JPS5966013A - リ−ドスイツチ用接点 - Google Patents
リ−ドスイツチ用接点Info
- Publication number
- JPS5966013A JPS5966013A JP17537282A JP17537282A JPS5966013A JP S5966013 A JPS5966013 A JP S5966013A JP 17537282 A JP17537282 A JP 17537282A JP 17537282 A JP17537282 A JP 17537282A JP S5966013 A JPS5966013 A JP S5966013A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
+発明は、リードスイッチ用接点に関する。
従来、リードスイング−用接点は、全系拡散接点。
金合金接点、あるいは白金族金属接点が使用されている
が、いずれも接点層の厚さが数ミクロン程度であるため
、電流断続によって接点の消耗、転移等が起こり、接点
層の厚いバルク接点をもつ他の電磁+7レーに比して寿
命が短かいという欠点がある。l)¥に、50ボルト1
00mA程度の抵抗負荷であってケーブルを伴なうよう
ム負荷条件ではショートアークが著しく発生し、接点転
移が局部的に発生し、一方の接点に穴が形成さハ4、他
方の接点に突起が生じるため、少ない動作回数で接触不
良や開離不能を起こ]−5やずい。こノ1を防出、する
ため、全硬質合金のメッキ層をリード片に形成した後、
急熱、急冷の特殊な波数処理を施[7て、上記メッキ層
をスポンジ状にすることによって、上述のショートアー
クを伴う負荷条件での寿命を延ばすことが知られている
。しかし、上述の処f174は、メッキ後の熱処理条件
がφ11シ<、生産性が悪い。
が、いずれも接点層の厚さが数ミクロン程度であるため
、電流断続によって接点の消耗、転移等が起こり、接点
層の厚いバルク接点をもつ他の電磁+7レーに比して寿
命が短かいという欠点がある。l)¥に、50ボルト1
00mA程度の抵抗負荷であってケーブルを伴なうよう
ム負荷条件ではショートアークが著しく発生し、接点転
移が局部的に発生し、一方の接点に穴が形成さハ4、他
方の接点に突起が生じるため、少ない動作回数で接触不
良や開離不能を起こ]−5やずい。こノ1を防出、する
ため、全硬質合金のメッキ層をリード片に形成した後、
急熱、急冷の特殊な波数処理を施[7て、上記メッキ層
をスポンジ状にすることによって、上述のショートアー
クを伴う負荷条件での寿命を延ばすことが知られている
。しかし、上述の処f174は、メッキ後の熱処理条件
がφ11シ<、生産性が悪い。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、ショート
アークの発生する負#条件下でも長寿命で、かつ製造容
易なリードスイッチ用接点を提供することにある。
アークの発生する負#条件下でも長寿命で、かつ製造容
易なリードスイッチ用接点を提供することにある。
本発明の接点は、リードスイッチのり一ドハ先端部に錫
、亜鉛、カドミウム、鉛又VJインジウム等で後記最上
層に対する容積比が30チ〜150チの下地層を形成し
、該下地層の上に金祉たは金合金の最−1層が形成さi
l、たことを特賛とする。
、亜鉛、カドミウム、鉛又VJインジウム等で後記最上
層に対する容積比が30チ〜150チの下地層を形成し
、該下地層の上に金祉たは金合金の最−1層が形成さi
l、たことを特賛とする。
次に、本発明について、図面を参照して詳糾1に説明す
る。
る。
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図である。すな
わち、リード片1の先端部に、金ストライク2ヶ形成し
、その土に錫の下地層3を形成し、(j44層に金コバ
ルトの金合金層4をそれぞれメッキe(−より形成する
。金ストライク2は、錫の下地11’i 3の形成を賓
易なら1.めるために設けたものである。((7て、F
地ハ゛〜3 &J金合金層4に対する容積1[、が3(
)〜150%である。これUll、抜:I71\するよ
りに11・2ト・層と一1地層の容積化が異なりすぎる
場f’l &、I、適当なスポンジ状の層が形成さノ″
1ないと考乏lっノ)るため、適当なスポンジ状の層☆
・形成する/rめに、低融点の1地層の1ψさを最上層
の金又は会合金自に苅(7て上記H4+、、囲に選定I
7た。本実施例の格点v」、以1:にのべるようにショ
ートアークの発生する負荷条件(11i流50ボルト、
]OOmA抵抗負4丁)で著しく長寿命を有するという
効果がある。
わち、リード片1の先端部に、金ストライク2ヶ形成し
、その土に錫の下地層3を形成し、(j44層に金コバ
ルトの金合金層4をそれぞれメッキe(−より形成する
。金ストライク2は、錫の下地11’i 3の形成を賓
易なら1.めるために設けたものである。((7て、F
地ハ゛〜3 &J金合金層4に対する容積1[、が3(
)〜150%である。これUll、抜:I71\するよ
りに11・2ト・層と一1地層の容積化が異なりすぎる
