JPS5971205A - 透光性導電膜およびその作製方法 - Google Patents
透光性導電膜およびその作製方法Info
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- JPS5971205A JPS5971205A JP18187582A JP18187582A JPS5971205A JP S5971205 A JPS5971205 A JP S5971205A JP 18187582 A JP18187582 A JP 18187582A JP 18187582 A JP18187582 A JP 18187582A JP S5971205 A JPS5971205 A JP S5971205A
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- tin oxide
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、基板上の酸化スズが１０重量％以下添加さ
れた酸化インジュームを主成分とする透光性導電膜（以
下コンダクティブ トランと略記する）添加されること
によシ、可視光の透過率を８咋以上有するとともに、電
気伝導度をさらに改良したＣ！ＴＦ Ｋ関する０本発明
は透光性絶縁基板（以下単にトランスペアレント イン
スレイティング サブストライド即ちＴＩＳという）上
に、リンが０００１〜３重量％添加され、さらに酸化ス
ズが１０重量％以下添加された酸化インジュームを主成
分とする（以下単に工ＴＯという）第１の透光性導電膜
上に、酸化スズを主成分とする（以下単ＫＳｎＯ□とい
う）第２の透光性導電膜（第２のＣ！ＴＦ ）を設け、
この第２のＣＴＦ上に水素またはハロゲン元素が添加さ
れた珪素または炭化珪素を主成分とするＮ型の非単結晶
膜またはＮ型の単結晶半導体層よ如なるＮ型の半導体層
）を設けることを特徴とする透光性導電膜およびその作
製方法に関する。
れた酸化インジュームを主成分とする透光性導電膜（以
下コンダクティブ トランと略記する）添加されること
によシ、可視光の透過率を８咋以上有するとともに、電
気伝導度をさらに改良したＣ！ＴＦ Ｋ関する０本発明
は透光性絶縁基板（以下単にトランスペアレント イン
スレイティング サブストライド即ちＴＩＳという）上
に、リンが０００１〜３重量％添加され、さらに酸化ス
ズが１０重量％以下添加された酸化インジュームを主成
分とする（以下単に工ＴＯという）第１の透光性導電膜
上に、酸化スズを主成分とする（以下単ＫＳｎＯ□とい
う）第２の透光性導電膜（第２のＣ！ＴＦ ）を設け、
この第２のＣＴＦ上に水素またはハロゲン元素が添加さ
れた珪素または炭化珪素を主成分とするＮ型の非単結晶
膜またはＮ型の単結晶半導体層よ如なるＮ型の半導体層
）を設けることを特徴とする透光性導電膜およびその作
製方法に関する。
この発明は、電子ビーム蒸着法によシ酸化スズが１０重
量％以下添加された酸化インジュームを主成分とする透
光性導電膜を形成する場合この蒸着源として酸化リンま
たはリン化合物が。。。１ｐ６添加された酸化・ズが１
゜襲以下好ましくは５％添加された酸化インジュームを
用い、これに電子ビームを照射することにより、基板上
Ｋ ＩＪンが添加された高い導電性を有する酸化インジ
ューム・スズ膜（以下単に工Ｔｏという）を酸化雰囲気
にて形成することによシ、リンが添加された工Ｔｏを主
成分とするＯＴＦを作製する方法に関する。
量％以下添加された酸化インジュームを主成分とする透
光性導電膜を形成する場合この蒸着源として酸化リンま
たはリン化合物が。。。１ｐ６添加された酸化・ズが１
゜襲以下好ましくは５％添加された酸化インジュームを
用い、これに電子ビームを照射することにより、基板上
Ｋ ＩＪンが添加された高い導電性を有する酸化インジ
ューム・スズ膜（以下単に工Ｔｏという）を酸化雰囲気
にて形成することによシ、リンが添加された工Ｔｏを主
成分とするＯＴＦを作製する方法に関する。
従来ＯＴＦ ｉｌｌ：関しては、ＳｎＯ，膜または工Ｔ
