JPS61154124A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61154124A JPS61154124A JP59278204A JP27820484A JPS61154124A JP S61154124 A JPS61154124 A JP S61154124A JP 59278204 A JP59278204 A JP 59278204A JP 27820484 A JP27820484 A JP 27820484A JP S61154124 A JPS61154124 A JP S61154124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- etching
- type
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、ＧａＡＪ
２Ａｓによる赤外発光ダイオード素子を製造するのに適
した方法の改良に係る。
２Ａｓによる赤外発光ダイオード素子を製造するのに適
した方法の改良に係る。
発光ダイオード（以下ＬＥＤという）はリモコン或いは
フォトカプラ等として応用範囲が広いこともあって早く
から工業化が図られ、その材料としてはＧａＡｓが用い
られた。ＬＥＤ材料とてのＧａＡｓは発光効率が高く、
且つ一回の液相エピタキシャル成長でＰＮ接合を形成で
きる利点を有しており、これが赤外発光ＬＥＤ素子の材
料に選ばれた理由である。
フォトカプラ等として応用範囲が広いこともあって早く
から工業化が図られ、その材料としてはＧａＡｓが用い
られた。ＬＥＤ材料とてのＧａＡｓは発光効率が高く、
且つ一回の液相エピタキシャル成長でＰＮ接合を形成で
きる利点を有しており、これが赤外発光ＬＥＤ素子の材
料に選ばれた理由である。
ところで、上記のようにＧａＡｓを用いたＬＥＤ素子の
内部発光効率はもともと非常に高いため、更なる発光効
率向上の要求に応えようとすれば、もはや結晶内部での
光の再吸収を防止する以外に有効な手段はない、そこで
、外部発光効率を更に高めるために第２図（Ａ）（Ｂ）
に示す製造方法が従来性なわれている。
内部発光効率はもともと非常に高いため、更なる発光効
率向上の要求に応えようとすれば、もはや結晶内部での
光の再吸収を防止する以外に有効な手段はない、そこで
、外部発光効率を更に高めるために第２図（Ａ）（Ｂ）
に示す製造方法が従来性なわれている。
第２図（Ａ）において、１はＮ型ＧａＡｓ基板である。
該ＧａＡｓ基板ｌ上には、両性不純物Ｓｉをドーパント
としたＮ型Ｇａ、−ｘＡｆｆｘＡｓ層２およびＰ型Ｇａ
１−ｘＡｆｉｘＡｓ暦３が順次エピタキシャル成長され
、両者によるＰＮ接合が形成されているａ Ｓ ｌは高
温ではＮ型不純物、低温ではＰ型不純物となるから、上
記Ｎ型およびＰ型のＧａ、−ｘＡｌｘＡｓ層２．３は一
回の徐冷エピタキシャル成長により形成することができ
る。
としたＮ型Ｇａ、−ｘＡｆｆｘＡｓ層２およびＰ型Ｇａ
１−ｘＡｆｉｘＡｓ暦３が順次エピタキシャル成長され
、両者によるＰＮ接合が形成されているａ Ｓ ｌは高
温ではＮ型不純物、低温ではＰ型不純物となるから、上
記Ｎ型およびＰ型のＧａ、−ｘＡｌｘＡｓ層２．３は一
回の徐冷エピタキシャル成長により形成することができ
る。
こうしてＰＮ接合を形成した後、ＧａＡｓ基板１のみを
エツチング除去することにより第２図（Ｂ）の状態とす
る。その際、エツチング液としては過酸化水素水とアン
モニア水との混合液を用いる。このエツチング液は混合
比および液温を調製することによりＧａＡｓ基板１のみ
を選択的にエツチングすることができる。即ち、上記の
エツチング液はＧａ１−！ＡｎｘＡＳ層２．３の表面に
酸化膜を形成し、この酸化膜がエツチングに対して抵抗
性を有するため、Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓＡｌｘＡｓ層２
チングされずに残る。
エツチング除去することにより第２図（Ｂ）の状態とす
る。その際、エツチング液としては過酸化水素水とアン
モニア水との混合液を用いる。このエツチング液は混合
比および液温を調製することによりＧａＡｓ基板１のみ
を選択的にエツチングすることができる。即ち、上記の
エツチング液はＧａ１−！ＡｎｘＡＳ層２．３の表面に
酸化膜を形成し、この酸化膜がエツチングに対して抵抗
