JPS5964599A - 単結晶フエライト - Google Patents

単結晶フエライト

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Publication number
JPS5964599A
JPS5964599A JP57173426A JP17342682A JPS5964599A JP S5964599 A JPS5964599 A JP S5964599A JP 57173426 A JP57173426 A JP 57173426A JP 17342682 A JP17342682 A JP 17342682A JP S5964599 A JPS5964599 A JP S5964599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
magnetic
ferrite
fe2o3
crystal ferrite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57173426A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiharu Hoshi
星 敏春
Junichi Horikawa
順一 堀川
Kazuhiko Okita
和彦 沖田
Haruo Saji
佐治 晴夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57173426A priority Critical patent/JPS5964599A/ja
Publication of JPS5964599A publication Critical patent/JPS5964599A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/24Complex oxides with formula AMeO3, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. ortho ferrites

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compounds Of Iron (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はVTRの記録、再生ヘッドの素材として好適な
単結晶フェライトに関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来、VTR映像用の記録、再生ヘッドの素材としては
、主としてMn−Zn系単結晶ヲ゛エライトが用いられ
ている。それは磁気ヘッドとして一般的に要求される特
性、すなわち透磁率μが大きいこと、飽和磁束密度13
gが大きいこと、抗磁力Haが小さいこと、キュリ一温
度Tcが高いこと、それに加えて精密加工に耐え、耐摩
耗性に優れていること、およびヘッド化した時の摺動ノ
イズ領域が使用帯域外にあることなどにおいてMn−Z
n系単結晶フェライトは満足すべき特性を備えているこ
とによるものである。
しかしながら、近年特に記録密度の増大が望まれており
、高密度記録が可能でかつ低雑音特性を有するヘッド素
材としては充分とはいえないのが現状である。
発明の目的 本発明は、以上のような従来の問題点を解決するために
なされたもので、磁気ヘッド化した場合高周波領域での
磁気特性の改善を図った組成領域を有する単結晶フェラ
イトを提供することを目的とするものである。
発明の構成 この目的を達成するだめに本発明は、酸化第二鉄Fe2
O3が61.5moA% 〜e6mot%、酸化亜鉛Z
nQが10 mo t%y〜20m0 t% 、酸化マ
ンガンMn○が28.5moL% 〜15mot%(D
範囲内の組成としたものである。          
           1:ド 実施例の説明 以下に本発明の単結晶フェライトの実施例を図面と共に
説明する。
Mn−Zn系単結晶フェライトの諸物件は−それらの成
分である酸化第二鉄Fe2O3,酸化亜鉛Zn○、酸、
化マンガンMn○の各々の含有量に犬きく左右される。
例えば、透磁率μと飽和磁束密度Bsの組成との関係を
見た場合、飽和磁束密度Bsは第1図に示すように、は
ぼ酸化第二鉄Fe2O3の量に衣存し、Fe2O3の量
の増加に伴って増加する。又透磁率μは、磁気異方性定
数をに1.飽に1 に1=O近傍の所で犬きくなる。ところで実験によれば
磁気異方性定数に1=0 を与える組成領域はF820
3の含有量からみると、第2図に示すように2つ存在す
ることがわかっている。すなわち1つはFe2O3’ 
52moA9J〜56mot%の範囲内にあり、もう一
方はPa20361.5m01qlr 〜65m0tチ
の範囲内に存在している。特に近年は記録密度の増大が
望まれており、例えばVTR用ヘッドとして満たすべき
最適の条件は、透磁率μが高く、言い換えれば磁気異方
性が小さいことと同時に、できるかぎり飽和磁束密度B
sが大きいことが望まれている。これらを満たす組成領
域を考えた場合、F e 203量の多い領域で、かつ
磁気異方性定数に1=○ のライン近傍が有望と々る。
すなわちFe2O3が61.5mot% 〜65mot
%の範囲内組成がおのずと限定されてくる。これは、高
密度化記録、再生に伴って、近年抗磁力He の大きい
記録媒体として、メタルテープ、蒸着テープなどを使用
しなければならないという必要上、飽和磁束密度Bs 
が少なくとも5500ガウス以上の大きさが必要となっ
てくるという背景から要請されるものである。一方フエ
ライト素材の磁気ヘッドへの加工変質による特性劣化を
少なくするためと、単結晶フェライトヘッド特有の摺動
ノイズを低減させるためには、磁気異方性定数に1  
が小さく、磁歪定数が小さい値を有する近傍の領域が望
ましい。
