JPS5975624A - 電子ビ−ム整形用アパ−チヤマスク - Google Patents
電子ビ−ム整形用アパ−チヤマスクInfo
- Publication number
- JPS5975624A JPS5975624A JP18593382A JP18593382A JPS5975624A JP S5975624 A JPS5975624 A JP S5975624A JP 18593382 A JP18593382 A JP 18593382A JP 18593382 A JP18593382 A JP 18593382A JP S5975624 A JPS5975624 A JP S5975624A
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- JP
- Japan
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- aperture
- electron beam
- aperture mask
- beam shaping
- mask
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光技術に関し、電子ビームを形成
する電子ビーム整形用アパーチャマスクに関する。
する電子ビーム整形用アパーチャマスクに関する。
近時、急速な半導体集積化技術の発展に伴って、電子ビ
ームによる微細蝕刻技術の向上が期待されている。電子
ビームによる微細パターンの描画は、例えば米国特許第
３，６４４，７００号によって詳しく公開されている。
ームによる微細蝕刻技術の向上が期待されている。電子
ビームによる微細パターンの描画は、例えば米国特許第
３，６４４，７００号によって詳しく公開されている。
このような描画技術に基づいて、２枚のアパーチャマス
クを用い、その間の電子ビームラ偏向制御して電子ビー
ムの断面寸法、形状を可変制御する手段を第１図に示す
。
クを用い、その間の電子ビームラ偏向制御して電子ビー
ムの断面寸法、形状を可変制御する手段を第１図に示す
。
同図において、電子銃９より放射された電子ビームを第
１絞り１と第２絞シ２、その中間に設けられた偏向器３
との組合せによシ、第１図の左上に示す如き可変成形型
の角形電子ビームを構成し、該角形電子ビームを縮小レ
ンズ４．対物レンズ５及び偏向器６，７を用いてステー
ジ１０上の試料（ウェハ）８上に投影蝕刻するものであ
る。この場合、上ｎｒ２整形像の尖鋭度は、光学系の収
差及びアパーチャマスクの加工ＭＵによって決定される
ものであシ、微細蝕刻に於いて精度の高い描画をなす為
には、次のような電子ビーム整形用アパーチャマスクが
要求される。
１絞り１と第２絞シ２、その中間に設けられた偏向器３
との組合せによシ、第１図の左上に示す如き可変成形型
の角形電子ビームを構成し、該角形電子ビームを縮小レ
ンズ４．対物レンズ５及び偏向器６，７を用いてステー
ジ１０上の試料（ウェハ）８上に投影蝕刻するものであ
る。この場合、上ｎｒ２整形像の尖鋭度は、光学系の収
差及びアパーチャマスクの加工ＭＵによって決定される
ものであシ、微細蝕刻に於いて精度の高い描画をなす為
には、次のような電子ビーム整形用アパーチャマスクが
要求される。
■）、高融点で高沸点物質である。
ＩＩ）、’に子ビームによる損傷を受けにくい。
■）、導電性が高い。
■）、剛性が高く、且つ熱変形が少なくない。
■）、加工が容易である。
等である。そこで従来では、第２図に示す如く主にＭＯ
等の薄板１１を穴加−工してアパーチャマスクを形成し
、これを使用していたが、０．２ｍｍＸ０．２ ｒｕｎ
程度の角形ア？く−チャ形状で、しかもそのコーナ曲率
半径が略１０〜２０μｍ程度のものしか得ることが出来
なかった。また、第３図に示す如く、エッチの＠練性及
びコーナ部の丸みをなくすことを目的に２枚のアパーチ
ャマスクの各コーナ部を透孔のコーナとして用いること
なく互いに重ね合せることにより、上記アパーチャ形状
の問題点を避けていたが電子ビーム照射によるスパッタ
等によるアパーチャマスクの汚れの為、高精度で微細な
パターン描画を行う為には、頻繁に該アパーチャマスク
の取り替え及びそのクリーニングが必要であった。
等の薄板１１を穴加−工してアパーチャマスクを形成し
、これを使用していたが、０．２ｍｍＸ０．２ ｒｕｎ
程度の角形ア？く−チャ形状で、しかもそのコーナ曲率
半径が略１０〜２０μｍ程度のものしか得ることが出来
なかった。また、第３図に示す如く、エッチの＠練性及
びコーナ部の丸みをなくすことを目的に２枚のアパーチ
ャマスクの各コーナ部を透孔のコーナとして用いること
なく互いに重ね合せることにより、上記アパーチャ形状
の問題点を避けていたが電子ビーム照射によるスパッタ
等によるアパーチャマスクの汚れの為、高精度で微細な
パターン描画を行う為には、頻繁に該アパーチャマスク
の取り替え及びそのクリーニングが必要であった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、エッヂの直線性がよく、しか
もコーナ曲率半径も小さく、容易に加工製作することが
