JPS5972782A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5972782A JPS5972782A JP57183330A JP18333082A JPS5972782A JP S5972782 A JPS5972782 A JP S5972782A JP 57183330 A JP57183330 A JP 57183330A JP 18333082 A JP18333082 A JP 18333082A JP S5972782 A JPS5972782 A JP S5972782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solution
- gallium arsenide
- type layer
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の
本発明は両性不純物を用いて均一厚みの再現性、よい液
相エピタキシャル成長が行なえる発光ダイオードの製造
方法に関する。
相エピタキシャル成長が行なえる発光ダイオードの製造
方法に関する。
従来第１図に示すようにｎ型のガリウム砒素基板（４）
を凹部（５）に収納したボート（６）と、ボート（６）
上に摺動自在に設置され両性不純物であるシリコンを含
んだ融液（７）を有する融液溜｛８｝を準備し、炉の中
で温度制御をしながらボート（６）と融液溜（８）を相
対的に移動させて基板（４）上にｎ型層とＰ型層をエピ
タキシャル成長させて赤外発光ダイオードを製造してい
た。
を凹部（５）に収納したボート（６）と、ボート（６）
上に摺動自在に設置され両性不純物であるシリコンを含
んだ融液（７）を有する融液溜｛８｝を準備し、炉の中
で温度制御をしながらボート（６）と融液溜（８）を相
対的に移動させて基板（４）上にｎ型層とＰ型層をエピ
タキシャル成長させて赤外発光ダイオードを製造してい
た。
このようなエピタキシャル成長において、第２図に示す
ように一定温度に保持して融液（７）を安定させた後の
時点（Ａ）に基板（４）と融液（７）とを接触させ、そ
の後昇温してから一定温度で冷却してｎ型層のエピタキ
シャル成長を行ない、この昇温は基板（４）の熱ストレ
スをとるために行なっていた。ところが両性不純物シリ
コンは冷却速度と温度との関数によりＰ型不純物として
働くかｎ型になるかが定まり、低速高温程Ｐ型不純物と
なりやすい。このため上記昇温工程の最後において冷却
がはじまる時に炉の熱慣性からシリコンの働きが不安定
になるのでｎ型層（２）内にＰ型部分が形成されるなど
不都合である。
ように一定温度に保持して融液（７）を安定させた後の
時点（Ａ）に基板（４）と融液（７）とを接触させ、そ
の後昇温してから一定温度で冷却してｎ型層のエピタキ
シャル成長を行ない、この昇温は基板（４）の熱ストレ
スをとるために行なっていた。ところが両性不純物シリ
コンは冷却速度と温度との関数によりＰ型不純物として
働くかｎ型になるかが定まり、低速高温程Ｐ型不純物と
なりやすい。このため上記昇温工程の最後において冷却
がはじまる時に炉の熱慣性からシリコンの働きが不安定
になるのでｎ型層（２）内にＰ型部分が形成されるなど
不都合である。
この対策として従来は最初だけ高速で冷却するか又はよ
り高温からエピタキシャル成長させていたが前者は炉の
制御がむつかしいのみならず急速に成長したｎ型層部分
の結晶性が悪く発光効率が低い。また後者はボート等か
ら不純物の析出があって成長層が影響される上に成長厚
さが厚くなり、その分特性がばらついたり平坦度が失な
われるという欠点があって好ましくない。
り高温からエピタキシャル成長させていたが前者は炉の
制御がむつかしいのみならず急速に成長したｎ型層部分
の結晶性が悪く発光効率が低い。また後者はボート等か
ら不純物の析出があって成長層が影響される上に成長厚
さが厚くなり、その分特性がばらついたり平坦度が失な
われるという欠点があって好ましくない。
本発明は上述の点を考慮してなされたもので特にＰ型部
分のまじらない平担なｎ型層（２）を得るもので、以下
本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
分のまじらない平担なｎ型層（２）を得るもので、以下
本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第３図は本発明実施例の発光ダイオードの製造方法を説
明するための温度工程図、第４図はこの方法で製造した
発光ダイオードの模式図である。
明するための温度工程図、第４図はこの方法で製造した
発光ダイオードの模式図である。
まず第１図に示したようなエピタキシャル成長装置にお
いて、基板（４）としてガリウム砒素のｎ型の基板（１
）を準備し、融液（７）として不純物源のシリコンとガ
リウム砒素を混入したガリウム融液を準備し、水素雰囲
気中で９７０℃に昇温した。このまま一定時間放置して
、ガリウム砒素やシリコンが飽和状態である事を確認の
後に１分あたり３℃の速度で冷却し、９２０℃になった
時点（Ｂ）で融液溜（８）とボート６）を相対的に動か
して基板（４）と融液（７）を接触させ、そのまま冷却
