JPS5964599A - 単結晶フエライト - Google Patents
単結晶フエライトInfo
- Publication number
- JPS5964599A JPS5964599A JP57173426A JP17342682A JPS5964599A JP S5964599 A JPS5964599 A JP S5964599A JP 57173426 A JP57173426 A JP 57173426A JP 17342682 A JP17342682 A JP 17342682A JP S5964599 A JPS5964599 A JP S5964599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- magnetic
- ferrite
- fe2o3
- crystal ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/24—Complex oxides with formula AMeO3, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. ortho ferrites
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はVTRの記録、再生ヘッドの素材として好適な
単結晶フェライトに関するものである。
単結晶フェライトに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、VTR映像用の記録、再生ヘッドの素材としては
、主としてMn−Zn系単結晶ヲ゛エライトが用いられ
ている。それは磁気ヘッドとして一般的に要求される特
性、すなわち透磁率μが大きいこと、飽和磁束密度13
gが大きいこと、抗磁力Haが小さいこと、キュリ一温
度Tcが高いこと、それに加えて精密加工に耐え、耐摩
耗性に優れていること、およびヘッド化した時の摺動ノ
イズ領域が使用帯域外にあることなどにおいてMn−Z
n系単結晶フェライトは満足すべき特性を備えているこ
とによるものである。
、主としてMn−Zn系単結晶ヲ゛エライトが用いられ
ている。それは磁気ヘッドとして一般的に要求される特
性、すなわち透磁率μが大きいこと、飽和磁束密度13
gが大きいこと、抗磁力Haが小さいこと、キュリ一温
度Tcが高いこと、それに加えて精密加工に耐え、耐摩
耗性に優れていること、およびヘッド化した時の摺動ノ
イズ領域が使用帯域外にあることなどにおいてMn−Z
n系単結晶フェライトは満足すべき特性を備えているこ
とによるものである。
しかしながら、近年特に記録密度の増大が望まれており
、高密度記録が可能でかつ低雑音特性を有するヘッド素
材としては充分とはいえないのが現状である。
、高密度記録が可能でかつ低雑音特性を有するヘッド素
材としては充分とはいえないのが現状である。
発明の目的
本発明は、以上のような従来の問題点を解決するために
なされたもので、磁気ヘッド化した場合高周波領域での
磁気特性の改善を図った組成領域を有する単結晶フェラ
イトを提供することを目的とするものである。
なされたもので、磁気ヘッド化した場合高周波領域での
磁気特性の改善を図った組成領域を有する単結晶フェラ
イトを提供することを目的とするものである。
発明の構成
この目的を達成するだめに本発明は、酸化第二鉄Fe2
O3が61.5moA% 〜e6mot%、酸化亜鉛Z
nQが10 mo t%y〜20m0 t% 、酸化マ
ンガンMn○が28.5moL% 〜15mot%(D
範囲内の組成としたものである。
1:ド 実施例の説明 以下に本発明の単結晶フェライトの実施例を図面と共に
説明する。
O3が61.5moA% 〜e6mot%、酸化亜鉛Z
nQが10 mo t%y〜20m0 t% 、酸化マ
ンガンMn○が28.5moL% 〜15mot%(D
範囲内の組成としたものである。
1:ド 実施例の説明 以下に本発明の単結晶フェライトの実施例を図面と共に
説明する。
Mn−Zn系単結晶フェライトの諸物件は−それらの成
分である酸化第二鉄Fe2O3,酸化亜鉛Zn○、酸、
化マンガンMn○の各々の含有量に犬きく左右される。
分である酸化第二鉄Fe2O3,酸化亜鉛Zn○、酸、
化マンガンMn○の各々の含有量に犬きく左右される。
例えば、透磁率μと飽和磁束密度Bsの組成との関係を
見た場合、飽和磁束密度Bsは第1図に示すように、は
ぼ酸化第二鉄Fe2O3の量に衣存し、Fe2O3の量
の増加に伴って増加する。又透磁率μは、磁気異方性定
数をに1.飽に1 に1=O近傍の所で犬きくなる。ところで実験によれば
