JPS5964573A - セラミツク誘電体組成物およびこれを用いた多層コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は比較的に低い温度で焼成できるセラミック誘電
体に関する。また、本発明は電極で分離した層にかかる
誘電体を用いる多層コンデンサに関する。電極は焼成温
度で固体で、かつ焼成中実質的に金属状（非酸化）であ
る合金から作られる。

更に、本発明は前記誘電体および多層コンデンサを製造
する方法に関する。

従来において、セラミックコンデンサは種々のＪヒ状に
作られている。これらの形状としてはディスクコンデン
サおよび多層コンデンサを包含している。ディスクコン
デンサにおいては、先行するセラミック誘電体の調製お
よび焼成を、電極を緻密セラミック誘電体に設ける工程
から区別している。これに対して、多層コンデンサの製
造においでは電極を生セラミツク（ｇｒｅｅｎｃｅｒａ
ｍｉｃ　）に設け、しかる後にセラミック／電極組合せ
体を焼成している。このために、多層コンデンサはコン
デンサの製造において余分の拘束を受ける。多層コンデ
ンサにおいて、電極はｉ）セラミックと反応しないで、
（ｉ＋）焼成雰囲気と反応しないで、および（１１１）
溶融しないで焼成に耐える必要がある〇例えば、一般的
な目的のセラミック誘電体組成物についてはアメリカ特
許第８，５２９．９７’８号明細書に記載されている。

この組成物は主としてＢａＴｉｏ　　とＢｉ２Ｏ３、Ｎ
ｂ２Ｏ，、ＴｉＯ２およびＺｎＯまたはＭｇＯとから作
られている０生成組成物は常湿において１０００以上の
誘電率を有しており、キャパシタンスの温度係数は比較
的に低い０セラミツクスは使用する特定の組成物により
影響されるが１１７０〜１２８０℃（２１４０〜２８４
０’Ｉｉ”　）の温度範囲で焼成する。

この別科自体は良好な誘ｆｆ１ｔ特性を有しているけれ
ども、その４１判を多層コンデンサに用いる場合Ｇこ問
題が生ずる。この別科を処理するのに要する高い焼成湿
度（１１７０〜１２８０℃）は溶融しないで、かつ酸比
しないで高い焼成温度に耐えうる高価な成金Ａ【電極を
用いる場合に当然に必要とされる。例えば、電極は金、
白金またはパラジウムから作ることができる。更に、パ
ラジウム電極の場合において、バッジ１クムはセラミッ
ク中のオスミウムと化学的に反応してセラミックに微小
亀裂および／または気孔を形成し、および不連続な電極
が生ずる傾向がある。これらの欠点はコンデンサの信頼
性、絶縁抵抗および破壊電圧を低下し、またコンデンサ
の散逸ファクター（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎｆａｃｔｏ
ｒ　）を高め、またコンデンサの寿命を短くする（アブ
ストラクト：多層セラミックコンデンサ用の高価な金属
［極システム、　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓＡｄｖｉｓｏｒｙ　Ｂｏａｒｄ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐに
おける多層セラミックコンデンサの信頼性についての報
告（１９８２年３月））。

金、白金およびパラジウム以外に、銀電極は焼成中酸化
に耐えうろことが知られている。しかしながら、純粋な
銀はアメリカ特許第３，５２９，９７８号明細書におい
て用いられている焼成温度範囲より低い約９６０℃で溶
融する。

高価な貴金属電極、ビスマス−パラジウム反応および銀
の低溶融温度の問題を克服する１つの可能な方法は、例
えば銀−パラジウム合金電極を用いることである０この
電極のパラジウム含有量を８５原子パーセントより少な
くする場合には、ビスマス−パラジウム反応を抑制でき
ることが報告されている（　１ｍ１ｎ氏らによる上記論
文参照）。

