JPS5963722A - 半導体装置の加工装置 - Google Patents
半導体装置の加工装置Info
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- JPS5963722A JPS5963722A JP17555082A JP17555082A JPS5963722A JP S5963722 A JPS5963722 A JP S5963722A JP 17555082 A JP17555082 A JP 17555082A JP 17555082 A JP17555082 A JP 17555082A JP S5963722 A JPS5963722 A JP S5963722A
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- Japan
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- thin film
- semiconductor substrate
- laser beam
- semiconductor device
- desired pattern
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、反応流体雰囲気中の半導体基板上にレーザ
光を照射し、所別パターンの薄膜を形成する、半導体装
置の加工装置に関する。
光を照射し、所別パターンの薄膜を形成する、半導体装
置の加工装置に関する。
従来のこの種の加工装置として、第１図に概要構成図で
示すものがあった。（＋１は光化学反応をさせるレーザ
光を出す光源、（２）は光学系で、レンズ群を有し光量
や光の方向などを変へる。（３）は密閉容器で、反応ガ
スが充てんされており、上方に解が設けられ透明体（図
示は略す）がはめられていて、レーザ光を透過する。（
４）は密閉容器（３）内に置かれた半導体基板である。
示すものがあった。（＋１は光化学反応をさせるレーザ
光を出す光源、（２）は光学系で、レンズ群を有し光量
や光の方向などを変へる。（３）は密閉容器で、反応ガ
スが充てんされており、上方に解が設けられ透明体（図
示は略す）がはめられていて、レーザ光を透過する。（
４）は密閉容器（３）内に置かれた半導体基板である。
上記従来装置による加工は、次のようにする。
光源（１）としてアルゴンレーザを使用し、半導体基板
（４）として上面に熱酸化膜を形成したシリコン基板を
用いる。容器（３）内な排気後、８ｉ）１４ガスを導入
し２００ ’ｒｏｒｒとする。ステッピングモータ（図
示は略す）により容器（３）を９０μ■１／８の速度で
移動し、２Ｗの１７−ザ光を半導体基板（４）上に照射
する。照射された部分は加熱し、この熱により５１Ｈ４
が分解し、厚さ約２μｍ９幅約５μｍの多結晶シリコン
の線が形成される。（エルリイッテ（Ｄ−Ｊ−Ｅｈｒｌ
ｉｃｈ）外、アプライド・フィジックス・レター（Ａｐ
ｐｌｌｅａＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ）第３９巻
１９８１年第９５７ページ） 一方、反応ガスとしてＣｔ２を用いると、半導体基板（
４）上に形成されである、厚さ０．４μｍの多結晶シリ
コンを光化学反応によりエツチングすることができる。
（４）として上面に熱酸化膜を形成したシリコン基板を
用いる。容器（３）内な排気後、８ｉ）１４ガスを導入
し２００ ’ｒｏｒｒとする。ステッピングモータ（図
示は略す）により容器（３）を９０μ■１／８の速度で
移動し、２Ｗの１７−ザ光を半導体基板（４）上に照射
する。照射された部分は加熱し、この熱により５１Ｈ４
が分解し、厚さ約２μｍ９幅約５μｍの多結晶シリコン
の線が形成される。（エルリイッテ（Ｄ−Ｊ−Ｅｈｒｌ
ｉｃｈ）外、アプライド・フィジックス・レター（Ａｐ
ｐｌｌｅａＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ）第３９巻
１９８１年第９５７ページ） 一方、反応ガスとしてＣｔ２を用いると、半導体基板（
４）上に形成されである、厚さ０．４μｍの多結晶シリ
コンを光化学反応によりエツチングすることができる。
（エルリイツチ（ｉ）−Ｊ−Ｆｈｒｉｃｈ）外、アプラ
イド・フィジックス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
日ｉｃθＬｅｔｔｅｒ）第３８巻１９８１年第１０１８
ページ）なお、半導体基板（４）上の薄膜を所定のパタ
ーンにするには、光学系（２）によりレーザ光の方向を
移動するか、容器（３）又は半導体基板（４）を載せで
ある支持台（図示は略す）を移動させる。
イド・フィジックス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
日ｉｃθＬｅｔｔｅｒ）第３８巻１９８１年第１０１８
ページ）なお、半導体基板（４）上の薄膜を所定のパタ
ーンにするには、光学系（２）によりレーザ光の方向を
移動するか、容器（３）又は半導体基板（４）を載せで
ある支持台（図示は略す）を移動させる。
従来の加工装置は、薄膜のパターン形成の位置精度か低
く、加工速度が遅かった。
く、加工速度が遅かった。
この発明は、レーザ光を電気光学偏向器に通して偏向さ
せ、反応流体雰囲気中の半導体基板上に照射し、薄膜の
パターンを形成するようにし、高精度の薄膜パターンが
、短時間で形成される、半導体装置の加工装置を提供す
ることを目的としている。
せ、反応流体雰囲気中の半導体基板上に照射し、薄膜の
パターンを形成するようにし、高精度の薄膜パターンが
、短時間で形成される、半導体装置の加工装置を提供す
ることを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例による半導体装置の加工装