磁気異方性定数に1=0 を与える組成領域はF820
3の含有量からみると、第2図に示すように2つ存在す
ることがわかっている。すなわち1つはFe2O3’
52moA9J〜56mot%の範囲内にあり、もう一
方はPa20361.5m01qlr 〜65m0tチ
の範囲内に存在している。特に近年は記録密度の増大が
望まれており、例えばVTR用ヘッドとして満たすべき
最適の条件は、透磁率μが高く、言い換えれば磁気異方
性が小さいことと同時に、できるかぎり飽和磁束密度B
sが大きいことが望まれている。これらを満たす組成領
域を考えた場合、F e 203量の多い領域で、かつ
磁気異方性定数に1=○ のライン近傍が有望と々る。
見た場合、飽和磁束密度Bsは第1図に示すように、は
ぼ酸化第二鉄Fe2O3の量に衣存し、Fe2O3の量
の増加に伴って増加する。又透磁率μは、磁気異方性定
数をに1.飽に1 に1=O近傍の所で犬きくなる。ところで実験によれば
磁気異方性定数に1=0 を与える組成領域はF820
3の含有量からみると、第2図に示すように2つ存在す
ることがわかっている。すなわち1つはFe2O3’
52moA9J〜56mot%の範囲内にあり、もう一
方はPa20361.5m01qlr 〜65m0tチ
の範囲内に存在している。特に近年は記録密度の増大が
望まれており、例えばVTR用ヘッドとして満たすべき
最適の条件は、透磁率μが高く、言い換えれば磁気異方
性が小さいことと同時に、できるかぎり飽和磁束密度B
sが大きいことが望まれている。これらを満たす組成領
域を考えた場合、F e 203量の多い領域で、かつ
磁気異方性定数に1=○ のライン近傍が有望と々る。
すなわちFe2O3が61.5mot% 〜65mot
%の範囲内組成がおのずと限定されてくる。これは、高
密度化記録、再生に伴って、近年抗磁力He の大きい
記録媒体として、メタルテープ、蒸着テープなどを使用
しなければならないという必要上、飽和磁束密度Bs
が少なくとも5500ガウス以上の大きさが必要となっ
てくるという背景から要請されるものである。一方フエ
ライト素材の磁気ヘッドへの加工変質による特性劣化を
少なくするためと、単結晶フェライトヘッド特有の摺動
ノイズを低減させるためには、磁気異方性定数に1
が小さく、磁歪定数が小さい値を有する近傍の領域が望
ましい。
%の範囲内組成がおのずと限定されてくる。これは、高
密度化記録、再生に伴って、近年抗磁力He の大きい
記録媒体として、メタルテープ、蒸着テープなどを使用
しなければならないという必要上、飽和磁束密度Bs
が少なくとも5500ガウス以上の大きさが必要となっ
てくるという背景から要請されるものである。一方フエ
ライト素材の磁気ヘッドへの加工変質による特性劣化を
少なくするためと、単結晶フェライトヘッド特有の摺動
ノイズを低減させるためには、磁気異方性定数に1
が小さく、磁歪定数が小さい値を有する近傍の領域が望
ましい。
すなわち透磁率μを犬きく、単結晶フェライト特有の摺
動ノイズを小さくするためには磁歪定数λが小さい方が
よく、λ100では一3X10’ 以下、λ111では
20X10’以下であることが望ましい。これらを考慮
すると第3図から明らかなように領域ZnO10=○t
%〜20moA% の組成範囲が限定されてくる。
動ノイズを小さくするためには磁歪定数λが小さい方が
よく、λ100では一3X10’ 以下、λ111では
20X10’以下であることが望ましい。これらを考慮
すると第3図から明らかなように領域ZnO10=○t
%〜20moA% の組成範囲が限定されてくる。
したがって、本発明の単結晶フェライトの組成としては
、第4図に示されるように、酸化第二鉄Fe2O3が6
1.5m0t係〜65mot%、酸化亜鉛Zn○が1Q
rno t%〜2omo 1% 、酸化マンガフMn。
、第4図に示されるように、酸化第二鉄Fe2O3が6
1.5m0t係〜65mot%、酸化亜鉛Zn○が1Q
rno t%〜2omo 1% 、酸化マンガフMn。
が28.5mot%〜15moA%で四重れる領域が好
ましいO 第5図は本発明の一実施例を示す組成図である。
ましいO 第5図は本発明の一実施例を示す組成図である。
Fe2O3が64m07%、ZnOが17=○ LS
、M% 0が19=○t%の組成で育成し出来上がった
単結晶の組成を示す。磁束密度を測定して見ると単結晶
の1インゴツトの先端から末端まで5500ガウス以上
と犬きく、飽和磁束密度の大きい単結晶フェライトを得
ることができる。
、M% 0が19=○t%の組成で育成し出来上がった
単結晶の組成を示す。磁束密度を測定して見ると単結晶
の1インゴツトの先端から末端まで5500ガウス以上