場f’l &、I、適当なスポンジ状の層が形成さノ″
1ないと考乏lっノ)るため、適当なスポンジ状の層☆
・形成する/rめに、低融点の1地層の1ψさを最上層
の金又は会合金自に苅(7て上記H4+、、囲に選定I
7た。本実施例の格点v」、以1:にのべるようにショ
ートアークの発生する負荷条件(11i流50ボルト、
]OOmA抵抗負4丁)で著しく長寿命を有するという
効果がある。
上述の効果を確認するため、各種構成の接臓を形成I〜
た1対のリード片1を第2図に示すようにガラス管5で
封入したリードスイッチを、ショートアークの発生する
負荷条件(直流50ボルト100 mA抵抗負荷)の下
で寿命試験を行なった。
た1対のリード片1を第2図に示すようにガラス管5で
封入したリードスイッチを、ショートアークの発生する
負荷条件(直流50ボルト100 mA抵抗負荷)の下
で寿命試験を行なった。
接点構成は、最上層の金コバルトの金合金層4と錫の下
地層3のメッキ厚をそハ、それ0.3,2.7ミクロン
としたA接点、1.2ミクロンとしたB接点、1.5,
1.5ミクロン2したC接点、2,1ミク「コンとした
D接点および2.7,0.3ミクロンと1〜たIC接点
の5棟類とした。
地層3のメッキ厚をそハ、それ0.3,2.7ミクロン
としたA接点、1.2ミクロンとしたB接点、1.5,
1.5ミクロン2したC接点、2,1ミク「コンとした
D接点および2.7,0.3ミクロンと1〜たIC接点
の5棟類とした。
寿命試験の結果を第3図に示す。第3図は、横’i’l
l+に動作回数を取り、縦軸に該動作回数に対するリー
ドスイッチの累積不良率を示している。なお曲線A−E
は、それぞれ上記各抽接点に対応した特性を示し、曲線
Fは従来より公知の金とロジウムで構成された接点のリ
ードスイッチの寿命特性を示す。同図から理解さ、+1
.るように、接点B、C。
l+に動作回数を取り、縦軸に該動作回数に対するリー
ドスイッチの累積不良率を示している。なお曲線A−E
は、それぞれ上記各抽接点に対応した特性を示し、曲線
Fは従来より公知の金とロジウムで構成された接点のリ
ードスイッチの寿命特性を示す。同図から理解さ、+1
.るように、接点B、C。
Dによるものは、いずれも従来のリードス・rツテの5
〜10倍の寿命がある。これは、以上のように占えられ
る。
〜10倍の寿命がある。これは、以上のように占えられ
る。
7 F+ −)アークが顕著に発生Jる負荷条件では、
従来の接点ii接点拐の転移が局部に集中しマ、突起や
穴の成長が一1?<、このため少ない動作回数でリード
片材の成分、−すなわち鉄やニッケル等が直接接点表面
に露出することにより、接触抵抗が増大したり、突起と
穴とがからみあって開離不能を起こすため寿命が短かく
なる。これに対し、本発明に係る接点は、低融点金域層
を下地層として形成1−て、イの十J−に上記下地層に
極めて拡散I〜易い金井たは金コバルト等の硬質金合金
の層を形成(7であるため、ガラス管への封入時の加熱
等により上記2つの層が互に拡散して、スポンジ状の拡
散層が表面に形成されて、ショートアークが発生しでも
突起が成長せず、1だ接点転移および消耗が局部に集中
せずに接点面に拡がるため寿命が延びろものと考えら)
1.る。なお、錫層の薄い接点Aと、逆に錫層のj9い
接点Eによるものは、両者ともほぼ従来接点と同8度の
寿命であった。これは、最上層の金合金層と、錫の下地
層との体積化が異なり過きて適当なスポンジ状の層が形
成され卸いためと考えられる。故に下′地層は金合金層
に対して容積比で30〜150%程度と1゛ることか良
い。
従来の接点ii接点拐の転移が局部に集中しマ、突起や
穴の成長が一1?<、このため少ない動作回数でリード
片材の成分、−すなわち鉄やニッケル等が直接接点表面
に露出することにより、接触抵抗が増大したり、突起と
穴とがからみあって開離不能を起こすため寿命が短かく
なる。これに対し、本発明に係る接点は、低融点金域層
を下地層として形成1−て、イの十J−に上記下地層に
極めて拡散I〜易い金井たは金コバルト等の硬質金合金
の層を形成(7であるため、ガラス管への封入時の加熱
等により上記2つの層が互に拡散して、スポンジ状の拡
散層が表面に形成されて、ショートアークが発生しでも
突起が成長せず、1だ接点転移および消耗が局部に集中
せずに接点面に拡がるため寿命が延びろものと考えら)
1.る。なお、錫層の薄い接点Aと、逆に錫層のj9い
接点Eによるものは、両者ともほぼ従来接点と同8度の
寿命であった。これは、最上層の金合金層と、錫の下地
層との体積化が異なり過きて適当なスポンジ状の層が形
成され卸いためと考えられる。故に下′地層は金合金層
に対して容積比で30〜150%程度と1゛ることか良
い。
本実施例では、最上層に金コバルト合金を、下地層に錫
を用いたが、最上層には、金ニツケル合金、金銀合金ま
たは金を用いても同様の効果が得られる。捷た、下地層
には、亜鉛、鉛、インジウム等を用いても良い。
を用いたが、最上層には、金ニツケル合金、金銀合金ま
たは金を用いても同様の効果が得られる。捷た、下地層
には、亜鉛、鉛、インジウム等を用いても良い。
なお、リード片の鉄、ニッケル等の素材が直接表面に露