出来、さらに頻繁に交換。
その目的とするところは、エッヂの直線性がよく、しか
もコーナ曲率半径も小さく、容易に加工製作することが
出来、さらに頻繁に交換。
クリーニングする事への対策として、使用状態において
該アパーチャマスクの加熱クリーニングすることの可能
な、高精度な微細パターン描画に効果的に供給すること
の出来る電子ビーム整形用アパーチャマスクを提供する
ことにある。
該アパーチャマスクの加熱クリーニングすることの可能
な、高精度な微細パターン描画に効果的に供給すること
の出来る電子ビーム整形用アパーチャマスクを提供する
ことにある。
このような目的を達成するためには、本発明は主表面に
絶縁薄膜が形成された半導体基板と、前記絶縁薄膜上に
形成され両端に電極を有しかつｔｌは中央部に開口を有
する金属層とからなり、前記半導体基板は前記金属層の
開口部とＩヨは同軸に透孔部を有したものである。
絶縁薄膜が形成された半導体基板と、前記絶縁薄膜上に
形成され両端に電極を有しかつｔｌは中央部に開口を有
する金属層とからなり、前記半導体基板は前記金属層の
開口部とＩヨは同軸に透孔部を有したものである。
以下、図面を参照して本発明に係る電子ビーム整形用ア
パーチャマスクの一実施例を説明する。
パーチャマスクの一実施例を説明する。
第４図は、本発明の電子ビーム整形用アパーチャマスク
の構成図を示したもので、第５図は該整形アパーチャマ
スクの断面図を示したものである。
の構成図を示したもので、第５図は該整形アパーチャマ
スクの断面図を示したものである。
上記各図においてたとえばｎ型のＳｉ基板２１があり、
このＳｉ基板２１の主表面には厚さ約１μｍの５ｉＯｚ
膜２２が形成されている。５ｉＣ）＋膜２２の表面には
、たとえはタングステン、モリブデン、白金等からなる
金属膜が厚さ数千人に被着されている。この金属膜はた
とえばスパッタリング等によシ前記ｓ ｊ０２１換２２
上に全面被着した後、フォトパターン法によりｉ当にエ
ツチングし、相対向する電極部２３．２６とこれら各電
極部２３゜２６間に一体に形成されたブリッジ部２７と
を有する形状をなす。さらに前記ブリッジ部２７はその
中央部において開口部２５がやはクフォトパターン法に
よるエツチングによｐ形成され、アパーチャマスク部を
構成している。また、前記Ｓｉ基板２１およびｓ ｉＱ
２膜２２には前記開口部２５と同軸となる透孔部２４が
前記開口部２５よりやや大きい径で形成されている。
このＳｉ基板２１の主表面には厚さ約１μｍの５ｉＯｚ
膜２２が形成されている。５ｉＣ）＋膜２２の表面には
、たとえはタングステン、モリブデン、白金等からなる
金属膜が厚さ数千人に被着されている。この金属膜はた
とえばスパッタリング等によシ前記ｓ ｊ０２１換２２
上に全面被着した後、フォトパターン法によりｉ当にエ
ツチングし、相対向する電極部２３．２６とこれら各電
極部２３゜２６間に一体に形成されたブリッジ部２７と
を有する形状をなす。さらに前記ブリッジ部２７はその
中央部において開口部２５がやはクフォトパターン法に
よるエツチングによｐ形成され、アパーチャマスク部を
構成している。また、前記Ｓｉ基板２１およびｓ ｉＱ
２膜２２には前記開口部２５と同軸となる透孔部２４が
前記開口部２５よりやや大きい径で形成されている。
−かかる構成において、第５図に示す如く、外部電流２
８よシスイッチ２９を介して、ブリッジ部２７に通電す
ることによって、前記アパーチャマスク部（開口部）２
５の加熱クリーニングを効果的に行なわしめるようにな
っている。
８よシスイッチ２９を介して、ブリッジ部２７に通電す
ることによって、前記アパーチャマスク部（開口部）２
５の加熱クリーニングを効果的に行なわしめるようにな
っている。
このようにすれば、基台として高融点で高沸点物質であ
るＢｉｔ用い、またアパーチャマスクとなる開口部は厚
さが極めて薄いタングステン等からなる金属層に形成し
てなるものから特にエッヂ部においてきれがよい極めて
高精度の形状とすることができるアパーチャマスクも形
成することができる。
るＢｉｔ用い、またアパーチャマスクとなる開口部は厚
さが極めて薄いタングステン等からなる金属層に形成し
てなるものから特にエッヂ部においてきれがよい極めて
高精度の形状とすることができるアパーチャマスクも形
成することができる。
以上説明したように、本発明に係る電子ビーム整形用ア
パーチャマスクによれば、極めて高精度に形状２寸法制
御した電子ビームを得ることができ、さらに電子ビーム
照射によるアパーチャマスクの汚れに伴なうクリーニン
グに対しても、頻繁な交換をすることなしに外部からの
加熱クリーニングを容易に行なえるという効果を奏する
。
パーチャマスクによれば、極めて高精度に形状２寸法制
御した電子ビームを得ることができ、さらに電子ビーム
照射によるアパーチャマスクの汚れに伴なうクリーニン
グに対しても、頻繁な交換をすることなしに外部からの
加熱クリーニングを容易に行なえるという効果を奏する
。
第１図は電子ビーム装置の概略構成図、第２因。
第３図は前記′電子ビーム装置に使用される従来のアパ
ーチャマスクの説明図、第４図は本発明による電子ビー
ム整形用アパーチャマスクの一実施例を示す斜視図、第