と犬きく、飽和磁束密度の大きい単結晶フェライトを得
ることができる。
第6図は本発明の他の実施例を示す組成図である。Fe
2o3が62=○t%、Zn○が17=○t%。
2o3が62=○t%、Zn○が17=○t%。
Mn○が21m07%の組成で育成し、同じように飽和
磁束密度を測定した場合、単結晶1インゴツトの先端か
ら末端まで5600以上となる。それに加えて、いづれ
のインゴットも磁歪定数が小さい。
磁束密度を測定した場合、単結晶1インゴツトの先端か
ら末端まで5600以上となる。それに加えて、いづれ
のインゴットも磁歪定数が小さい。
以上のように本実施例によれば飽和磁束密度の犬きい単
結晶フェライトが得ることができ、磁気へノド化した場
合に記録密度を充分に上げることができると同時に低雑
音記録、再生が可能と々る。 −又これらの
組成範囲から外れると飽和磁束密度か5500ガウス以
下となシ本目的の必要とする素材が得られなくなってし
まう。
結晶フェライトが得ることができ、磁気へノド化した場
合に記録密度を充分に上げることができると同時に低雑
音記録、再生が可能と々る。 −又これらの
組成範囲から外れると飽和磁束密度か5500ガウス以
下となシ本目的の必要とする素材が得られなくなってし
まう。
発明の詳細
な説明したように本発明の単結晶フェライトは酸化第二
鉄Fe2o3が61.5mot%〜65mot%、酸化
亜鉛Zn○が10mo7%〜2omo4%、酸化マンガ
yMno が28.6=○ t%〜15mo1%の組成
範囲からなるもので、磁気ヘッド化した場合、必要とさ
れる磁気特性を充分に満足するものであり、不発
□。
鉄Fe2o3が61.5mot%〜65mot%、酸化
亜鉛Zn○が10mo7%〜2omo4%、酸化マンガ
yMno が28.6=○ t%〜15mo1%の組成
範囲からなるもので、磁気ヘッド化した場合、必要とさ
れる磁気特性を充分に満足するものであり、不発
□。
明により作られたMn−Zn系単結晶フェライトを−□
磁気ヘッド用の磁性材料などとして使用した場合フェラ
イト特有の摺動ノイズも殆んどなく、更にばS/N比、
ヘッド出力等も従来に比べて格段に良くなっており、か
つ高密度記録が可能になり、高周波領域での磁気特性が
改善され高精細VTR用磁気ヘッドなどとして使用され
、実用の効果は犬である。
磁気ヘッド用の磁性材料などとして使用した場合フェラ
イト特有の摺動ノイズも殆んどなく、更にばS/N比、
ヘッド出力等も従来に比べて格段に良くなっており、か
つ高密度記録が可能になり、高周波領域での磁気特性が
改善され高精細VTR用磁気ヘッドなどとして使用され
、実用の効果は犬である。
第1図は、飽和磁束密度Bs と組成の関係を示す図
、第2図は磁気異方性定ムに1−○のラインと組成を示
す図、第3図は磁歪定数λ100.λ111と組成を示
す図、第4図は本発明による組成範囲を示す図、第5図
、第6図は、本発明の実施例と組成関係を示す図である
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名手続
補正書 昭和68年z 月#−[:1 特許庁長官殿 1事件の表示 昭和67年特許願第173426号 2発明の名称 単結晶フェライト 3補正をする者 事f’lとの関係 特 許 出
願 人住 所 大阪府門真市太字門真1006番
地名 称 (582)松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦4代理人 〒5
71 住 所 大阪府門真市大字門真1006番j′IL松
下電器産業株式会社1ノミ 6、補正の内容 (1)明細書第3貞第12行目の記載 ます。 (2)明細書第4頁第10行目の記載「He J を
「HC」と補正しまず。 (3)明細I第5頁第2行目の記載[−3X10 jを
「−3xlo−6Jと補正します。 !(4)明細書第6頁第4行目の記載[5500Jをr
l56ooガウス」と補正します。 (5)明細書第6頁第10行目の記載「飽和磁束密度か
」を「飽和磁束密度が」と補正します。 ゛(6)図面の第3図を別紙のとおり補正します。
、第2図は磁気異方性定ムに1−○のラインと組成を示
す図、第3図は磁歪定数λ100.λ111と組成を示
す図、第4図は本発明による組成範囲を示す図、第5図
、第6図は、本発明の実施例と組成関係を示す図である
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名手続
補正書 昭和68年z 月#−[:1 特許庁長官殿 1事件の表示 昭和67年特許願第173426号 2発明の名称 単結晶フェライト 3補正をする者 事f’lとの関係 特 許 出