Ｏがよく知られていた。しかしこの５ｎＯ１は酸素過剰
型のアクセプタ型のＯＴＦであり、また工ＴＯは酸素欠
乏型のドナー型のＣＴＦである。しかし特にこのドナー
型のＯＴＦ Ｋ関し、電気伝導度は５００−１０００′
Ａの厚さにおいてｌＡ１０以下を得ることができなかっ
た。
Ｏがよく知られていた。しかしこの５ｎＯ１は酸素過剰
型のアクセプタ型のＯＴＦであり、また工ＴＯは酸素欠
乏型のドナー型のＣＴＦである。しかし特にこのドナー
型のＯＴＦ Ｋ関し、電気伝導度は５００−１０００′
Ａの厚さにおいてｌＡ１０以下を得ることができなかっ
た。
本発明はかかるＯＴＦをリンを０．０１〜３重量係好ま
しくは０．０５−０゜５チ添加することにより５００宮
・を基準とする透過率を８゜チ以上を有するそのシート
抵抗を１ｆＬ％以下にすることを目的としている。
しくは０．０５−０゜５チ添加することにより５００宮
・を基準とする透過率を８゜チ以上を有するそのシート
抵抗を１ｆＬ％以下にすることを目的としている。
即ち第１図に本発明のたて断面図を示すが、第１図（Ａ
） において透光性絶縁基板（１）上に電子ビーム蒸着
法によシ、リンを不純物として添加した０ＴＦ（２）を
形成したものである。この形成方法は、酸化スズが１０
％以下添加された酸化インジューム（以下工ＴＯという
）をさらにリンをリン化合物例えば酸化リンを。、。１
へ宰重量％添加しく５） たタブレット （蒸着源）を作シ、このタブレットに電
子ビームを照射することによりリンが添加された工ＴＯ
膜（２）を基板（１）上に形成させた。さらにこの被膜
を真空雰囲気中にて加熱処理好ましくは２００−５０
面の温度にて加熱処理を行なうことによシ、リンを含む
ドナー型のＯＴＦを形成し、その電気抵抗（シート抵抗
）を狛％以下好ましくは０゜ＯＯ’１〜１嗟としたこと
を特徴としている０ さらに第１図（Ｂ） においては、このリンの添加され
た工ＴＯ膜の上面に酸化スズまたは酸化スズ中にホウ素
が０．０１〜鏝添加された酸化スズを主成分とするアク
セプタ型のＯＴ’Ｆを形成した２層構造に関するもので
ある。
） において透光性絶縁基板（１）上に電子ビーム蒸着
法によシ、リンを不純物として添加した０ＴＦ（２）を
形成したものである。この形成方法は、酸化スズが１０
％以下添加された酸化インジューム（以下工ＴＯという
）をさらにリンをリン化合物例えば酸化リンを。、。１
へ宰重量％添加しく５） たタブレット （蒸着源）を作シ、このタブレットに電
子ビームを照射することによりリンが添加された工ＴＯ
膜（２）を基板（１）上に形成させた。さらにこの被膜
を真空雰囲気中にて加熱処理好ましくは２００−５０
面の温度にて加熱処理を行なうことによシ、リンを含む
ドナー型のＯＴＦを形成し、その電気抵抗（シート抵抗
）を狛％以下好ましくは０゜ＯＯ’１〜１嗟としたこと
を特徴としている０ さらに第１図（Ｂ） においては、このリンの添加され
た工ＴＯ膜の上面に酸化スズまたは酸化スズ中にホウ素
が０．０１〜鏝添加された酸化スズを主成分とするアク
セプタ型のＯＴ’Ｆを形成した２層構造に関するもので
ある。
この２層構造の０ＴＩＩ’ Ｋ関しては、電子ビーム蒸
着法により同一真空系でガラス基板上ニ２００〜４００
°Ｃの温度にて酸素雰囲気中にて工ＴＯタブレットに電
子ビームを照射して所定の厚さに工ＴＯ（６） 膜を形成し、さらにこの基板の温度を下げつつホウ素が
添加された一酸化スズを主成分とする（二酸化スズが５
−３東混入してもよい）蒸着したものである。しかしこ
の−酸化スズは黄色を有し透光性で外いため、さらにこ
れらすべてを２００〜ａｏｏ’ｃＫて酸化処理し、−酸
化スズを二酸化スズに変成したことによシ、シート抵抗
を１゜Ｖ以下特に。。窃１−！”％を有せしめたもので
ある。これはホウ素の添加量が０．０ｌ−Ｊｏ、 ２％
と少々い範囲において、その導電率を従来のリンの添加
されていない工Ｔｏよりさらに下げるという必要のある
場合にきわめて有効である。
着法により同一真空系でガラス基板上ニ２００〜４００
°Ｃの温度にて酸素雰囲気中にて工ＴＯタブレットに電