更に、８５原子パーセント以下のパラジウムを含有する
銀−パラジウム合金は純粋なパラジウム、または高パラ
ジウム含有量の合金より廉価である。

しかし、８５原子パーセント以下のパラジウムを含有す
る銀−パラジウム合金は約１１９０℃以下の温度で溶融
するから（Ｍ、　Ｈａｎｓｅｎ氏著「Ｃｏｎ５ｔｉｔｕ
ｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｂｉｎａｒｙ　Ａ１１ｏｙｓ　Ｊ　第
４１１〜４２頁、マッグクロウ　ヒル発行（１９１５８
年））、かかる電極を用いる多層コンデンサは約１１５
０℃またはこれ以下の温度で焼成する必要がある（溶融
温度と焼成温度との間の範囲は２つの理由のために必要
とされる。その第１は、炉内の温度における固有の変化
が［スボッ）　（５ｐｏｔ　ＩＪ湿温度１１９０℃以上
に上げないようにするためである。その第２は、ビスマ
スをセラミックから電極に拡散するために電極の溶融温
度を低下するためである）０ 上述することから、好ましい安価な電極を作ることがで
きるけれども、アメリカ特許第３．５２９゜９７８号明
細書に記載されているセラミックスは１１７０〜１２８
０℃の範囲の温度で焼成する必要がある。この焼成温度
範囲は多層コンデンサに゛おける上記銀−パラジウム電
極を用いるためしこ（ま余りに高すぎる。これらの温度
Ｇこおし）で、電極Ｇま溶融し、このために多層コンデ
ンサとして使用−〇きなくなる０更に、これらの焼成温
度Ｇこおし）で電極に損傷を与える有害なビスマスーノ
くラジウム反応を生ずる。

本発明の目的は１１５０℃またはこれ以下の温度で緻密
体（ｄｅｎｓｅ　ｂｏｄｙ　）に焼成できるセラミック
誘電体組成物を提供することである０本発明の他の目的
はビスマスを含有し、力）つセラミック中のビスマスと
電極中のノくラジウムとσ）間に堝度の反応を生ずるこ
となく８５原子チ以−ドのパラジウムを有する比較的Ｇ
こ安価な銀−ノぜラジウム電極と焼成できるセラミック
誘電体組成物を提供することである０ 本発明の他の目的は、電極が（１）　１５　％以下の′
帛濡におけるキャパシタンスに対して一５５９Ｃ〜＋１
２５℃の作動温度範囲にわたるキャパシタンスの変化（
正または負）、（２）全作動温度範囲にわたり２．５チ
以下の散逸ファクター、（８）　ｔ　ｏ　ｏ　ｏ秒以上
の常温Ｒｅ積（Ｒｅ　ｐｒｏｄｕｃｔ　）および（４）
１２５℃において１００秒以上のＲｅ積を有することを
要求するＥＩＡ明細書Ｘ　７　Ｒ（ＥＩＡ　５ｐｅｃｉ
ｆｉｃａｔｉｏｎＸ７Ｒ）に合致するかまたはこれより
優れたセラミック誘電体組成物を提供することである。

本発明の他の目的は２５℃において少なくとも８００、
好ましくは８００〜１８００σ）範囲の誘電率を有する
セラミック誘電体組成物を提１することである。

また、本発明の他の目的は１１５０℃以下で焼１成でき
、かつ上述するＥＩＡ明細書Ｘ７Ｒに合致する多層コン
デンサを提供することである。

また、本発明の他の目的はセラミック／電極結合体を１
１５０℃以下の温度で焼成することＧこよってＥＩＡ明
細書Ｘ７Ｒに合致する多層コンデンサの製造方法を提供
することである。

更に、また本発明の他の目的は、電極が焼成中ビスマス
−パラジウム反応によって破壊さ１１なしＡビスマス含
有誘電体および銀−ノぐラジウム電極を有する多層コン
デンサの製造方法を提供すること°である。

本発明におけるセラミック誘電体組成物は８８〜９１重
Ｍｋ　％のＢａＴｉ０　　８〜１８重ｉｓのＢｉ２Ｏ３
，８ゝ ４重量％までのＮｂ２’Ｏ６，０〜１．８重量％のＴｉ
ｅ。

またはＳｎＯ２、および０．０４〜Ｏ，Ｌ８重ｉ％のＭ
ｎ０Ｏ８の反応混合物（ｒｅａｃｔｅｄ　ｍ１ｘｔｕｒ
ｅ　）を主として含んでいることに特徴を有している。

本発明の組成物の好ましい例において、セラミック組成
物は主として８８．８重ｆｔ％のＢａＴｉＯ３，８，４
重量％のＢｉｏ、ｔ、ｏ重量子のＮｂ２Ｏ５，１，０重
量８ ％　ｔ７）　ＴｉＯおよび０．１７劃０のＭｎ０．０８
からなる０ 本発明の組成物の他の例では、上述する成分の外に１．
８重量％までのＰｂＯを含有する。

