JPS5980070A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPS5980070A
JPS5980070A JP57190307A JP19030782A JPS5980070A JP S5980070 A JPS5980070 A JP S5980070A JP 57190307 A JP57190307 A JP 57190307A JP 19030782 A JP19030782 A JP 19030782A JP S5980070 A JPS5980070 A JP S5980070A
Authority
JP
Japan
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charge
signal
section
electrode
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP57190307A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshige Goto
浩成 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS5980070A publication Critical patent/JPS5980070A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は自動利得制御機能を有する固体撮像装置に関す
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
テレビカメラ等に用いられる固体撮像装置では、被写体
輝度が大きく異なる場合があるため、被写体輝度によら
ずほぼ一定の出力となるようにする自動利得制御(AG
C)機能が不可欠である。そのため、信号電荷を蓄積す
る積分時間を変化させて信号電荷のa量を被写体輝度に
よらずほぼ一定の出力を確保する方法がとられている。
第1図はこのようなAGC機能を有する固体撮像装置で
、現在提案されているものである。まず積分開始の前に
信号発生部12から信号を発生して移送電極8とすセッ
トゲート6を開き、感光画素2−a、2−b。
2−c、2−d、2  eの信号電荷をCCDレジスタ
9に移し、かつ浮遊拡散領域5の電荷をクリアする。そ
の後感光画素2−a 、 2−b 、 2−c 。
2−d、2−eは受光する光量に応じて信号電荷の蓄積
を開始する。一方感光画累2−a、2−b。
2−c 、 2−d 、 2−eに隣接する光ダイオー
ド3もほぼ同じ光量の光を受光して電荷を発生し、障壁
蛋4f!4の電位を超えた電荷が浮遊拡散領域5に流入
する。この流入した電荷によって浮遊拡散領域5の電位
は変化するが、この電位は光ダイオード3全体に入射し
た元の光量に依存し、結局は各感光画素2−a 、 2
−b 、 2−c 、 2−d 、 2−eに蓄積され
ている信号′(荷の平均値に対応する。浮遊拡散領域5
の電位が一定値を超えるとソースフォロワ回路11のト
ランジスタがオンし、信号発生部12から移送電極8お
よびリセットゲート6にリセット信号を発生する。この
リセット信号により移送電極8は開き、感光画素2−a
、2−b、2−c、2−dにその時蓄積されている信号
電荷がCCDレジスタ9に移される。CCDレジスタ9
に移された信号・電荷は出力部10により時系列信号と
して順次出力される。したがって被写体輝度が変化した
としても、出力信号の平均値は常に一定となるように利
得制御されることとなる。
ところが、このように出力信号の平均値が一定となる様
に利得制御する固体撮像装置では、被写体全体の輝度が
一様に変化する場合には問題がないが、被写体に局所的
に強い輝度の部分がある場合に問題・となる。これは出
力信号の平均値が一定でも、強い光があたる感光画素は
飽和してしまい、近隣の感光画素に信号電荷があふれて
ブルーミング現象を生じ、出力信号を著しく劣化させて
しまうからである。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、被写体に
局所的に強い輝度の部分がある場合でも適切な自動利得
制御がなされる固体撮像装置を提供することを目的とす
る。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために、本発明による固体撮像装置
は、所定の電位に設定して電荷蓄積部に蓄積しうる信号
電荷の電荷量を制御する制御電極と、この制御電極の電
位を超えて流出した流出電荷を検出する検出部と、この
検出部により検出された流出電荷により移送信号を発生
する信号発生部とを備え、この信号発生部が発生する移
送信号を入力して移送部が信号電荷を電荷蓄積部から電
荷転送部に移送することにより、前記電荷移送部に移送
された信号′電荷の最大値が常に一定の値となるように
入射光に対して自動利得制御することを特徴とり−る。
〔発明の実施例〕
本発明の第1の実施例を第2図を用いて説明する。半導
体基板13上゛に形成された感光画素23−1 。
・・・、23−5に対してそれぞれ障壁電極22−1.