子ビームを照射して所定の厚さに工ＴＯ（６） 膜を形成し、さらにこの基板の温度を下げつつホウ素が
添加された一酸化スズを主成分とする（二酸化スズが５
−３東混入してもよい）蒸着したものである。しかしこ
の−酸化スズは黄色を有し透光性で外いため、さらにこ
れらすべてを２００〜ａｏｏ’ｃＫて酸化処理し、−酸
化スズを二酸化スズに変成したことによシ、シート抵抗
を１゜Ｖ以下特に。。窃１−！”％を有せしめたもので
ある。これはホウ素の添加量が０．０ｌ−Ｊｏ、 ２％
と少々い範囲において、その導電率を従来のリンの添加
されていない工Ｔｏよりさらに下げるという必要のある
場合にきわめて有効である。
さらに第１図（０）は導電性基板例えば０．１−０．３
ｍｍの厚さのステンレス板上に、プラスマｃｖＤ法また
は減圧ＯＶＤ法にょシ、非単結晶のＰ工Ｎ接合を有する
半導体層を積層し、この上層面のＮ型半導体層（６）土
にリンが添加された工Ｔｏｉ（７）を形成せしめて光電
変換装置を作ったものであるこの図面において、１００
〜２００′Ａの厚さを有する微結晶または繊維構造を有
するＮ型半導体層上Ｋ ＩＪンが添加された工ＴＯが形
成されており、その境界には従来形成されていたＩＴＯ
中の過剰酸素と半導体特に珪素との反応により絶縁性Ｓ
ｉＯｘのかわシに導電性または半絶縁性のリンガラスが
形成されるため、電極の接触性のオーム抵抗値をさらに
従来の１／１０以下の０．０１ｎＫ下げることができた
。
ｍｍの厚さのステンレス板上に、プラスマｃｖＤ法また
は減圧ＯＶＤ法にょシ、非単結晶のＰ工Ｎ接合を有する
半導体層を積層し、この上層面のＮ型半導体層（６）土
にリンが添加された工Ｔｏｉ（７）を形成せしめて光電
変換装置を作ったものであるこの図面において、１００
〜２００′Ａの厚さを有する微結晶または繊維構造を有
するＮ型半導体層上Ｋ ＩＪンが添加された工ＴＯが形
成されており、その境界には従来形成されていたＩＴＯ
中の過剰酸素と半導体特に珪素との反応により絶縁性Ｓ
ｉＯｘのかわシに導電性または半絶縁性のリンガラスが
形成されるため、電極の接触性のオーム抵抗値をさらに
従来の１／１０以下の０．０１ｎＫ下げることができた
。
さらに本発明の内容をその実施例に従って以下に説明す
る。
る。
実施例１
この実施例は第１図（Ａ） Ｋそのたて断面図を示す。
真空蒸着装置は真空機械型ＢＪ−８００（１７真空そう
の内径ｓｏｏｍｍ）の電子ビーム蒸着装置を用いた。蒸
発源（タブレット）は酸化スズを５係含有する酸化イン
ジューム中にリンを五酸化リン低０９を１．０重量係添
加して１５ｍｍ’厚さ８ｍｍを用いた〇 真空蒸着は第２図における曲線（イ）によりそのる。こ
こで被形成面を有する基板例えば１０×１０ｃｍＬ、
２０Ｘ２０ｃｍ’のガラス基板のベークを約１５分行な
い、！（ブリ、水蒸気を除去した。さらに領域椅におい
て酸素分圧３Ｘ１０ ｔｏｒｒの真空度にて不発空蒸着
装置よシガラス基板を引き出した。
の内径ｓｏｏｍｍ）の電子ビーム蒸着装置を用いた。蒸
発源（タブレット）は酸化スズを５係含有する酸化イン
ジューム中にリンを五酸化リン低０９を１．０重量係添
加して１５ｍｍ’厚さ８ｍｍを用いた〇 真空蒸着は第２図における曲線（イ）によりそのる。こ
こで被形成面を有する基板例えば１０×１０ｃｍＬ、
２０Ｘ２０ｃｍ’のガラス基板のベークを約１５分行な
い、！（ブリ、水蒸気を除去した。さらに領域椅におい
て酸素分圧３Ｘ１０ ｔｏｒｒの真空度にて不発空蒸着
装置よシガラス基板を引き出した。
その結果導電膜の厚さが１０ｏＯ入において０．１３％
のシート抵抗を得、さらにその透過率け５００￥ｍの波
長において９咋を有していた。このにおいては、とのＯ
ＴＦの形成されてい彦い他の表面での反射（ト５つを理
論的に除去している。
のシート抵抗を得、さらにその透過率け５００￥ｍの波
長において９咋を有していた。このにおいては、とのＯ
ＴＦの形成されてい彦い他の表面での反射（ト５つを理
論的に除去している。
実施例２
この実施例は実施例１においてタブレット内（９）
掲ぐ
でｍの添加を、ない１〆、０．０１懺０゜饅■・と変化
させた場合である。その他においては実施例１と同様で