本発明の多層コンデンサは電極層により分離したセラミ
ック誘電体組成物の少なくとも２層を含んでいる。セラ
ミック誘電体組成物は主として上述する反応混合物から
なる。電極層は主として少なくとも６５重量％の銀およ
び８５重量％以下のパラジウムの混合物からなる。

本発明の多層コンデンサの製造方法は電極の層で分離し
たセラミック誘電体組成物の層のｆｉ１層体を形成し、
セラミック層および′重積層を空気中で１１５０℃また
はこれ以下の温度で焼成する各工程からなる。セラミッ
ク誘電体組成物は主として上述する予備反応混合物から
なり、電極層は主として６５重敞％の銀および３５重量
％以下のパラジウムからなる。好ましくは、セラミック
層および電極層は１０７０〜１１５０℃の範囲の温度で
焼成する。

本発明のセラミック誘電体組成物、これから作った多層
コンデンサおよびその製造方法は、形成する多層フンデ
ン・ザがＥＩＡ明細書Ｘ７Ｒに合致する利点を有する。

更に、多層コンデンサは比較的に低焼成温度で焼成して
作ることができ、このために製造プロセスにおける燃料
消費が少なくてすみ、かつ安価な銀−パラジウム合金１
！極を用いることができ、しかも過度のビスマス−パラ
ジウム反応を生じさせることなくして経済的レベル以下
の許容しうる製品の収率を減少することができる０ 次に、本発明を添何図面について説明する０第１図は本
発明の多層コンデンサＩＯの断面図を示している。多層
コンデンサ１０は数層のセラミック誘電体層１２から構
成しているＯセラミック誘電体組成物は電極１４および
１６で分離する０交互に分離された電極１４はコンデン
サの一端上において一個の端部１８に接続する。他の分
離された電極１６はコンデンサの他端↓こおいて他の端
部２０に接続するＯこの構造において、各セラミック誘
電体層１２の対向側部を端部１８および２０に電気的に
接続する０このようＱこ形成された構造は平行に電気的
に接続するセラミックコンデ′ンサの堆積体をなす０ 多ｊ・４コンデンサ１０は次のようにして作ることがで
きる：最初に、ＢａＴｉＯ３（または前駆物質）と本発
明における種々の改質剤を湿式または乾式混合する０次
いで、この混合物を好ましくは予備反応する。予備反応
は必要ではないが、これは種々の成分の良好な分布を達
成する０後述するすべての例においては、成分を９００
℃±５°Ｇで１６時間にわたって予備反応を行っている
。

最初の焼成の完了後、予備反応セラミックを１０〜２４
時間にわたりボールミルで粉砕して微粉末にする。この
生成粉末を任意の普通の有機結合剤と混合してスラリー
にする。このスラリーを既知の技術を用いてテーブキャ
ス）　（ｔａｐｅ　ｃａｓｔ　）する。

テープキャストスラリーを乾燥した後、電極パターンに
よってスクリーンプリントする０特に記載しないかぎり
、次のすべての例においてｉｔ極は有機結合剤における
７０重量％の銀および３０京敏係のパラジウムの混合物
からなる。電極を乾燥した後、テープを積重ね、加圧し
、さいころ形にして（ｄｉｃｅｄ　）多層構造を作る。

この構造体を空気中で焼成してセラミックの密度を高め
る。次の例において、化セラミックスを１１５０℃以下
〜望ましい温度で１〜２号時間にわたって焼成する０次
の表Ｉおよび■は改質ＢａＴｊ−０３セラミックスの焼
成挙動（ｓｉｎｔｅｒｊ−ｎｇ　ｂｅｌｌａｖｉｏｒ　
）およびａｍ４？　性ニオケルＢ　ｉ２０　Ｂ　トＦｌ
ｉｊｙ　同ｔ　ルＺ　ｎ　Ｏｓ　Ｎ　ｂ　２０５オよび
ＴｌＯ２の影響を調べた一連の試験結果を示している。