・・・。
22−5、蓄積電極17−1.・・・、17−5を設け
る。
蓄積・d極17−1.・・・、17.−5には、感光画
素23−1゜・・・、23−5で発生した信号電荷のう
ち障壁電極22−1.・・・、22−5の電位を超えた
電荷が流入し蓄積される。蓄積電荷17−1.・・、1
7−5の一方の側には電荷排出電極18−1.・・、1
8−5および電荷排出用ドレイン19−1.・・・、1
9−5が設ケラレ、蓄積電荷17−!、・・・、17−
5下の′由;荷を排出することができる。また反対側に
は検出制御tff12tJ−1゜・・、20−5および
電荷検出用ドレイン21−1 ・・・21−5が設けら
れ、蓄積電荷17−1.・・・、17−5の電荷量が所
定値を超えた場合の検出ができる。
移送’に極16は蓄積電極17−1.・・・、17−5
の信号電荷をCCDレジスタ14に移送するもので、移
送された信号電荷は出力部15により順次時系列16号
としてとり出される。
次にこの固体撮像装置による自動利得制側1動作を説明
する。まず積分開始の前に電荷排出電極18、 .18
−5の電位を制御することにより蓄積電極17−1.・
・・、17−5下の1d号嵐荷を蒐荷排出用ドレイン1
9−1.・・・、 l’j −5に排出してクリアする
。感光画素お−1,・・5.・お−5は入射光量に応じ
て光電変換をおこない信号電荷を発生する。
この信号′電荷は障壁電極22−1.・・−,22−5
を超えて蓄積電極17−1.  ・、17−5下に流入
する。感光画素2:3−1.・・・、23−5のうち特
に感光画素n−1への入射光の光量が多いとすると、感
光画素23−1には信号′電荷が多く発生し、ついには
その感光画素23−1の蓄積電極17−1下の信号電荷
が構出用制御11L+I1.加−1の設定電位を超えて
電荷検出用ドレイン21−1に流入する。電荷検出用ド
レイン21−1.  ・、 21−5に信号電荷が少し
でも流入すると、電流検出部24により検出され、これ
により信号発生部5は移送電極16に′ltl検流信号
を発生する。移送・電極16に電流検出信号が入力する
と、蓄@電極1.7−1.・・、17=5にそのとき蓄
積されている信号電荷がCCDレジスタ14に移送され
る。スナわチ、CCDレジスタ14に信号電荷を移送す
るか否かは、信号′醒荷の最大11Hが所定値を超える
か否かにより定まり、結局最大の信号電荷により利得制
御がおこなわれることになる。
次に本発明の第2の実施例を第3図を用いて説明する。
本実施例では蓄積′区極17−1 、 .17−5に対
してそれぞれ検出制御電極26−1.・・・、26−5
と電荷検出用ドレイン27−1.・・・、27−5だけ
が設けられている。これら検出制御電極26−1゜・・
・、26−5と電荷検出用ビレ1イン27−1.・・・
、27−5で電荷排出と電荷検出との両方の機能をなす
自動利得制御動作は次のようになる。まず検出制御電極
26−1.・・・、26−5を開いて、蓄積電極17−
1.・・・17−5に蓄積された電荷を電荷検出用ドレ
イン27−1.′・・、27−5に排出する。このとき
は′電流検出しないようにする。次に感光画素23−i
・・・、23−5では、入射する光により’+41#が
発生し、障壁電極22−1.・・・、22−5を超えて
その′電荷が蓄s!電極17−1.・・、17−5下に
蓄積する。検出用制御゛電極26−1.・・・、26−
5は同じ設定電位に設定されており、いずれかの蓄積電
極下の信号電荷がこの設定電位を超えれば゛電荷検出用
ドレインに流出する。それは電流検出部24で検出され
、信号発生部5から移送電極16に電流検出信号が出力
される。これにより蓄積電極17−1・、・・・17−
5の信号電荷はCCDレジスタ14に移送される。
このように本実施例では、ひとつの電極とドレインで電
荷排出と電荷検出をおこなうようにしているため、簡単
な構成で最大の信号電荷による自動利得制御ができる。
次に本発明の第3の実施例を第4図を用いて説明する。
本実施例では本来の感光画素23−1.・・・。
23−5に加えて、自動利得制御用のダミーの感光画素
2B−1,・・・、28−5を設けている。すなわち感