置の概要構成図であり、ｉｌ＋ 、 ［３＋ 、 ＋４
１は上記従来装置と同一のものである。（ｌＯ）は光学
系で、レンズ群を有し、光量や光の方向などを調整する
。
置の概要構成図であり、ｉｌ＋ 、 ［３＋ 、 ＋４
１は上記従来装置と同一のものである。（ｌＯ）は光学
系で、レンズ群を有し、光量や光の方向などを調整する
。
（１１）は電気光学偏向器で、例えば、レーザ光に電界
を印加して偏向させ、半導体基板（４）上に所要のパタ
ーンを描いて照射させる。
を印加して偏向させ、半導体基板（４）上に所要のパタ
ーンを描いて照射させる。
こうして、反応ガス雰囲気中の半導体基板（４）−ヒに
、レーザ光で所要のパターンを描かして照射し、反応ガ
スを光化学反応させ、Ｑｉｆｆのパターンの薄膜を付着
形成する。
、レーザ光で所要のパターンを描かして照射し、反応ガ
スを光化学反応させ、Ｑｉｆｆのパターンの薄膜を付着
形成する。
あるいは、上面側に薄膜を形成しである半導体基板を反
応ガス雰囲気中に置き、この薄膜上に、鋤、気光学偏向
器（１１）を介したレーザ光で所要のパターンを描かし
て照射し、反応ガスを光化与反応させ、所要のパターン
にエツチングする。
応ガス雰囲気中に置き、この薄膜上に、鋤、気光学偏向
器（１１）を介したレーザ光で所要のパターンを描かし
て照射し、反応ガスを光化与反応させ、所要のパターン
にエツチングする。
なお、光源として、アルゴンレーザの外、炭酸ガスレー
ザなど光化学反応させる気体レーザを用いてもよい。
ザなど光化学反応させる気体レーザを用いてもよい。
また、反応ガスとしては、レーザにより光化学反応する
もので、半４体基板上の薄膜をエツチングする場合と、
半導体基板上にＤ［要のパターンで薄膜を付着形成する
場合とで、それぞれ適した反応ガスを用いる。
もので、半４体基板上の薄膜をエツチングする場合と、
半導体基板上にＤ［要のパターンで薄膜を付着形成する
場合とで、それぞれ適した反応ガスを用いる。
さらに、光化学反応をする反応流体として、反応ガスの
外、場合によっては、反応溶液、例えば芙素溶沿７１．
あるいは、ヨウ素溶液を用いることもできる。
外、場合によっては、反応溶液、例えば芙素溶沿７１．
あるいは、ヨウ素溶液を用いることもできる。
以上のように、この発明にれｔま、レーザ光を電気光学
偏向器に通して偏光させ、反応流、体雰囲気中の半導体
基板上に所要の）くターンを描かせて照射し、所要のパ
ターンの薄膜が形成できるようにしたので、高精度の薄
膜パシーンか、先ン時間に形成できる。
偏向器に通して偏光させ、反応流、体雰囲気中の半導体
基板上に所要の）くターンを描かせて照射し、所要のパ
ターンの薄膜が形成できるようにしたので、高精度の薄
膜パシーンか、先ン時間に形成できる。
第１図は従来の半導体装置の加工装置を示す概要構成図
、第２図はこの発明の一実施例へよる半導体装置の加］
二装置を示す概要構成図である。 図において、］、・・・レーザ光源、３・・・密閉容器
、４・・・半導体基板、１０・・・光学系、１１・・・
電気光学偏向器。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を芳ミす。 代理人 葛 野 イ３−（外１名）第１図 第２図 手続補正書：（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 士・）゛願昭５７−１７５５５
０号２、発明の名称 半導体装置の加工装置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 ｆ、ｉ：、所゛ 東％ｊ都千代目１区丸の内二
’−Ｊ−１°１２番３号名 称（６０１） 三菱電
機株式会社代表者片１１１仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１’ｌＪ区丸の内ニー丁１
１１２番３壮５、補正の対象 明細ダ）の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」
及び「図面の簡単な説明Ｊの欄。 ６、補正の内容 ＋１１ 明細■の％Ｆｆ請求の範囲を別紙のとおり補
正する。 （２） 明細書第２ページ第１０〜１１．１３行、第
６ページ第４行の「苦閉容器」を「反応容器」に補正す
る。 （３）明細書第２ページ第１１行の「充てん」を「導入
」に補正する。 （４） 明細書第４ページ第１０〜１１行の「レーザ
光に一一一偏向させ、」を「電気光学素子に電界を印加
して透過レーザ光を偏向させ、」に補正する０ ７、添付書類の目録 」圧抜の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 （１） 上部に設けられた窓穴にレーザ光を透過する
透明板がはめられてあり、半導体基板を収容し化学反応
をさせるレーザ光を投射する光ｉｄＢ、この光源からの
レーザ光を通し所要の調整をする光学系、及び上記レー
ザ光を通して偏向させ、上記半導体基板上に所要のパタ
ーンを描いて照射させて所要パターンの薄膜を形成させ
るための電気光学偏光器を倫えた半導体装置の加工装置
。 （２）半導体基板には上面に薄膜を施してあり、電気光
学偏光器を通したレーザ光を上記薄膜上に照射し、Ｆ９
Ｔ要のパターンにエツチングするようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の加工装
置。 （３）半導体基板上に電気光学偏光器を通したレーザ光
を照射し、所要のパターンの薄膜を付着形成するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の加工装置。
、第２図はこの発明の一実施例へよる半導体装置の加］
二装置を示す概要構成図である。 図において、］、・・・レーザ光源、３・・・密閉容器
、４・・・半導体基板、１０・・・光学系、１１・・・