これらすべての組成物は１０個の各電極層を形成する７
０重量％の銀および３０重量％のパラジウムからなる。

多層構造体は空気中１１１５〜１１２０　’Ｃ，で２時
間にわたり焼成した。

表　　■ Ｂｉ２Ｏ３／Ｎｂ２Ｏ，／ＺｎＯ改質ＢａＴｉ０８（重
量チ） 組成物　　　ＴＩＮ　　Ｔ１．２　　Ｔ１２１　　’１
’１４　　Ｔｉ１ｉ　　ＴｌＧ−一５１．７１．―關静
−−−−−−―□１□１５９１４．１１□、−１，７４
１，□−−−□−−ム篩雫−−−１−喝咎□ＢａＴｉＯ
３８７，８８５，８８７，９８６，４！　　８８．４　
８７．０Ｂｉ２０ａ　　　　８　、３　　８　、２　　
８．８　　８　、２　　８　、４＋　　　８　、８Ｎｂ
２０．　　　３．Ｉ　　　Ｌ６　　　Ｌｌ　　　４．７
　　３．２　　４．７Ｔｉｅ２−−−−−−−−−− ＺｎＯ１，３１，４０，７０，７０，ｏ　　　ｏ、０に
、　　　　　　６７０．　６７０．　１１００．　９７
０．　　’１２３０．１０４！０゜Ｄ（％）　　　　１
．１０　０．９０　１．１０　１．１０　−０．６０　
　ｏ、ｇ。

（十１２５　（、、〕 上記表■のデータは、各部分のキャパシタンスの温度変
化、すなわち、キャパシタンスの温度係数（ＴＣＯ）を
比較的に低くできることを示している。この事は一５５
℃および＋１２５℃でのキャパシタンスにおける比較的
に低い割合の変化ΔＣＴを生ずる。しかしながら、また
、これらの材料は低い誘電率ＫＦおよび許容できない低
い抵抗−キャパシタンス（ＲＣ）積を有する。　Ｂｉ２
Ｏ３およびＺｎＯの一定濃度においてＮｂ２Ｏ５濃度を
高める場合には誘電特性に著しい影響はなかった。

この事は低いＮｂ２Ｏ，濃度が幾分高い誘電率および僅
かに小さい耐火焼成挙動に関連するためである。各組成
物の散逸ファクターＤは満足であった。

表Ｉおよび後述する他の表において、ＫＦは各多層コン
デンサの焼成誘電率（ｆｉｒｅｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃｃｏｎｓｔａｎｔ　）を示している。これらの値は各
コンデンサの非焼成（ｕｎｆｉｒｅｃｌ　）および生（
ｇｒｅｅｎ　）誘電率の測定に基づいて概算した。ＫＦ
の計算は焼成における２０容積チの収縮に基づいて行い
、算出した収縮の約±１５チの範囲で正確にした（　Ｋ
ｙの全仏の±３チ）。

表■において、これらの組成物にＺｎＯ濃度を減少させ
またはＺｎＯを省いた場合には、誘電率が増加すること
、およびキャパシタンスにおける変ｆｌｓの右回り回転
が温度曲線を逆にすることを示している。この後者の作
用は一５５℃におけるΔＯＴの増加および＋１２５℃に
おけるΔＣＴの減少をもたらす。ＺｎＯの存在はＢａＴ
ｉｏ８格子にＮｂ２ｏ５の混入するのを妨害するものと
思われる。この結果、ｚｎＯのように低温度に移動する
キュリービーク（Ｃｕｒｉｅ　ｐｅａｋ　）は組成物か
ら離れた。

更に、表１の組成物から作った多層コンデンサの顕微鏡
組織試験によってＮｂ　２０５濃度の増加に伴って濃度
が増加し、かつＺｎＯ濃度の減少に伴って一層細かく分
布する第二相の存在するのを確めた。この第二相は、Ｒ
Ｃ積および組成物のキャパシタンスの温度係数は許容で
きなかったが、組成物Ｔ１５において殆んど除去した。