光画素23−1.・・・、23−5の隣に感光画素あ−
1、・・・、28−5を設け、これら感光画素28−1
゜、・、2B−5に対しても障壁電極29−1.・・・
、29−5、蓄積電極30−1.・・・、3fl)−5
、検出用制御電極31−1.・・・、31−5、゛電極
検出用ドレイン32−1、・・・、32−5を設ける。
自動利得制御動作は次のようになる。ます電荷すド出電
極18−1.・・・、 18−5と検出用制御′4極3
1−1.・・・、31−5の電位を制御して、蓄積電極
17−1.・・、17−8と蓄積電極30−i、・・・
、30−5の信号電荷を排出してクリアする。次に感光
画素Z3−i、・・・、23−5とダミーの感光画素2
8−1.・・・、28−5には、入射する光音に応じて
1荷を発生する。ダミーの感光画素28−1.・・・、
28−5は本来の感光画素23−1゜・・・、23・・
・5に隣接しているのでそれぞれ同じ電荷が発生する。
このように発生した信号電荷はそれぞれ蓄積電荷17−
7.・・・、17−5と蓄積電荷30−1、・・・、3
0−5に蓄積されるが、蓄積゛電荷30−i。
・・・ 30−5のうち最大入射光量のダミーの感光画
素の蓄積′電極の信号電荷があふれて電荷検出用ドレイ
ンに流入すると、それを電流検出信号で検出し、信号発
生部δにより移送電極16へ信号を出力して、蓄積電極
17−1.・・・、17−5の信号電荷をCCDレジス
タ14に移送する。
このように本実施例では、自動利得制御用に別の感光画
素、蓄積電極等を設けており、本来の信号電荷を用いて
最大値を検出することがないため、CODレジスタに移
送される信号電荷はクリップされない正常な波形となる
次に第1、第2および第3の実施例による固体撮像装置
ばの電流検出部の具体例を第5図から第8図を用いて説
明する。第5図に示す′電流検出部は抵抗38の電圧降
下を利用したものである。電荷が流出すると電流が流れ
るので抵抗あて電圧降下が生じ、その電圧降下を検出す
る。次に第6図に示す電流検出部は第5図に示す具体例
と同様に抵抗38の電圧降下を利用したものであるが、
抵抗38と並列にMOSトランジスタ33を設けている
。MOSトランジスタおを制御入力により開閉すること
により、検出信号を出力するか否かを制御でき、第2の
実施例の電流検出部として最適である。次に第7図に示
す′電流検出部は2つのMO8+−ランジスタ34 、
35とソースフォロワ回路36とからなる。MOSトラ
ンジスタ35を制御入力により開き、■ΩSトランジス
タ35のソースを浮遊状態ζこした後−ここに流入する
電荷によってひきおこされる電位変化をソースフォロワ
回路36により検出する。この電流検出部によれば微少
′電流の検出が容易である。次に第8図に示す電流検出
部は第7図に示す電流検出部におけるソースフォロワ回
路36の代わりにインバータ回路37を接続したもので
ある。この電流検出部によれば微少電流の検出が容易で
あるとともに、出力がディジタル信号としてとり出せる
こ〔発明の効果〕 以上の通り本発明によれば、信号電荷の最大値に基づい
て利得制御することとしているため、局所的に強い光が
入射した場合でも適切な自動利得制御をおこなうことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体撮像装置を示す平面構成図、第2図
は本発明の第1の実施例による固体撮像装置を示す平面
構成図、第3図は本発明の第2の実施例による固体撮像
装置を示す平面構成図、第4図は本発明の第3の実施例
による固体撮像装置を示す平面構成図、第5図、第6図
、第7図、第8図はそれぞれ本発明による固体撮像装置
誰の′電流検出部の具体例を示す回路図である。 1・・・半導体基板、2−a 、 2 =b 、 2−
c 、 2−d、2−e・・・感光画素、3・・・元ダ
イオード、4・・・障壁電極、5・・・浮遊拡散領域、
6・・・リセットゲート、7・・・ドレイン、8・−・
・移送電極、9・・・CODレジスタ、10・・・出力
部、11・・・ソースフォロワ回路、12・・・信号発
生部、13・・・半導体基板、14・・・CODレジス