性を有するため、Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓＡｌｘＡｓ層２
チングされずに残る。
こうしてＧａＡｓ基板ｌ基板面して新しく現れた表面か
ら光を取り出す構造とすることにより。
ら光を取り出す構造とすることにより。
赤外ＬＥＤチップの外部発光効率を更に向上することが
可能となった。
可能となった。
ところが、Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓ層２．３におけるＡ
ｆｆ混晶比が比較的小さいＳｉドープの赤外発光ダイオ
ード等においては、エツチング条件を精密に制御しない
とＧａ、−ｘＡｆｆｘＡｓ層２．３も−ｇにエツチング
されてしまい、特に結晶欠陥がある部分はその速度が大
きい。
ｆｆ混晶比が比較的小さいＳｉドープの赤外発光ダイオ
ード等においては、エツチング条件を精密に制御しない
とＧａ、−ｘＡｆｆｘＡｓ層２．３も−ｇにエツチング
されてしまい、特に結晶欠陥がある部分はその速度が大
きい。
このため、従来の製造方法の場合、ＧａＡｓ基板１のみ
を選択的にエツチング除去する工程において量産上の大
きな困難を伴っているのが現状である。
を選択的にエツチング除去する工程において量産上の大
きな困難を伴っているのが現状である。
本発明は上記喜情に鑑みてなされたもので、半導体基板
上に能動層としての半導体層・をエピタキシャル成長し
た後、前記半導体基板をエツチングにより除去して前記
エピタキシャル層のみで半導体装置を製造する際に、前
記基板のエフチグ除去を確実に行なうことができる半導
体装置の製造方法を提供するものである。
上に能動層としての半導体層・をエピタキシャル成長し
た後、前記半導体基板をエツチングにより除去して前記
エピタキシャル層のみで半導体装置を製造する際に、前
記基板のエフチグ除去を確実に行なうことができる半導
体装置の製造方法を提供するものである。
本発明は、半導体基板上に能動層としての半導体層をエ
ピタキシャル成長する前に、前記半導体基板をエツチン
グするためのエツチング液に侵されない保護半導体層を
半導体基板上にエピタキシャル成長させておくことを特
徴とするものである。
ピタキシャル成長する前に、前記半導体基板をエツチン
グするためのエツチング液に侵されない保護半導体層を
半導体基板上にエピタキシャル成長させておくことを特
徴とするものである。
本発明における前記保護半導体層としては、前記半導体
基板としてＧａＡｓ、前記能動層としてＧａ１−ｘＡｌ
ｘＡｓ、前記エツチング液としてアンモニア水と過酸化
水素水との混合液を用いる場合、Ｇａ１−ｙＡｎｙ Ａ
ｓ （Ｖ＞０．４）を用いることができる。
基板としてＧａＡｓ、前記能動層としてＧａ１−ｘＡｌ
ｘＡｓ、前記エツチング液としてアンモニア水と過酸化
水素水との混合液を用いる場合、Ｇａ１−ｙＡｎｙ Ａ
ｓ （Ｖ＞０．４）を用いることができる。
本発明では上記の保護半導体層の作用により、半導体基
板をエツチング除去する際に能動層が侵されるのを防止
できる。従って、本発明を第２図（Ａ）（Ｂ）に示した
Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓによる赤外ＬＥＤ素子の製造に
適用すれば、その量産性を著しく向上することがきる。
板をエツチング除去する際に能動層が侵されるのを防止
できる。従って、本発明を第２図（Ａ）（Ｂ）に示した
Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓによる赤外ＬＥＤ素子の製造に
適用すれば、その量産性を著しく向上することがきる。
以下に第１図（Ａ）（Ｂ）を参照し１本発明をＧａＡｆ
ｆＡｓによる赤外ＬＥＤ素子の製造に適用した実施例を
説明する。
ｆＡｓによる赤外ＬＥＤ素子の製造に適用した実施例を
説明する。
（１） まず液相エピタキシャル成長法を用いること
により、ＧａＡｓ基板１上にＡｆｉ混晶比ｙが略０．６
膜厚が略１０終鵬のＮ型Ｇａ１−ｙＡＪ２ｙＡｓ（ｙ＝
０．８）層４を成長させる。
により、ＧａＡｓ基板１上にＡｆｉ混晶比ｙが略０．６
膜厚が略１０終鵬のＮ型Ｇａ１−ｙＡＪ２ｙＡｓ（ｙ＝
０．８）層４を成長させる。
この液相エピタキシャル成長は次のようにして行なう、
即ち、Ｇａ融液中にＧａＡｓ多結晶、Ａｆｆ、 ドー
パントとしてのＴｅを適量混合した溶融液を８５０℃ま
で昇温し、所定の時間（例えば２時間）その温度に保持