表■は組成物Ｔ１７〜Ｔ２２についてのデータを示して
いる。この一連の試料データは組成物Ｔ　１．１〜Ｔ１
６で示された傾向に類似させているが、しかしＮｂ２ｏ
５のほぼ半分をＴｉＯ２で置換させている。表Ｈに示す
データは、Ｔｉｏ２置換が誘電率を高め、常温Ｒｅ積を
高め、かつ左回り方向に温度特性を回転（キャパシタン
スにおけるｔｆＥは温度曲線を逆にする）する効果を示
している。

不幸にして、これらの材料は望ましくないホットＲＯ”
ｆｉｌ　（ｈｏｔ　Ｒｃｐｒｏｄｕｃｔｓ　）および／
または許容されないΔＣＴの大きい値を有する。

へ享 組成物Ｔ１７〜Ｔ２２において示している顕微鏡組織傾
向は組成物ＴＩＮ〜Ｔ１６における傾向にほぼ一致して
いる。減少したおよび極めて細かく分布した第二相濃度
はＺｎＯ濃度を減少する場合に観察された。

組成物Ｔ２３（表■）は、Ｂｉ、０８以外の改質剤を望
ましい誘電特性を有する低焼成組成物を作るのに必要で
あるか否かを調べるために作った。表■および表■に示
すデータはＮｂ２Ｏ５またはＮｂ２ｏ５／Ｔｉｏ２添加
剤が良好な焼成性（５ｉｎｔｅｒａｂｉｌｉｔｙ　）を
得るのに必要であることを示している。５０〜１００モ
ルチのビスマスイオン濃度の割合で小さい陽イオン源（
０，８５オングストローム以下のイオン半径）を添加し
ない場合には、セラミック体は極めて多孔性となり、か
つ１１５０℃またはこれ以下の温度で焼成する場合に望
ましくない電気的特性を示すことを確めた。

上述するように、小さい陽イオンを添加するための」二
記要件全満たすために、ＳｎＯ２をＴｉＯ２の代りに用
いることができる。また、Ｔａ２ｏ５をＮｂ、Ｏ。

の代りに用いることができることを確めた。これらの置
換物は幾分高い焼成温度が要求されることを確めた。

組成物Ｔ２ａ、Ｔ２６〜Ｔ２８およびＴｅｌ〜Ｔ３４は
改質Ｂ　ａ　Ｔ　ｉＯ３に対するＩｎｔｏ、添加剤の作
用を示している。これらの組成物の組成およびこれから
得られる特性を表Ｉｌｌおよびｌｖに示す。表■に示す
組成は１１２０℃で２時間にわたり焼成した。電極は７
０％銀および３０チパラジウムを含有さぜた０表■に示
す組成物は１１５０℃で２時間にわたり焼成した。使用
電極は６０チ銀および４０係パラジウムを含有させた。