出することを防+ 14するため上述の錫層:の下地層
3または金ストライク2のさらに下層に、前記下地層の
金属との拡散係数か、下地層と最上層の金属との拡散係
数よりも低い金属、例えばロジウム、ルデニウム、パラ
ジウム、パラジウムニッケル合金、レニウム、白金、タ
ングステン等の金属をメッキしてもよい。こ力、により
本発明の効果をよυ犬とすることができる。
出することを防+ 14するため上述の錫層:の下地層
3または金ストライク2のさらに下層に、前記下地層の
金属との拡散係数か、下地層と最上層の金属との拡散係
数よりも低い金属、例えばロジウム、ルデニウム、パラ
ジウム、パラジウムニッケル合金、レニウム、白金、タ
ングステン等の金属をメッキしてもよい。こ力、により
本発明の効果をよυ犬とすることができる。
以上のように、本発明においては、リード片の先端部最
上層に金又は金合金層:を形成し、その下層に、錫、亜
鉛等の下地層を最上層に対しで30〜150%の容積比
で形成さ力、た構造としたから、該T地1@と醇上層の
金属の拡散によってスポンジ状の接点が形成さi]1、
ショートアークの発生する抵抗負荷条件下における接点
の寿命をいちぢるしく白土させる効果を治する。
上層に金又は金合金層:を形成し、その下層に、錫、亜
鉛等の下地層を最上層に対しで30〜150%の容積比
で形成さ力、た構造としたから、該T地1@と醇上層の
金属の拡散によってスポンジ状の接点が形成さi]1、
ショートアークの発生する抵抗負荷条件下における接点
の寿命をいちぢるしく白土させる効果を治する。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図1ツ験
のために作成したリードスイッチを示す図、第3図は名
神接点によるリードスイッチの寿命試験結果を示す図で
ある。 図において、1・・・リード片、2・・・金ストライク
、3・・・錫の上地層、4・・・金合金層、5・・・ガ
ラス管。 代理人弁理士 住 1)俊 宗
のために作成したリードスイッチを示す図、第3図は名
神接点によるリードスイッチの寿命試験結果を示す図で
ある。 図において、1・・・リード片、2・・・金ストライク
、3・・・錫の上地層、4・・・金合金層、5・・・ガ
ラス管。 代理人弁理士 住 1)俊 宗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードスイッチのリード片先端部に錫、e鉛。 カドミウム、鉛又はインジウム等で後記最上層に対する
容積比が30チ〜150%の下地層を形成(7、該下地
層の上に金または金合金の最上層が形成されたことを特
徴とするリードスイッチ用接点っ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17537282A JPS5966013A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | リ−ドスイツチ用接点 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17537282A JPS5966013A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | リ−ドスイツチ用接点 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5966013A true JPS5966013A (ja) | 1984-04-14 |
JPH0411966B2 JPH0411966B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=15994940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17537282A Granted JPS5966013A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | リ−ドスイツチ用接点 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5966013A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4846854A (ja) * | 1971-10-15 | 1973-07-04 |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP17537282A patent/JPS5966013A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4846854A (ja) * | 1971-10-15 | 1973-07-04 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0411966B2 (ja) | 1992-03-03 |
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