
、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 （３６）上記揮発化物質が窒素およびその化合物である
、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 （３７）上記揮発化物質がハロゲンおよびその化合物で
ある、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 （３８）上記揮発化物質が硫黄および硫黄化合物である
、特許請求の範囲第３２項および第３３項に記載の方法
。 （３９）上記大分子がプロティンである、特許請求の範
囲第３２項に記載の方法。 （４０）上記大分子が抗体である、特許請求の範囲第３
２項に記載の方法。 （４１）上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第３
２項に記載の方法。」 ２、明細書第２５頁下から３行「０．５６Ｍ」とあるな
「０゜１５６Ｍ」に補正する。 （８） 手続補正書（方式） １、事件の表示 昭和３２年び４参１願第　７，２２２７３号ろ、補正を
する者 事件との関係　　出　願　人 住所 ！；降牝　　へ・クト、／、う７ツＡ７ン゛／・アン４
ご・４１、ヮＡ切ポアー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）炭素、水素、酸素、窒素、硫黄、燐、ハロゲンお
    よびそれらの化合物から成る群から選ばれる物質から生
    成されるプラズマへ基体の表面を曝すことによって該基
    体の表面化学性を変性することから成る、基体上での大
    分子の結合および／または配向に影響を及ぼす方法。 （２）上記プラズマが約１から約３００メガヘルツの周
    波数において、約５から約１０００ワツトの電力で、か
    つ約０．００１から約１０トールの圧力において発生さ
    れる放電プラズマである、特許請求の範囲第１項に記載
    の方法。 （３）上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から選
    ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
    法。 （４）上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物から選
    ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
    法。 （５）上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から選
    ばれる特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方法
    。 （６）上駅、プラズマ物質が燐および燐化合物から選ば
    れる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方法
    。 （７）上記プラズマ物質がハロゲンおよびハロゲン化合
    物から選ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に
    記載の方法。 （８）上記プラズマ物質が炭素および炭素化合物から選
    ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
    法。 （９）上記プラズマ物質が水素および水素化合物から選
    ばれる、特許請求の範囲第１項および第２項に記載の方
    法。 ａＩ　　上記大分子がプロティンである、特許請求の範
    囲第１項に記載の方法。 （Ｉυ　上記大分子が抗体である、特許請求の範囲第１
    項に記載の方法。 （１２）上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第１
    項に記載の方法。 （１３）重合体物品の表面を炭素、水素、酸素、窒素、
    値、黄、燐、ハロゲンおよびそれらの化合物から選ばれ
    る物質から生成されるプラズマへ曝すことによって表面
    化学性が変成されている重合体物品から成る、大分子の
    結合および／または配向に影響を及ぼすのに適した物品
    。 ０４）　　プラズマが約１から約３００メガヘルツの周
    波数において、約５から約１０００ワツトの電力で、約
    ０．００１から約１０トールの圧力において発生される
    放電プラズマである、特許請求の範囲第１６項に記載の
    物品。 （１５１上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から
    選ばれる、特許請求の範囲第１６項および第１４項に記
    載の物品。 （＋６）　　上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物
    から選ばれる、特許請求の範囲第１３項および第１４項
    に記載の物品。 ０７）上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から選
    ばれる、特許請求の範囲第１６項および第１４項に記載
    の物品。 （１８１上記プラズマ物質が燐および燐化合物から選ば
    れる、特許請求の範囲第１３項および第１４項に記載の
    物品。 Ｑｌ　　上記プラズマ物質がハロゲンおよびハロゲン化
    合物から選ばれる、特許請求の範囲第１６項および第１
    ４項に記載の物品。 （２Ｑ　　上記プラズマ物質が炭素および炭素化合物か
    ら選ばれる、特許請求の範囲第１６項および第１４項に
    記載の物品。 （２Ｉ）上記プラズマ物質が水素および水素化合物から
    選ばれる、特許請求の範囲第１６項および第１４項に記
    載の物品。 （２３上記大分子がプロティンである、特許請求　−の
    範囲第１３項に記載の物品。 （２３）上記大分子が抗体である、特許請求の範囲第１
    ６項に記載の物品。 （２４）上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第１
    ３項に記載の物品。 （２５）炭素、水素、酸素、窒素、硫黄、燐、ハロゲン
    およびそれらの化合物から成る群から選ばれる物質から
    生成されるプラズマへ曝すことによって表面化学性が変
    性されている無機物品から成る、大分子の結合および／
    または配向に影響を及ぼすのに適した物品。 （２０プラズマが約１から約６００メガヘルツの周波数
    において、約５から約１０００ワツトの電力で、約ｏ、
    ｏｏｉから約１０トールの圧力において発生される放電
    プラズマである、特許請求の範囲第２５項に記載の物品
    。 （２７）上記プラズマ物質が酸素および酸素化合物から
    選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 弼　上記プラズマ物質が窒素および窒素化合物から選ば
    れる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 Ｃ９上記プラズマ物質が硫黄および硫黄化合物から選ば
    れる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 ｌ３０）上記プラズマ物質が燐および燐化合物から選ば
    れる、特許請求の範囲第２５項に記載の物品。 （３υ　上記プラズマ物質がハロゲンおよびハロゲン化
    合物から選ばれる、特許請求の範囲第２５項に記載の物
    品。 （３２１（ａ）基体を反応帯内部に準備し、（ｂ）　　
    上記反応帯へプラズマを提供するのに適した物質を導入
    し、 （Ｃ）　　この物質をプラズマ生成条件に曝し、それに
    よってプラズマが中性物質、上記物質の正イオン、上記
    物質の負イオン、電子および光子から成り立ち、 （ｄ）　　上記のプラズマ成分の少くとも一つが上記基
    体と接触することを妨げ、 （ｅ）　　上記基体の表面を上記プラズマの上記成分の
    残りと接触させ、 （イ）上記有機基体の表面上に上記物質の特定的官能基
    を形成させる、 ことから成り立つ方法によって；上記基体の表面化学性
    を変性することから成る、基体上での大分子の結合およ
    び／または配向に影響を及ぼす方法。 （３□□□上記プラズマが電気放電条件下で生成される
    、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 （３４）　　上記物質が酸素、窒素、ハロゲン、硫黄、
    それらの化合物、およびそれらの混合物から選ばれる、
    特許請求の範囲第６２項および第３６項に記載の方法。 （３５１上記揮発化物質が酸素およびその化合物である
    、特許請求の範囲第６２項に記載の方法。 ０６１　　上記揮発化物質が窒素およびその化合物であ
    る、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 Ｃ３η　上記揮発化物質がハロゲンおよびその化合物で
    ある、特許請求の範囲第３２項に記載の方法。 弼　上記揮発化物質が硫黄および硫黄化合物である、特
    許請求の範囲第６２項および第６６（力 項に記載の方法。 （３９１上記大分子がプロティンである、特許請求の範
    囲第６２項に記載の方法。 （４１１１１上記大分子が抗体である、特許請求の範囲
    第６２項に記載の方法。 （４υ　上記大分子が抗原である、特許請求の範囲第３
    ２項に記載の方法。
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