すなわち透磁率μを犬きく、単結晶フェライト特有の摺
動ノイズを小さくするためには磁歪定数λが小さい方が
よく、λ100では一3X10’ 以下、λ111では
20X10’以下であることが望ましい。これらを考慮
すると第3図から明らかなように領域ZnO10=○t
%〜20moA% の組成範囲が限定されてくる。
したがって、本発明の単結晶フェライトの組成としては
、第4図に示されるように、酸化第二鉄Fe2O3が6
1.5m0t係〜65mot%、酸化亜鉛Zn○が1Q
rno t%〜2omo 1% 、酸化マンガフMn。
が28.5mot%〜15moA%で四重れる領域が好
ましいO 第5図は本発明の一実施例を示す組成図である。
Fe2O3が64m07%、ZnOが17=○ LS 
、M% 0が19=○t%の組成で育成し出来上がった
単結晶の組成を示す。磁束密度を測定して見ると単結晶
の1インゴツトの先端から末端まで5500ガウス以上
と犬きく、飽和磁束密度の大きい単結晶フェライトを得
ることができる。
第6図は本発明の他の実施例を示す組成図である。Fe
2o3が62=○t%、Zn○が17=○t%。
Mn○が21m07%の組成で育成し、同じように飽和
磁束密度を測定した場合、単結晶1インゴツトの先端か
ら末端まで5600以上となる。それに加えて、いづれ
のインゴットも磁歪定数が小さい。
以上のように本実施例によれば飽和磁束密度の犬きい単
結晶フェライトが得ることができ、磁気へノド化した場
合に記録密度を充分に上げることができると同時に低雑
音記録、再生が可能と々る。      −又これらの
組成範囲から外れると飽和磁束密度か5500ガウス以
下となシ本目的の必要とする素材が得られなくなってし
まう。
発明の詳細 な説明したように本発明の単結晶フェライトは酸化第二
鉄Fe2o3が61.5mot%〜65mot%、酸化
亜鉛Zn○が10mo7%〜2omo4%、酸化マンガ
yMno が28.6=○ t%〜15mo1%の組成
範囲からなるもので、磁気ヘッド化した場合、必要とさ
れる磁気特性を充分に満足するものであり、不発   
   □。
明により作られたMn−Zn系単結晶フェライトを−□
磁気ヘッド用の磁性材料などとして使用した場合フェラ
イト特有の摺動ノイズも殆んどなく、更にばS/N比、
ヘッド出力等も従来に比べて格段に良くなっており、か
つ高密度記録が可能になり、高周波領域での磁気特性が
改善され高精細VTR用磁気ヘッドなどとして使用され
、実用の効果は犬である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、飽和磁束密度Bs  と組成の関係を示す図
、第2図は磁気異方性定ムに1−○のラインと組成を示
す図、第3図は磁歪定数λ100.λ111と組成を示
す図、第4図は本発明による組成範囲を示す図、第5図
、第6図は、本発明の実施例と組成関係を示す図である
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名手続
補正書 昭和68年z 月#−[:1 特許庁長官殿 1事件の表示 昭和67年特許願第173426号 2発明の名称 単結晶フェライト 3補正をする者 事f’lとの関係      特   許   出  
 願  人住 所  大阪府門真市太字門真1006番
地名 称 (582)松下電器産業株式会社代表者  
     山   下   俊   彦4代理人 〒5
71 住 所  大阪府門真市大字門真1006番j′IL松
下電器産業株式会社1ノミ 6、補正の内容 (1)明細書第3貞第12行目の記載 ます。 (2)明細書第4頁第10行目の記載「He J  を
「HC」と補正しまず。 (3)明細I第5頁第2行目の記載[−3X10 jを
「−3xlo−6Jと補正します。 !(4)明細書第6頁第4行目の記載[5500Jをr
 l56ooガウス」と補正します。 (5)明細書第6頁第10行目の記載「飽和磁束密度か
」を「飽和磁束密度が」と補正します。 ゛(6)図面の第3図を別紙のとおり補正します。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 酸化第二鉄Fe2O3を61.6moJ14〜65mo
    t% 。 酸化亜鉛Zn0Q 10 mo 1%〜20 mo A
    % 、酸化マンガyMnoを28.5mo A%〜16
    mo t%含む組成を有する単結晶フェライト。
JP57173426A 1982-10-01 1982-10-01 単結晶フエライト Pending JPS5964599A (ja)

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JP57173426A JPS5964599A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 単結晶フエライト

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JP57173426A Pending JPS5964599A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 単結晶フエライト

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6287459A (ja) * 1985-10-09 1987-04-21 日本碍子株式会社 高密度フエライト及びその製造法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5354199A (en) * 1976-10-28 1978-05-17 Akai Electric Process for preparing single crystal ferrite

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