タ、15・・・出力部、16・・・移送電極、17−1
 、17−2 、17−3 、17−4 、17−5・
・・蓄積電極、18−1゜18−2 、18−3 、1
8−4 、18−5・・・電荷排出電極、19−1 、
19−2 、19−3 、19−4 ’、 19−5・
・・電荷排出用ドレイン、2iJ−1,20−2,20
−3,20−4,20−5・・検出制御電極、21−1
.21−2.21−3 、21−4 、21−45−’
+[荷検出用ドレイン、n−1,22−2,22−3,
22−4,22−5・・・障壁電極、23−1.23−
2.23−3.23−4.23−5・・感光画素、詞・
・電流検出部、5・・信号発生部、26−1.26−2
.26−3.26−4.26−5・・・検出制御電極、
27−1 、27−2 、27−3 、27−4 、2
7−5・・・′電荷検出用ドレイン、2115−1.2
8−2.28−3 、28−4 、28−’5・・・ダ
ミーの感光画素、29−1゜29−2.29−3.29
−4.29−5・・・障壁電極、加−1,30−2,3
0−3,30−4,30−5・・・蓄積電極、31−1
 、31−2 、31−3 、31−4 、31−5−
1゜検出用t5り御’tm、32−1.32−2.32
−3.32−4.32−5・・・電荷検出用ドレイン、
33 、34 、35・・・MOSトランジスタ、36
・・・ソースフォロワ回路、37・・・インバータ回路
、38・・・抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 受光した入射光を光電変換して信号電荷を発生する感光
    部と、この感光部が発生した信号電荷を一時蓄積する電
    荷蓄積部と、この′電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を
    移送する移送部と、この移送部により移送された信号電
    荷を転送する電荷転送部と、この電荷転送部により転送
    された信号電荷を順次出力する出力部とを備えた固体つ
    厳像装置において、 予め定められた′電位に設定して前記電荷蓄積部に蓄積
    しうる信号電荷の電荷量を制御する制御電極と、この制
    御電極の電位を超えて流出した流出電荷を検出する検出
    部と、この検出部により検出された流出電荷により移送
    イぎ号を発生する信号発生部とを備え、この信号発生部
    が発生する移送信号を入力して前記移送部が信号電荷を
    前記電荷蓄積部から前記電荷転送部lこ移送することに
    より、前記電荷移送部に移送された信号電荷の最大値が
    常に一定の値となるように入射光に対して自動利得制御
    することを特徴とする固体撮像装置。
JP57190307A 1982-10-29 1982-10-29 固体撮像装置 Pending JPS5980070A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61294589A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学的読取装置
JPH01229571A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Fuji Photo Film Co Ltd イメージ・センサ用ピーク検出装置
US4975777A (en) * 1989-06-15 1990-12-04 Eastman Kodak Company Charge-coupled imager with dual gate anti-blooming structure

Cited By (3)

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JPS61294589A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学的読取装置
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