願 人住 所 大阪府門真市太字門真1006番
地名 称 (582)松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦4代理人 〒5
71 住 所 大阪府門真市大字門真1006番j′IL松
下電器産業株式会社1ノミ 6、補正の内容 (1)明細書第3貞第12行目の記載 ます。 (2)明細書第4頁第10行目の記載「He J を
「HC」と補正しまず。 (3)明細I第5頁第2行目の記載[−3X10 jを
「−3xlo−6Jと補正します。 !(4)明細書第6頁第4行目の記載[5500Jをr
l56ooガウス」と補正します。 (5)明細書第6頁第10行目の記載「飽和磁束密度か
」を「飽和磁束密度が」と補正します。 ゛(6)図面の第3図を別紙のとおり補正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化第二鉄Fe2O3を61.6moJ14〜65mo
t% 。 酸化亜鉛Zn0Q 10 mo 1%〜20 mo A
% 、酸化マンガyMnoを28.5mo A%〜16
mo t%含む組成を有する単結晶フェライト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57173426A JPS5964599A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 単結晶フエライト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57173426A JPS5964599A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 単結晶フエライト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5964599A true JPS5964599A (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=15960229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57173426A Pending JPS5964599A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 単結晶フエライト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5964599A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6287459A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | 日本碍子株式会社 | 高密度フエライト及びその製造法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354199A (en) * | 1976-10-28 | 1978-05-17 | Akai Electric | Process for preparing single crystal ferrite |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57173426A patent/JPS5964599A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354199A (en) * | 1976-10-28 | 1978-05-17 | Akai Electric | Process for preparing single crystal ferrite |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6287459A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | 日本碍子株式会社 | 高密度フエライト及びその製造法 |
JPH0433756B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1992-06-03 | Ngk Insulators Ltd | |
JPH0696931A (ja) * | 1985-10-09 | 1994-04-08 | Ngk Insulators Ltd | 高密度多結晶フェライト |
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