この理由としては７０襲銀および３０％パラジウムの内
部電極がこの高い焼成温度を持続できないためである。

表　　ｌｌｌ Ｂ１２０３７　Ｎ’）２０ｒ、／　ＺｎＯ改質ＢａＴｉ
Ｏ３に対すルＭ　ｎ　００　ａ　（１）作用（重量％） 組成物　　　Ｔ２４　　　　Ｔ２６　　　　Ｔａ２　　
　　　Ｔ８２ＢａＴ　１０　ａ　　　　８７−９　　　
８７　、５　　　８７　、５　　　　８７　、４Ｂｉ、
０３８，８　　　　８．３　　　　８．３　　　　８．
３Ｎｂ２０５３．２　　　　３．Ｉ　　　　ＬＩ　　　
　　ＬＩＴｉｅ２０．００　　　　０．０　　　　０．
０　　　　　０．０ＺｎＯＯ，７０−１，ＯＬ、０　　
　　　１．０Ｍｎ００８０．０　　　０．０４　　　０
．０３　　　　０．１７Ｋｙ　　　　　　　ＩＪＩｏ、
　　　　１１４０．　　、　　（８００，）’　　、　
１０６０゜Ｄ優）　　　　１．ｏｌ、ｓ　　　　１．３
　　　１．ｓ表■に示ずデータは０．０４〜０．Ｊ８重
ｆｆｋ　％のＭｎＣＯ３添加剤が常温およびボットＲＣ
積をＸ７Ｒ明細書の最小要件より高いレベルに高めるの
に有効であることを示している。しかし、Ｍｎ００３添
加剤は多くのＢ　ａ　Ｔ　ｊ、Ｏａおよび少ない改質剤
含有量を有する組成物においてホットＲＣ積を高めるの
に効果的でない（表ＩＶ　）っまた、改質剤含有量を少
なくする場合には、ＭｎＣＯ３添加剤はコンデンサの温
度特性をＸ７Ｒ明細書に示されている一５５〜＋１２５
°Ｃの温度範囲にわたって±１５チェンベロツプの最大
値（ｏｕｔｓｉｄｅ　）になることがわかる０ 表　　ＩＶ Ｂｉ２０．／Ｎｂ２Ｏ，／ＺｎＯＺｎＯ改質ＢａＴｉＯ
３ルＭ　ｎ　００　ａ　ノ作用少ない改質剤添加 （重量％） 組成物　　　　Ｔ２７　　　Ｔ２８　　　　Ｔ３３？　
Ｔ３４ＢａＴｊ−０３（Ｊｉ、’７　　　９１．７　　
　９１．６　　　９１．６Ｂｉ２０８５．８　　　５，
８　　　５．８　　　５．８Ｎｂ、Ｏ，、１，８１，８
１，８１，８Ｔ　ｉＯ２− Ｚｎ０　　　　　０．７０　　　０．７０　　　０．７
０　　　’　０．７０Ｉｎｔｏ３．　９−００　　　０
．０４　　０．０９　　　０．１８ＫＦ１２７０．　　
１２７０．　　１１８０．　　１１２０゜Ｄ（％）　　
　　　８．０　　　２，６　　　８．０　　　２．８表
■は組成物Ｔ３７〜Ｔ’４４について電気的特性および
組成のデータを示している。これらの組成物は１１００
〜１１０５℃の範囲で２時間にわ　　・たり焼成し、内
部電極は７０ｑ６銀および３０チパラジウムを有してい
た。これらの組成物は誘電率を低下する以外にいかなる
有害な作用を生ずることなく使用できることを示してい
る。これらの組成物は１０８０°Ｃで完全密度に焼成で
きる０表■１に示す組成物Ｔ３７．Ｔ４１．Ｔ４４およ
びＴ５４は１０７０〜１０８５℃の範囲の温度で焼成し
た。内部電極は８０チ銀および２０チパラジウムを含ん
でいた。これらの材料はかかる温度範囲で高銀含有電極
に損傷を与えることなく完全密度に焼成した。これらの
コンデンサのすべてがＸ７Ｒ明細淋より優れていた〇 表　　■ Ｂｉ□Ｏ，／Ｎｂ２０Ｖ／７ＪｎＯ／ＰｂＯ改質ＢａＴ
　ｉＯａ多くの改質剤添加および低い焼成温度 （重置チ） 組成物　　　　　　　Ｔａ２　　　Ｔ４１　　　Ｔ伺・
　　Ｔ５４　　　′ＢａＴｉＯ３８４，１８８，４’８
５，６　　８１１．７Ｂｉ２０８１０．７　　１２．０
　　１１，２　　　８．２　　　　　：Ｎｂ、０６４．
０　　　８．８’　　　１．ＯＬｌｒｉｏ２ｏ、ｏ　　
　　Ｏ，０１，１０，０ＺｎＯ１，００，７０，００，
０ ＰｂＯＯ，００，００，０１，８ ＫｎＧＯ８０，Ｉｏ　　　Ｏ，１６ｏ、１６　　０．１
７Ｆ ＫＦ　　　　１０７０’０　　　９９０．　　８８０．
　　１３６０　　．１３７５゜１０８５υ　　９６０．
　　８８０．　　１３９０．　　１，３５０゜表■は組
成物Ｔ４６　、Ｔ４７　、Ｔ、４９　、Ｔ２ＯおよびＴ
５３〜Ｔ５６を示している０すべでのこれらの組成物は
１．’１．０５°Ｃで２時間（こ４つたり焼成し、電極
は７０チ銀および３０％）ぐラジウムを含んでいた０好
ましい組成物’ｒｉｏｃまＺｎＯヲ含ンテおらず、かつ
Ｎｂ２Ｏ３のほぼ半分をＴｌＯ２で置換している。Ｍ　
ｎ　ＯＯａはドープ剤として存在させてｌ／）る。組成
物Ｔ４９と比較してＺｎＯの添ＪＪＩＩ力ミキャノくシ
タンスの温度変化を高めることだけ番こ（’ｌｌｉ　Ｊ
目１−ることがわかる０改良された温度特性はＺｎＯを
ＰｂＯで置換した組成物Ｔ５３およびＴ５４＆こおｌ、
Ａて観察した。しかしながら、組成物Ｔ　５４Ｇま組成
９勿Ｔ５０より低い誘電率を有している０ 表　　　■ Ｎｂ　ＯをＴｉＯまたはＳｎＯ，１ ２６Ｂ ＺｎＯヲＰｂＯテ置換り、７Ｓ ＺｎＯを除去する効ｊ （重量％） 組成物　　　　　　’Ｔ！４６　　　　Ｔ４？　　　　
’Ｉ’４９　　　　Ｔ５０ＢａＴｉＯ８Ｂ７．７　　　
８８．３　　　８８．２　　　　Ｂ８．８Ｂｉ、ｏ、　
　　　　　　　ｓ、ａ　　　　８．４　　　８．４　　
　　Ｂ、４Ｎｂ２０．　　　　　　　８．１　　　３．
１　　　１．６　　　１．６Ｔｉｅ２０，０　　　０．
０　　　０．９　　　１．。