５図は第４図の断面図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・Ｓ １０２膜、２
３゜２６・・・Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等のスパッタリング電極
、２７・・・ブリッジ部、２４・・・Ｓｉ基板中の透孔
、２５・・・アパーチャマスク部、２８・・・加熱電源
部。 晒１の 情２０
ーチャマスクの説明図、第４図は本発明による電子ビー
ム整形用アパーチャマスクの一実施例を示す斜視図、第
５図は第４図の断面図である。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・Ｓ １０２膜、２
３゜２６・・・Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等のスパッタリング電極
、２７・・・ブリッジ部、２４・・・Ｓｉ基板中の透孔
、２５・・・アパーチャマスク部、２８・・・加熱電源
部。 晒１の 情２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主表面に絶縁薄膜が形成された半導体基板と、前記
絶縁薄膜上に形成され両端に電極を有しかつほぼ中央部
に開口を有する金属層とからなり前記半導体基板は前記
金属層の開口部とほぼ同軸に透孔部を有していることを
特徴とする電子ビーム整形用アパーチャマスク。 ２、半導体基板は高濃度に不純物を含む８ｉとした特許
請求の範囲第１項記載の電子ビーム整形用アパーチャマ
スク。 ３、金属層はフォトバタン法を用いて適当な形状をなす
ようにエツチングされた％許請求の範囲第１項記載の電
子ビーム整形用アパーチャマスク。 ４、金属層はタングステン、モリブデン、タンクル、ま
たは白金のうちいずれか１からなる％許請求の範囲第１
項記載の電子ビーム整形用アパーチャマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18593382A JPS5975624A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 電子ビ−ム整形用アパ−チヤマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18593382A JPS5975624A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 電子ビ−ム整形用アパ−チヤマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975624A true JPS5975624A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16179415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18593382A Pending JPS5975624A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 電子ビ−ム整形用アパ−チヤマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975624A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5742065A (en) * | 1997-01-22 | 1998-04-21 | International Business Machines Corporation | Heater for membrane mask in an electron-beam lithography system |
| US6015976A (en) * | 1995-03-17 | 2000-01-18 | Ebara Corporation | Fabrication apparatus employing energy beam |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18593382A patent/JPS5975624A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6015976A (en) * | 1995-03-17 | 2000-01-18 | Ebara Corporation | Fabrication apparatus employing energy beam |
| US5742065A (en) * | 1997-01-22 | 1998-04-21 | International Business Machines Corporation | Heater for membrane mask in an electron-beam lithography system |
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