ある。そるとその結果、第３図に示す曲線α→のシート
抵抗値を得、また透過率は曲線αめを有していた。
させた場合である。その他においては実施例１と同様で
ある。そるとその結果、第３図に示す曲線α→のシート
抵抗値を得、また透過率は曲線αめを有していた。
実施例３
この実施例は第１餘ｉそのたて断面図を示す実施例１の
真空蒸着装置を用いた。その操作プロファイルは第２図
における曲線（３５）（ハ）を用いた。即ち基板を真空
蒸着装置に配設した後、真空度をｌＸｌ０ ｔｏｒｒ以
下として、基板を領域（イ）にて５−１５分ベークして
出し、２ｋｉｌｌ（等の吸着物を除去した。さらにこの
後３Ｘ１（５’ ｔｏｒｒの酸化雰囲気にてリンが００
００１〜１係添加された工Ｔｏ （酸化スズが５重量係
添加され、さらに酸化リンが０．３チ添加された）のタ
ブレット（１５” ｘｓＪ Ｉｇより１〜３″ＩＶ／秒
の真空蒸着速度にて工ＴＯ膜よシなる第１のＯＴＦを５
００λの厚さに形成させた０さら（１０）、 に領域０→にて真空度をｌＸｌ０ ｔｏｒｒ以下にし、
蒸着された工ＴＯ膜を結晶化させて、ドナー型のＯＴＦ
とした。さらにこの後領域（ハ）において、真空度をｌ
Ｘｌ０ ｔｏｒｒ以下とし、温度を下げつつ同時にホウ
素が添加されたＳｎＯを１〜３彩秒の蒸着速度にて５０
０λの厚さにて積層して形成した。
真空蒸着装置を用いた。その操作プロファイルは第２図
における曲線（３５）（ハ）を用いた。即ち基板を真空
蒸着装置に配設した後、真空度をｌＸｌ０ ｔｏｒｒ以
下として、基板を領域（イ）にて５−１５分ベークして
出し、２ｋｉｌｌ（等の吸着物を除去した。さらにこの
後３Ｘ１（５’ ｔｏｒｒの酸化雰囲気にてリンが００
００１〜１係添加された工Ｔｏ （酸化スズが５重量係
添加され、さらに酸化リンが０．３チ添加された）のタ
ブレット（１５” ｘｓＪ Ｉｇより１〜３″ＩＶ／秒
の真空蒸着速度にて工ＴＯ膜よシなる第１のＯＴＦを５
００λの厚さに形成させた０さら（１０）、 に領域０→にて真空度をｌＸｌ０ ｔｏｒｒ以下にし、
蒸着された工ＴＯ膜を結晶化させて、ドナー型のＯＴＦ
とした。さらにこの後領域（ハ）において、真空度をｌ
Ｘｌ０ ｔｏｒｒ以下とし、温度を下げつつ同時にホウ
素が添加されたＳｎＯを１〜３彩秒の蒸着速度にて５０
０λの厚さにて積層して形成した。
かくしてこの２層膜の形成された基板を蒸着装置よシと
シ出し、電気炉にて領域０枠ニ示される曲綜（ハ）によ
り酸化雰囲気中にてベークをしてＳｎＯを酸素過剰型の
５ｎＯＬとし、同時にホウ素をアクセプタ型の不純物と
した。
シ出し、電気炉にて領域０枠ニ示される曲綜（ハ）によ
り酸化雰囲気中にてベークをしてＳｎＯを酸素過剰型の
５ｎＯＬとし、同時にホウ素をアクセプタ型の不純物と
した。
この酸化加熱処理は電気炉中にて２００交００’０ここ
ｔｌ：４２０°Ｃとし、３時間加熱をした。その結果酸
化スズ膜を透光性を有しかつ導電性のものとした。結果
として耐薬融例えば塩酸ニ６０分しても溶解がおきず、
かつ電気伝導度はリンの添加されたＩＴＯ膜＼す１／３
以下となシ、さらにその透過率も８５％以上を有するこ
とができた。
ｔｌ：４２０°Ｃとし、３時間加熱をした。その結果酸
化スズ膜を透光性を有しかつ導電性のものとした。結果
として耐薬融例えば塩酸ニ６０分しても溶解がおきず、
かつ電気伝導度はリンの添加されたＩＴＯ膜＼す１／３
以下となシ、さらにその透過率も８５％以上を有するこ
とができた。
実施例４
この実施例は第１図（ｃ） Ｋそのたて断面図を示して
いる。即ち図面において○。２ｍｍ厚さのステンレス基
板上に高周波またはマイクロ波によシ活性化、分解させ
た反応性気体を基板上に形成するいわゆるプラズマＯＶ
Ｄ法を用いた。即ちＰ型半導体層をＢ、Ｅｌ／ＳｉＨ４
・０゜５％として、１００λの厚さに（４）として形成
し、さらにホウ素が３Ｘ１０”ａｍ’以下の量添加され
た真性の半導体層間を０．５μの厚さに、さらにこの上
面に微結晶才たは繊維構造を有する多結晶のＮ型半導体
層を１００〜２００λの厚さに（６）として形成させた
。このプラズマＣｖＤ法は２５０＋’Ｏ、反応炉内圧力