−５ｎＯ２０，００，００，００，０ ＺｎＯＯ，７０，００，７０，０ ｐｂｏ　　　　　　　　　ｏ、ｏ　　　　ｏ、ｏ　　　
　ｏ、ｏ　　　　ｏ、。

Ｍｎ０Ｏ８０，１７０，１７０，１７０，１７ＫＦ１２
００．　　１２８０．　　１７１０．　　１６９０゜Ｄ
（俤）　　　　　　　１，４　　　１．１　　　２．２
　　　１，５Ｒｅ　（秒）　　　　　８，０００　１９
，０００　１５，０００　１８，０００（２５℃） Ｒｅ　（秒）、　　　　９００　　１０００．６００．
　　　７００゜（１２５°Ｃ） ΔＣＴ　（チ）　　　　　−２，５＋５，０　　−１２
．Ｏ−５，０（−５５°Ｃ） ４５９− ゛置換した効果 一効果 峡 Ｔ５８　　　　Ｔ５４　　　　’［’５５　　　　Ｔ５
６８７．２　　　８６．７　　　８７．９　　　８７．
５８．１３　　　８．２　　　８．３　　　８．３８．
１　　　８，１　　　１．６　　　　Ｎ、６０．０　　
　０．（１０，５０，０ ０，００，００，９１，８ ０，８０，００，７０，７ ０，９１，８０，００，０ ０，１７０，１７０，１７０，１７ １３２０、１４００，１４７０，１３８０゜ＩＪ　　　
　１．３　　　２，０　　　１．８４０．０００　８５
，０００　２０，０００　２０，０００６００、　　　
ｆ！１０００．　　１５００　　　１５００゜十８．　
　　　　＋３．−１１．　　　−１０゜−４，−２，＋
１４．　　　　＋１２゜一連の観察試験を試験多層コン
デンサについて行い、電極がビスマス−パラジウム反応
により損傷する条件を調べた。セラミック誘電体組成物
は５．８〜１３１１ズｈ１％の範囲のＢｉ２Ｏ３を含有
さセた〇これらの組成物は４・０〜７５％の範囲のパラ
ジウムを含む銀−パラジウム電極を有する多層コンデン
サの製造に用いた。最後に、多層コンデンサを１１００
〜１２５０℃の範囲の温度で焼成した。

上述する試験から、次の定性的結論を導ひいた。

第一に、ビスマス−パラジウム反応の度合は電極のパラ
ジウム含有量、および多層コンデンサを焼成する温度に
応じて変わる。焼成温度を低くするのに伴って、反応の
度合が小さくなる。

更に、ビスマス−パラジウム反応はセラミックにおいて
ニオブおよびチタンの如き小さい陽イオン（０，８，５
オングストローム以下のイオン半径）でビスマスイオン
を補償することによって抑制できる。非補償の高Ｂｉ２
Ｏ３含有量はビスマス−パラジウム反応および内部電極
の破壊を促進することが明らかである。