して組成を均一化した後、該溶融液をＧａＡｓ基板ｌ基
板面に接触させる。
即ち、Ｇａ融液中にＧａＡｓ多結晶、Ａｆｆ、 ドー
パントとしてのＴｅを適量混合した溶融液を８５０℃ま
で昇温し、所定の時間（例えば２時間）その温度に保持
して組成を均一化した後、該溶融液をＧａＡｓ基板ｌ基
板面に接触させる。
続いて、０．４℃／ｍｉｘの冷却速度で８３５℃まで降
温することにより、前記Ｎ型Ｇａ１−ｙＡｆｌ！Ａｓ層
４が成長する。所定の膜厚だけエピタキシャル成長させ
た後、溶融液を基板から分離する。
温することにより、前記Ｎ型Ｇａ１−ｙＡｆｌ！Ａｓ層
４が成長する。所定の膜厚だけエピタキシャル成長させ
た後、溶融液を基板から分離する。
（２）次に、今度はＧａＡａ多結晶、Ａｆｆ及びドーパ
ントとしてのＳｔをＧａ融液に適量混合した溶融液を９
２０℃まで昇温し、一定時間（例えば２時間）その温度
に保持して組成を均一化した後、該溶融液を用いて能動
層を成長させる。即ち、このエピタキシャル成長用の溶
融液を前記Ｎ型Ｇａ、−ｙＡｆｆｙＡｓ暦４の表面に接
触させ、冷却速度０．５℃７／＋ｎで７５０℃まで降温
させることにより、Ｇａ１−ｘＡＩ２ｘＡｓ（ｘ≦０．
４）を成長させる０周知のようにＳｔは降温でドナー不
純物、低温で７クセブタ不純物となるため、このエピタ
キシャル成長によりＮ型Ｇａ１−ｘＡｆｌｘＡｓ層２お
よびＰ型Ｇａ１−ｘＡｆｌｘＡｓ層３が順次形成され、
第１図（Ａ）に示す構造が得られる。
ントとしてのＳｔをＧａ融液に適量混合した溶融液を９
２０℃まで昇温し、一定時間（例えば２時間）その温度
に保持して組成を均一化した後、該溶融液を用いて能動
層を成長させる。即ち、このエピタキシャル成長用の溶
融液を前記Ｎ型Ｇａ、−ｙＡｆｆｙＡｓ暦４の表面に接
触させ、冷却速度０．５℃７／＋ｎで７５０℃まで降温
させることにより、Ｇａ１−ｘＡＩ２ｘＡｓ（ｘ≦０．
４）を成長させる０周知のようにＳｔは降温でドナー不
純物、低温で７クセブタ不純物となるため、このエピタ
キシャル成長によりＮ型Ｇａ１−ｘＡｆｌｘＡｓ層２お
よびＰ型Ｇａ１−ｘＡｆｌｘＡｓ層３が順次形成され、
第１図（Ａ）に示す構造が得られる。
なお、これら能動層におけるＡρ混晶比ＸはＬＥＤの発
光波長を決定する要素であるから、所定の波長が得られ
るように混晶比Ｘの値を＊ｉｔｒする。
光波長を決定する要素であるから、所定の波長が得られ
るように混晶比Ｘの値を＊ｉｔｒする。
（３）上記のようにして第１図（Ａ）の積層構造を形成
した後、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（混合
比は、例えば１：２０）によりＧａＡｓ基板１をエツチ
ングする。その際、前記のＮ型Ｇ ａ １−ｙＡΩｙＡ
Ｓ層４がこのエツチング液に対して耐性を有しているた
め、エツチングはＧａＡｓ基板ｌ基板力された段階で停
止され、能動層２．３が浸食されることはない、即ち、
この実施例では基板１と能動層２，３との間に介在され
たＮ型Ｇａ１−ｙＡｆｌｖＡｓ層４が保護半導体層とし
て機能する。
した後、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（混合
比は、例えば１：２０）によりＧａＡｓ基板１をエツチ
ングする。その際、前記のＮ型Ｇ ａ １−ｙＡΩｙＡ
Ｓ層４がこのエツチング液に対して耐性を有しているた
め、エツチングはＧａＡｓ基板ｌ基板力された段階で停
止され、能動層２．３が浸食されることはない、即ち、
この実施例では基板１と能動層２，３との間に介在され
たＮ型Ｇａ１−ｙＡｆｌｖＡｓ層４が保護半導体層とし
て機能する。
（０その後は従来の製法と同じプロセスにより赤外ＬＥ
Ｄ素子を製造する。
Ｄ素子を製造する。
上記実施例の製造方法によれば、ＧａＡｓ基板１のエツ
チング条件を精密に制御しなくても能動層２．３がエツ
チングされるのを防止できるため、量産時における製造
歩留は著しく向上する。
チング条件を精密に制御しなくても能動層２．３がエツ
チングされるのを防止できるため、量産時における製造
歩留は著しく向上する。
即ち、第２図（Ａ）（Ｂ）の従来の製造方法ではＧａＡ
ｓ基板ｌ基板力する工程での製造歩留は６５％であった
のに対し、上記実施例ではこの歩留が９９％と大幅に向
上した。
ｓ基板ｌ基板力する工程での製造歩留は６５％であった
のに対し、上記実施例ではこの歩留が９９％と大幅に向