０゜１ｔｏｒｒ １高周波出力１３゜５６ＭＨｚを用い
た。このＮ型半導体層上に本発明のリンを含有する工Ｔ
ｏ膜を電子ビーム法にて７０ＯＡの厚さに基板温度２５
０°ＯＫて形成した。
いる。即ち図面において○。２ｍｍ厚さのステンレス基
板上に高周波またはマイクロ波によシ活性化、分解させ
た反応性気体を基板上に形成するいわゆるプラズマＯＶ
Ｄ法を用いた。即ちＰ型半導体層をＢ、Ｅｌ／ＳｉＨ４
・０゜５％として、１００λの厚さに（４）として形成
し、さらにホウ素が３Ｘ１０”ａｍ’以下の量添加され
た真性の半導体層間を０．５μの厚さに、さらにこの上
面に微結晶才たは繊維構造を有する多結晶のＮ型半導体
層を１００〜２００λの厚さに（６）として形成させた
。このプラズマＣｖＤ法は２５０＋’Ｏ、反応炉内圧力
０゜１ｔｏｒｒ １高周波出力１３゜５６ＭＨｚを用い
た。このＮ型半導体層上に本発明のリンを含有する工Ｔ
ｏ膜を電子ビーム法にて７０ＯＡの厚さに基板温度２５
０°ＯＫて形成した。
かくすることによムこ汚つ−ンは０．０１〜３係例えば
０゜３チ添加されて、Ｃ！ＴＦ膜はそのシート抵抗とし
て０．０３％を有した。このため基板が１０ａｍ’であ
っても、その補助電極（財）を従来の５ｍｍ間隙から３
−５ ｃ ｍ間隙にまでひろげることができ光電変換装
置としての有効面積を広げることができた。
０゜３チ添加されて、Ｃ！ＴＦ膜はそのシート抵抗とし
て０．０３％を有した。このため基板が１０ａｍ’であ
っても、その補助電極（財）を従来の５ｍｍ間隙から３
−５ ｃ ｍ間隙にまでひろげることができ光電変換装
置としての有効面積を広げることができた。
さらにこの半導体層中に被膜作製の際増加される酸素に
よるＳｉＯｘを導電性のリンガラスとｉヅ。
よるＳｉＯｘを導電性のリンガラスとｉヅ。
することができるため、オーム接【抵抗値を０．０１３
に下げることができた。
に下げることができた。
このためその変換効率を１０ｃｍ’［て８係（真性）マ
。５％（実効）を得ることができた。
。５％（実効）を得ることができた。
以上の本発明において、半導体層は珪素のみを示した。
しかし炭化珪素（Ｓ ｉｘｏ＋−Ａ（０＜ｘ（１））等
の水素またはハロゲン元素の添加されたその他の非単結
晶半導体であってもよい。また基板が工またはＰ型半導
体であり、さらにその上部に１００−３００＾のうすい
Ｎ型半導体層を有する単結晶シリコン半導体があり、こ
のＮ型半導体層上に本発明のリンが０．０１〜３係添加
されたＯＴＦを反射防止膜をかねた電極として設けても
よい。この場合の変換効率は２０゜都をＡＭＩ （１０
０ｍＷ／ａｍ’ ）（Ｉｓｃｔ４１７ｎＡ／ｃｍＬ、
ＦＦ：００８５． Ｖ＋ｙｃ： ０．６３Ｖ）を得るこ
とができた。
の水素またはハロゲン元素の添加されたその他の非単結
晶半導体であってもよい。また基板が工またはＰ型半導
体であり、さらにその上部に１００−３００＾のうすい
Ｎ型半導体層を有する単結晶シリコン半導体があり、こ
のＮ型半導体層上に本発明のリンが０．０１〜３係添加
されたＯＴＦを反射防止膜をかねた電極として設けても
よい。この場合の変換効率は２０゜都をＡＭＩ （１０
０ｍＷ／ａｍ’ ）（Ｉｓｃｔ４１７ｎＡ／ｃｍＬ、
ＦＦ：００８５． Ｖ＋ｙｃ： ０．６３Ｖ）を得るこ
とができた。
第１図は本発明の透光性導電膜を基板上に設けたたて断
面図を示す。 第２図は本発明の透光性導電膜を形成するた。 めの操作プロファイルを示す。 第３図は本発明の透光性導電膜のシート抵抗および透過
率を示す。
面図を示す。 第２図は本発明の透光性導電膜を形成するた。 めの操作プロファイルを示す。 第３図は本発明の透光性導電膜のシート抵抗および透過
率を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に酸化スズが１０重量％以下添加重量係含有
したことを特徴とする透光性導電膜。 量チ添加された酸化インジュームを主成分とする第１の
透光性導電膜上には、酸化スズを主成分とする第２の透
光性導電膜が設けられたことを特徴とする透光性導電膜