してｎ型層（２）を成長させ、必要に応じてその炉のま
ま例えば温度勾酬をかえるなどしてＰ型層（３）を形成
した。尚、上述の例において融液中のガリウム砒素量を
少なめにしておくと、基板と融液が接触した時に１．２
乃至２．０μｍ基板表面が溶けるので、基板表面の熱ス
トレスは除去できる。
いて、基板（４）としてガリウム砒素のｎ型の基板（１
）を準備し、融液（７）として不純物源のシリコンとガ
リウム砒素を混入したガリウム融液を準備し、水素雰囲
気中で９７０℃に昇温した。このまま一定時間放置して
、ガリウム砒素やシリコンが飽和状態である事を確認の
後に１分あたり３℃の速度で冷却し、９２０℃になった
時点（Ｂ）で融液溜（８）とボート６）を相対的に動か
して基板（４）と融液（７）を接触させ、そのまま冷却
してｎ型層（２）を成長させ、必要に応じてその炉のま
ま例えば温度勾酬をかえるなどしてＰ型層（３）を形成
した。尚、上述の例において融液中のガリウム砒素量を
少なめにしておくと、基板と融液が接触した時に１．２
乃至２．０μｍ基板表面が溶けるので、基板表面の熱ス
トレスは除去できる。
本発明は上述の如く、ガリウム砒素基板とシリコンを含
む融液とを離隔して保持し所定の高温に保持し、その後
に一定速度で降温させ、その降温中に上記基板と融液と
を接触させて基板上にエピタキシャル成長をさせる発光
ダイオードの製造方法であるから両性不純物を用いても
結晶性の安定したｎ型層を得る事が出来、しかもそれは
薄く均一な厚みで成長し、ボート等からの不純物も混入
しない。
む融液とを離隔して保持し所定の高温に保持し、その後
に一定速度で降温させ、その降温中に上記基板と融液と
を接触させて基板上にエピタキシャル成長をさせる発光
ダイオードの製造方法であるから両性不純物を用いても
結晶性の安定したｎ型層を得る事が出来、しかもそれは
薄く均一な厚みで成長し、ボート等からの不純物も混入
しない。
第１図は液相エピタキシャル成長装置の断面図、第２図
は従来の製造方法の温度工程図、第３図は本発明実施例
の発光ダイオードの製造方法を説明するための温度工程
図、第４図はこの方法で製造した発光ダイオードの模式
図である。 （１１（４１・・・基板、（２）・・・ｎ型成長層、（
３）・・・Ｐ型成長層、（５）・・・凹部、（６）・・
・ボート、（７）・・・融液、（８）・・・融液溜。
は従来の製造方法の温度工程図、第３図は本発明実施例
の発光ダイオードの製造方法を説明するための温度工程
図、第４図はこの方法で製造した発光ダイオードの模式
図である。 （１１（４１・・・基板、（２）・・・ｎ型成長層、（
３）・・・Ｐ型成長層、（５）・・・凹部、（６）・・
・ボート、（７）・・・融液、（８）・・・融液溜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガリウム砒素基板とシリコンを含む融液とを離隔し
て保持し所定の高温に保持し、その後に一定速度で降温
させ、その降温中に上記基板と融液とを接触させて基板
上にエピタキシャル成長をさせる事を特徴とする発光ダ
イオードの製造方法。 ２）前記ガリウム砒素基板はｎ型であり前記エピタキシ
ャル成長によってｎ層とそれに続くＰ層の両方を成長さ
せる事を特徴とする特許の範囲第１項記載の発光ダイオ
ードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183330A JPS5972782A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183330A JPS5972782A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972782A true JPS5972782A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16133820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57183330A Pending JPS5972782A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972782A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103373A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting diode and preparation thereof |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57183330A patent/JPS5972782A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103373A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting diode and preparation thereof |
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