電気光学偏向器。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を芳ミす。 代理人 葛 野 イ３−（外１名）第１図 第２図 手続補正書：（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 士・）゛願昭５７−１７５５５
０号２、発明の名称 半導体装置の加工装置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 ｆ、ｉ：、所゛ 東％ｊ都千代目１区丸の内二
’−Ｊ−１°１２番３号名 称（６０１） 三菱電
機株式会社代表者片１１１仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１’ｌＪ区丸の内ニー丁１
１１２番３壮５、補正の対象 明細ダ）の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」
及び「図面の簡単な説明Ｊの欄。 ６、補正の内容 ＋１１ 明細■の％Ｆｆ請求の範囲を別紙のとおり補
正する。 （２） 明細書第２ページ第１０〜１１．１３行、第
６ページ第４行の「苦閉容器」を「反応容器」に補正す
る。 （３）明細書第２ページ第１１行の「充てん」を「導入
」に補正する。 （４） 明細書第４ページ第１０〜１１行の「レーザ
光に一一一偏向させ、」を「電気光学素子に電界を印加
して透過レーザ光を偏向させ、」に補正する０ ７、添付書類の目録 」圧抜の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 （１） 上部に設けられた窓穴にレーザ光を透過する
透明板がはめられてあり、半導体基板を収容し化学反応
をさせるレーザ光を投射する光ｉｄＢ、この光源からの
レーザ光を通し所要の調整をする光学系、及び上記レー
ザ光を通して偏向させ、上記半導体基板上に所要のパタ
ーンを描いて照射させて所要パターンの薄膜を形成させ
るための電気光学偏光器を倫えた半導体装置の加工装置
。 （２）半導体基板には上面に薄膜を施してあり、電気光
学偏光器を通したレーザ光を上記薄膜上に照射し、Ｆ９
Ｔ要のパターンにエツチングするようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の加工装
置。 （３）半導体基板上に電気光学偏光器を通したレーザ光
を照射し、所要のパターンの薄膜を付着形成するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の加工装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 上部に設けられた公人にレーザ光全透過する
透明板がはめられてあり、半導体基板を収容し反応流体
を刺入した密閉容器、上記反応流体に光化学反応をさせ
るレーザ光を投射する光源、この光源からのレーザ光を
通し所要の調整をする光学系、及び上記レーザ光を通し
て偏向させ、上記半導体基板上に朋要のパターンを描い
て照射させて所要パターンの薄膜を形成さぜるための１
１１、像光学偏光器を備えた半導体装置の加工装置。 （２１半導体基板には上面に薄膜を施してあり、電気光
学偏光器を通したレーザ光を上記劫膜上に照射し、所要
のパターンにエツチングするようにしたことを特徴とす
る％￥＋請求の範囲第１項記載の半導体装置の加工装置
。 （３） 半導体基板上に電気光学偏光器を通したレー
ザ光を照射し、所要のパターンの薄膜を付着形成するよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555082A JPS5963722A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555082A JPS5963722A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963722A true JPS5963722A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15998036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17555082A Pending JPS5963722A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60216549A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60216555A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6153731A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Anritsu Corp | 紫外線によるエツチング方法及び装置 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17555082A patent/JPS5963722A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60216549A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60216555A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6153731A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Anritsu Corp | 紫外線によるエツチング方法及び装置 |
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