上した。
また、上記実施例で保護半導体層として用いたＧａ１−
２ＡｆｉｙＡｓ暦４は赤外領域の光に対して透明である
から、これを第１図ＣＢ）の状態でそのまま残しておい
ても外部発光効率が低下することはない、のみならず、
この保護半導体層４を積極的に厚く形成しておくことに
よりウェハーの強度を補い、基板１を除去した後の工程
におけるクラック発生を顕著に低減する効果が得られる
。
２ＡｆｉｙＡｓ暦４は赤外領域の光に対して透明である
から、これを第１図ＣＢ）の状態でそのまま残しておい
ても外部発光効率が低下することはない、のみならず、
この保護半導体層４を積極的に厚く形成しておくことに
よりウェハーの強度を補い、基板１を除去した後の工程
におけるクラック発生を顕著に低減する効果が得られる
。
以上詳述したように１本発明は、例えばＧａＡｆｆＡｓ
による赤外発光ダイオードの製造に適用してその製造歩
留を大幅に向上できる等、顕著な効果が得られるもので
ある。
による赤外発光ダイオードの製造に適用してその製造歩
留を大幅に向上できる等、顕著な効果が得られるもので
ある。
第１図（Ａ）（Ｂ）は本発明をＧａＡｆｆＡｓ赤外ＬＥ
Ｄの製造に適用した一実施例を示す説明図、第２図（Ａ
）ＣＢ）はＧａＡｌＡｓ赤外ＬＥＤの従来の製造方法を
示す説明図である。 １−−− Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２ ・Ｎ型Ｇａ１−ｘ
ＡＩ２ｘＡｓ層、３−Ｐ型Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓ層（
Ｘ≦０．４）、４ ・Ｎ型Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓ層（
ｘ＝０．８）第１図 （Ａ） （Ｂ）１２
図
Ｄの製造に適用した一実施例を示す説明図、第２図（Ａ
）ＣＢ）はＧａＡｌＡｓ赤外ＬＥＤの従来の製造方法を
示す説明図である。 １−−− Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２ ・Ｎ型Ｇａ１−ｘ
ＡＩ２ｘＡｓ層、３−Ｐ型Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓ層（
Ｘ≦０．４）、４ ・Ｎ型Ｇａ１−ｘＡｆｆｘＡｓ層（
ｘ＝０．８）第１図 （Ａ） （Ｂ）１２
図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に能動層としての半導体結晶をエピ
タキシャル成長した後、前記半導体基板をエッチングに
より除去し、エピタキシャル層のみを用いて半導体装置
を製造する方法において、前記基板と能動層としての半
導体層との間に前記エッチングで除去されない保護半導
体層を少なくとも基板のエッチングが終了するまで設け
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）前記半導体基板としてＧａＡｓ、前記濃度層とし
てＧａＡｌＡｓを用い、前記エッチングをアンモニア水
と過酸化水素水との混合液をエッチング液に用いて行な
い、前記保護半導体層としてＧａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ
Ａｓ（ｙ＞０．４）を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278204A JPS61154124A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278204A JPS61154124A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154124A true JPS61154124A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17594043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59278204A Pending JPS61154124A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4921817A (en) * | 1987-07-09 | 1990-05-01 | Mitsubishi