【図面の簡単な説明】

添イ」図面は本発明の多層コンデンサの断面図である。 １０・・多層コンデンサ １２・・セラミック誘電体層 ■４・、１〔ｉ・・・電極 １８　、２０・・・端部 特ＷＦ　出ＦＡ人　　ノース・アメリカン・フィリップ
ス・コーポレーション

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １８３〜９１重量係のＢａＴｉＯ３， ８〜１３重量係のＢｉ２Ｏ３， ４重態チまでのＮｂ２Ｏ５， ０〜１．８重量％のＴｉＯまたは５ｎ０２、および ０．０４〜０．１８重量係のＭｎ０Ｏ８の反応混合物を
   主として含むことを特徴とするセラミック誘電体組成物
   。 ２　　約８８８８重量％のＢ　ａＴ　ｉｏ　３、約ｓ、
   ４ｍ１ｉｓのＢｉ、０８、 約１．６重ｉ％ｔ％のＮｂ、Ｏ，、 約１．０重凰チのＴｉＯ２、および 約０．１７７重量％Ｍｎ００８ の反応混合物を主として含む特許請求の範囲第１項記載
   のセラミック誘電体組成物。 ＆　組成物は１．８重量％までのＰｂｏを含む特許請求
   の範囲第１項、記載のセラミック誘電体組成物。 転　少なくとも６５原子チの銀および３５原子チ以下の
   パラジウムの混合物を主として含む電極層により分離し
   た ８８〜９１　重量係の、ＢａＴｉＯ３，８〜１８Ｉ４ｊ
   ：（！ｑ６のＢ　ｉ２’　Ｏａ、４重に１係までのＮｂ
   ２Ｏ，， ０〜１．８重Ｍ％）ＴｉＯ２またはＳｎＯ２、および ０．０４〜０．１８重ｆｆ１％のＩｎｔｏ８の反応混合
   物を主として含む少なくとも２層のセラミック誘電体組
   成物から構成したことを特徴とする多層コンデンサ。 ５　セラミック誘電体組成物は 約８８．８重量％のＢ　ａＴ　ｉｏ　８、約Ｂ、　４１
   　ｆｉ　ｔｉ％のＢｉ、０８、約１．６ｍｆｔ％のＮｂ
   ２Ｏ，、 約１．０重量％のＴｉＯ２、および 約０，１７劃０のＭｎＯＯ８ の反応混合物を主として含んでいる特許請求の範囲第４
   項記載の多層コンデンサ。 ６　組成物は１．８重量％までのＰｂｏをきむ特許請求
   の範囲第４５項記載の多層コンデンサ０７、　少なくと
   も６５原子係の銀および３５原子チ以下のパラジウムの
   混合物を主として含む電極層にＪ：り分離した ８３〜９１重量ｓのＢａＴｉｏ８． ８〜１３重世襲のＢｉ２Ｏ３， ４重ハを係までのＮｂ２Ｏ５， ０〜ｌ、８重１ｔｋ　％　ノ’Ｉ’　１０２または５ｎ
   ｏ２、および ０．０４〜０．１８重ｉｉｓのＭｎＣＯ８の反応混合物
   を主として含むセラミック誘電体組成物の積層体を形成
   し、 前記セラミック誘電体層および前記電極層を空気中で１
   １５０　℃またはこれ以下の温度で焼成する工程からな
   ることを特徴とする多層コンデンサの製造方法。 ８、　前記セラミック誘電体層および電極層を１０７０
   〜１１５０℃の範囲の温度で焼成する特許請求の範囲第
   ７項記載の多層コンデンサの製造方法。 ９、　セラミック誘電体組成物は 約８８．８重ｆｙｔ％のＢａＴｉＯ３、約８．４重量％
   のＢｉ２Ｏ３、 約１．６ｆｆｉｆｉ％のＮｂ２Ｏ，、 約１．０重量％のＴｉＯ２、および 約０．１７重ｉ％のＭｎＣＯ３ の反応混合物を主として含む特許請求の範囲第８項記載
   の多層コンデンサの製造方法０１０、　　セラミック誘
   電体組成物は１．８重量％までのｐｂｏを含む特許請求
   の範囲第８項記載の多層コンデンサの製造方法。