。 γ ３、 Ｎ型の導電性を有するＹ導体層上に酸化スズが
１０重量％以下添加された酸化インゝｒ− ジュームはリンを０゜０１−３重量％含有することを特
徴とする透光性導電膜。 ４、電子ビーム蒸着法により、酸化インジュームを主成
分とする導電性被膜を形成する方法において、リンまた
はリン化物を０００１〜３重量係含有するとともに、酸
化スズを１０重量係以下含有する酸化インジュームを電
子ビームを照射することにより１５０〜５００”０に加
熱された基板上ニリンおよび酸化スズが添加された酸化
インジューム膜を形成することを特徴とするイ脣１電膜
作製方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、真空蒸着は酸素分
圧３×１０〜ｌＸｌ０ ｔｏｒｒ中で行表うとともに、
蒸着を２Ｘ１δもの真空雰囲気中で１５０〜５ｏｃｆｃ
Ｋて加熱処理を５分間以上尾台 行なうことを特徴とするｊＭ薄電電膜作製方法 ６、特許請求の範囲第４項において、リン化物は五酸化
リンよυ々ることを特徴とするノゼ、ト１ 透γ導電膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18187582A JPS5971205A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 透光性導電膜およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18187582A JPS5971205A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 透光性導電膜およびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5971205A true JPS5971205A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16108380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18187582A Pending JPS5971205A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 透光性導電膜およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5971205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045235A (en) * | 1989-05-24 | 1991-09-03 | Showa Denko K.K. | Transparent conductive film |
| CN101910087A (zh) * | 2008-05-12 | 2010-12-08 | Bizesp有限公司 | 用于制造高密度ito溅射靶的方法 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18187582A patent/JPS5971205A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045235A (en) * | 1989-05-24 | 1991-09-03 | Showa Denko K.K. | Transparent conductive film |
| CN101910087A (zh) * | 2008-05-12 | 2010-12-08 | Bizesp有限公司 | 用于制造高密度ito溅射靶的方法 |
| JP2011519817A (ja) * | 2008-05-12 | 2011-07-14 | ビズエスプ リミテッド | 高密度ｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 |
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