Monsanto Chemical Co. | Substrate for high-intensity led, and method of epitaxially growing same |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59278204A patent/JPS61154124A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4921817A (en) * | 1987-07-09 | 1990-05-01 | Mitsubishi Monsanto Chemical Co. | Substrate for high-intensity led, and method of epitaxially growing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6115577B2 (ja) | ||
| JPH06105797B2 (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| US4671829A (en) | Manufacturing green light emitting diodes | |
| JPS61154124A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3619304A (en) | Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes | |
| TW202144631A (zh) | 化合物半導體磊晶晶圓及其製造方法 | |
| US5407858A (en) | Method of making gap red light emitting element substrate by LPE | |
| JPH06120561A (ja) | ＧａＰ系発光素子基板及びその製造方法 | |
| JP2000058904A (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード | |
| JPH084170B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3927847B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JPH1197740A (ja) | ＧａＰ発光ダイオード用エピタキシャルウェーハおよびＧａＰ発光ダイオード | |
| JP2021182615A (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| JP3097587B2 (ja) | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ | |
| JPS6247175A (ja) | 半導体発光装置の製法 | |
| JPS5935193B2 (ja) | 発光素子 | |
| JPS5972782A (ja) | 発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS6021894A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0695580B2 (ja) | 半導体発光装置の製法 | |
| JP2001244501A (ja) | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光ダイオード | |
| JPS6291490A (ja) | 半導体薄膜の液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH02159718A (ja) | 化合物半導体結晶 | |
| JPS5846876B2 (ja) | リン化ガリウム発光素子の製造方法 | |
| JPH065917A (ja) | 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | |
| JPS6092609A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 |